CN115985822A - 一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，包括识别模块、分配模块、多个检测模块、预测模块、提醒模块、显示模块、多个酸液槽设有酸液，多个检测模块对多个酸液槽内酸液的导电率进行检测，识别模块对待清洗产品的类型进行识别，分配模块按照类型为待清洗产品分配的酸液槽，预测模块根据导电率预估换酸时间；在预设时间段内提醒电感耦合等离子体质谱仪ICP‑MS测试酸液中的所有金属元素含量，测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液；能够提高酸液的利用程度，有利于对多个酸液槽进行时间同步管理，降低检测成本，提高控制的智能化程度。
Description
技术领域
本发明涉及控制系统技术领域，尤其涉及一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统。
背景技术
在半导体高精密元件表面质量控制行业中存在大量化学品酸液的使用，由于更换周期不明确造成产品清洗不干净、清洗周期增长、酸液更换频繁，对从事半导体高精密元件表面质量控制行业的公司造成经济损失。
确定酸的更换周期可以避免酸液浪费，污染环境，亦可以防止长时间不更换造成半导体集成电路芯片相关高精密产品表面痕量金属元素超标，影响刻蚀效率，造成元件损坏，因此确定酸液的更换周期对半导体集成电路芯片相关高精密产品表面质量控制具有重要意义，它是提高产品良率、降低成本、提高客户满意度的重要环节。
电感耦合等离子体质谱仪(以下简称，ICP-MS)是目前测定痕量元素最有效的方法之一，具有ppt级别的低检出限、灵敏度高、线性动态范围宽和同时测定多种元素含量等优点，因而已被广泛的用于半导体集成电路芯片行业中高精密元件痕量元素污染检测的研究。但使用ICP-MS进行痕量元素污染检测的成本较高，且依赖人工检测，导致检测的效率和成本都大幅度增加。因此，开发一种高效的半导体集成电路芯片对从事其高精密元件表面质量控制行业酸更换周期的方法具有重要意义。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺陷，本发明提供一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，包括控制模块、识别模块、分配模块、多个检测模块、多个酸液槽、预测模块、提醒模块、显示模块，所述多个酸液槽设有酸液。
所述多个检测模块与多个酸液槽一一对应，每个检测模块具有探测头，探测头上装有正电极探针和负电极探针，所述探测头通过所述正电极探针和负电极探针对对应酸液槽内所述酸液的导电率进行检测；所述识别模块用于对待清洗产品的类型进行识别，将类型识别结果发送到分配模块，所述分配模块按照类型识别结果确定为所述待清洗产品分配的酸液槽，所述酸液槽为所述多个酸液槽中的一个酸液槽；所述预测模块用于根据导电率预测所述酸液槽中酸液的金属含量接近清洗限度要求的预估换酸时间；在所述预估换酸时间前的预设时间段内，所述提醒模块用于提醒对所述酸液槽的酸液取样检测后查看金属元素含量，所述取样检测为在外部实验室采用电感耦合等离子体质谱仪ICP-MS测试酸液中的所有金属元素含量，判断ICP-MS测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液；所述显示模块，用于对所述多个酸液槽的导电率和预估换酸时间进行显示；所述控制模块用于系统内各个模块之间的数据传输转发和管理。
其中，所述检测模块按照预设周期检测酸液槽的导电率，将检测到的导电率数据发送给预测模块，所述预测模块按照时间先后顺序保存接收到的导电率数据；所述预测模块中存储有导电率时间列表，所述导电率时间列表最后一项为最近一次接收到的导电率数据。
其中，所述预测模块用于根据导电率预测所述酸液槽中酸液的金属含量接近清洗限度要求的预估换酸时间，包括：步骤S1，所述预测模块确定所述酸液槽中金属含量当前小时增长速率Vt：
，
其中，Xt、Xt-1、Xt-2分别为所述导电率时间列表中最后一项、倒数第二项、倒数第三项对应的导电率数据，所述T为采样周期；步骤S2，所述预测模块确定预测的预估换酸时间，其中H为酸液中金属含量达到清洗限度要求时酸液的导电率。
其中，所述控制模块在接收到换酸指示后，所述控制模块指示所述酸液槽对应的检测模块停止检测导电率；以及所述控制模块确定更换酸液完成后，所述控制模块指示所述预测模块清空当前导电率时间列表中的表项内容，并在接收到所述预测模块清空列表完成的状态反馈后，向所述检测模块指示其恢复检测导电率。
其中，所述识别模块用于对待清洗产品的类型进行识别，包括：所述识别模块包括两个摄像头，分别位于待清洗产品识别区域的正前方和上方，用于获取所述待清洗产品的正视图和侧视图，所述识别模块基于所述正视图和侧视图拼接后的数据矩阵确定所述待清洗产品的类型。
其中，所述识别模块内预存有识别模型，所述识别模型是预先根据所有待清洗产品的类型和对应的正视图和侧视图拼接后的数据矩阵作为输入数据对训练得到的；所述识别模块在识别过程中，将所述待清洗产品的所述正视图和侧视图拼接后的数据矩阵输入至所述识别模型中获取对应的待清洗产品的类型。
其中，所述分配模块中保存待清洗产品金属元素减量表和酸液槽累计金属元素含量表；所述待清洗产品金属元素减量表包括不同类型的待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量；所述酸液槽累计金属元素含量表包括所有酸液槽对应的不同类型的金属元素的估计含量。
其中，所述分配模块按照类型识别结果确定为所述待清洗产品分配的酸液槽，包括：步骤A1，所述分配模块根据类型识别结果确定所述待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量；步骤A2，所述分配模块新建第二酸液槽累计金属元素含量表，所述第二酸液槽累计金属元素含量表为将所述表面金属元素类型和对应的平均清洗减量对应地增加到所述酸液槽累计金属元素含量表中所有酸液槽的对应的表面金属元素的估计含量中形成的；步骤A3，对所述第二酸液槽累计金属元素含量表进行数据处理，包括对于每一表项值，计算该表项中的金属元素的估计含量除以该金属元素的测定上限值作为该表项的处理后数据值；步骤A4，确定所述数据处理后的第二酸液槽累计金属元素含量表中方差低于预设均衡阈值的酸液槽；步骤A5，当所述步骤A3中确定的酸液槽数量大于1时，选择酸液槽中所有金属元素的估计含量最低的酸液槽作为所述待清洗产品分配的酸液槽；步骤A6，所述分配模块删除所述第二酸液槽累计金属元素含量表。
其中，所述控制模块在接收到换酸指示并确定更换酸液完成后，所述控制模块指示所述分配模块将所述酸液槽累计金属元素含量表中的进行了换酸的酸液槽对应的不同类型的金属元素的估计含量置为0。
本发明还提供了一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，所述系统包含处理器、存储器，所述处理器通过执行存储器中的计算机指令实现前述的集成电路芯片高精密表面质量控制系统的功能。
通过本发明的集成电路芯片高精密表面质量控制系统，能够实现提高酸液的利用程度，有利于对多个酸液槽进行时间同步管理，同时减少了ICP-MS检测的次数，降低了检测成本，提高了控制的智能化程度。
附图说明
图1是本发明实施例的集成电路芯片高精密表面质量控制系统的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种。
下面结合附图详细说明本发明的可选实施例。
实施例一。
如图1所示，本发明公开了一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，包括识别模块、分配模块、多个检测模块、多个酸液槽、预测模块、提醒模块、显示模块。
所述多个检测模块与多个酸液槽一一对应，每个检测模块具有探测头，探测头上装有正电极探针和负电极探针，所述探测头通过所述正电极探针和负电极探针对所述对应酸液槽内酸液的导电率进行检测。
所述识别模块用于对待清洗产品的类型进行识别，将类型识别结果发送到分配模块，所述分配模块按照类型识别结果确定为所述待清洗产品分配的酸液槽，所述酸液槽为所述多个酸液槽中的一个酸液槽。
所述预测模块用于根据导电率预测所述酸液槽中酸液的金属含量接近清洗限度要求的预估换酸时间。
在所述预估换酸时间前的预设时间段内，所述提醒模块用于提醒对所述酸液槽的酸液取样检测后查看金属元素含量，所述取样检测为在外部实验室采用电感耦合等离子体质谱仪ICP-MS测试酸液中的所有金属元素含量，判断ICP-MS测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液。
所述显示模块，用于对所述多个酸液槽的导电率和预估换酸时间进行显示。
所述控制模块用于系统内各个模块之间的数据传输转发和管理。
在本发明中，控制模块与所有模块进行连接，包括有线连接或无线连接，用于不同模块间的数据传递和数据管理，包括但不限于数据中转管理。
本发明中，需要对酸液进行探测，探针材料选用耐腐蚀性较强的金属探针材料，包括但不限于铱、铂等材料，在每次探测检测完成后，探针离开酸液中，系统控制模块打开清洗喷头对金属探针表面的酸液进行喷洗处理，以减少酸液对金属探针的腐蚀影响，起到延长金属探针的使用期限降低成本的效果。
在某一实施例中，本发明中在外部实验室采用电感耦合等离子体质谱仪ICP-MS测试酸液中的所有金属元素含量的方法包括：
步骤一、清洗后产品选取：在经过同一酸液槽液清洗后产品中选取表面相对平整的产品（不包含喷砂、熔射、喷涂产品），如有孔洞需要选择孔洞直径需大于1cm的产品。
步骤二、标记C0：在100级或更高等级洁净室的采样区内将洁净的无尘布放入洁净的瓶子(PFA)中，加入100mL空白溶液摇匀放置30分钟后取出无尘布（wiper），无需稀释直接用ICP-MS测试溶液中元素含量记为C0。
步骤三、标记C1：在100级或更高等级洁净室的采样区内将清洗后的产品用处理后的无尘布（wiper）擦拭整个产品表面，放入洁净的空瓶内，加入100mL空白溶液摇匀放置30分钟后取出无尘布（wiper）, 在用空白溶液稀释合适倍数再用ICP-MS测试溶液中元素含量记为C1。
步骤四、计算痕量元素污染含量：取两次测试结果的差值，通过公式计算最终得到待测产品的痕量元素污染含量。
该方法可检测的痕量元素包括第二周期到第六周期的金属元素（包含：锂、钠、镁、铝、砷、硒、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、锗、铷、锶、钇、锆、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、铯、钡、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铊、铅、铋、钋）。
较佳的，所述空白溶液为2%HNO3+0.05%HF的混合液。
较佳的，所述无尘布（wiper）和所述瓶子(PFA)在使用之前在PFA材质烧杯中加入质量百分比浓度为 5％的硝酸溶液在加热板上加热并保持190℃清洗消煮30min，注意在通风橱下进行；用超纯水清洗后再次重复清洗两次无尘布（wiper）、瓶子(PFA)；无尘布（wiper）用超纯水保存,使用时取出用流动的超纯水冲洗至少六次后使用，空瓶用超纯水清洗后甩干备用。
较佳的，所述步骤五中，在金属含量离限制较大时如若清洗浸泡时间延长，检测H+含量，如果离初始含量相差较多，则添加新酸补足H+含量（这里的新酸指的是和原酸溶液相同的酸类，因为酸液有多种配比，所以没有指出具体哪一种。均是硝酸、氢氟酸其中的一种或这两种混合酸），利用酸碱滴定，滴定出H+含量，可用氢氧化钠或氢氧化钾均可进行滴定。
较佳的，所述步骤四中痕量元素污染含量计算公式：
X为产品痕量元素污染含量，单位为 atoms/cm2。
C1为步骤三测得的元素含量，单位为ng/L，记为“后值”。
C0为空白对照的元素含量，也就是步骤二测得的元素含量，单位为ng/L，记为“前值”。
V为步骤三的空白溶液体积，单位为mL。
NA为阿伏伽德罗常数：6.022×1023。
Aw为相对原子质量。
S为部件的总表面积，单位为cm2。
F为稀释倍数。
较佳的，所述无尘布（wiper）的规格为100*100mm，此规格无尘布在擦拭绝大多数样品时均可适用。
例如，对某一样品表面积为700cm2的溶液检测的ICP-MS检测计算结果见下表1：
需指出：测定上限是当产品表面积为1000cm2，定容体积为100mL时计算结果。当样品母材为某种元素时不对此种元素做上限限定。
本发明中，判断ICP-MS测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液可以是比例阈值，具体为超出测定上限的元素个数占总检测元素个数（23个）的比例超出预设值，如设置当超出测定上限的元素个数等于或超过4个时则判断ICP-MS测试结果超过比例阈值。
本发明中，判断ICP-MS测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液的阈值可以是百分比阈值，具体为每一项金属元素测试结果都不能超出测定上限的百分比比值，例如每一项金属元素测试结果不能超出测定上限的80%、85%、90%，该百分比比值可以根据ICP-MS测试检测成本和检测及时性来合理选择，任一项金属元素测检测结果的百分比超出了该百分比阈值都需要更换酸液。
本发明中，根据比例阈值或超额百分比阈值的判断方法既可以单独使用，也可以作为结合判断的标准进行使用。
如表1所述为某次检测的ICP-MS检测计算结果，设当前试验的判断标准仅采用比例阈值小于（4/23）%作为判别标准，可见测量结果超出测定上限的元素未超过4项，因此判断ICP-MS测试结果未超过清洗限度值阈值，不需要更换酸液。
在本发明中，在所述预估换酸时间前的预设时间段内，所述提醒模块用于提醒对所述酸液槽的酸液取样检测后查看金属元素含量，预设时间段可以是12小时、24小时或其他预设的时间段数值。
在某一实施例中，所述检测模块按照预设周期检测酸液槽的导电率，将检测到的导电率数据发送给预测模块，所述预测模块按照时间先后顺序保存接收到的导电率数据；所述预测模块中存储有导电率时间列表，所述导电率时间列表最后一项为最近一次接收到的导电率数据。
在某一实施例中，所述预测模块用于根据导电率预测所述酸液槽中酸液的金属含量接近清洗限度要求的预估换酸时间，包括：步骤S1，所述预测模块确定所述酸液槽中金属含量当前小时增长速率Vt：
，
其中，Xt、Xt-1、Xt-2分别为所述导电率时间列表中最后一项、倒数第二项、倒数第三项对应的导电率数据，所述T为采样周期。
步骤S2，所述预测模块确定预测的预估换酸时间，其中H为酸液中金属含量达到清洗限度要求时酸液的导电率。
在本发明中，需要对酸液进行及时更换以避免酸液中的金属物质超标。
本发明中，H为酸液中金属含量达到清洗限度要求时酸液的导电率，可以是预先调配的金属元素和表1中检出限相同的浓度的酸溶液，测试得到的导电率即为H值。
在某一实施例中，所述控制模块在接收到换酸指示后，所述控制模块指示所述酸液槽对应的检测模块停止检测导电率；以及所述控制模块确定更换酸液完成后，所述控制模块指示所述预测模块清空当前导电率时间列表中的表项内容，并在接收到所述预测模块清空列表完成的状态反馈后，向所述检测模块指示其恢复检测导电率。
在某一实施例中，所述识别模块用于对待清洗产品的类型进行识别，包括：所述识别模块包括两个摄像头，分别位于待清洗产品识别区域的正前方和上方，用于获取所述待清洗产品的正视图和侧视图，所述识别模块基于所述正视图和侧视图拼接后的数据矩阵确定所述待清洗产品的类型。
在某一实施例中，所述识别模块内预存有识别模型，所述识别模型是预先根据所有待清洗产品的类型和对应的正视图和侧视图拼接后的数据矩阵作为输入数据对训练得到的。所述识别模块在识别过程中，将所述待清洗产品的所述正视图和侧视图拼接后的数据矩阵输入至所述识别模型中获取对应的待清洗产品的类型。
在某一实施例中，所述分配模块中保存待清洗产品金属元素减量表和酸液槽累计金属元素含量表。
所述待清洗产品金属元素减量表包括不同类型的待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量。
所述酸液槽累计金属元素含量表包括所有酸液槽对应的不同类型的金属元素的估计含量。
在本发明中，所述清洗产品金属元素减量表包括不同类型的待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量为事先测定的，通过人工检测办法直接得到的多个同类型的待清洗产品的元素类型和对应的清洗减量，所述清洗减量的计算方法可以为，使用原始酸液对预定数量（如20个、50个）进行清洗后，对原始酸液内的金属元素进行浓度测定后推算得到的该类型清洗产品在清洗过程中会释放的金属元素和对应的平均离子减量。
在本发明中，所述酸液槽累计金属元素含量表为分配了清洗产品后，分配模块会更新酸液槽累计金属元素含量表的内容，将该类型清洗产品在清洗过程中会释放的金属元素和对应的平均离子减量添加到对应的酸液槽的对应金属元素的指标中去，作为目前该酸液槽的金属元素含量的估计值。
在某一实施例中，所述分配模块按照类型识别结果确定为所述待清洗产品分配的酸液槽，包括：步骤A1，所述分配模块根据类型识别结果确定所述待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量。
步骤A2，所述分配模块新建第二酸液槽累计金属元素含量表，所述第二酸液槽累计金属元素含量表为将所述表面金属元素类型和对应的平均清洗减量对应地增加到所述酸液槽累计金属元素含量表中所有酸液槽的对应的表面金属元素的估计含量中形成的。
步骤A3，对所述第二酸液槽累计金属元素含量表进行数据处理，包括对于每一表项值，计算该表项中的金属元素的估计含量除以该金属元素的测定上限值作为该表项的处理后数据值。
步骤A4，确定所述数据处理后的第二酸液槽累计金属元素含量表中方差低于预设均衡阈值的酸液槽。
步骤A5，当所述步骤A3中确定的酸液槽数量大于1时，选择酸液槽中所有金属元素的估计含量最低的酸液槽作为所述待清洗产品分配的酸液槽。
步骤A6，所述分配模块删除所述第二酸液槽累计金属元素含量表。
通过本发明所设计的待清洗产品的分配方案，可以使得不会出现某一类超出超额阈值，而另一种元素离测定上限值还很远的情况，能尽可能地提高酸液的利用程度。同时优先使用金属元素含量低的酸液槽，有利于对多个酸液槽进行时间同步管理。
在某一实施例中，所述控制模块在接收到换酸指示并确定更换酸液完成后，所述控制模块指示所述分配模块将所述酸液槽累计金属元素含量表中的进行了换酸的酸液槽对应的不同类型的金属元素的估计含量置为0。
本发明还提供了一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，所述系统包含处理器、存储器，所述处理器通过执行存储器中的计算机指令实现前述的集成电路芯片高精密表面质量控制系统的功能。
通过本发明的集成电路芯片高精密表面质量控制系统，能够实现提高酸液的利用程度，有利于对多个酸液槽进行时间同步管理，同时减少了ICP-MS检测的次数，降低了检测成本，提高了控制的智能化程度。
本公开实施例提供了一种非易失性计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令可执行如上实施例所述的方法步骤。
需要说明的是，本公开上述的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦式可编程只读存储器（EPROM或闪存）、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器（CD-ROM）、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本公开中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本公开中，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：电线、光缆、RF（射频）等等，或者上述的任意合适的组合。
上述计算机可读介质可以是上述电子设备中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本公开的操作的计算机程序代码，上述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机（例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接）。
附图中的流程图和框图，图示了按照本公开各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本公开实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现。其中，单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
以上介绍了本发明的较佳实施方式，旨在使得本发明的精神更加清楚和便于理解，并不是为了限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的修改、替换、改进，均应包含在本发明所附的权利要求概括的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，包括控制模块、识别模块、分配模块、多个检测模块、多个酸液槽、预测模块、提醒模块、显示模块，所述多个酸液槽设有酸液，其特征在于：
所述多个检测模块与多个酸液槽一一对应，每个检测模块具有探测头，探测头上装有正电极探针和负电极探针，所述探测头通过所述正电极探针和负电极探针对对应酸液槽内所述酸液的导电率进行检测；
所述识别模块用于对待清洗产品的类型进行识别，将类型识别结果发送到分配模块，所述分配模块按照类型识别结果确定为所述待清洗产品分配的酸液槽，所述酸液槽为所述多个酸液槽中的一个酸液槽；
所述预测模块用于根据导电率预测所述酸液槽中酸液的金属含量接近清洗限度要求的预估换酸时间；
在所述预估换酸时间前的预设时间段内，所述提醒模块用于提醒对所述酸液槽的酸液取样检测后查看金属元素含量，所述取样检测为在外部实验室采用电感耦合等离子体质谱仪ICP-MS测试酸液中的所有金属元素含量，判断ICP-MS测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液；
所述显示模块，用于对所述多个酸液槽的导电率和预估换酸时间进行显示；
所述控制模块用于系统内各个模块之间的数据传输转发和管理。
2.如权利要求1所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，
所述检测模块按照预设周期检测酸液槽的导电率，将检测到的导电率数据发送给预测模块，所述预测模块按照时间先后顺序保存接收到的导电率数据；
所述预测模块中存储有导电率时间列表，所述导电率时间列表最后一项为最近一次接收到的导电率数据。
3.如权利要求1所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，
所述预测模块用于根据导电率预测所述酸液槽中酸液的金属含量接近清洗限度要求的预估换酸时间，包括：
步骤S1，所述预测模块确定所述酸液槽中金属含量当前小时增长速率Vt：
，
其中，Xt、Xt-1、Xt-2分别为所述导电率时间列表中最后一项、倒数第二项、倒数第三项对应的导电率数据，所述T为采样周期；
步骤S2，所述预测模块确定预测的预估换酸时间,其中H为酸液中金属含量达到清洗限度要求时酸液的导电率。
4.如权利要求2所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，
所述控制模块在接收到换酸指示后，所述控制模块指示所述酸液槽对应的检测模块停止检测导电率；
以及所述控制模块确定更换酸液完成后，所述控制模块指示所述预测模块清空当前导电率时间列表中的表项内容，并在接收到所述预测模块清空列表完成的状态反馈后，向所述检测模块指示其恢复检测导电率。
5.如权利要求1所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，所述识别模块用于对待清洗产品的类型进行识别，包括：
所述识别模块包括两个摄像头，分别位于待清洗产品识别区域的正前方和上方，用于获取所述待清洗产品的正视图和侧视图，所述识别模块基于所述正视图和侧视图拼接后的数据矩阵确定所述待清洗产品的类型。
6.如权利要求5所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，
所述识别模块内预存有识别模型，所述识别模型是预先根据所有待清洗产品的类型和对应的正视图和侧视图拼接后的数据矩阵作为输入数据对训练得到的；
所述识别模块在识别过程中，将所述待清洗产品的所述正视图和侧视图拼接后的数据矩阵输入至所述识别模型中获取对应的待清洗产品的类型。
7.如权利要求1所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，
所述分配模块中保存待清洗产品金属元素减量表和酸液槽累计金属元素含量表；
所述待清洗产品金属元素减量表包括不同类型的待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量；
所述酸液槽累计金属元素含量表包括所有酸液槽对应的不同类型的金属元素的估计含量。
8.如权利要求7所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，所述分配模块按照类型识别结果确定为所述待清洗产品分配的酸液槽，包括：
步骤A1，所述分配模块根据类型识别结果确定所述待清洗产品的表面金属元素类型和对应的平均清洗减量；
步骤A2，所述分配模块新建第二酸液槽累计金属元素含量表，所述第二酸液槽累计金属元素含量表为将所述表面金属元素类型和对应的平均清洗减量对应地增加到所述酸液槽累计金属元素含量表中所有酸液槽的对应的表面金属元素的估计含量中形成的；
步骤A3，对所述第二酸液槽累计金属元素含量表进行数据处理，包括对于每一表项值，计算该表项中的金属元素的估计含量除以该金属元素的测定上限值作为该表项的处理后数据值；
步骤A4，确定所述数据处理后的第二酸液槽累计金属元素含量表中方差低于预设均衡阈值的酸液槽；
步骤A5，当所述步骤A3中确定的酸液槽数量大于1时，选择酸液槽中所有金属元素的估计含量最低的酸液槽作为所述待清洗产品分配的酸液槽；
步骤A6，所述分配模块删除所述第二酸液槽累计金属元素含量表。
9.如权利要求7所述的一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，
所述控制模块在接收到所述换酸指示并确定更换酸液完成后，所述控制模块指示所述分配模块将所述酸液槽累计金属元素含量表中的进行了换酸的酸液槽对应的不同类型的金属元素的估计含量置为0。
10.一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，其特征在于，所述系统包含处理器、存储器，所述处理器通过执行存储器中的计算机指令实现权利要求1-9中任一所述的集成电路芯片高精密表面质量控制系统的功能。
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| CN104931538A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-23 | 中冶南方工程技术有限公司 | 一种学习型的盐酸浓度铁离子浓度在线检测系统和方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN1280633A (zh) * | 1997-11-06 | 2001-01-17 | 住友金属工业株式会社 | 酸浓度测定和自动控制的方法和装置 |
| CN104931538A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-23 | 中冶南方工程技术有限公司 | 一种学习型的盐酸浓度铁离子浓度在线检测系统和方法 |
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