CN115938896A - 用于处理基板的支撑单元和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明构思提供一种用于支撑基板的支撑单元。用于支撑所述基板的所述支撑单元包括：第一板；加热元件，所述加热元件设置在所述第一板处，用于控制所述基板的相应区域的温度；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；电力线，所述电力线将由所述电力供应模块生成的电力传输到所述加热元件；以及滤波器，所述滤波器安装在所述电力线处以对供应到所述加热元件的电力选择性地进行滤波。

Description

用于处理基板的支撑单元和装置
技术领域
本文描述的本发明构思的实施例涉及支撑单元和基板处理装置，更具体地涉及用于调节被支撑的基板的温度的支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置。
背景技术
等离子体是指由离子、自由基、电子等构成的电离气态，并且由非常高的温度、强电场或RF电场生成。半导体器件制造工艺使用等离子体执行各种工艺。例如，半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除基板上的薄膜的蚀刻工艺、通过使用等离子体在基板上沉积膜的沉积工艺等。
以这种方式，使用等离子体处理诸如晶片等基板的等离子体基板处理装置需要精确地执行基板处理的精度、即使在处理多个基板时也保持基板之间的恒定处理程度的重复再现性、以及使单个基板的整个区域的处理程度均匀的均匀性。
同时，随着半导体器件制造技术的发展，待处理的基板的直径趋于增大，并且在基板上形成的图案的临界尺寸(CD)趋于逐渐减小。基板的这种扩大和图案的精细化使得难以确保基板的处理均匀性。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于高效地处理基板的支撑单元和基板处理装置。
本发明构思的实施例提供了一种用于提高基板的处理均匀性的支撑单元和基板处理装置。
本发明构思的实施例提供了一种能够根据基板的区域独立地执行基板的温度调节的支撑单元和基板处理装置。
本发明构思的实施例提供了一种支撑单元和基板处理装置，其能够在即使没有复杂的连接结构的情况下根据基板的区域独立地执行基板加热。
本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
本发明构思提供了一种用于支撑基板的支撑单元。支撑单元包括：第一板；加热元件，所述加热元件设置在第一板处，用于控制基板的相应区域的温度；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；电力线，所述电力线将由电力供应模块生成的电力传输到加热元件；以及滤波器，所述滤波器安装在电力线处以对供应到加热元件的电力选择性地进行滤波。
在实施例中，加热元件被分组成多个组，每个组包括至少一个加热元件，并且滤波器连接到对应的加热元件组。
在实施例中，由滤波器中的至少一个滤波器滤波的频率范围与由滤波器中的至少另一个滤波器滤波的频率范围不同。
在实施例中，加热元件以M×N矩阵布置。
在实施例中，加热元件中的至少第一部分设置在板的中心区域处，并且加热元件中的至少第二部分设置在板的边缘区域处。
在实施例中，设置在板的边缘区域处的加热元件沿着板的圆周方向彼此间隔开。
在实施例中，电力供应模块包括：电源；以及至少一个频率转换构件，所述频率转换构件连接到电源并且被配置为将电源生成的电力转换成具有特定频率的电力。
在实施例中，电力供应模块进一步包括选择性地连接到至少一个频率转换构件的频率合成构件。
在实施例中，第一板包括：绝缘层，加热元件埋设在该绝缘层内；以及介电层，以静态方式夹持基板的电极埋设在所述介电层内，并且其中支撑单元进一步包括设置在介电层和绝缘层下方的第二板，所述第二板具有冷却流体流过的流体通道。
在实施例中，支撑单元的约50％至90％的顶表面被加热元件占据。
在实施例中，至少一部分滤波器是带通滤波器。
本发明构思提供了一种用于支撑基板的支撑单元。支撑单元包括：加热元件，所述加热元件包括用于控制基板的第一区域的温度的第一加热元件和用于控制第二区域的温度的第二加热元件，所述第二区域与所述第一区域不同；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有第一频率的第一电力和/或具有第二频率的第二电力；电力供应线，所述电力供应线连接到电力供应模块和加热元件；电力返回线，所述电力返回线连接到加热元件并接地；第一滤波器，所述第一滤波器安装在电力供应线处以通过第一电力和第二电力中的一者；以及第二滤波器，所述第二滤波器安装在电力供应线处以通过第一电力和第二电力中的另一者。
在实施例中，支撑单元进一步包括板，并且其中，所述板包括：介电层，所述介电层设置有静电电极；以及绝缘层，加热元件设置在所述绝缘层中。
在实施例中，第一滤波器和第二滤波器设置在绝缘层外部。
在实施例中，绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在介电层下方并且设置有第一加热元件和第二加热元件；以及第三绝缘层，所述第三绝缘层定位在第一绝缘层下方，并且其中，电力供应线设置在第一绝缘层中，电力供应线设置在第三绝缘层中，并且设置导电过孔以电连接加热元件和电力返回线。
在实施例中，绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在介电层下方并且设置有加热元件；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层定位在与第一绝缘层的高度不同的高度处，并且其中，电力供应线设置在第一绝缘层中并且连接到第一导电过孔，并且电力返回线设置在第二绝缘层中并且连接到第二导电过孔，并且其中，第一导电过孔电连接到至少一条第一引线，所述至少一条第一引线穿过冷却板上形成的第一孔，所述冷却板定位在所述板的下方，并且第二导电过孔电连接到至少一条第二引线，所述至少一条第二引线穿过在冷却板处形成的第二孔。
在实施例中，绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在介电层下方并且设置有加热元件；第三绝缘层，所述第三绝缘层定位在与第一绝缘层的高度不同的高度处，电力供应线设置在第三绝缘层中；第四绝缘层，所述第四绝缘层定位在与第一绝缘层的高度和第二绝缘层的高度不同的高度处，电力返回线设置在第四绝缘层中，并且其中，支撑单元进一步包括：第一导电过孔，其电连接加热元件和电力供应线；以及第二导电过孔，其电连接加热元件和电力返回线。
本发明构思提供了一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：室，所述室提供处理空间，所述处理空间用于在其中处理基板；支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑处理空间处的基板；以及等离子体源，所述等离子体源被配置为生成用于在处理空间处处理基板的等离子体，并且其中，所述支撑单元包括：加热元件，所述加热元件被配置为控制基板的温度，加热元件可独立操作；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；电力供应线，所述电力供应线将电力供应模块连接到加热元件；电力返回线，所述电力返回线将加热元件接地；以及滤波器，所述滤波器安装在电力供应线处。
在实施例中，加热元件中的每个加热元件连接到电力供应线中的任一条和电力返回线中的任一条，并且其中，加热元件不共享电力供应线中的同一条电力供应线和电力返回线中的同一条电力返回线。
在实施例中，整流器安装在电力供应线或电力返回线处，所述整流器防止从电力供应模块传输的电流沿相反方向流动。
根据本发明构思的实施例，可以高效地处理基板。
根据本发明构思的实施例，可以提高基板的处理均匀性。
根据本发明构思的实施例，可以根据基板的区域独立地执行温度调节。
根据本发明构思的实施例，即使没有复杂的连接结构，也可以根据基板的区域独立地执行基板的加热。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部件，并且其中：
图1示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置。
图2是示出图1的支撑单元的一部分的放大视图。
图3示意性地示出根据本发明构思的第一实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器和加热元件。
图4示出由图3的电力供应模块生成的电力的频率分配。
图5示出其中图3的电力供应模块将电力传送到加热元件的实施例。
图6示出其中图3的电力供应模块将电力传送到加热元件的另一实施例。
图7是根据本发明构思的第二实施例的支撑单元的平面的俯视图。
图8是根据本发明构思的第三实施例的支撑单元的第一平面的俯视图。
图9是图8的支撑单元的第二平面的俯视图。
图10是图8的支撑单元的横截面视图。
图11是根据本发明构思的第四实施例的支撑单元的第一平面的俯视图。
图12是图11的第二平面的俯视图。
图13是根据本发明构思的第五实施例的支撑单元的第一平面的俯视图。
图14是图13的支撑单元的第二平面的俯视图。
图15是图13的支撑单元的第三平面的俯视图。
图16是图13的支撑单元的横截面视图。
图17示意性地示出根据本发明构思的第六实施例的支撑单元的加热元件的布置。
图18示意性地示出根据本发明构思的第七实施例的支撑单元的加热元件的布置。
图19是示意性地示出根据本发明构思的第八实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器和加热元件的视图。
图20是示意性地示出根据本发明构思的第九实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器、加热元件和整流器的视图。
图21是示意性地示出根据本发明构思的第十实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器和加热元件的视图。
图22示出了图21的电力供应模块将电力传送到加热元件的实施例。
具体实施方式
本发明构思可以不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本发明构思的具体实施例。然而，根据本发明构思的构思的实施例不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括本发明构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物和替换。在本发明构思的描述中，当可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关公知技术的详细描述。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本发明构思。如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一项或多项的任意和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应当理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，可以将下面讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
在本发明构思的实施例中，示出了使用等离子体蚀刻基板的基板处理装置。然而，本发明构思不限于此，并且可以应用于执行将等离子体供应到室中的工艺的各种装置。
在下文中，将参考图1至图22描述本发明构思的实施例。
(第一示例性实施例)
图1示出了根据本发明构思的实施例的基板处理装置。
参考图1，基板处理装置10使用等离子体来处理基板W。基板处理装置10可以包括室100、支撑单元200、喷头单元300、气体供应单元400、等离子体源、衬里单元(liner unit)500、挡板单元600和控制器800。
室100提供在其中执行基板处理工艺的处理空间。室100具有内部处理空间。室100以密封的形式提供。室100由金属材料制成。在实施例中，室100可以由铝材料制成。室100可以接地。排气孔102形成在室100的底部上。排气孔102连接到排气管线151。排气管线151连接到泵(未示出)。工艺期间生成的反应副产物和留在室100的内部空间中的气体可以通过排气管线151排放到外部。通过排气工艺将室100的内部减压至预设压力。
加热器(未示出)设置在壁中，例如室100的侧壁中。加热器加热室100的侧壁。加热器电连接到加热电源(未示出)。加热器可以被配置为在加热电源向其施加电流时经受焦耳加热(也被称为欧姆/电阻加热)。例如，加热器可以被配置为当电流通过时产生热。加热器生成的热被传送到内部空间。通过加热器提供的热将处理空间保持在预设温度。加热器被设置为线圈形电热丝。一个或多个加热器可以设置在室100的侧壁上。
支撑单元200可以支撑室100的处理空间中的基板W。支撑单元200可以是静电卡盘ESC，其以静电方式吸附诸如晶片等基板W。选择性地，支撑单元200可以以各种方式夹持基板W，诸如机械夹持或通过真空吸附夹持。
此外，支撑单元200可以控制被支撑的基板W的温度。例如，支撑单元200可以通过提高基板W的温度来提高基板W的处理效率。
支撑单元200可以包括支撑板210(示例性第一板)、电极板220(示例性第二板)、加热器230、底部支撑件240、绝缘板250、环构件270、电力线模块280和电力供应模块290。
基板W可以放置在支撑板210上。当从上方观察时，支撑板210可以具有盘形。
在一些实施例中，支撑板210的顶表面可以具有与基板W相同的半径。在一些实施例中，支撑板210的顶表面可以具有大于基板W半径的半径。当基板W放置在支撑板210上时，基板W的边缘区域不会突出到支撑板210的外部。另外，支撑板210的边缘区域可以是阶梯状的。绝缘体214可以设置在阶梯状的支撑板210的边缘区域处。当从上方观察时，绝缘体214可以具有环形式。
图2是示出图1的支撑单元的一部分的放大视图。
参考图2，支撑板210可以包括介电层210a、第一绝缘层210b、第二绝缘层210c和隔热层210d。
静电电极211可以设置在介电层210a中。例如，静电电极211可以埋设在介电层210a中。静电电极211可以以单极型或双极型提供。静电电极211可以电连接到静电电源213。静电电源213可以是DC电源。夹持开关212可以安装在静电电极211与静电电源213之间。静电电极211可以通过夹持开关212的接通/断开电连接到静电电源213。当夹持开关212接通时，DC电流可以被施加到静电电极211。通过施加到静电电极211的电流，可以在静电电极211与基板W之间生成静电力。基板W可以通过静电力被夹持到支撑板210。介电层210a可以由包括电介质的材料形成。例如，介电层210a可以由包括陶瓷的材料制成或包括该材料。
第一绝缘层210b和第二绝缘层210c可以彼此结合以形成腔。可以存在由第一绝缘层210b和第二绝缘层210c形成的多个腔。第一绝缘层210b可以设置在介电层210a下方。第二绝缘层210c可以设置在第一绝缘层210b下方。向上凹陷(即，朝着介电层210a凹陷)的凹槽形成在第一绝缘层210b中，并且第二绝缘层210c设置在第一绝缘层210b下方以在其间形成腔。加热元件230可以设置在由第一绝缘层210b和第二绝缘层210c形成的每个腔中。尽管图2示出了凹槽形成在第一绝缘层210b处，但是第二绝缘层210c可以具有凹槽和/或第一绝缘层210b和第二绝缘层210c都可以具有凹槽。第一绝缘层210b和第二绝缘层210c可以是聚合物材料、无机材料、陶瓷，例如氧化硅、氧化铝、钇、氮化铝、其他合适的材料和/或它们的组合。
隔热层210d可以设置在第二绝缘层210c下方。隔热层210d可以用作热障。例如，可以将由加热元件230生成的热到支撑单元200的底部部分的传递最小化。另外，可以使在作为冷却流体通道的顶部流体通道221中流动的冷却流体的冷度向设置有加热元件230的绝缘层210b和210c的传递最小化。
加热元件230可以控制基板W的温度。加热元件230可以加热基板W。加热元件230可以通过电力线模块280接收由稍后将描述的电力供应模块290生成的电力来生成热。加热元件230可以设置在由第一绝缘层210b和第二绝缘层210c形成的腔中。可以设置多个加热元件230。例如，加热元件230可以各自分别加热基板W的不同区域。例如，加热元件230的第一部分可以加热基板W的第一区域。另外，加热元件230的第二部分可以加热基板W的第二区域。
加热元件230可以布置成控制基板W的每个区域的温度。另外，加热元件230可以具有板形状。例如，加热元件230可以被称为加热板。每个加热元件230可以具有各种形状，诸如矩形形状、五边形形状等。另外，加热元件230可以是电阻式加热器，诸如聚酰亚胺加热器、硅橡胶加热器、云母加热器、金属加热器、陶瓷加热器、半导体加热器或碳加热器。
另外，加热元件230的面积可以大于或对应于在基板W上制造的管芯的面积。例如，每个加热元件230的大小可以设置成使得其顶表面完全覆盖将在基板W上制造的对应管芯的顶表面。例如，每个加热元件230的顶表面面积可以是2cm2至3cm2。另外，每个加热元件230的厚度可以在2微米至1毫米的范围内，并且更具体地，在5微米至80微米的范围内。另外，当从上方观察时，加热元件230占据的总面积可以是支撑单元200的顶表面(例如，支撑板210的顶表面)的面积的50％至90％。例如，当从上方观察时，加热元件230占据的总面积可以是支撑板210的顶表面的90％。
电极板220可以设置在支撑板210下方。电极板220的顶表面可以与支撑板210的底表面接触。电极板220可以具有盘形。电极板220由导电材料制成。在实施例中，电极板220可以由铝材料制成。顶部流体通道221(其是冷却流体流过的通道)可以形成在电极板220内。顶部流体通道221主要冷却支撑板210。冷却流体可以被供应到顶部流体通道221。在实施例中，冷却流体可以是冷却水或冷却气体。另外，电极板220可以是冷却板。另外，在上述示例中，顶部流体通道221(其是冷却流体流过的冷却流体通道)形成在电极板220处，但是冷却板可以与电极板220分开设置。例如，冷却板可以设置在电极板220的上方或下方，冷却流体流过的流体通道可以形成在冷却板中，并且电极板220可以不具有形成在其中的顶部流体通道221。
再次参考图1，电极板220可以设置为金属板。电极板220可以电连接到底部电源227。底部电源227可以设置为用于生成高频电力的高频电源。高频电源可以设置为RF电源。RF电源可以设置为高偏置电力RF电源。通过切换底部开关225，电极板220可以从底部电源227选择性地接收高频电力。选择性地，电极板220可以接地。
绝缘板250可以设置在电极板220下方。绝缘板250可以以圆形板形式提供。绝缘板250可以设置有与电极板220的面积相对应的面积。绝缘板250可以设置为绝缘板。在实施例中，绝缘板250可以设置为电介质。
底部支撑件240设置在电极板220下方。底部支撑件240设置在底板260下方。底部支撑件240设置成环形状。
底板260设置在绝缘板250的下方。底板260可以由铝材料制成。当从上方观察时，底板260可以以圆形形式提供。底板260可以具有内部空间。将基板W从外部传送构件移动到支撑板210的顶针模块(未示出)等可以定位在底板260的内部空间中。
环构件270设置在支撑单元200的边缘区域处。环构件270具有环形式。环构件270被设置成围绕支撑板210的顶部部分。环构件270可以设置在绝缘体214上，绝缘体214设置在支撑板210的边缘区域中。环构件270可以设置为聚焦环。
喷头单元300设置在室100内部的支撑单元200上方。喷头单元300被定位成面向支撑单元200。喷头单元300包括喷头310、气体注入板320、盖板330、顶板340和绝缘环350。
喷头310被定位成与室100的顶表面向下间隔开预设距离。喷头310设置在支撑单元200上方。在喷头310与室100的顶表面之间形成预设空间。喷头310可以以具有恒定厚度的板形式提供。喷头310的底表面可以被阳极氧化以防止由于等离子体而引起电弧。喷头310的截面可以设置成具有与支撑单元200相同的形式和横截面积。喷头310包括多个注入孔311。注入孔311在上下方向上穿透喷头310的顶表面和底表面。
喷头310可以由与由气体供应单元400供应的气体生成的等离子体反应以生成化合物的材料制成。例如，喷头310可以设置为这样的材料，该材料与等离子体中包括的离子中具有最高电负性的离子反应以生成化合物。例如，喷头310可以由包括硅(Si)的材料制成。另外，由喷头310与等离子体之间的反应产生的化合物可以是四氟化硅。
喷头310可以电连接到顶部电源370。顶部电源370可以设置为高频电源。选择性地，喷头310可以电接地。
气体注入板320定位在喷头310的顶表面上。气体注入板320被定位成与室100的顶表面间隔开预设距离。气体注入板320可以以具有恒定厚度的板形式提供。加热器323设置在气体注入板320的边缘区域中。加热器323加热气体注入板320。
气体注入板320设置有扩散区域322和注入孔321。扩散区域322使从上方供应到注入孔321的气体均匀地扩散。扩散区域322连接到设置在下方的注入孔321。相邻的扩散区域322相互连接。相邻的注入孔321连接到扩散区域322，并且沿上下方向穿透底表面。
注入孔321被定位成面向喷头310的注入孔311。气体注入板320可以包括金属材料。
盖板330定位在气体注入板320的上方。盖板330可以以具有恒定厚度的板形式提供。盖板330设置有扩散区域332和注入孔331。扩散区域332使从上方供应到注入孔331的气体均匀地扩散。扩散区域332连接到设置在下方的注入孔331。相邻的扩散区域332相互连接。注入孔331连接到扩散区域332，并且沿上下方向穿透底表面。
顶板340设置在盖板330上方。顶板340可以以具有恒定厚度的板形式提供。顶板340可以具有与盖板330相同的大小。供应孔341形成在顶板340的中心。供应孔341是气体穿过的孔。穿过供应孔341的气体被供应到盖板330的扩散区域332。冷却流体通道343形成在顶板340内。冷却流体可以被供应到冷却流体通道343。在实施例中，冷却流体可以以冷却水提供。
此外，喷头310、气体注入板320、盖板330和顶板340可以由杆支撑。例如，喷头310、气体注入板320、盖板330和顶板340可以彼此联接，并且由固定到顶板340的顶表面的杆支撑。另外，杆可以联接到室100的内部。
绝缘环350设置成围绕喷头310、气体注入板320、盖板330和顶板340的圆周。绝缘环350可以以圆环形式提供。绝缘环350可以由非金属材料制成。当从上方观察时，绝缘环350被定位成与环构件270重叠。当从上方观察时，绝缘环350和喷头310接触的表面被定位成与环构件270的顶部区域重叠。
气体供应单元400向室100的内部供应气体。由气体供应单元400供应的气体可以被等离子体源激发成等离子体状态。另外，由气体供应单元400供应的气体可以是包含氟气体。例如，由气体供应单元400供应的气体可以是四氟化碳。
气体供应单元400包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体储存单元430。气体供应喷嘴410安装在室100的顶表面的中心处。注入孔形成在气体供应喷嘴410的底表面上。注入口将工艺气体供应到室100中。气体供应管线420将气体供应喷嘴410连接到气体储存单元430。气体供应管线420将储存在气体储存单元430处的工艺气体供应到气体供应喷嘴410。阀421安装在气体供应管线420处。阀421打开和关闭气体供应管线420，并且调节通过气体供应管线420供应的工艺气体的流速。
等离子体源在等离子体状态下激发室100中的工艺气体。在本发明构思的实施例中，电容耦合等离子体(CCP)源用作等离子体源。电容耦合等离子体源可以包括室100内部的顶部电极和底部电极。顶部电极和底部电极可以彼此平行地竖直地设置在室100中。两个电极中的一个电极可以施加高频电力，并且另一电极可以接地。电磁场形成在两个电极之间的空间中，并且供应到该空间的工艺气体可以被激发成等离子体状态。使用该等离子体执行基板W处理工艺。根据实施例，CCP源的顶部电极可以设置为喷头单元300，并且CCP源的底部电极可以设置为上述电极板。高频电力可以被施加到底部电极，并且顶部电极可以接地。替代地，高频电力可以施加到顶部电极和底部电极两者。因此，在顶部电极与底部电极之间生成电磁场。生成的电磁场将提供到室100中的工艺气体激发成等离子体状态。
衬里单元500防止室100的内壁和支撑单元200在工艺期间被损坏。衬里单元500防止在工艺期间生成的杂质沉积在内壁和支撑单元200上。衬里单元500包括内部衬里510和外部衬里530。
外部衬里530设置在室100的内壁上。外部衬里530具有顶表面和底表面敞开的空间。外部衬里530可以以圆柱形形式提供。外部衬里530可以具有对应于室100的内表面的半径。外部衬里530被沿着室100的内表面设置。
外部衬里530可以由铝材料制成。外部衬里530保护主体110的内表面。在激发工艺气体的过程中，在室100中可能产生电弧放电。电弧放电损坏了室100。外部衬里530保护主体110的内表面，以防止主体110的内表面被电弧放电损坏。
内部衬里510设置成围绕支撑单元200。内部衬里510以环形式提供。内部衬里510被设置成围绕支撑板210、电极板220和底部支撑件240的全部。内部衬里510可以由铝材料制成。内部衬里510保护支撑单元200的外表面。
挡板单元600定位在室100的内壁与支撑单元200之间。挡板以圆形环形式提供。挡板处形成有多个通孔。设置在室100中的气体穿过挡板的通孔，并且通过排气孔102排出。可以根据挡板的形式和通孔的形式来控制气体的流动。
控制器800可以控制基板处理装置10。控制器800可以控制基板处理装置10，使得基板处理装置10对基板W执行等离子体处理工艺。此外，控制器800可以控制稍后将描述的电力供应模块290。另外，控制器800可以控制稍后将描述的电力供应模块290，以在基板W的多个区域上执行加热。
控制器800可以包括过程控制器，该过程控制器由执行基板处理装置10的控制的微处理器(计算机)、诸如键盘的操作者经由其输入管理基板处理装置10的命令的用户接口、以及示出基板处理装置10的操作状况的显示器、以及存储处理方案(即，通过控制过程控制器来执行基板处理装置的处理过程的控制程序或根据数据和处理条件来执行基板处理装置的部件的程序)的存储器单元组成。另外，用户接口和存储器单元可以连接到过程控制器。处理方案可以存储在存储单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如CD-ROM或DVD)或者半导体存储器(诸如闪存存储器)。
图3示意性地示出根据本发明构思的第一实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器和加热元件。
参考图3，加热元件230可以布置成控制基板W的不同区域的温度。加热元件230可以布置成矩阵图案，以控制基板W的区域中的每个区域的温度。加热元件230可以以M×N阵列提供。例如，16个加热元件230可以以4×4阵列提供。然而，本发明构思不限于此，并且加热元件230的总数量可以根据需要进行各种改变。
在下文中，在加热元件的M×N阵列中，第M行和第N列处的加热元件230可以被称为M-N加热元件230MN。例如，M×N阵列的第一行和第一列处的加热元件230可以被称为1-1加热元件23011。第一行和第二列处的加热元件230将被称为1-2加热元件23012。第三行和第一列处的加热元件230可以被称为3-1加热元件23031。
电力线模块280可以将由电力供应模块290生成的电力传输到加热元件230。电力线模块280可以包括电力供应线281和电力返回线282。
电力供应线281可以将由电力供应模块290生成的电力传输到加热元件230。电力供应模块280可以被配置为生成具有不同频率的至少两种或更多种电力。电力返回线282可以将加热元件230连接到地，即，将加热元件230接地。
电力供应线281可以电连接到连接到电力供应模块290的供电节点SN。此外，电力供应线281可以电连接到多个加热元件230，例如加热元件的输入侧。例如，电力供应线281可以电连接到设置在同一行中的加热元件230。
可以设置多条电力供应线281。例如，可以设置有M条电力供应线281，M是加热元件的M×N阵列的行的数量。例如，电连接到设置在M×N阵列的第一行中的一组加热元件230的电力供应线281可以被称为第一电力供应线2811。另外，电连接到设置在M×N阵列的第二行中的一组加热元件230的电力供应线可以被称为第二供应线2812。此外，电连接到设置在M×N阵列的M行中的一组加热元件230的电力供应线可以被称为M电力供应线281M。
电力返回线282可以电连接到接地节点GN以接地。另外，电力返回线282可以电连接到多个加热元件230，例如加热元件的输出侧。例如，电力返回线282可以电连接到设置在相同列中的加热元件230。
可以设置多条电力返回线282。例如，可以设置N条电力返回线282，N是加热元件的M×N阵列的列的数量。例如，电连接到设置在M×N阵列的第一列中的一组加热元件230的电力返回线282可以被称为第一电力返回线2821。另外，电连接到设置在M×N阵列的第一列中的一组加热元件230的电力返回线282可以被称为第二电力返回线2822。此外，电连接到设置在M×N阵列的第N列中的一组加热元件230的电力供应线可以被称为第N电力返回线282N。
另外，没有两个加热元件230连接到电力供应线281中的同一条电力供应线和电力返回线282中的同一条电力返回线。例如，对于1-1加热元件23011，它可以电连接到第一电力供应线2811并且电连接到第一电力返回线2821。对于1-2加热元件23012，它可以电连接到第一电力供应线2811并且电连接到第二电力返回线2822。将1-1加热元件23011和1-2加热元件23012相互比较，共享第一电力供应线2811，但是不共享电力返回线282。这是为了独立地控制每个加热元件230的热生成，同时防止电力供应线281与电力返回线282之间的连接变得复杂。如果电力供应线281与电力返回线282之间的连接变得复杂，则诸如短路的问题可能频繁发生，并且维护可能困难。然而，根据本发明构思的实施例，加热元件230中的每个加热元件连接到电力供应线281中的任何一条电力供应线和电力返回线282中的任何一条电力返回线，并且由于加热元件230不共享多条电力供应线中的同一电力供应线和多条电力返回线中的同一电力返回线，因此可以实现加热元件230的独立控制和简化连接。
另外，滤波器FT可以安装在电力供应线281处，例如，在加热元件230的输入侧处。滤波器FT可以对供应给加热元件230的电力选择性地进行滤波。另外，加热元件230可以设置在支撑板210内，更具体地设置在如上所述由第一绝缘层210b和第二绝缘层210c限定的腔内。滤波器FT可以安装在支撑板210的第一绝缘层210b和第二绝缘层210的外部。滤波器FT可以安装在支撑板210的外部。如果需要，滤波器FT可以安装在室100的外部。
加热元件230可以分组成多个组，每个组包括至少一个加热元件230。每个组可以包括一个或多个加热元件230。例如，第一组可以包括一个加热元件230，并且与第一组不同的第二组可以包括三个加热元件230。滤波器FT可以对应于每个组。
在下文中，将作为示例描述每个组包括一个加热元件230。
滤波器FT可以设置成对应于每个加热元件230。例如，可以设置多个滤波器FT，并且每个滤波器FT可以对应于每个加热元件230。对应于1-1加热元件23011的滤波器FT可以被称为1-1滤波器FT11。对应于1-2加热元件23012的滤波器FT可以被称为1-2滤波器FT12。对应于M-N加热元件230MN的滤波器FT可以被称为M-N滤波器FTMN。
滤波器FT可以是带通滤波器。替代地，滤波器FT可以是带阻滤波器。另外，滤波器FT可以是低通滤波器或高通滤波器。另外，滤波器FT可以是配置有上述滤波器的组合的滤波器单元，并且可以选择性地通过具有特定频带的电力。
滤波器FT可以选择性地通过或拒绝具有不同频带的电力。另外，滤波器FT可以具有不同的频率通带，而不会彼此重叠。
例如，如图4所示，稍后将描述的电力供应模块290可以生成具有1-1频率f11的1-1电力。1-1滤波器FT11可以选择性地仅通过具有包括1-1频率f11的频带的电力。另外，电力供应模块290可以生成具有1-2频率f12的1-2电力。1-2滤波器FT12可以选择性地仅通过具有包括1-2频率f12的频带的电力。另外，电力供应模块290可以生成具有M-N频率fMN的M-N电力。M-N滤波器FTMN可以选择性地仅通过具有包括M-N频率fMN的频带的电力。
再次参考图3，电力供应模块290可以向至少一个加热元件230供应电力。电力供应模块290可以被配置为生成具有不同频率的至少两种或更多种电力。
电力供应模块290可以包括电源291、频率转换构件293、开关SW和频率合成构件295。
电源291可以生成电力。电源291可以是AC电源。电源291可以生成具有特定频率的电力。电源291可以电连接到至少一个频率转换构件293。例如，电源291可以电连接到两个或更多个频率转换构件293。
频率转换构件293可以从电源291接收特定频率的电力，并将该电力转换成具有另一特定频率的电力。例如，1-1频率转换构件29311可以从电源291接收特定频率的电力，并且将其转换成具有1-1频率f11的电力。另外，1-2频率转换构件29312可以从电源291接收特定频率的电力，并且将其转换成具有1-2频率f12的电力。另外，M-N频率转换构件293MN可以从电源291接收特定频率的电力，并且将其转换成具有M-N频率fMN的电力。
可以设置多个开关SW。开关SW可以设置成对应于每个频率转换构件293。例如，1-1开关SW11可以将1-1频率转换构件29311选择性地连接到稍后将描述的频率合成构件295。例如，1-2开关SW12可以将1-2频率转换构件29312选择性地连接到稍后将描述的频率合成构件295。例如，1-1开关SW11可以将1-1频率转换构件29311选择性地连接到稍后将描述的频率合成构件295。
频率合成构件295可以选择性地连接到频率转换构件293。频率合成构件295可以由频率转换构件293分配了特定频率的电力。例如，如果1-1开关SW11接通并且其余开关SW断开，则具有1-1频率f11的1-1电力(或电流)可以通过频率合成构件295传输到加热元件230。例如，当1-1开关SW11和1-2开关SW12接通并且其余开关SW断开时，具有1-1频率f11的1-1电力(或电流)和具有1-2频率f12的1-2电力(或电流)可以在频率构件295处合成。通过频率合成构件295施加到加热元件230的电力可以是具有1-1频率f11的分量和1-2频率f12的分量的电力。
图5示出了图3的电力供应模块向加热元件传送电力的实施例。
参考图5，图5示出了独立地控制加热元件230的热生成的实施例。图5中示出了开关SW中的1-1开关SW1-1接通并且其余开关SW断开的情况的示例。在这种情况下，由电源291生成的电力可以由1-1频率转换构件29311转换成具有1-1频率f11的电力，并且然后被传送到频率合成构件295。具有1-1频率f11的电力可以经由频率合成构件295通过电力供应线2811传送到滤波器FT。如上所述，每个滤波器具有各自的通过或拒绝频带。在图5的示例中，1-1滤波器FT11选择性地通过具有1-1频率f11的电力，并且其余滤波器FT11选择性地阻挡具有1-1频率f11的电力。因此，电力仅被施加到1-1加热元件23011，以在1-1加热元件23011中生成热。
图6示出了图3的电力供应模块向加热元件传送电力的另一示例。
参考图6，图6示出了独立地控制加热元件230的热生成的另一示例。图6中示出了开关SW中的1-1开关SW1-1和1-2开关SW1-2接通并且其余开关SW断开的情况的示例。在这种情况下，由电源291生成的电力可以由1-1频率转换构件29311转换成具有1-1频率f11的电力，并且可以由1-2频率转换构件29312转换成具有1-2频率f12的电力。具有1-1频率f11的电力和具有1-2频率f12的电力可以被传送到频率合成构件295。通过频率合成构件295传输到电力供应线2811的电力(或电流)可以是具有1-1频率f11的分量和1-2频率f12的分量的电力(或电流)。
在这种情况下，具有各自通过频带的每个滤波器FT仅通过具有通过频带内的频率的电力。在图6的示例中，1-1滤波器FT11选择性地通过具有1-1频率f11的电力，并且其余滤波器FT选择性地阻挡具有1-1频率f11的电力。因此，仅f1-1滤波器FT11通过1-1频率f11的分量，同时从具有1-1频率f11的分量和1-2频率f12的分量的输入电力中拒绝1-2频率f12的分量，并且将具有1-1频率f11的电力传送到1-1加热元件23011。
另一方面，1-2滤波器FT12选择性地通过具有1-2频率f12的电力，并且其余滤波器FT选择性地阻挡具有1-2频率f12的电力。因此，仅f1-2滤波器FT12通过1-2频率f12的分量，同时从具有1-1频率f11的分量和1-2频率f12的分量的输入功率中拒绝1-1频率f11的分量，并将具有1-2频率f12的电力传送到1-2加热元件23012。
另外，除了1-1滤波器FT11和1-2滤波器FT12之外的其余滤波器FT阻挡具有1-1频率f11的电力和具有1-2频率f12的电力。因此，具有1-1频率f11的分量和1-2频率f12的分量的电力可能不会被传输到没有连接到1-1滤波器FT11和1-2滤波器FT12的加热元件230。
上述控制方法仅仅是示例。电力可以通过上述电力供应模块290、电力线模块280和滤波器FT独立地施加到多个加热元件230。另外，由于不需要在电力供应线281或电力返回线282处安装单独的开关，因此连接可以非常简化。另外，由于可以仅通过控制电力供应模块290来独立地控制传输到加热元件230的电力，因此可以更高效地执行对每个区域的基板W的加热。
(第二示例性实施例)
除了根据第二实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图7是根据本发明构思的第二实施例的支撑单元的平面的俯视图。
参考图7，滤波器FT可以设置在支撑板210内。例如，滤波器FT可以设置在第一绝缘层210b和第二绝缘层210c之间，加热元件230设置在该第一绝缘层与该第二绝缘层之间。也就是说，在上述示例中，加热元件230设置在由第一绝缘层210b和第二绝缘层210c形成的腔中，但是滤波器FT也可以设置在由第一绝缘层210b和第二绝缘层210c形成的腔中。
(第三示例性实施例)
除了根据第三实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图8是根据本发明构思的第三实施例的支撑单元的第一平面的俯视图，图9是图8的支撑单元的第二平面的俯视图，并且图10是图8的支撑单元的横截面视图。具体地，图8是支撑板210的第一平面1002的俯视图，并且图9是支撑板210的第二平面1003的俯视图。
参考图8至图10，支撑板210可以包括第一绝缘层210b、第二绝缘层210c以及设置在第一绝缘层210b与第二绝缘层210c之间的第三绝缘层1004。也就是说，第一绝缘层210b、第三绝缘层1004和第二绝缘层210c可以顺序地堆叠并且沿从上到下的方向设置。
加热元件230可以设置在第一绝缘层210b处。电力供应线281可以设置在第一绝缘层210b处。电力返回线282可以设置在第三绝缘层1004处。由于加热元件230和电力供应线281两者设置在第一绝缘层210b处，因此加热元件230和电力供应线281可以彼此电连接。由于加热元件230和电力返回线282设置在不同的绝缘层处，所以根据第三实施例的支撑单元200可以设置有用于电连接加热元件230和电力返回线282的导电过孔1001。导电过孔1001可以对应于每个加热元件230。导电过孔1001可以设置成在数量上对应于加热元件230。
(第四示例性实施例)
除了根据第四实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图11是根据本发明构思的第四实施例的支撑单元的第一平面的俯视图。图12是图11的第二平面的俯视图。
参考图11和图12，电力供应线281和加热元件230两者可以设置在第一平面1102上。另一方面，电力返回线282可以设置在第二平面1103上。第一平面1102和第二平面1103可以通过绝缘层彼此分开。
电力供应线281可以通过在第一平面1102与第二平面1103之间延伸的第一导电过孔1001a电连接到第二平面1103内的第一引线1104。第一过孔1104可以穿过形成在可以是冷却板的电极板220中的相应第一孔1101，同时保持它们之间的电绝缘。
电力返回线282可以通过在第一平面1102与第二平面1103之间延伸的第二导电过孔1001b电连接到第一平面1103内的第二引线1105。第二过孔1005可以穿过形成在可以是冷却板的电极板220上的第二孔1106，同时保持它们之间的电绝缘。当加热元件230、电力供应线281和电力返回线282如上所述设置时，可以减少形成在电极板220处的孔的数量，从而提高相对于基板W的温度均匀性。
(第五示例性实施例)
除了根据第五实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图13是根据本发明构思的第五实施例的支撑单元的第一平面的俯视图，图14是图13的支撑单元的第二平面的俯视图，图15是图13的支撑单元的第三平面的俯视图，并且图16是图13的支撑单元的横截面视图。
具体地，图13是支撑板210的第一平面1201的视图，图14是支撑板210的第二平面1202的俯视图，并且图15是支撑板210的第三平面1203的俯视图。
参考图13至图16，根据第五实施例的支撑单元200可以进一步包括设置在第一绝缘层210b与第二绝缘层210c之间的第三绝缘层1004和第四绝缘层1204。第三绝缘层1004可以设置在第一绝缘层210b下方，第四绝缘层1204可以设置在第三绝缘层1004下方，并且第二绝缘层210c可以设置在第四绝缘层1204下方。
加热元件230可以设置在第一绝缘层210b处。电力供应线281可以设置在第三绝缘层1004处。电力返回线282可以设置在第四绝缘层1204处。另外，支撑单元200可以包括多个第一导电过孔1001a，用于将设置在第一绝缘层210b处的加热元件230电连接到设置在第三绝缘层1004处的电力供应线281。另外，支撑单元200可以包括多个第二导电过孔1001b，该多个第二导电过孔将设置在第一绝缘层210b处的加热元件230电连接到设置在第四绝缘层1204处的电力返回线282。
(第六示例性实施例)
除了根据第六实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图17示意性地示出根据本发明构思的第六实施例的支撑单元的加热元件的布置。
在上述示例中，已经描述了加热元件230以4×4阵列设置。加热元件230的布置可以包括如图17所示出的2×2阵列。
(第七示例性实施例)
除了根据第七实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图18示意性地示出根据本发明构思的第七实施例的支撑单元的加热元件的布置。
在上述示例中，加热元件230以矩阵形式布置，但是本发明构思不限于此。例如，如图18所示出，当从上方观察时，一些加热元件230可以设置在支撑板210的中心区域，而其它加热元件230可以设置在支撑板210的边缘区域中。设置在支撑板210的边缘区域处的加热元件230可以划分成设置在与中心区域相邻的第一边缘区域中的组以及设置在比第一边缘区域更远离支撑板210的中心区域的第二边缘区域中的组。此外，当从上方观察时，设置在支撑板210的边缘区域中的加热元件230可以沿着板210的圆周方向彼此间隔开。
(第八示例性实施例)
除了根据第八实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图19是示意性地示出根据本发明构思的第八实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器、加热元件和整流器的视图。
在上述示例中，作为示例，滤波器FT安装在加热元件230的输入侧处的电力供应线281处，但是不限于此。例如，如图20所示，滤波器FT可以安装在加热元件230的输出侧的电力返回线282处。电力供应线281和电力返回线282可以统称为电力线。
(第九示例性实施例)
除了根据第九实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图20是示意性地示出根据本发明构思的第九实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器、加热元件和整流器的视图。
在上述示例中，作为示例，滤波器FT安装在电力线处，但是本发明构思不限于此。如图20所示，整流器D可以安装在电力线处。整流器D可以安装在电力供应线281或电力返回线282处。整流器D可以是防止由电力供应模块290传输的电流沿相反方向流动的二极管。整流器D可以以对应于加热元件230的数量提供。对应于第1-1加热元件23011的整流器可以被称为1-1整流器D11，对应于第1-2加热元件23011的整流器可以被称为第1-2整流器D12，并且对应于第M-N加热元件23011的整流器可以被称为M-N整流器DMN。
(第十示例性实施例)
除了根据第十实施例的支撑单元200的构型之外，基板处理装置10的其他构型可以与第一实施例中描述的构型相同或至少相似。
图21示意性地示出根据本发明构思的第十实施例的支撑单元的电力线模块、电力供应模块、滤波器和加热元件，并且图22示出了图21的电力供应模块将电力传送到加热元件的实施例。
在上述示例中，滤波器FT通过彼此不同的频带，但是本发明构思不限于此。例如，滤波器FT中的至少两个滤波器可以具有相同的频率通带。例如，如图21和图22所示出，设置在同一行中的滤波器FT可以具有相同的频率通带，并且因此，即使当仅第一开关SW接通时，电力也可以施加到多个加热元件230中设置在第一行中的加热元件230。这仅仅是示例，并且根据对加热元件230的组控制请求，具有相同频率通带的一组滤波器FT可以被不同地修改。如上所述，当滤波器FT中的至少一些滤波器具有相同的频率通带时，可以减少开关的数量，并且可以进一步简化加热元件230的控制结构。
在上述示例中，已经描述了电源291是AC电源，但是本发明构思不限于此。例如，电源291可以是DC电源。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且未提及的效果可以根据本说明书和附图而被本发明构思所涉及的领域的技术人员清楚地理解。
尽管直到现在一直在示出和描述本发明构思的优选实施例，但本发明构思不限于上述具体实施例，并且应注意，在不脱离权利要求书中要求的本发明构思的本质的情况下，本发明构思所涉及领域的普通技术人员可以不同地执行本发明构思，并且不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释修改。

Claims (20)

1.一种用于支撑基板的支撑单元，所述支撑单元包括：
第一板；
加热元件，所述加热元件设置在所述第一板处，用于控制所述基板的相应区域的温度；
电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；
电力线，所述电力线将由所述电力供应模块生成的电力传输到所述加热元件；以及
滤波器，所述滤波器安装在所述电力线处，用以选择性地对供应到所述加热元件的电力进行滤波。
2.根据权利要求1所述的支撑单元，其中所述加热元件被分组成多个组，每个组包括至少一个加热元件，并且
所述滤波器连接到对应的加热元件组。
3.根据权利要求2所述的支撑单元，其中由所述滤波器中的至少一个滤波器滤波的频率范围与由所述滤波器中的至少另一个滤波器滤波的频率范围不同。
4.根据权利要求3所述的支撑单元，其中所述加热元件以M×N矩阵布置。
5.根据权利要求3所述的支撑单元，其中所述加热元件中的至少第一部分设置在所述板的中心区域处，并且所述加热元件中的至少第二部分设置在所述板的边缘区域处。
6.根据权利要求5所述的支撑单元，其中设置在所述板的边缘区域处的所述加热元件沿着所述板的圆周方向彼此间隔开。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的支撑单元，其中所述电力供应模块包括：
电源；以及
至少一个频率转换构件，所述至少一个频率转换构件连接到所述电源，并且被配置为将所述电源所生成的电力转换为具有特定频率的电力。
8.根据权利要求7所述的支撑单元，其中所述电力供应模块进一步包括频率合成构件，所述频率合成构件选择性地连接到所述至少一个频率转换构件。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的支撑单元，其中所述第一板包括：
绝缘层，所述加热元件埋设在所述绝缘层内；以及
介电层，以静态方式夹持所述基板的电极埋设在所述介电层内，并且
其中，所述支撑单元进一步包括第二板，所述第二板设置在所述介电层和所述绝缘层下方并且具有冷却流体流过的流体通道。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的支撑单元，其中所述支撑单元的所述顶表面的约50％至90％被所述加热元件占据。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的支撑单元，其中所述滤波器中的至少一部分滤波器是带通滤波器。
12.一种用于支撑基板的支撑单元，所述支撑单元包括：
加热元件，所述加热元件包括用于控制所述基板的第一区域的温度的第一加热元件和用于控制第二区域的温度的第二加热元件，所述第二区域与所述第一区域不同；
电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有第一频率的第一电力和/或具有第二频率的第二电力；
电力供应线，所述电力供应线连接到所述电力供应模块和所述加热元件；
电力返回线，所述电力返回线连接到所述加热元件并接地；
第一滤波器，所述第一滤波器安装在所述电力供应线处以通过所述第一电力和所述第二电力中的一者；以及
第二滤波器，所述第二滤波器安装在所述电力供应线处以通过所述第一电力和所述第二电力中的另一者。
13.根据权利要求12所述的支撑单元，进一步包括板，并且
其中，所述板包括：
介电层，所述介电层设置有静电电极；以及
绝缘层，所述加热元件设置在所述绝缘层中。
14.根据权利要求13所述的支撑单元，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器设置在所述绝缘层的外部。
15.根据权利要求13所述的支撑单元，其中所述绝缘层包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在所述介电层下方，并且设置有所述第一加热元件和所述第二加热元件；以及
第三绝缘层，所述第三绝缘层定位在所述第一绝缘层下方，并且
其中，所述电力供应线设置在所述第一绝缘层中，
所述电力供应线设置在所述第三绝缘层中，并且
设置导电过孔以电连接所述加热元件和所述电力返回线。
16.根据权利要求13所述的支撑单元，其中所述绝缘层包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在所述介电层下方并且设置有所述加热元件；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层定位在与所述第一绝缘层的高度不同的高度处，并且
其中，所述电力供应线设置在所述第一绝缘层中并且连接到第一导电过孔，并且
所述电力返回线设置在所述第二绝缘层中并且连接到第二导电过孔，并且
其中，所述第一导电过孔电连接到至少一条第一引线，所述至少一条第一引线穿过在冷却板处形成的第一孔，所述冷却板定位在所述板下方，并且
所述第二导电过孔电连接到至少一条第二引线，所述至少一条第二引线穿过形成在所述冷却板处的第二孔。
17.根据权利要求13所述的支撑单元，其中所述绝缘层包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在所述介电层下方并且设置有所述加热元件；
第三绝缘层，所述第三绝缘层定位在与所述第一绝缘层的高度不同的高度处，所述电力供应线设置在所述第三绝缘层中；
第四绝缘层，所述第四绝缘层定位在与所述第一绝缘层的高度和所述第二绝缘层的高度不同的高度处，所述电力返回线设置在所述第四绝缘层中，并且
其中，所述支撑单元进一步包括：
第一导电过孔，所述第一导电过孔电连接所述加热元件和所述电力供应线；以及
第二导电过孔，所述第二导电过孔电连接所述加热元件和所述电力返回线。
18.一种基板处理装置，其包括：
室，所述室提供处理空间，所述处理空间用于在其中处理基板；
支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑在所述处理空间处的所述基板；以及
等离子体源，所述等离子体源被配置为生成用于在所述处理空间处处理所述基板的等离子体，并且
其中，所述支撑单元包括：
加热元件，所述加热元件被配置为控制所述基板的温度，所述加热元件能够独立地操作；
电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；
电力供应线，所述电力供应线将所述电力供应模块连接到所述加热元件；
电力返回线，所述电力返回线将所述加热元件接地；以及
滤波器，所述滤波器安装在所述电力供应线处。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中所述加热元件中的每个加热元件连接到所述电力供应线中的任一条电力供应线和所述电力返回线中的任一条电力返回线，并且
其中，所述加热元件不共享所述电力供应线中的同一条电力供应线和所述电力返回线中的同一条电力返回线。
20.根据权利要求18或权利要求19所述的基板处理装置，其中整流器安装在所述电力供应线处或所述电力返回线处，所述整流器防止从所述电力供应模块传输的电流沿相反方向流动。
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