CN115954292A - 基板处理装置和方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供能够增加喷墨头的寿命并且使单元别的浓度均匀的基板处理方法和装置以及显示装置。基板处理方法包括：向基板上喷出包含离子化的量子点的第一药液，向所述第一药液上喷出包含还原剂的第二药液，使所述第一药液与所述第二药液反应，来在所述基板上合成量子点墨。

Description

基板处理装置和方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置和方法。
背景技术
为了制造LCD面板、PDP面板、LED面板等显示装置，执行向基板上喷出墨的印刷工艺(例如，RGB图案化(RGB Patterning))。
然而，量子点墨包含无机粒子，无机粒子能够相互凝聚。如此凝聚的无机粒子缩短了喷墨头的寿命。此外，由于量子点墨难以以均匀的浓度被喷出，因而各单元别的浓度可能不均匀。
发明内容
发明要解决的问题
本发明要解决的课题是提供能够增加喷墨头的寿命并且使单元别的浓度均匀的基板处理方法。
本发明要解决的另一课题是提供能够增加喷墨头的寿命并且使单元别的浓度均匀的基板处理装置。
本发明要解决的又一课题是提供使用上述基板处理方法制造的显示装置。
本发明的课题不限定于以上提及的课题，本领域技术人员能够从下面的记载清楚地理解未提及的其他课题。
用于解决问题的方案
用于实现上述课题的本发明的基板处理方法的一方面(aspect)包括：向基板上喷出包含离子化的量子点的第一药液，向所述第一药液上喷出包含还原剂的第二药液，使所述第一药液与所述第二药液反应来在所述基板上合成量子点墨。
用于实现上述另一课题的本发明的基板处理装置的一方面可以包括：第一喷墨装置，其向基板上喷出包含离子化的量子点的第一药液；第二喷墨装置，其向所述基板的所述第一药液上喷出包含还原剂的第二药液；以及热处理装置，其对所述基板进行热处理，使所述第一药液与所述第二药液反应来在所述基板上合成量子点墨。
用于实现上述又一课题的本发明的显示装置的一方面可以包括：基板；多个堤，其形成在所述基板上，以限定喷出区域；以及量子点墨，其形成在所述喷出区域内，在所述喷出区域内合成的量子点墨包括第一区域和配置在所述第一区域上的第二区域，所述第一区域和所述第二区域的体积分别为在所述喷出区域内合成的量子点墨的6/10、4/10，在所述第一区域形成的量子点的量为在所述喷出区域内合成的量子点墨的总体量子点的70％以上。
其他实施例的具体事项包括在详细的说明和附图中。
附图说明
图1是用于说明根据本发明的一个实施例的基板处理方法的流程图。
图2至图4是用于说明图1的各步骤的中间步骤图。
图5是图4的区域A的放大图。
图6是用于说明根据本发明的一个实施例的基板处理装置的图。
图7是用于说明根据本发明的另一实施例的基板处理方法的流程图。
图8是用于说明图7的S11步骤或S21步骤中使用的喷墨装置的示例图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细地说明本发明的优选实施例。参照与附图一起详细地在后文叙述的实施例，本发明的优点和特征以及实现上述优点和特征的方法将变得清楚。但是，本发明不限定于以下所公开的实施例，而是可以实现为彼此不同的各种方式，提供本实施例只是为了使本发明的公开完整，并向本发明普通技术人员充分地告知发明的范围，本发明仅由权利要求书来限定。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的结构要素。
空间上相对性术语“下面(below)”、“下方(beneath)”、“下部(lower)”、“上面(above)”、“上部(upper)”等如图所示那样可以用于容易地描述一个元件或结构要素与其他元件或构要素之间的相关关系。空间上相对性术语应理解为是除了包括图中所示的方向之外还包括在使用时或动作时元件的彼此不同的方向的术语。例如，在将图中所示的元件翻转的情况下，以其他元件的“下面(below)”、“下方(beneath)”记载的元件可以置于其他元件的“上面(above)”。因此，示例性术语“下面(below)”可以将下面和上面的方向均包括在内。元件也可以向其他方向配向，由此空间上相对的术语可以根据配向来解释。
虽然第一、第二等用于描述各种元件、结构要素和/或部分，但这些元件、结构要素和/或部分当然不由这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件、结构要素或部分与其他元件、结构要素或部分进行区分。因此，在本发明的技术思想内，以下提及的第一元件、第一结构要素或第一部分当然也可以是第二元件、第二结构要素或第二部分。
以下，将参考附图来详细说明本发明的实施例，在参考附图所进行的说明中，与附图编号无关而对相同或相应的结构要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复说明。
图1是用于说明根据本发明的一个实施例的基板处理方法的流程图。图2至图4是用于说明图1的各步骤的中间步骤图。图5是图4的区域A的放大图。
参考图1和图2，向基板100上喷出包含离子化的量子点(quantum dot)的第一药液120R、120G、120B(S10)。
具体而言，可以在基板100上形成多个堤(bank)110。多个堤110定义药液应喷出的区域(即，喷出区域101、102、103)。堤110也可以是使用氧化物、氮化物或氮氧化物的无机堤，也可以是使用聚酰亚胺等的有机堤。或者，堤110也可以是在无机堤上层叠有机堤的形态。
包含在第一药液120R、120G、120B中的量子点可以是离子化的状态。
具体而言，量子点可以作为具有几纳米至几十纳米大小的晶体结构的粒子而由几百至几千个的原子构成。
量子点由于大小非常小因此出现量子限制(quantum confinement)效应，量子限制效应是指在物体小到纳米大小以下的情况下该物体的带隙(band gap)变大的现象。由此，在具有比量子点的带隙大的能量的波长的光照射到量子点的情况下，量子点吸收该光而变成激发态，发射出特定波长的光并且下降到基态。此时，发射出的光的波长具有与带隙相应的值。
量子点可以是包括核和覆盖核的壳的核-壳结构。或者，量子点可以是包括核、覆盖核的第一壳、以及覆盖第一壳的第二壳的核-壳-壳结构。
量子点的核可以包括II-VI族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、或者其组合。
II-VI族化合物可以从由以下组成的组中选择：从由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、以及它们的混合物组成的组中选择的二元素化合物；从由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、以及它们的混合物组成的组中选择的三元素化合物；以及从由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、以及它们的混合物组成的组中选择的四元素化合物。
III-VI族化合物可以包括如In2S3、In2Se3等的二元素化合物、如InGaS3、InGaSe3等的三元素化合物、或者其任意组合。
III-V族化合物可以从由以下组成的组中选择：从由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、以及它们的混合物组成的组中选择的二元素化合物；从由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、以及它们的混合物组成的组中选择的三元素化合物；以及从由GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、以及它们的混合物组成的组中选择的四元素化合物。III-V族半导体化合物可以还包含II族金属(例如，InZnP等)。
IV-VI族化合物可以从由以下组成的组中选择：从由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、以及它们的混合物组成的组中选择的二元素化合物；从由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、以及它们的混合物组成的组中选择的三元素化合物；以及从由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、以及它们的混合物组成的组中选择的四元素化合物。作为IV族元素，可以从由Si、Ge、以及它们的混合物组成的组中选择。作为IV族化合物，可以是从由SiC、SiGe、以及它们的混合物组成的组中选择的二元素化合物。
I-III-VI族半导体化合物可以包括如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2的三元素化合物、或其任意组合。
此时，二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物可以以均匀的浓度存在于粒子内、或者被分为浓度分布部分地不同的状态而存在于相同粒子内。此外，也可以具有一个量子点包围其他量子点的核/壳结构。核与壳的界面可以具有存在于壳的元素的浓度越向中心越低的浓度梯度(gradient)。
如前所述，量子点可以具有包括核和包围核的壳的核-壳结构。壳可以执行用于防止核的化学改性来维持半导体特性的保护层的作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。壳可以是单层或多层。核与壳的界面可以具有存在于壳的元素的浓度越向中心越低的浓度梯度(gradient)。
作为这样的量子点的壳的例子，可以列举出金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合等。
例如，金属或非金属氧化物可以例示出SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等二元素化合物或MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等三元素化合物，但本发明不限定于此。
半导体化合物可以例示出CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本发明不限定于此。
此外，量子点可以具有约45nm以下，优选为约40nm以下，更优选为约30nm以下的发光波长光谱的半值宽度(full width of half maximum，FWHM)，在该范围内可以提高色纯度或色再现性。此外，由于通过这样的量子点发出的光向全方向发射，因此可以提高光视角。
此外，量子点的形态作为本领域一般使用的形态，没有特别限定，但更具体而言，可以使用球形、金字塔形、多臂形(multi-arm)或立方体(cubic)的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状粒子等形态。
量子点可以根据粒子大小来调节所发射的光的颜色，由此量子点可以具有红色、绿色、蓝色等多种发光颜色。
例如，如图2所示，向第一个喷出区域101喷出用于生成能够发出红色的光的量子点的第一药液120R。可以向第二个喷出区域102喷出用于生成能够发出绿色的光的量子点的第一药液120G。可以向第三个喷出区域103喷出用于生成能够发出蓝色的光的量子点的第一药液120B。
参考图1和图3，向第一药液120R、120G、120B喷出包含还原剂的第二药液130(S20)。
具体而言，还原剂也可以是离子化的状态。
此外，作为还原剂可以使用碱性物质。例如，可以使用NaCl、NaOH等，但不限定于此。还原剂向离子化的量子点提供电子来使离子化的量子点还原。
附加地，第二药液130中除了还原剂以外还可以包含多种添加剂。例如，第二药液130可以包含配体(regand)、抗氧化剂、粘合剂、分散剂、流动性调节剂等。
配体例如可以包括羧酸。即，可以包括油酸(oleic acid)、甲酸(formic acid)、琥珀酸(succinic acid)、戊二酐(glutaric acid)等。
作为抗氧化剂的例子，可以列举出胺(amine)系列。
作为粘合剂的例子，可以列举出环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酯中的至少一者。
另一方面，在图3中，以向所有喷出区域101、102、103喷出相同的第二药液130来进行了说明，但不限定于此。即，可以向各喷出区域喷出适合的第二药液130。即，可以是，向第一个喷出区域101喷出的第二药液130适合于第一药液120R，向第二个喷出区域102喷出的第二药液130适合于第一药液120G，向第三个喷出区域(103)喷出的第二药液130适合于第一药液120B。
另一方面，向喷出区域101、102、103内喷出的第一药液120R、120G、120B与第二药液130的体积比率可以是5∶5至7∶3。即，以向一个喷出区域(例如，101)内喷出的第一药液120R/第二药液130为基准观察时，可以是，第一药液120R的量与第二药液130的量相等，或者第一药液120R的量比第二药液130的量多。如果第一药液120R与第二药液130的体积比率小于5∶5，则在一个喷出区域(例如，101)内生成的量子点的量可能小于目标值。相反，如果第一药液120R与第二药液130的体积比率超过7∶3，则还原剂的量相当少从而可能无法充分地生成量子点。
参考图1和图4，使第一药液120R、120G、120B与第二药液130反应来合成量子点墨150R、150G、150B(S30)。
具体而言，在合成量子点墨150R、150G、150B时，可以对基板100进行热处理。或者，在合成量子点墨150R、150G、150B时，可以对基板100进行UV照射或电子束(e-beam)照射。或者，也可以是热处理和UV/电子束照射都进行。
在此，以前述的基板处理方法为例进行说明。以下，(l)是指液体(liquid)状态，(s)是指固体(solid)状态，(g)是指气体(gas)状态。
QD被硝酸离子化后的状态可以表示为QD2+(l)+NO3 2-(l)+H2O(l)。此外，还原剂(NaCl)被离子化后的状态可以表示为2Na+(l)+2Cl-(l)+H2O(l)。因此，第一药液120R、120G、120B与第二药液130反应来合成量子点墨150R、150G、150B的过程如下那样表示。作为合成结果，形成固体状态的QD。
QD2+(l)+NO3 2-(l)+H2O(l)+2Na+(l)+2Cl-(l)＝
QD0(s)+2Na+(l)+NO3 2-(l)+H2O(l)+2Cl(g)
在此，参考图5，在喷出区域(例如，101)中合成的量子点墨150R可以包括第一区域151和配置在第一区域151上的第二区域152。
第一区域151与第一药液120R对应。即，第一区域151的体积可以与第一药液120R的量对应。第二区域152与第二药液130对应。即，第二区域152的体积可以与第二药液130的量对应。
例如，在向喷出区域101内喷出的第一药液120R与第二药液130的体积比率为a∶b(如前所述，a∶b为5∶5至7∶3)时，可以是，第一区域151的体积为量子点墨150R的a/(a+b)，第二区域152的体积为量子点墨150R的b/(a+b)。例如，可以是，第一区域151的体积为在喷出区域101内合成的量子点墨150R的6/10，第二区域152的体积为在喷出区域101内合成的量子点墨150R的4/10。
如图所示，在第一区域151内形成的量子点QD的量可以相当地大于在第二区域152内形成的量子点QD的量。例如，在第一区域151内形成的量子点QD的量可以为在喷出区域101内合成的量子点墨150R的总量子点QD的70％以上。
根据第一药液120R、120G、120B的喷出量、第二药液130的喷出量、第一药液120R、120G、120B中的离子化的量子点的量、第二药液130中的还原剂的量，在第一区域151内形成的量子点QD的量也可以变化。例如，也可以是喷出区域101内合成的量子点墨150R的总量子点QD的80％以上或90％以上。
如果如前所述在喷出包含离子化的量子点的第一药液120R、120G、120B和包含还原剂的第二药液130之后在基板100上合成量子点墨150R，则量子点QD不会凝聚。即，在以喷出区域101的平面为基准观察时，可以均匀地分布于喷出区域101整体。
另一方面，由于在第一药液120R、120G、120B中包含离子化的量子点，因此在喷出第一药液120R、120G、120B的空间(即，与第一区域151对应)中形成大部分的量子点QD。因此，在喷出区域101内形成的量子点QD的大部分(约70％以上)可以位于第一区域151内。
此外，由于在第一药液120R、120G、120B内量子点被离子化，因此在储存器内第一药液120R、120G、120B的循环变得容易。此外，由于喷墨头喷出包含离子化的量子点的第一药液120R、120G、120B，因此也可以防止可能因凝聚的量子点而发生的喷墨头的喷嘴的堵塞现象。因此，可以增加喷墨头的寿命。
此外，由于使用包含离子化的量子点的第一药液120R、120G、120B，因此能够与喷出区域101、102、103无关地以均匀的浓度生成量子点墨(QD)。
另一方面，以喷出2次药液来在基板100上合成量子点墨150R、150G、150B进行了说明，但也可以适用于形成其他构件(例如，金属布线、透明布线(ITO)等)。
例如，可以向基板上喷出包含离子化的金属物质的第一药液，接着喷出包含离子化的还原剂的第二药液，使第一药液与第二药液反应来在基板上形成金属布线。
例如，Ag被硝酸离子化后的状态可以表示为Ag2+(l)+NO3 2-(l)+H2O(l)。此外，还原剂(NaCl)被离子化后的状态可以表示为2Na+(l)+2Cl-(l)+H2O(l)。因此，使第一药液与第二药液反应来合成金属布线的过程如下那样表示。作为合成结果，生成固体形态的Ag。
Ag2+(l)+NO3 2-(l)+H2O(l)+2Na+(l)+2Cl-(l)＝
Ag0(s)+2Na+(l)+NO3 2-(l)+H2O(l)+2Cl(g)
图6是用于说明根据本发明的一个实施例的基板处理装置的图。
参考图6，根据本发明的一个实施例的基板处理装置包括工艺台PT、第一机架411、第二机架412、第一喷墨头模块421、第二喷墨头模块422、第一图像生成模块431、第二图像生成模块432、支承模块440、控制模块450等。
工艺台PT是用于执行基板G的喷墨工艺的空间。在支承模块440上支承有基板100。支承模块440可以使基板100在第一方向S上移动。可以与图示不同而是保持器抓住基板G并使其移动，或者通过气浮法来使基板G移动。基板G例如可以是玻璃基板。通过喷墨工艺完成的装置可以是显示装置。
第一机架411、第二机架412可以彼此间隔开，并且配置为横跨工艺台PT。
第一喷墨头模块421和第一图像生成模块431设置于第一机架411，能够沿着第一机架411移动(参考附图标记W1)。第一喷墨头模块421能够喷出包含离子化的量子点的第一药液(参考图2的120R、120G、120B)。第一图像生成模块431能够拍摄喷出到基板G的第一药液120R、120G、120B。
第二喷墨头模块422和第二图像生成模块432设置于第二机架412，能够沿着第二机架412移动(参考附图标记W2)。第二喷墨头模块422能够喷出包含离子化的还原剂的第二药液(参考图3的130)。第二图像生成模块432能够拍摄喷出到基板G的第二药液130。
控制模块450起到对支承模块440、第一喷墨头模块421、第一图像生成模块431、第二喷墨头模块422和第二图像生成模块432进行控制的作用。
若对动作进行说明，基板100移动到第一机架411下方。在支承模块440在第一方向S上执行扫动(swath)动作的期间，第一喷墨头模块421在第二方向W1上移动，同时第一喷墨头模块421向基板100上喷出第一药液120R、120G、120B。
接着，如果第一药液120R、120G、120B的喷出完成，则基板100移动到第二机架412下方。在支承模块440在第一方向S上执行扫动(swath)动作的期间，第二喷墨头模块422在第二方向W2上移动，同时第二喷墨头模块422向基板100上喷出第二药液130。
接着，如果第二药液130的喷出完成，则基板100移动到热处理装置。热处理装置对基板100进行热处理，使第一药液120R、120G、120B与第二药液130反应，来在基板100上合成量子点墨150R、150G、150B。
图7是用于说明根据本发明的另一实施例的基板处理方法的流程图。图8是用于说明在图7的S11步骤或S21步骤中使用的喷墨装置的示例图。为了便于说明，以与使用图1至图6说明的内容的不同点为主进行说明。
在图6中说明的基板处理方法中，在一个喷墨装置中进行喷出包含离子化的量子点的第一药液的过程以及喷出包含离子化的还原剂的第二药液的过程。
相反，在图7中说明的基板处理方法中，在分离的喷墨装置中进行喷出包含离子化的量子点的第一药液的过程以及喷出包含离子化的还原剂的第二药液的过程。
具体而言，参考图7，第一喷墨装置向基板上喷出包含离子化的量子点的第一药液(S11)。
接着，与第一喷墨装置不同的第二喷墨装置向基板的第一药液上喷出包含还原剂的第二药液(S21)。
接着，热处理装置对基板进行热处理来使第一药液与第二药液反应。其结果，能够在基板上合成量子点墨(S31)。
在此，参考图8，基板处理装置包括工艺台PT、机架410、喷墨头模块420、图像生成模块430、支承模块440、控制模块450等。可以在工艺台PT仅配置一个机架410。在机架410设置有能够在第二方向W上移动的喷墨头模块420和图像生成模块430。
若对动作进行说明，基板100进入到第一喷墨装置(图8的基板处理装置)。在第一喷墨装置内向基板100上喷出第一药液120R、120G、120B。
接着，如果第一药液120R、120G、120B的喷出完成，则基板100从第一喷墨装置移动到第二喷墨装置(实质上与图8的基板处理装置相同形态的装置)。在第二喷墨装置内向基板100上喷出第二药液130。
接着，如果第二药液130的喷出完成，则基板100移动到热处理装置。热处理装置对基板100进行热处理，使第一药液120R、120G、120B与第二药液130反应，来在基板100上合成量子点墨150R、150G、150B。
参考以上和附图说明了本发明的实施例，但本领域普通技术人员能够理解的是，能够在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下以其他具体形态实施本发明。因此，应理解为以上描述的实施例在所有方面均是例示性的而不是限定性的。

Claims (19)

1.一种基板处理方法，包括：
向基板上喷出包含离子化的量子点的第一药液，
向所述第一药液上喷出包含还原剂的第二药液，
使所述第一药液与所述第二药液反应来在所述基板上合成量子点墨。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
在合成所述量子点墨时，对所述基板进行热处理。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
在合成所述量子点墨时，对所述基板进行UV照射或电子束照射。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述还原剂包含碱性物质。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述第二药液还包含配体、抗氧化剂、粘合剂中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述配体包括羧酸。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述抗氧化剂包括胺系列。
8.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述粘合剂包括环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酯中的至少一者。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
在所述基板上形成定义喷出区域的多个堤，
向所述喷出区域内喷出所述第一药液和所述第二药液。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
向所述喷出区域内喷出的所述第一药液与所述第二药液的体积比率为5：5至7：3。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
向所述喷出区域内喷出的所述第一药液与所述第二药液的体积比率为a：b，
在所述喷出区域内合成的量子点墨包括第一区域和配置在所述第一区域上的第二区域，
所述第一区域和所述第二区域的体积分别为在所述喷出区域内合成的量子点墨的a/(a+b)、b/(a+b)，
在所述第一区域形成的量子点的量为在所述喷出区域内合成的量子点墨的总体量子点的70％以上。
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
执行喷出所述第一药液的第一喷墨装置与执行喷出所述第二药液的第二喷墨装置相互不同。
13.一种基板处理装置，包括：
第一喷墨装置，其向基板上喷出包含离子化的量子点的第一药液；
第二喷墨装置，其向所述基板的所述第一药液上喷出包含还原剂的第二药液；以及
热处理装置，其对所述基板进行热处理，使所述第一药液与所述第二药液反应来在所述基板上合成量子点墨。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述还原剂包括碱性物质。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述第二药液还包括配体、抗氧化剂、粘合剂中的至少一者。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
在所述基板上形成定义喷出区域的多个堤，
所述第一喷墨装置向所述喷出区域内喷出所述第一药液，
所述第二喷墨装置向所述喷出区域内喷出所述第二药液。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，
向所述喷出区域内喷出的所述第一药液与所述第二药液的体积比率为5∶5至7∶3。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
向所述喷出区域内喷出的所述第一药液与所述第二药液的体积比率为a∶b，
在所述喷出区域内合成的量子点墨包括第一区域和配置在所述第一区域上的第二区域，
所述第一区域和所述第二区域的体积分别为在所述喷出区域内合成的量子点墨的a/(a+b)、b/(a+b)，
在所述第一区域形成的量子点的量为在所述喷出区域内合成的量子点墨的总体量子点的70％以上。
19.一种显示装置，包括：
基板；
多个堤，其形成在所述基板上，以定义喷出区域；以及
量子点墨，其形成在所述喷出区域内，
在所述喷出区域内合成的量子点墨包括第一区域和配置在所述第一区域上的第二区域，
所述第一区域和所述第二区域的体积分别为在所述喷出区域内合成的量子点墨的6/10、4/10，
在所述第一区域形成的量子点的量为在所述喷出区域内合成的量子点墨的总体量子点的70％以上。
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