CN115985377A - 一种记忆电路检测方法、装置及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种记忆电路检测方法、装置及系统，涉及电路领域，通过在待测记忆电路的理论记忆时间内，获取待测记忆电路的的记忆电容的电压值，判断电压值是否大于预设电压值，若电压值大于预设电压值，则说明待测记忆电路合格，本发明实现了对记忆电路的记忆功能的检测，在使用记忆电路前进行检测，提高了记忆电路工作的可靠性。

Description

一种记忆电路检测方法、装置及系统

技术领域

本发明涉及电路领域，特别是涉及一种记忆电路检测方法、装置及系统。

背景技术

向电路的输入端加一个输入信号使电路处于某状态，然后撤去该输入信号而电路仍能保持该状态，即表明电路具有记忆功能，这一类电路即为记忆电路。一般来说，记忆电路的记忆功能由记忆电容实现，由于记忆电路中的记忆电容具有存储电量的作用，因此，记忆电路可以作为短时间使用的备用电源，当外部电源突然消失时，记忆电路中的记忆电容就可以和内部电阻形成RC振荡电路继续工作，即保持原状态。

在运输或者使用记忆电路的电路板的过程中，可能出现不小心损坏了记忆电路中的元器件的情况，若是在下一次使用记忆电路时没有再次检测该记忆电路，则可能导致记忆电路的记忆功能缺失，影响记忆电路正常工作的可靠性。

发明内容

本发明的目的是提供一种记忆电路检测方法、装置及系统。本发明实现了对记忆电路的记忆功能的检测，在使用记忆电路前进行检测，提高了记忆电路工作的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种记忆电路检测方法，应用于控制器，所述控制器的端口与待测记忆电路中的记忆电容连接，该方法包括：

在所述待测记忆电路的理论记忆时间内，将所述端口设置为采集端口，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值；

判断所述电压值是否大于预设电压值；

若是，则判定所述待测记忆电路合格。

优选地，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值之前，还包括：

将所述端口设置为充电端口；

通过所述充电端口为所述待测记忆电路充电，直至所述待测记忆电路充满电。

优选地，所述控制器内设置有ADC模块，所述ADC模块与所述端口连接，将所述端口设置为采集端口，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值，包括：

将所述端口设置为ADC采集端口；

获取所述ADC模块在预设时间内得到的N个所述待测记忆电路中的记忆电容的采集值，N为大于1的整数；

根据N个所述采样值得到所述记忆电容的电压值。

优选地，根据N个所述采样值得到所述记忆电容的电压值，包括：

对N个所述采样值进行滤波；

将滤波后的采样值的平均值作为所述记忆电容的电压值。

优选地，对N个所述采样值进行滤波，包括：

去除N个所述采样值中的最大值和最小值。

优选地，还包括：

若所述电压值不大于预设电压值，则判定所述待测记忆电路不合格，并控制提示模块进行告警。

优选地，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值之前，还包括：

判断是否接收到进入生产检测模式的指令；

若是，则进入通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值的步骤。

优选地，判定所述待测记忆电路合格之后，还包括：

将所述端口设置为充电端口；

通过所述充电端口为所述待测记忆电路充电，直至所述待测记忆电路充满电。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种记忆电路检测装置，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

控制器，用于执行所述计算机程序时实现所述记忆电路检测方法的步骤。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种记忆电路检测系统，包括：

第一电阻，所述第一电阻的第一端与控制器的端口连接，第二端分别与二极管的正极以及第二电阻的第一端连接；

所述二极管，所述二极管的正极分别与所述第二电阻的第二端、第三电阻的第一端以及电容的第一端连接；

所述第二电阻；

所述第三电阻，所述第三电阻的第二端与所述电容的第二端连接；

所述电容，所述电容的第二端接地；

所述控制器，用于实现所述记忆电路检测方法的步骤。

本发明提供的一种记忆电路检测方法、装置及系统，通过在待测记忆电路的理论记忆时间内，获取待测记忆电路的的记忆电容的电压值，判断电压值是否大于预设电压值，若电压值大于预设电压值，则说明待测记忆电路合格，本发明实现了对记忆电路的记忆功能的检测，在使用记忆电路前进行检测，提高了记忆电路工作的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种记忆电路检测方法的流程示意图；

图2为本发明提供的另一种记忆电路检测方法的流程示意图；

图3为本发明提供的一种记忆电路检测装置的结构示意图；

图4为本发明提供的一种记忆电路检测系统的结构示意图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种记忆电路检测方法、装置及系统。本发明实现了对记忆电路的记忆功能的检测，在使用记忆电路前进行检测，提高了记忆电路工作的可靠性。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种记忆电路检测方法，应用于控制器，控制器的端口与待测记忆电路中的记忆电容连接，请参考图1，图1为本发明提供的一种记忆电路检测方法的流程示意图，该方法包括：

S11：在待测记忆电路的理论记忆时间内，将端口设置为采集端口，通过采集端口获取记忆电容的电压值；

S12：判断电压值是否大于预设电压值，若是，则进入S13；

S13：判定待测记忆电路合格。

本发明中的记忆电路是指向该记忆电路的输入端加一个输入信号使记忆电路处于某状态，然后撤去该输入信号而记忆电路仍能保持该状态，一般来说，记忆电路的记忆功能由记忆电容实现，当向记忆电容充电后，由于记忆电路中的记忆电容具有存储电量的作用，因此，记忆电路可以作为短时间使用的备用电源，当外部电源突然消失时，记忆电路中的记忆电容就可以和内部电阻形成RC振荡电路继续工作，记忆电容在该记忆电路的记忆时间内可以作为备用电源为记忆电容所在的电路提供电压。本发明通过设计一个控制器，控制器通过在记忆时间内采集记忆电路中的记忆电容的电压值，再判断采集到的电压值是否大于预设电压值以便判断记忆电路是否仍有记忆功能。除此之外，也可以对记忆电路中其他位置的电压值进行采集，只要满足该位置处于记忆电路中的记忆电容的回路中即可。预设电压值根据待测记忆电路的最大采集值或者记忆电容的最大电压值以及实际情况如使用时间进行设置。

本发明提供了一种记忆电路检测方法，通过在待测记忆电路的理论记忆时间内，获取待测记忆电路的的记忆电容的电压值，判断电压值是否大于预设电压值，若电压值大于预设电压值，则说明待测记忆电路合格，本发明实现了对记忆电路的记忆功能的检测，在使用记忆电路前进行检测，提高了记忆电路工作的可靠性。

在上述实施例的基础上：

作为一种优选的实施例，通过采集端口获取记忆电容的电压值之前，还包括：

将端口设置为充电端口；

通过充电端口为待测记忆电路充电，直至待测记忆电路充满电。

上述实施例并未考虑待测记忆电路的初始状态，本实施例中在对待测记忆电路中的记忆电容的电压值进行采集前，先对待测记忆电路进行充电，使待测记忆电路中的记忆电容处于满电状态。具体地，对控制器上电，将待测记忆电路和控制器连接的端口设置为控制器向待测记忆电路输入的端口，一般来说，是通过将端口内的上拉电阻打开，这样电源就可以通过控制器对待测记忆电路进行充电。

本实施例通过将控制器和待测记忆电路的端口设置为输入端口，实现了在测试待测记忆电路的记忆功能之前先对待测记忆电路进行充电，增加了对记忆电路的功能检测的可靠性。

作为一种优选的实施例，控制器内设置有ADC(analog to digital converter，模拟数字转换器)模块，ADC模块与端口连接，将端口设置为采集端口，通过采集端口获取记忆电容的电压值，包括：

将端口设置为ADC采集端口；

获取ADC模块在预设时间内得到的N个待测记忆电路中的记忆电容的采集值，N为大于1的整数；

根据N个采样值得到记忆电容的电压值。

本实施例通过在控制器中设置ADC模块实现对待测记忆电路中的记忆电容的电压值的采集，ADC模块可以将模拟信号转变为数字信号，例如将一个输入电压信号转换为一个输出的数字信号，再对得到的数字信号进行处理就可以得到记忆电容当前的电压值。具体地，通过将控制器和待测记忆电路的端口设置为ADC端口，在预设时间内进行多次采样，然后将采样值进行处理得到电压值，对于具体采样过程不做限定，可以是预设时间内如200ms每隔固定时间如2ms采样一次。请参考图2，图2为本发明提供的另一种记忆电路检测方法的流程示意图，首先对控制器上电，将端口设置为ADC端口，然后t1，t2开始计时，t1达到预设值x则进行一次采样，t2达到预设值y则停止采样，对所有的采样数据进行处理。另外，在ADC模块进行采集后，可以先对记忆电路除记忆功能外的其他功能进行检测，例如FCT(Functional Circuit Test，功能测试)测试，这样可以保证在对记忆电路的记忆功能检测时有足够的时间对ADC模块的采集值进行读取。

本实施例通过使用ADC模块进行多次采集，采集结果较为精确，由此可知得到的电压值也较为准确，提高了对记忆电路的检测的准确性和可靠性。

作为一种优选的实施例，根据N个采样值得到记忆电容的电压值，包括：

对N个采样值进行滤波；

将滤波后的采样值的平均值作为记忆电容的电压值。

本实施例中给出了一种对采集后的数值的处理方式，通过对采样值取平均值得到最终的电压值。因为ADC模块在工作过程中不可避免受到外界的影响或是由于本身原因造成误差，通过多次采样并进行求取平均值的处理可以减少误差。

本实施例通过求取平均值的处理，减少了ADC模块在采集过程中的误差，提高了对记忆电路的检测的准确性和可靠性。

作为一种优选的实施例，对N个采样值进行滤波，包括：

去除N个采样值中的最大值和最小值。

由于在从输入端口切换至ADC模块的采样端口时，ADC模块可能会出现工作不稳定的情况，因此对采集后的数值中的不合理数值例如最大值和最小值进行剔除处理，进一步减少了采集过程中的误差。

本实施例通过对数据的进一步处理，即去除数据中的最大值和最小值，进一步减少了ADC模块采集过程中的误差，提高了对记忆电路的检测的准确性和可靠性。

作为一种优选的实施例，还包括：

若电压值不大于预设电压值，则判定待测记忆电路不合格，并控制提示模块进行告警。

当记忆电容的电压值达不到预设电压值，就说明待测记忆电路可能出现了故障，无法实现记忆功能，此时，可进行故障提示，对于告警的方式不做限定，可以是通过控制模块控制的提示模块进行告警。

本实施例通过控制提示模块对不合格的待测记忆电路进行告警，增进了技术人员对于待测记忆电路的检测结果的了解以便及时对不合格的记忆电路进行处理。

作为一种优选的实施例，通过采集端口获取记忆电容的电压值之前，还包括：

判断是否接收到进入生产检测模式的指令；

若是，则进入通过采集端口获取记忆电容的电压值的步骤。

上述实施例并未考虑对记忆电路的实际使用和检测进行区分，本实施例设置了一个生产检测模式，只有当进入生产检测模式时才对记忆电路的记忆功能进行检测，因此在获取记忆电容的电压值之前首先判断是否进入生产检测模式，若进入，则获取记忆电容的电压值并对电压值是否大于预设电压值进行判断；若不进入，则也可以获取记忆电容的电压值并对电压值是否大于另一个预设电压值进行判断，此时是为了在使用该记忆电路之前判断记忆电容是否有电量，若电量过小则先对该记忆电路进行充电再进行使用。具体地，对控制器上电，将待测记忆电路和控制器连接的端口设置为控制器向待测记忆电路输入的端口，一般来说，是通过将端口内的上拉电阻打开，这样电源就可以通过控制器对待测记忆电路进行充电。

本实施例通过设置生产检测模式，实现了记忆电路在正常使用与生产检测之间的自由转换，更加符合实际使用情况。

作为一种优选的实施例，判定待测记忆电路合格之后，还包括：

将端口设置为充电端口；

通过充电端口为待测记忆电路充电，直至待测记忆电路充满电。

上述实施例并未考虑在对记忆电路检测完后的操作，本实施例通过对检测完的记忆电路进行充电，使待测记忆电路中的记忆电容充满电，具体地，可以通过对控制器上电，将待测记忆电路和控制器连接的端口设置为控制器向待测记忆电路输入的端口，再将端口内的上拉电阻打开实现充电。

本实施例通过对检测完的记忆电路进行充电，方便了记忆电路的后续使用。

本发明还提供了一种记忆电路检测装置，请参考图3，图3为本发明提供的一种记忆电路检测装置的结构示意图，包括：

存储器1，用于存储计算机程序；

控制器2，用于执行计算机程序时实现记忆电路检测方法的步骤。

具体实施例如上，具有与上述记忆电路检测方法同样的效果。

本发明还提供了一种记忆电路检测系统，包括：

第一电阻，第一电阻的第一端与控制器的端口连接，第二端分别与二极管的正极以及第二电阻的第一端连接；

二极管，二极管的正极分别与第二电阻的第二端、第三电阻的第一端以及电容的第一端连接；

第二电阻；

第三电阻，第三电阻的第二端与电容的第二端连接；

电容，电容的第二端接地；

控制器，用于实现记忆电路检测方法的步骤。

请参考图4，图4为本发明提供的一种记忆电路检测系统的结构示意图。其中电容C1作为记忆电容用于存储电量，电阻R3用于泄放电量，二极管D1用于阻断电容C1中的电量向控制器泄放，电阻R2用于电容C1向控制器泄放电量，电阻R1用于限制控制器对电容C1的充电电流。

具体实施例如上，具有与上述记忆电路检测方法同样的效果。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

Claims (10)

1.一种记忆电路检测方法，其特征在于，应用于控制器，所述控制器的端口与待测记忆电路中的记忆电容连接，该方法包括：

在所述待测记忆电路的理论记忆时间内，将所述端口设置为采集端口，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值；

判断所述电压值是否大于预设电压值；

若是，则判定所述待测记忆电路合格。

2.如权利要求1所述的记忆电路检测方法，其特征在于，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值之前，还包括：

将所述端口设置为充电端口；

通过所述充电端口为所述待测记忆电路充电，直至所述待测记忆电路充满电。

3.如权利要求1所述的记忆电路检测方法，其特征在于，所述控制器内设置有ADC模块，所述ADC模块与所述端口连接，将所述端口设置为采集端口，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值，包括：

将所述端口设置为ADC采集端口；

获取所述ADC模块在预设时间内得到的N个所述待测记忆电路中的记忆电容的采集值，N为大于1的整数；

根据N个所述采样值得到所述记忆电容的电压值。

4.如权利要求3所述的记忆电路检测方法，其特征在于，根据N个所述采样值得到所述记忆电容的电压值，包括：

对N个所述采样值进行滤波；

将滤波后的采样值的平均值作为所述记忆电容的电压值。

5.如权利要求4所述的记忆电路检测方法，其特征在于，对N个所述采样值进行滤波，包括：

去除N个所述采样值中的最大值和最小值。

6.如权利要求1所述的记忆电路检测方法，其特征在于，还包括：

若所述电压值不大于预设电压值，则判定所述待测记忆电路不合格，并控制提示模块进行告警。

7.如权利要求1所述的记忆电路检测方法，其特征在于，通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值之前，还包括：

判断是否接收到进入生产检测模式的指令；

若是，则进入通过所述采集端口获取所述记忆电容的电压值的步骤。

8.如权利要求1至7任一项所述的记忆电路检测方法，其特征在于，判定所述待测记忆电路合格之后，还包括：

将所述端口设置为充电端口；

通过所述充电端口为所述待测记忆电路充电，直至所述待测记忆电路充满电。

9.一种记忆电路检测装置，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

控制器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至8任一项所述记忆电路检测方法的步骤。

10.一种记忆电路检测系统，其特征在于，包括：

第一电阻，所述第一电阻的第一端与控制器的端口连接，第二端分别与二极管的正极以及第二电阻的第一端连接；

所述二极管，所述二极管的正极分别与所述第二电阻的第二端、第三电阻的第一端以及电容的第一端连接；

所述第二电阻；

所述第三电阻，所述第三电阻的第二端与所述电容的第二端连接；

所述电容，所述电容的第二端接地；

所述控制器，用于实现如权利要求1至8任一项所述记忆电路检测方法的步骤。

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