CN115954041A - 实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片及电子设备。其中实时自检测方法具体包括:在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将标准数据写待测存储地址中,而后从待测存储地址中进行数据读取,将读取数据与标准数据进行比较:在读取数据与标准数据不一致的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。通过本申请提出的技术方案,能够实现对于芯片中静态随机存取存储器的全自动实时坏点自检测,并当存在坏点时及时启用备用地址进行校正,可以有效提升静态随机存取存储器的坏点检测效率以及校正效率,进而提升芯片的良品检测效率和工作可靠性,具有可推广价值。
Description
技术领域
本发明涉及芯片检测技术领域,具体地,公开了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质。
背景技术
芯片设计中常常需要使用到静态随机存取存储器(SRAM)。静态随机存取存储器是随机存取存储器的一种,只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。由于静态随机存取存储器不可以进行DFT(Design For Test)测试,其中DFT测试指在芯片原始设计中阶段即插入各种用于提高芯片可测试性(包括可控制性和可观测性)的硬件逻辑,通过这部分逻辑,生成测试向量,以达到测试大规模芯片的目的。现有技术中,对于静态随机存取存储器的错误检测常采用人工与软件相结合的方式进行联合检测校正,对于静态随机存取存储器的坏点检测和校正的自动化程度有待提升。
同时,现有技术中,通常只在芯片出厂时对静态随机存取存储器进行一次错误检测,导致无法在芯片使用过程中对于静态随机存取存储器进行实时的坏点错误检测,导致装载有静态随机存取存储器的芯片的工作可靠性存在问题。
发明内容
根据现有技术中面临的静态随机存取存储器的检测和校正效率低、无法实现全生命流程实时检测的问题,本发明提供一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质。
在本申请的第一方面提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法,具体包括:
在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将标准数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中;
从待测存储地址中进行数据读取,并将读取数据与标准数据进行比较:
在读取数据与标准数据不一致的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
在上述第一方面的一种可能的实现中,静态随机存取存储器包括多个备用存储地址;
在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,采用备用存储地址对待测存储地址进行替代。
在上述第一方面的一种可能的实现中,在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,对待测存储地址进行记录并更新静态随机存取存储器的坏点地址数量;
在静态随机存取存储器的坏点地址数量大于预设阈值的情况下,生成相应的告警信息。
在上述第一方面的一种可能的实现中,预设阈值小于等于静态随机存取存储器中的备用存储地址的数量。
在上述第一方面的一种可能的实现中,静态随机存取存储器包括存储地址列表,存储地址列表中依次序排布有多个存储地址;
在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,于存储地址列表中依次序循环提取每个存储地址作为待测存储地址进行持续的坏点自检测。
在上述第一方面的一种可能的实现中,在静态随机存取存储器处于非空闲状态的情况下,停止执行实时自检测方法中的全部步骤,并记录当前的待测存储地址于存储地址列表中的位置信息;
在静态随机存取存储器再次处于空闲状态的情况下,根据位置信息提取对应的存储地址作为当前的待测存储地址。
在上述第一方面的一种可能的实现中,标准数据包括一次写入数据和二次写入数据,一次写入数据与二次写入数据不同;
实时自检测方法包括:
在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将一次写入数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中;
从待测存储地址中进行一次数据读取,并将一次读取数据与一次写入数据进行比较,以进行一次坏点判断;
在一次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下,将二次写入数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中;
从待测存储地址中进行二次数据读取,并将二次读取数据与二次写入数据进行比较,以进行二次坏点判断;
在二次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点。
在上述第一方面的一种可能的实现中,根据一次坏点判断及二次坏点判断的结果得到待测存储地址对应的存储单元的实际坏点检测结果,当二者中至少一者判断的结果为存在坏点时,判断待检测存储地址对应的存储单元的实际坏点检测结果为存在坏点。
本申请的第二方面提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测系统,应用于上述第一方面所提供的实时自检测方法中,该实时自检测系统包括静态随机存取存储器、控制器和自检测器;
控制器通过总线与静态随机存取存储器连接,用于实现对静态随机存取存储器的读写控制;
自检测器分别与控制器和静态随机存取存储器连接,自检测器包括:
监测单元,用于对静态随机存取存储器的工作状态进行持续监测,工作状态包括空闲状态和非空闲状态;
通知单元,连接监测单元,用于在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将待测存储地址及标准数据发送给控制器;
控制器根据接收到的待测存储地址和标准数据,将标准数据写入待测存储地址中,并从待测存储地址中进行数据读取;
检测单元,用于判断从待测存储地址读取的读取数据与标准数据是否一致:在读取数据与标准数据一致的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点;在读取数据与标准数据不一致的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
在上述第二方面的一种可能的实现中,自检测器还包括下列单元中的至少一种:
计数单元,用于在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将待测存储地址作为坏点地址并记录坏点地址的数量;
报警单元,用于在坏点地址的数量大于预设阈值的情况下,生成相应的告警信息。
在上述第二方面的一种可能的实现中,检测单元在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将待测存储地址作为坏点地址并发送给控制器;
控制器包括:
记录单元,用于记录坏点地址。
本申请的第三方面提供了一种芯片,该种芯片通过本申请第二方面提供的实时自检测系统搭建了至少一个静态随机存取存储器。
本申请的第三方面提供了一种电子设备,包括:
存储器,存储器用于存储处理程序;
处理器,处理器执行处理程序时实现前述第一方面所提供的实时自检测方法。
本申请的第四方面提供了一种可读存储介质,该种可读存储介质上存储有处理程序,处理程序被处理器执行时实现前述第一方面所提供的实时自检测方法。
与现有技术相比,本申请具有如下的有益效果:
通过本申请提出的技术方案,能够实现对于芯片中静态随机存取存储器的全自动实时坏点自检测:在静态随机存储器处于空闲状态的情况下,通过自动读写标准数据的方式对静态随机存储器中的存储地址进行遍历检查,当出现读写数据不一致的情况时及时调用备用地址对存在坏点的存储地址进行替换,从而有效提升静态随机存取存储器的坏点检测效率以及校正效率,进而提升芯片的良品检测效率和工作可靠性,具有可推广价值。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1根据本申请实施例,示出了一种针对静态随机存取存储器的实时自检测方法的流程示意图;
图2根据本申请实施例,示出了另一种针对静态随机存取存储器的实时自检测方法的流程示意图;
图3根据本申请实施例,示出了一种静态随机存取存储器执行自检测的状态变化示意图;
图4根据本申请实施例,示出了一种静态随机存取存储器的实时自检测系统的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
在本文中使用的术语“包括”及其变形表示开放性包括,即“包括但不限于”。除非特别申明,术语“或”表示“和/或”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个示例实施例”和“一个实施例”表示“至少一个示例实施例”。术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
为了解决现有技术中存在的静态随机存取存储器的检测和校正效率低、无法实现全生命流程实时检测的问题,本申请提出了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质。通过该种实时自检测方法,能够在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,通过自动读写标准数据的方式实现对静态随机存储器中的存储地址进行遍历检查,并在检测到坏点时及时启用备用地址对其进行更换。
具体地,图1根据本申请的一些实施例,示出了一种针对静态随机存取存储器的实时自检测方法的流程示意图,具体包括:
步骤100:判断静态随机存取存储器是否处于空闲状态。若是,则转向步骤101;若否,则说明当前静态随机存取存储器处于工作状态,需要优先满足静态随机存取存储器的工作需要,不适合对当前状态下的静态随机存取存储器进行坏点检测,在此情况下可以返回步骤100继续执行下一次的空闲状态判断。
可以理解的是,在本申请的一些实施例中,针对上述步骤100的执行可以是持续的,也可以根据搭载静态随机存取存储器的芯片的实际工作情况进行调整,如通过设定判断发起的间隔时间周期性地执行步骤100。
例如,若搭载静态随机存取存储器的芯片的单次工作执行时长平均为2秒,则可以设定每间隔2秒对于静态随机存取存储器工作状态进行执行一次如步骤100的判断,以实现在不影响静态随机存取存储器正常工作的情况下,尽可能地对于可能出现的存储地址坏点情况进行及时的自检测。
步骤101:将标准数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中。可以理解的是,在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,可以通过读写测试的方式对静态随机存取存储器进行坏点测试。静态随机存取存储器包括由多个存储单元构成的存储单元阵列,存储阵列中的每个存储单元都与其它存储单元在行和列上共享电学连接,其中水平方向上表示数据流入和流出存储单元的连线称为“字线”,而垂直方向上的连线称为“位线”,用户通过输入的地址可选择特定的字线和位线,字线和位线的交叉处就是被选中的存储单元,每一个存储单元都是按这种方法被唯一选中。也就是说,每个待测存储地址均对应静态随机存取存储器中的一个特定的存储单元,通过使用待测存储地址的数据读写测试能够实现对存储单元的读写能力的有效测试。
步骤102:从待测存储地址中进行数据读取,并判断读取数据与标准数据是否一致。若读取数据与标准数据一致,则说明该待测存储地址能够进行正常的读写操作,并不存在坏点问题,进而转向步骤104;若读取数据与标准数据不相一致,则说明该待测存储地址对应的存储单元由于种种故障原因,使得针对该待测存储地址的写入数据和读取数据无法保持一致,无法执行正常的读写操作,存在坏点问题,进而转向步骤103。
步骤103:判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
步骤104:判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点。
于上述实施例中,步骤100至步骤104实现了对于单个待测存储地址及其对应的存储单元的实时自检测流程,但考虑到静态随机存储器中存在不止一个存储地址和存储单元,需要实现对于静态随机存取存储器的全面自检需要对每个存储地址和每个存储单元进行遍历自检,故而在本申请的一些实施例中,于上述步骤100至步骤104执行完成后,可以重新选择新的待测存储地址重复执行上述步骤100至步骤104以实现对于静态随机存取存储器的全方位自检测。有关待测存储地址选取的具体流程步骤将于后文中进行说明。
可以看到,于上述步骤100至步骤104中,对于单个待测存储地址通过读写测试进行坏点检测。为了在保证坏点检测效率的同时尽可能地提升检测准确率,图2根据本申请的一些实施例,示出了另一种针对静态随机存取存储器的实时自检测方法的流程示意图。
步骤200:在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将一次写入数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中。
步骤201:从待测存储地址中进行一次数据读取,并判断一次读取数据与一次写入数据是否一致。若一次读取数据与一次写入数据不一致,则同样说明该待测存储地址对应的存储单元无法执行正常的读写操作,存在坏点问题,进而转向步骤204;若一次读取数据与一次写入数据一致,则说明该待测存储地址对应的存储单元在当次数据读写过程中保持正常,进而转向步骤202。
步骤202:将二次写入数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中。可以理解的是,为了保证对于待测存储地址对应的存储单元的测试多样性,二次写入数据要求与一次写入数据不同。
步骤203:从待测存储地址中进行二次数据读取,并判断二次读取数据与二次写入数据是否一致。若二次读取数据与二次写入数据不一致,则同样说明该待测存储地址对应的存储单元无法执行正常的读写操作,存在坏点问题,进而转向步骤204:若二次读取数据与二次写入数据一致,则说明该待测存储地址对应的存储单元连续两次读写操作执行正常,进而转向步骤205。
步骤204:判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
步骤205:判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点。
可以理解的是,采用标准数据对待测存储地址进行一次独立的读写测试存在一定的测试偶然性,单次读写测试的通过并不能完全保证待测存储地址对应的存储单元不存在坏点。为了防止对静态随机存取存储器中坏点的遗漏、提升对于坏点自检测的准确率,于上述实施例中,可以通过连续两次读写不同数据的方式优化对于存储单元的坏点自检测方式,当任意一次读写过程中出现读写数据不一致的情况均可判断当前待测存储地址对应的存储单元存在坏点,只有连续通过两次不同数据的读写验证才能够保证该存储单元读写工作正常。
例如,在本申请的一些具体实施例中,当静态随机存取存储器中待测存储地址所对应的存储单元处在始终处于高电平的异常状态时,写入标准数据为“1”,此时对该存储单元进行数据读取,能够读取到代表高电平的“1”,显示该待测存储地址所对应的存储单元并不存在坏点;只有当再次写入标准数据为“0”时,此时再此对该存储单元进行数据读取,发现读取到的数据仍为代表高电平的“1”,与二次写入的标准数据不服,从而证明了该待测存储地址所对应的存储单元存在坏点,且该坏点容易因一次读写测试的成功而被遗漏。
进一步地,在本申请的另一些实施例中,一次写入数据和二次写入数据还可以是动态生成的或是动态变化的,保证了对存储单元坏点测试过程中的随机性。
在本申请的一些实施例中,静态随机存取存储器中设置有多个备用存储地址。可以理解的是,例如一个静态随机存取存储器中包含有100个可用于数据存储的实体存储单元,则该静态随机存取存储器在封装于功能芯片中时会将其中的90个实体存储单元作为日常工作用存储单元并赋予其一一对应的存储地址,将剩余的10个实体存储单元作为备用存储单元并同样赋予其一一对应的备用存储地址。当日常工作用存储单元出现读写故障无法使用时,无需对静态随机存取存储器或者芯片整体进行更换,可直接调用备用存储单元进行替换。有关对备用存储单元进行替换的具体实现可以是将出现故障的存储单元对应的存储地址映射至替换的备用存储地址,进而将读写数据转存至相应的备用存储单元中。本领域技术人员可以根据实际需要选择所需的实现方式,在此不做限定。
于上述实施例中,在通过前述实施例提供的方法进行实时自检测的过程中,若出现如步骤103或步骤204的当前待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况,可以采用备用存储地址对当前存储地址进行替换,以保证静态随机存取存储器的正常工作不受影响。例如,在本申请的具体实施例中,可以对静态随机存取存储器中的存储地址“00101101”执行如前述步骤200至步骤205的坏点检测,当检测存储地址“00101101”对应的存储单元存在坏点时,可以由静态随机存取存储器的控制器对该存储地址“00101101”进行记录。在之后的正常使用过程中,当静态随机存取存储器再次接收到需要使用存储地址“00101101”进行读写操作的指令时,由读写控制器将存储地址“00101101”通过内部映射修改为备用存储地址“00101100”并执行相应的读写操作。通过上述技术方案,能够在对静态随机存取存储器进行实时自检测的同时,对存在坏点情况、可能造成读写错误的存储地址进行及时替换和校正,保证了后续正常数据读写过程的安全性。
在本申请的一些实施例中,静态随机存取存储器还将对存在坏点的存储单元的数量进行记录。具体地,可以是在检测到存在坏点的存储单元对应的存储地址时,对坏点地址的数量进行累加并实时更新。
可以理解的是,在正常使用情况下,由于存在备用存储单元和备用存储地址,当静态随机存取存储器中存在少量坏点的情况时,可以通过调用备用存储地址进行替代的方式进行校正修复,不会影响静态随机存取存储器的后续正常使用。但是当静态随机存取存储器中存在的坏点数量过多,特别是坏点数量已经大于备用存储地址的数量时,则说明该静态随机存取存储器已无法实现正常的数据读写能力,写入该静态随机存取存储器的数据无法得到有效的保存和读取,需要执行必要的报废程序。因此,于上述实施例中,通过对坏点地址数量的实时更新,能够实现对静态随机存取存储器实时运行工况的准确了解,并在坏点地址数量大于预设阈值的情况下,生成相应的告警信息通过用户该静态随机存取存储器已无法满足正常读写需要,需要进行及时报废或更换。
于上述实施例中,预设阈值可以等于备用存储地址的数量或是小于备用存储地址的数量。于理想状态下,坏点对应的存储地址可由备用存储地址进行替代,那么在预设阈值等于备用存储地址的数量的情况下,每个坏点都能被备用存储地址所替代,静态随机存取存储器的高速缓存性能不受影响。但考虑到过多数量的坏点之间可能产生的相互干涉进而在后续正常工作中导致其他原本正常的存储单元出现读写异常的问题,为了进一步提升静态随机存取存储器的可靠性,预设阈值可以需要设定得比备用存储地址的数量更小一些。有关预设阈值的设定方式和设定值,本领域技术人员可以根据实际需要进行自主设定,在此不做限定。
可以理解的是,前述实施例对于单个待测存储地址及其对应存储单元的坏点自检测进行了阐释和说明。以下将对如何实现静态随机存取存储器全部存储单元的重复遍历检测进行具体说明。
在本申请的一些实施例中,于静态随机存取存储器中设置有存储地址列表,存储地址列表中依照一定的次序排布有多个存储地址及每个存储地址对应的存储单元。通过这些存储地址列表,静态随机存取存储器的控制能够根据读取数据或写入数据携带地址信息找到准确的存储单元进行写入或是读取。
可以理解的是,为了实现对于静态随机存取存储器中全部存储单元的遍历自检测,需要对每个存储单元对应的存储地址均执行如前述步骤100至步骤104或是前述步骤200至205的操作。因此,于上述实施例中,可以借助静态随机存取存储器中的存储地址列表,依照存储地址列表中的列表次序,在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,从存储地址列表中依次提取一个存储地址作为待测存储地址前述步骤100至步骤104或是前述步骤200至205的操作。当完成当前待测存储地址的全部坏点检测步骤后,需要对静态随机存取存储器的当前工作状态重新进行一次判断,若静态随机存取存储器仍处于空闲状态,则继续依照存储地址列表中的顺序提取下一个存储地址作为待测存储地址重复前述步骤100至步骤104或是前述步骤200至205的操作,直至对存储地址列表中的全部存储地址完成一次遍历。
进一步地,于上述具体实施例中,若完成当前待测存储地址的全部坏点检测步骤后,静态随机存取存储器得到外部的工作指令需要转换为读状态或是写状态时,则可以将已完成的待测存储地址在存储地址列表中的位置信息进行记录,并当静态随机存取存储器再次处于空闲状态的情况下,根据已记录的位置信息提取下一个存储地址作为新的待测存储地址,从而实现对于存储地址列表中全部存储地址的一次遍历。特别地,由于对于待测存储地址的坏点自检测步骤包括至少一次数据写入和至少一次数据读取,在一些具体实施例中,存在于数据写入和数据读取过程中该静态随机存取存储器接收到外部的工作指令需要执行工作所需的数据写入操作或数据读取操作。在此情况下,为了保障静态随机存取存储器的正常使用不受干扰和影响,可以停止执行对当前待测地址的全部坏点自检测操作,优先执行工作指令并同步记录当前的待测存储地址于存储地址列表中的位置信息。由于该待测存储地址尚未完成全部的坏点自检测操作,当静态随机存取存储器再次处于空闲状态的情况下,可以根据已记录的位置信息提取该存储地址重新进行坏点自检测操作。
进一步地,于上述具体实施例中,考虑到静态随机存取存储器需要根据实际需求持续工作,于某个特定时间点完成的对全部存储地址的坏点自检测遍历并不能完整反映静态随机存取存储器的全生命周期的实时工况状态。于上述具体实施例中,可以每间隔一定的预设周期,例如1小时或是1天,执行一次针对静态随机存取存储器中全部存储地址的坏点自检测遍历;也可以在一轮完整的坏点自检测遍历执行完成后,通过对存储地址列表的循环重复读取开启新的一轮坏点自检测遍历。特别地,若在一轮完整的坏点自检测遍历执行过程中,静态随机存取存储器均处于空闲状态,则说明静态随机存取存储器未执行工作指令,出现新的坏点的可能性较低,可以暂停对于存储单元的循环坏点自检测遍历,直至该静态随机存取存储器处理完成至少一次工作指令并再度处于空闲状态时,此时静态随机存取存储器可能因为工作指令造成的负载出现新的坏点,可以再一次开启针对存储单元的循环坏点自检测。
在本申请的一些实施例中,图3示出了一种静态随机存取存储器执行自检测的状态变化示意图。具体地,如图3所示,当设置有静态随机存取存储器的集成开发环境检测到静态随机存取存储器处于空闲状态(Idle)时,将预设的待测地址作为当前地址开始进行自检测流程:首先对当前地址写入data0并读取当前地址的data00,通过比较data0和data00是否一致来执行对当前地址的一次检测判断,若通过则再次写入data1并读取data10,通过比较data1和data10是否一致来执行对当前地址的二次检测判断。若其中有任意一次写入数据与读取数据不一致,则记录当前地址为错误地址,并实时更新错误地址的数量。此时若错误地址的个数大于预设阈值,则直接通知当前集成开发环境存在静态随机存取存储器的错误需要予以警示,若错误地址的个数尚未到达预设阈值或是两次检测判断均通过,则在当前地址的基础上加1,对地址列表中的下一个地址进行新一轮的检测。如果完成了对于静态随机存取存储器中的一轮完成的地址检测,则由当前集成开发环境决定下一轮地址检测的开启。
在本申请的一些实施例中,还提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测系统,应用于前述实施例提供的针对静态随机存取存储器的实时自检测方法中。
具体地,如图3所示,该实时自检测系统包括静态随机存取存储器300、控制器310和自检测器320。其中,控制器310通过总线330与静态随机存取存储器300连接,用于实现对静态随机存取存储器300的读写控制;自检测器320分别与控制器310和静态随机存取存储器300连接。
如图3所示,总线330包括数据总线330a和控制总线330b,其中控制总线330b由控制器310单向传输给静态随机存取存储器300,数据总线330a于控制器310和静态随机存取存储器300间双向传输以实现读写数据交互。
具体地,如图3所示,自检测器320可以包括:
监测单元321,用于对静态随机存取存储器的工作状态进行持续监测。其中,静态随机存取存储器的工作状态可以包括空闲状态和非空闲状态,非空闲状态可以进一步包括读状态和写状态。
具体地,监测单元321可以由多路选择器实现,多路选择器的使能端接入总线,对控制器产生的使能信号进行检测,在未检测到控制器使能信号的情况下说明静态随机存取存储器当前处于空闲状态,可以执行坏点自检测的相关流程。当然,也可以通过本领域常用的其他方式实现。当静态随机存取存储器100处于正常工作状态时,控制器110需要对静态随机存取存储器100进行持续的读写控制,也就会产生相应的使能信号。因此在未检测到控制器110使能信号的情况下,说明此时静态随机存取存储器100当前处于空闲状态,坏点自检测器可以开始进行工作。当然,本领域技术人员也可以通过本领域常用的其他方式实现对于静态随机存取存储器的空闲状态的监测和获取。
通知单元322,连接监测单元321,用于至少在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,与控制器310进行通讯,并将待测存储地址及标准数据发送给控制器。控制器根据接收到的待测存储地址和标准数据,将标准数据写入待测存储地址中,并从待测存储地址中进行数据读取。
具体地,通知单元322可以包括地址累加器和存储器,其中地址累加器用于确定当前检测的待测存储地址,并在当次检测完成的情况下进行地址累加以确定下一个需要进行检测的待测存储地址以提供给控制器310;存储器用于对检测用的标准数据进行存储。在一示例中,通知单元包括第二子存储器和地址累加器。其中,第二子存储器用于对坏点自检测用的标准数据进行存储;地址累加器可以与多路选择器进行耦接,用于确定当次检测对应的待测存储地址,并在当次检测完成的情况下执行地址累加操作,以确定下次检测对应的待测存储地址。
控制器310根据接收到的待测存储地址和标准数据,将标准数据写入待测存储地址中,并从待测存储地址中进行数据读取。标准数据的写入和数据读取均是通过总线330实现与静态随机存取存储器的交互。
检测单元323,用于通过总线330获取读取数据并与写入的标准数据进行比较:在读取数据与标准数据一致的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点;在读取数据与标准数据不一致的情况下,判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。具体地,检测单元323可以通过比较器加以实现,通过从总线330上获取到的读取数据和标准数据进行比较获得相应的判断结果。在一具体示例中,检测单元包括第二比较器,其中第二比较器与总线相连接,用于实现读取数据和标准数据的比较。具体地,第二比较器的一个输入端能够通过接入总线130以获取读取数据,并将之与预先设置的标准数据进行一致性比较。
进一步地,于上述实施例中,自检测器320还可以在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将坏点地址的相关信息反馈至控制器310。具体地,在本申请的一些实施例中,检测单元323可以与通知单元322相连接,并通过通知单元322将坏点地址的信息发送给控制器310。如检测单元的比较器还与通知单元耦接,通知单元可以根据判断比较器生成的判断结果,在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将待测存储地址作为坏点地址并发送给控制器。其中,可以通过比较器与地址累加器实现坏点地址的发送,当然,也可是通过本领域的其他常用手段实现将检测单元中所判断出来的存在坏点的地址通知给控制器。
如图3所示,控制器310还可以包括记录单元311,用于对坏点地址进行记录。具体地,记录单元311可以通过存储器进行实现。在一具体示例中,记录单元311包括第三子存储器,用于存储坏点地址。
可以理解的是,于上述实施例的一些具体实现中,自检测器320可以由检测电路的形式进行实现:该检测电路设置于静态随机存取存储器300和控制器310的总线330之间,可以通过选择器元件对使能信号进行持续检测;并在检测到静态随机存取存储器当前处于空闲状态时通过地址累加器元件和存储器元件,选择待测存储地址和标准数据发送给控制器310进行读写操作;进而通过比较器元件,根据从数据总线330b中截取写入数据和读取数据执行一致性比较,以实现对于某一待测存储地址对应的存储单元的坏点自检测。
进一步地,于上述实施例中,自检测器还可以包括下列单元中的至少一种:
计数单元,用于在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将待测存储地址作为坏点地址并记录坏点地址的数量;报警单元,用于在坏点地址的数量大于预设阈值的情况下,生成相应的告警信息。
具体地,计数单元可以与检测单元连接,可以通过计数器加以实现,例如,计数器与检测单元的比较器进行连接,当出现新的待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况时,计数器在原有数据的基础上进行加一累加,以实时更新坏点地址的数量。
另外,报警单元可以与计数单元连接,可以通过比较器和存储器加以实现,通过当前坏点地址数量和预设阈值的比较,在当前坏点地址数量超出预设阈值的情况下,从存储器中提取预设的告警信息并向当前开发集成环境进行告知,从而实现对静态随机存取存储器的故障信息及时反馈。在一具体示例中,报警单元包括第一子存储器和第一比较器,其中,第一比较器可以与计数器连接,第一比较器用于实现当前的坏点地址的数量和预设阈值的比较,第一子存储器用于存储告警信息。第一比较器能够根据计数器当前实时的坏点地址数量和预设阈值进行比较,在当前坏点地址数量超出预设阈值的情况下,从第一子存储器中提取预先存储的告警信息并向当前开发集成环境进行告知,从而实现对静态随机存取存储器的故障信息及时反馈。
通过该种外接于控制器310和静态随机存取存储器300件的检测电路,一方面能够有效实现对于全生命周期的坏点自主检测,另一方面无需调整控制器310的控制逻辑或是在控制310中额外加入比较判断逻辑,易于落地实现和广泛推广。
进一步地,于上述实施例中,自检测器320还可以在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将坏点地址的相关信息反馈至控制器310。具体地,在本申请的一些实施例中,检测单元323可以与通知单元322相连接,并通过通知单元322将坏点地址的信息发送给控制器310。如图3所示,控制器310还可以包括记录单元311,用于对坏点地址进行记录。具体地,记录单元311可以通过存储器进行实现。
可以理解的是,上述自检测器320和控制器310中的各个功能模块执行与前述实施例中坏点自检测方法相同的步骤流程,在此不做赘述。
在本申请的一些实施例中,还提供了一种芯片。该种芯片通过前述实施例中提供的实时自检测系统搭建了至少一个静态随机存取存储器,能够实现对于静态随机存取存储器的实时坏点自检测,并在出现坏点时做出及时校正或是及时发出更换警示,有效提升了芯片应用的可靠性。
在本申请的一些实施例中,还提供了一种电子设备。该种电子设备中包含存储器和处理器,其中存储器用于对处理程序进行存储,处理器则根据指令对处理程序进行执行。当处理器对处理程序进行执行时,使得前述实施例中的对静态随机存取存储芯片的实时自检测方法得以实现。
本申请提出的技术方案涉及方法、装置、系统、芯片、电子设备、计算机可读存储介质和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括用于执行本公开的各个方面的计算机可读程序指令。
计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身,诸如无线电波或者其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒介传播的电磁波(例如,通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备,或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令,并转发该计算机可读程序指令,以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。
用于执行本公开操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码,编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等,以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中,远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机,或者,可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中,通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路,例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA),该电子电路可以执行计算机可读程序指令,从而实现本公开的各个方面。
这里参照根据本公开实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解,流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合,都可以由计算机可读程序指令实现。
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的处理单元,从而生产出一种机器,使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的处理单元执行时,产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中,这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作,从而,存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品,其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上,使得在计算机、其它可编程数据处理装置或其它设备上执行一系列操作步骤,以产生计算机实现的过程,从而使得在计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分,模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
以上已经描述了本公开的各实施例,上述说明是示例性的,并非穷尽性的,并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下,对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择,旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术改进,或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。
Claims (14)
1.一种静态随机存取存储器的实时自检测方法,其特征在于,所述实时自检测方法包括:
在所述静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将标准数据写入所述静态随机存取存储器的待测存储地址中;
从所述待测存储地址中进行数据读取,并将读取数据与所述标准数据进行比较:
在所述读取数据与所述标准数据不一致的情况下,判断所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
2.如权利要求1所述的实时自检测方法,其特征在于,所述静态随机存取存储器包括多个备用存储地址;
在所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,采用所述备用存储地址对所述待测存储地址进行替代。
3.如权利要求1所述的实时自检测方法,其特征在于,在所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,对所述待测存储地址进行记录并更新所述静态随机存取存储器的坏点地址数量;
在所述静态随机存取存储器的坏点地址数量大于预设阈值的情况下,生成相应的告警信息。
4.如权利要求3所述的实时自检测方法,其特征在于,所述预设阈值小于等于所述静态随机存取存储器中的备用存储地址的数量。
5.如权利要求1所述的实时自检测方法,其特征在于,所述静态随机存取存储器包括存储地址列表,所述存储地址列表中依次序排布有多个存储地址;
在所述静态随机存取存储器处于所述空闲状态的情况下,于所述存储地址列表中依所述次序循环提取每个所述存储地址作为所述待测存储地址进行持续的坏点自检测。
6.如权利要求5所述的实时自检测方法,其特征在于,在所述静态随机存取存储器处于非空闲状态的情况下,停止执行所述实时自检测方法中的全部步骤,并记录当前的所述待测存储地址于所述存储地址列表中的位置信息;
在所述静态随机存取存储器再次处于所述空闲状态的情况下,根据所述位置信息提取对应的所述存储地址作为当前的所述待测存储地址。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的实时自检测方法,其特征在于,所述标准数据包括一次写入数据和二次写入数据,所述一次写入数据与所述二次写入数据不同;
所述实时自检测方法包括:
在所述静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将所述一次写入数据写入所述静态随机存取存储器的待测存储地址中;
从所述待测存储地址中进行一次数据读取,并将一次读取数据与所述一次写入数据进行比较,以进行一次坏点判断;
在所述一次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下,将所述二次写入数据写入所述静态随机存取存储器的待测存储地址中;
从所述待测存储地址中进行二次数据读取,并将二次读取数据与所述二次写入数据进行比较,以进行二次坏点判断;
在所述二次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下,判断所述待测存储地址对应的存储单元不存在坏点。
8.如权利要求7所述的实时自检测方法,其特征在于,根据所述一次坏点判断及所述二次坏点判断的结果得到所述待测存储地址对应的存储单元的实际坏点检测结果,当二者中至少一者判断的结果为存在坏点时,判断所述待检测存储地址对应的存储单元的实际坏点检测结果为存在坏点。
9.一种静态随机存取存储器的实时自检测系统,其特征在于,应用于如权利要求1至8中任意一项所述的实时自检测方法中,所述实时自检测系统包括控制器和自检测器;
所述控制器通过总线与所述静态随机存取存储器连接,用于实现对所述静态随机存取存储器的读写控制;
所述自检测器分别与所述控制器和所述静态随机存取存储器连接,所述自检测器包括:
监测单元,用于对所述静态随机存取存储器的工作状态进行持续监测,所述工作状态包括空闲状态和非空闲状态;
通知单元,连接所述监测单元,用于在所述静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下,将待测存储地址及标准数据发送给所述控制器;
其中,所述控制器根据接收到的所述待测存储地址和所述标准数据,将所述标准数据写入所述待测存储地址中,并从所述待测存储地址中进行数据读取;
检测单元,用于判断从所述待测存储地址读取的读取数据与所述标准数据是否一致:在所述读取数据与所述标准数据一致的情况下,判断所述待测存储地址对应的存储单元不存在坏点;在所述读取数据与所述标准数据不一致的情况下,判断所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
10.如权利要求9所述的实时自检测系统,其特征在于,所述自检测器还包括下列单元中的至少一种:
计数单元,用于在所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将所述待测存储地址作为坏点地址并记录所述坏点地址的数量;
报警单元,用于在所述坏点地址的数量大于预设阈值的情况下,生成相应的告警信息。
11.如权利要求9所述的静态随机存取存储器的实时自检测系统,其特征在于,所述检测单元在所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下,将所述待测存储地址作为坏点地址并发送给所述控制器;
所述控制器包括:
记录单元,用于记录所述坏点地址。
12.一种芯片,其特征在于,所述芯片通过如权利要求9至11中任意一项所述的实时自检测系统搭载了至少一个静态随机存取存储器。
13.一种电子设备,其特征在于,包括:
存储器,所述存储器用于存储处理程序;
处理器,所述处理器执行所述处理程序时实现如权利要求1至8中任意一项所述的实时自检测方法。
14.一种可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质上存储有处理程序,所述处理程序被处理器执行时实现如权利要求1至8中任意一项所述的实时自检测方法。
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