CN115945367A - 涂胶方法和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种涂胶方法和电子设备，其中，涂胶方法应用于涂覆表面开设有槽的器件，包括：使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层；使用有机溶剂稀释第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充槽；使用光刻胶在稀释后的第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层；对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。本发明能够避免烘烤后在槽口处有气泡的产生，操作简单，成本低。
Description
技术领域
本发明涉及光刻工艺技术领域，尤其涉及一种涂胶方法和电子设备。
背景技术
光刻工艺中，光刻涂胶厚度均匀性会直接影响光刻效果。若光刻胶的胶厚发生波动，则光刻线宽也会随之波动，从而会影响光刻图形的稳定性。因此，要保证光刻图形稳定，就必须提高光刻胶厚度均匀性。
而目前涂胶方式主要是通过旋转涂胶的方法将光刻胶覆盖在器件表面上，如将光刻胶覆盖整片硅片的上表面。旋转涂胶的方式不但操作简单，而且成本低。但是，如果硅片上表面有较深的槽，如槽深度在5um以上，且槽口的直径或槽口外切圆的直径小于100um时，使用旋转涂胶的方法会导致槽里的空气被光刻胶密封在槽内，在涂胶后的烘烤过程会使里面的空气膨胀上升，从而导致槽处有气泡的产生，进而使得槽口周围无法覆盖光刻胶，从而导致光刻胶厚度不均匀，影响光刻图形的稳定性以及光刻的精度。
而现有的会通过新增喷涂设备对槽进行喷涂光刻胶，以避免在旋转涂胶的过程中在槽口出产生气泡。如此虽然能够避免气泡的产生，但是喷涂设备的价格昂贵，新增喷涂设备将大大的增加涂胶的成本。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供的涂胶方法和电子设备，通过在第一次涂胶后，使用少量稀释剂将光刻胶溶解，使光刻胶更容易流入槽内，之后进行第二次光刻胶旋涂，能够避免烘烤后在槽口处有气泡的产生，操作简单，成本低。
第一方面，本发明提供一种涂胶方法，应用于涂覆表面开设有槽的器件，包括：
使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层；
使用有机溶剂稀释第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充槽；
使用光刻胶在稀释后的第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层；
对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。
可选地，预定时长的范围包括：20s-60s。
可选地，第一涂层所使用光刻胶的量与第二涂层所使用光刻胶的量的比例范围为1:0.43～1。
可选地，在使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层之前，涂胶方法还包括：
对器件进行冷却处理。
可选地，在使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层之前，涂胶方法还包括：
使用增粘剂对涂覆表面进行预处理。
可选地，增粘剂包括：六甲基二硅胺烷。
可选地，在对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理的步骤之后，涂胶方法还包括：
对器件进行冷却处理。
可选地，冷却处理的温度范围为20℃～25℃，冷却处理的时间范围为20s-50s。
可选地，烘烤处理的温度范围为110℃～90℃，烘烤处理的时间范围为20s-45s。
第二方面，本发明提供一种电子设备，电子设备包括：
至少一个处理器；以及
与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行上述任一项中的涂胶方法。
本发明实施例提供的涂胶方法和电子设备，通过在第一次涂胶后，使用少量稀释剂将光刻胶溶解，使光刻胶更容易流入槽内，在静置预定时间之后，则可使光刻胶充分填充槽，避免槽内存有气体，从而无需新增喷涂设备，即能够在形成第二涂层后烘烤处理时避免槽口出产生气泡，不但能够保证后续的光刻图形的稳定性以及光刻的精度，同时操作简单，降低了涂胶的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例的涂胶方法的示意性流程图；
图2为本申请一实施例的涂胶方法的示意性流程图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
需要说明的是，当元件被称为“固定连接”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
第一方面，本实施例提供一种涂胶方法，应用于涂覆表面开设有槽的器件，参见图1，该涂胶方法包括步骤S101至步骤S104：
步骤S101：使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层。
值得一提的是，在使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层之前，涂胶方法还包括：对器件进行冷却处理。在本实施例中，涂覆表面为硅片的上表面。其中，冷却处理的温度范围为20℃～25℃，冷却处理的时间范围为20s-50s，如在22℃温度下冷却处理30s。通过冷却处理能够便于形成第一涂层中光刻胶的涂布。
同时，在使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层之前，涂胶方法还包括：使用增粘剂并采用蒸汽涂布的方式对涂覆表面进行预处理。其中，增粘剂为六甲基二硅胺烷，但并不限于此。通过对涂覆表面进行预处理能够提高光刻胶与涂覆表面的密着性，保证第一涂层的均匀性。
步骤S102：使用有机溶剂稀释第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充槽。
其中，预定时长的具体值由槽深、槽口的尺寸、稀释后的第一涂层的流动性以及外界气压等决定。可以理解的是，槽深越深、槽口的尺寸越小、稀释后的第一涂层的流动性越低或/和外界气压越低，则预定时长越长。在本实施例中，拥挤溶剂为光刻胶去边液，但并不限于此，本实施例不对对有机溶剂的用量做具体限定。
具体的，预定时长的范围为20s-60s，但并不限于此，也可为60s-90s等。
在本实施例中，该器件为硅片，涂覆表面为硅片的上表面。步骤S102进一步可为先将稀释后的有机溶剂喷涂在硅片上表面的中心点上，然后通过高速旋转使硅片，使稀释后的有机溶剂覆盖整个硅片。
步骤S103：使用光刻胶在稀释后的第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层。
其中，第一涂层所使用光刻胶的量与第二涂层所使用光刻胶的量的比例范围为1:0.43～1，如1:0.65。也可以理解为，第一涂层所使用光刻胶的量约占第一涂层和第二涂层所用光刻胶总量的50％～70％。
步骤S104：对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。
其中，烘烤处理的温度范围为110℃～90℃，烘烤处理的时间范围为20s-45s，如在98℃温度下冷却处理35s，或在102℃温度下冷却处理25s等。
在对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理的步骤之后，涂胶方法还包括：对器件进行冷却处理。
该涂胶方法通过在第一次涂胶后，使用少量稀释剂将光刻胶溶解，使光刻胶更容易流入槽内，在静置预定时间之后，则可使光刻胶充分填充槽，避免槽内存有气体，从而无需新增喷涂设备，即能够在形成第二涂层后烘烤处理时避免槽口出产生气泡，不但保证了后续的光刻图形的稳定性以及光刻的精度，同时操作简单，降低了涂胶的成本。
第二方面，本实施例提供一种涂胶方法，基于第一方面，参见图2，本实施例中的涂胶方法包括步骤S201至步骤S207：
步骤S201：使用增粘剂并采用蒸汽涂布的方式对涂覆表面进行预处理。
步骤S202：对器件进行第一次冷却处理。
步骤S203：使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层。
步骤S204：使用有机溶剂稀释第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充槽。
步骤S205：使用光刻胶在稀释后的第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层。
步骤S206：对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。
步骤S207：对器件进行第二次冷却处理。
其中，第一次冷却处理的温度和时间与第二次的冷却处理的温度和时间可相同，也可不同，本实施例对此不作具体限定。
第三方面，本实施例提供一种电子设备，电子设备包括：
至少一个处理器；以及与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行上述任一方面中的涂胶方法。
该电子设备通过设置处理器和存储器，能够自动控制相应的器件执行上述任一方面中的涂胶方法，以完成光刻胶的涂覆，不但保证了后续的光刻图形的稳定性以及光刻的精度，同时还降低了涂胶的成本本实施例不对被控制的器件作进一步赘述。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种涂胶方法，其特征在于，应用于涂覆表面开设有槽的器件，包括：
使用光刻胶在所述涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层；
使用有机溶剂稀释所述第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充所述槽；
使用光刻胶在稀释后的所述第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层；
对所述第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述预定时长的范围包括：20s-60s。
3.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述第一涂层所使用光刻胶的量与所述第二涂层所使用光刻胶的量的比例范围为1:0.43～1。
4.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，在所述使用光刻胶在所述涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层之前，所述涂胶方法还包括：
对所述器件进行冷却处理。
5.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，在所述使用光刻胶在所述涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层之前，所述涂胶方法还包括：
使用增粘剂对所述涂覆表面进行预处理。
6.根据权利要求5所述的涂胶方法，其特征在于，所述增粘剂包括：六甲基二硅胺烷。
7.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，在所述对所述第一涂层和第二涂层进行烘烤处理的步骤之后，所述涂胶方法还包括：
对所述器件进行冷却处理。
8.根据权利要求3或7所述的涂胶方法，其特征在于，所述冷却处理的温度范围为20℃～25℃，所述冷却处理的时间范围为20s-50s。
9.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述烘烤处理的温度范围为110℃～90℃，所述烘烤处理的时间范围为20s-45s。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1至9中任一项所述的涂胶方法。
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