CN115926792B - 一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉及其制备方法和应用，所述荧光粉化学组成表示式为：Sr9In1‑x(VO4)7:xEu3+，x取值范围为0≤x≤1。所述制备方法：按照所述荧光粉化学组成表示式的化学计量比称取原料：铕源、锶源、铟源和钒酸根源；充分研磨混合均匀得到混合原料；将所述混合原料置于马弗炉中焙烧，然后冷却到室温，得到第一产物；将所述第一产物取出，研磨即得到所述荧光粉。所得荧光粉在制备LEDs发光器件中的应用。
Description
技术领域
本发明涉及无机发光技术领域，尤其涉及一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉及其制备方法和应用及其制备方法和应用。
背景技术
光致发光是指用紫外、可见光及红外光激发发光材料而产生发光的现象。发光二极管(LED)作为最有前途的新一代固态光源，因其使用寿命长，节能高效，绿色环保等优点，在照明、生物成像、显示等与国民经济生活密切相关的领域发挥着非常重要的作用。
目前，白光LED的实现方式主要是芯片与荧光粉组合，包括蓝光LED芯片与黄色荧光粉组成，蓝光LED芯片与红/绿色荧光粉组成，以及近紫外LED芯片与红绿蓝三基色荧光粉或白光荧光粉组成。稀土离子激活的荧光粉具有较窄的发射光谱，较强的发光强度和优良的稳定性成为了广大科研工作者关注的焦点。然而Eu3+在光谱区域的吸收较弱，很难用作LED的激活剂。近年来，人们普遍采用Ce3+-Tb3+-Eu3+、Eu2+-Tb3+-Eu3+、Bi3+-Eu3+、Tb3+-Eu3+等能量转移过程间接激发Eu3+发光。这些过程扩展了Eu3+在近紫外区激发的范围，而部分能量在到达Eu3+之前可能会因为能量转移不完全而释放或丢失。
另一种策略是在适当的宿主中寻找无淬灭的荧光粉，使用大量Eu3+高度掺杂的荧光粉，如Ca8MgLu(PO4)7:Eu3+,Ba6Gd2Ti4O17:Eu3+,Ca3Y2B4O12:Eu3+等。但是这些荧光粉依然存在很多问题，如：(1)颜色单一，不可调。(2)Eu3+的高掺杂使用了大量Eu化合物，依然容易出现淬灭，浪费原材料。(3)纯物质不掺杂Eu3+也几乎很难自发光。
故开发一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉及其制备方法，解决上述问题，在制备LEDs发光器件中具有重要应用价值。
发明内容
本发明目的在于提供一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉及其制备方法，以解决现有技术中存在的问题，可实现降低耗能，颜色可调，Eu3+的高掺杂不出现浓度淬灭或达到很高的浓度才出现淬灭，纯物质不掺杂Eu3+也能实现自发光。
本发明采用以下技术方案：
一种三价铕离子掺杂单一基质荧光粉在制备LEDs发光器件中的应用，所述荧光粉化学组成表示式为：Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+；铕离子为激活离子Eu3+；x为所述激活离子Eu3+相对金属离子In占的摩尔百分比系数，x取值范围为0≤x≤1；
所述荧光粉的制备方法，其特征在于，包括：
S1：按照所述荧光粉化学组成表示式Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+的化学计量比称取原料：铕源、锶源、铟源和钒酸根源，0≤x≤1；
S2：充分研磨混合均匀得到混合原料；
S3：将所述混合原料置于马弗炉中焙烧，然后冷却到室温，得到第一产物；
S4：将所述第一产物取出，研磨即得到所述荧光粉。
在一些实施例中，所述焙烧温度为800℃～1000℃，所述焙烧时间为4～36小时。
在一些实施例中，所述焙烧温度为1000℃。
有益效果
相比现有技术，本发明的某一个技术方案包括至少以下一个有益效果：
(1)提供了一种颜色可调的荧光粉。可以通过调节激活离子Eu3+的掺杂浓度以及改变激发波长来调节发光强度；以及实现荧光粉从紫色-青色-白色-黄色-橙色-红色的逐渐可调，颜色可调范围极广。
(2)可以实现Eu3+的高掺杂不出现浓度淬灭或达到很高的浓度才出现淬灭。
(3)由于Eu取代的是In的位置，In在化合物的晶体中所占格位少，所以可以实现高掺杂的同时所使用的Eu的质量低，节省原材料。
(4)纯物质不掺杂Eu3+也可以实现自发光。
(5)五氧化二钒的熔点在923K，在本实验的温度下，反应时为熔融状态，有利于原子的扩散和新相的形成。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是实施例1制备得到的荧光粉Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7的晶体结构图。
图2是实施例1制备得到的荧光粉Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7的扫描电镜图。
图3是实施例1-9制备得到的荧光粉的XRD图谱。
图4是实施例1、3、5、7、8、9制备得到的荧光粉在616nm的荧光发射谱。
图5是实施例1-9制备得到的荧光粉在激发波长为320nm的CIE坐标图。
图6是实施例1-9制备得到的荧光粉在激发波长为346nm的CIE坐标图。
图7是实施例1-9制备得到的荧光粉在激发波长为395nm的CIE坐标图。
图8是实施例1-9制备得到的荧光粉在激发波长为466nm的CIE坐标图。
图9是实施例1、3、5、7、8、9制备得到的荧光粉在466nm的荧光发射谱。
图10是实施例2、5、7、9、10的方法所制得的荧光粉在激发波长为254nm的示意图。
图11是实施例2、5、7、9、10的方法所制得的荧光粉在激发波长为365nm的示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下特定的具体实施例及附图用以对本发明的制备及应用进行详细阐述，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉，所述荧光粉化学组成表示式为：Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+；铕离子为激活离子Eu3+；x为所述激活离子Eu3+相对金属离子In占的摩尔百分比系数，x取值范围为0≤x≤1。
本发明还提供了一种三价铕离子掺杂单一基质的荧光粉的制备方法，包括：
S1：按照所述荧光粉化学组成表示式Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+的化学计量比称取原料：铕源、锶源、铟源和钒酸根源，0≤x≤1；
S2：充分研磨混合均匀得到混合原料；
S3：将所述混合原料置于马弗炉中焙烧，然后冷却到室温，得到第一产物；
S4：将所述第一产物取出，研磨即得到所述荧光粉。
在一些实施例中，所述焙烧温度为800℃～1000℃，所述焙烧时间为4～36小时。
在一些实施例中，所述焙烧温度为1000℃。
以下通过实施例说明本发明所提供制备方法的详细制作流程与条件。
实施例1
按照所述荧光粉化学组成表示式Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7的化学计量比称取原料：铕源、锶源、铟源和钒酸根源，所述铕源为氧化铕(Eu2O3)，所述锶源为碳酸锶(SrCO3)，所述铟源为氧化铟(In2O3)，所述钒酸根源为五氧化二钒(V2O5)。称取氧化铕(Eu2O3)0.0352g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.1149g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
将称取后的所述氧化铕、所述碳酸锶、所述氧化铟和所述五氧化二钒充分研磨混合均匀。具体地，置于二氧化锆球磨罐中，在行星式球磨机中于500rpm下进行球磨固相反应2小时，得到所述混合原料；将所述混合原料放在坩埚中然后送入所述马弗炉中焙烧，在1000℃下烧结24小时，自然冷却到室温，得到所述第一产物。将所述第一产物取出，研磨即得到所述荧光粉，最终得到产品，所的荧光粉材料组成为：Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7。
测试1
请参考图1，图1是实施例1制备得到的荧光粉Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7的晶体结构图，由于在Sr9In(VO4)7基质材料中Eu3+和In3+半径相差不大，而且所带电荷数相同。说明Sr9In(VO4)7基质材料中Eu3+会取代In3+的位置。由于Eu3+取代的是由于In3+的位置，In3+在化合物的晶体中所占格位少，所以可以实现高掺杂的同时所使用的Eu3+的质量低，节省原材料。
测试2
请参考图2，图2是实施例1制备得到的荧光粉Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7的扫描电镜图。图2很清晰的展示了Sr9In(VO4)7荧光基质材料的纳米结构，所有的颗粒都是纳米级的，也证明了三价铕离子的掺杂不会改变Sr9In(VO4)7基质材料的结构。
测试3
请参考图5，本实施例荧光粉Sr9In0.9Eu0.1(VO4)7在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.2959，0.3435)。在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.291，0.4063)。在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3086，0.221)。在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5143，0.4396)。
实施例2
本实施例2制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.8Eu0.2(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.0704g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.1022g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试4
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3145，0.346)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.296，0.4059)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3485，0.2432)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5522，0.3995)。
实施例3
本实施例3制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.7Eu0.3(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.1056g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0894g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试5
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标色坐标为(0.3438，0.3404)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.303，0.4012)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4064，0.2617)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5843，0.382)。
实施例4
本实施例4制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.6Eu0.4(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.1410g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0766g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试6
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3474，0.3469)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.305，0.4033)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4103，0.2634)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5818，0.3836)。
实施例5
本实施例5制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.5Eu0.5(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.1760g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0639g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试7
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3733，0.3439)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3126，0.3993)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4620，0.2804)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.6002，0.3738)。
实施例6
本实施例6制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.4Eu0.6(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.2112g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0511g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试8
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3903，0.3437)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3167，0.3986)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4971，0.2895)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.6058，0.3706)。
实施例7
本实施例7制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.3Eu0.7(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.2463g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0383g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试9
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4104，0.3405)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3216，0.3944)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5191，0.2926)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.6046，0.3709)。
实施例8
本实施例8制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.2Eu0.8(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.2815g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0255g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试10
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4334，0.3465)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3313，0.3957)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5444，0.3024)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.6048，0.3707)。
实施例9
本实施例9制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In0.1Eu0.9(VO4)7，称取氧化铕(Eu2O3)0.3167g，碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.0128g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试11
请参考图5，本实施例荧光粉材料在320nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.4407，0.3545)。请参考图6，在346nm近紫外光激发下发出较强的蓝绿色光发射宽峰(410-550nm)和更强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.3324，0.3989)。请参考图7，在395nm近紫外光激发下发出较强的红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.5542，0.3085)。请参考图8，在466nm可见光激发下发出较强红光发射锐锋(600-640nm)；色坐标为(0.6049，0.3708)。
测试12
请参考图3，图3是实施例1-9制备得到的荧光粉的XRD图谱。实施例1-实施例9中所得荧光粉材料的衍射峰位置和晶体学数据库ISCD15978一致，说明本实施例得到的所述荧光粉材料结构和基质Sr9In(VO4)7一致，本实施例所制得的产品是纯相的Sr9In(VO4)7，三价铕离子的掺杂不会改变Sr9In(VO4)7基质材料的结构。
测试13
请参考图4，图4是实施例1、3、5、7、8、9制备得到的荧光粉在616nm的荧光发射谱。可以看出，实施例1-实施例9中所得荧光粉材料可以被320nm-420nm近紫外光和466nm的可见光有效激发。说明三价铕离子的掺杂浓度可以影响最终产物荧光粉Sr9In1-x(VO4)7：xEu3+荧光粉的发光强度。
测试14
请参考图6，图6是实施例1、3、5、7、8、9制备得到的荧光粉在466nm的荧光发射谱。说明三价铕离子的掺杂浓度可以影响最终产物荧光粉Sr9In1-x(VO4)7：xEu3+荧光粉的发光强度，具体是，随着Eu3+浓度的提高，荧光强度不断增强，掺杂浓度为70％时荧光强度最大，80％时出现浓度淬灭。
实施例10
本实施例10制备步骤与材料的选用同实施例1，不用之处在于，不用之处在于，所述荧光粉化学组成表示式为Sr9In(VO4)7，称取碳酸锶(SrCO3)1.3286g，氧化铟(In2O3)0.1388g，五氧化二钒(V2O5)0.6365g。
测试15
请参考图10和图11，根据实施例2、实施例5、实施例7、实施例9和实施例10的方法所制得的荧光粉在特定的激发波长下，均能实现发光。因此，所述单一基质Sr9In(VO4)7纯物质不掺杂Eu3+也可以实现自发光。
本发明基质材料Sr9In(VO4)7能够获得近紫外光和可见光的高效激发，发光中心为三价稀土铕离子(Eu3+)，其中，Eu3+发红色光。在320nm的激发下，Eu3+的掺杂浓度为90％时才出现浓度淬灭，Sr9In(VO4)7的发光颜色由青色逐渐变化到黄色，并继续变化到橙色。在346nm的激发下，Eu3+的掺杂浓度为100％时并未出现浓度淬灭，Sr9In(VO4)7的发光颜色由青色逐渐变化到黄色。在395nm的激发下，Eu3+的掺杂浓度为100％时并未出现浓度淬灭，Sr9In(VO4)7的发光颜色由紫色逐渐变化到橙色。在466nm的激发下，Eu3+的掺杂浓度为70％时才出现浓度淬灭，Sr9In(VO4)7的发光颜色由橙色逐渐变化到红色。而且随着激发波长的增大，荧光强度也得到显著的增强。
Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+，当0.2≥x≥0.1,即Eu3+的掺杂浓度为0.1-0.2时，激发波长为395nm、320nm、346nm、466nm，其荧光强度依次增强。当0.3≥x≥0.6,即Eu3+的掺杂浓度为0.3-0.6时，激发波长为346nm、395nm、320nm、466nm，其荧光强度依次增强。当0.7≥x≥0.9,即Eu3+的掺杂浓度为0.7-0.9时，激发波长为346nm、395nm、320nm、466nm，其荧光强度依次增强。
因此，通过本发明实施例制得的所述荧光粉由激活离子Eu3+掺杂于基质Sr9In(VO4)7中，可被近紫外光或可见光有效激发下，纯物质不掺杂Eu3+也可以实现自发光。通过改变激活离子Eu3+的掺杂浓度或选择不同的激发波长，调节发光强度及发光颜色的可调。具体的，随着Eu3+离子掺杂浓度的增加，Eu3+红色发光的相对强度增加，在320nm激发下，Sr9In(VO4)7的发光颜色由青色逐渐变化到绿色，并继续变化到橙色。在346nm激发下，Sr9In(VO4)7的发光颜色由青色逐渐变化到黄色。在395nm激发下，Sr9In(VO4)7的发光颜色紫色逐渐变化到橙红色。在466nm激发下，Sr9In(VO4)7的发光颜色由橙色逐渐变化到红色。可以通过调节激活离子Eu3+的掺杂浓度以及改变激发波长来调节发光强度；以及实现荧光粉从紫色-青色-白色-黄色-橙色-红色的逐渐可调，颜色可调范围极广。
此外，五氧化二钒的熔点在923K，在本实验的温度下，反应时为熔融状态，有利于原子的扩散和新相的形成。
本发明不仅提供了所述制备方法制备的荧光粉，还提供了所述荧光粉在制备LEDs发光器件中的应用。如可以备制备发光二极管、三基色荧光灯或场发射显示器等。
显然，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (1)
1.一种三价铕离子掺杂单一基质荧光粉在制备LEDs发光器件中的应用，其特征在于：所述荧光粉化学组成表示式为：Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+；铕离子为激活离子Eu3+；x为所述激活离子Eu3+相对金属离子In占的摩尔百分比系数，x取值范围为0≤x≤1；
所述荧光粉的制备方法，其特征在于，包括：
S1：按照所述荧光粉化学组成表示式Sr9In1-x(VO4)7:xEu3+的化学计量比称取原料：铕源、锶源、铟源和钒酸根源，0≤x≤1；
S2：充分研磨混合均匀得到混合原料；
S3：将所述混合原料置于马弗炉中焙烧，然后冷却到室温，得到第一产物；
S4：将所述第一产物取出，研磨即得到所述荧光粉；
在所述S3中的焙烧温度为1000℃，焙烧时间为4～36小时。
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