CN1159262C - 氮化镓陶瓷体的制备方法 - Google Patents

氮化镓陶瓷体的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1159262C
CN1159262C CNB011102039A CN01110203A CN1159262C CN 1159262 C CN1159262 C CN 1159262C CN B011102039 A CNB011102039 A CN B011102039A CN 01110203 A CN01110203 A CN 01110203A CN 1159262 C CN1159262 C CN 1159262C
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium nitride
piece
nitride ceramics
sealed
high pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB011102039A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1320579A (zh
Inventor
马贤锋
洪瑞金
阎学伟
赵伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS
Original Assignee
Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS filed Critical Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS
Priority to CNB011102039A priority Critical patent/CN1159262C/zh
Publication of CN1320579A publication Critical patent/CN1320579A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1159262C publication Critical patent/CN1159262C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明属于氮化镓陶瓷体的制备方法。该方法将氮化镓粉末成型后,与氨基锂一起组装、密封在超高压装置中,通过高压烧结氮化镓粉末而获得其陶瓷体。

Description

氮化镓陶瓷体的制备方法
本发明属于氮化镓陶瓷体的制备方法。
氮化镓作为一种宽能隙半导体材料,具有良好的热稳定性、抗辐射性、导热性等特点。目前,在材料科学领域中氮化镓被视为在蓝色-紫外波段区域最有前景的光电材料,同时也是制备高温半导体及高功率半导体器件的良好材料。氮化镓目前是材料领域中的热点之一。不少国家已投入巨资对其及相关的材料、器件进行研制、开发。
迄今为止,各国科研工作者对氮化镓的研究兴趣主要集中在氮化镓的合成、晶体/薄膜的生长及相关的器件开发。而有关氮化镓陶瓷体的制备,目前国内外尚无报道。这主要是氮化镓在高温下易分解,通常的制陶工艺无法得到其陶瓷体。
本发明的目的是提供一种氮化镓陶瓷体的制备方法。该方法将氮化镓粉末成型后,与氨基锂一起组装、密封在超高压装置中,通过高压烧结氮化镓粉末而获得其陶瓷体。
由于氨基锂在适当温度下能通过分解释放氨气,高氨压能抑制氮化镓分解,压力可以明显降低氮化镓的烧结温度和烧结时间,并提高陶瓷体的致密度。本发明将氮化镓粉末成型后,与氨基锂一起组装、密封在超高压装置中,通过高压下烧结可得到氮化镓陶瓷体。
本发明的制备过程,取氮化镓粉末2克/块料,用直径为13毫米模具制成圆柱体块料,然后将圆柱体放在石磨管中,并在块体四周填充重量比1∶4-10的氨基锂与六方氮化硼混合料,并将石墨管的上、下两端依次与石墨片、钛片、导电圈组装、密封在叶腊石块中,将叶腊石块置于六面顶超高压装置中,在温度为500-1800℃、压强为2.5-5.5Gpa的条件下经过2-60分钟烧结得到氮化镓陶瓷体。
本发明的方法具有降低陶瓷体的烧结温度,提高产物的致密度,有效阻止氮化镓分解,消除氮化镓中的氮缺位等特点。氮化镓陶瓷体的晶格参数和热膨胀系数与氮化镓有良好的相匹配性,可望用作生长氮化镓的衬底材料。
本发明提供的实施例如下:
实施例1:取氮化镓粉末2克/块料,用直径为13毫米模具制成圆柱体,与氨基锂和六方氮化硼按重量比为1∶4制成的混合料组装、密封在叶腊石块中,并置于六面顶超高压装置中。在500℃温度,压强为2.5GPa,经2分钟烧结,得到氮化镓陶瓷体。
实施例2:取氮化镓粉末2克/块料,用直径为13毫米模具制成圆柱体,与氨基锂和六方氮化硼按重量比为1∶6制成的混合料组装、密封在叶腊石块中,并置于六面顶超高压装置中。温度为1000℃,压强为4.5GPa,经20分钟烧结,得到氮化镓陶瓷体。
实施例3:取氮化镓粉末2克/块料,用直径为13毫米模具制成圆柱体,与氨基锂和六方氮化硼按重量比为1∶10制成的混合料组装、密封在叶腊石块中,并置于六面顶超高压装置中。温度为1800℃,压强为5.5GPa,经60分钟烧结,得到氮化镓陶瓷体。

Claims (1)

1.一种氮化镓陶瓷体的制备方法,其特征在于取氮化镓粉末2克/块料,用直径为13毫米模具制成圆柱体块料,块料居中,其周围选择在低温高压下能分解、释放氨气的物质氨基锂与六方氮化硼按重量比1∶4-10的比例制成的混料,密封在石墨管中,并将石墨管的上、下两端依次与石墨片、钛片、导电圈组装、密封在叶腊石块中,将叶腊石块置于六面顶超高压装置中,在温度为500-1800℃、压强为2.5-5.5Gpa的条件下经过2-60分钟烧结得到氮化镓陶瓷体。
CNB011102039A 2001-04-02 2001-04-02 氮化镓陶瓷体的制备方法 Expired - Fee Related CN1159262C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB011102039A CN1159262C (zh) 2001-04-02 2001-04-02 氮化镓陶瓷体的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB011102039A CN1159262C (zh) 2001-04-02 2001-04-02 氮化镓陶瓷体的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1320579A CN1320579A (zh) 2001-11-07
CN1159262C true CN1159262C (zh) 2004-07-28

Family

ID=4658414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011102039A Expired - Fee Related CN1159262C (zh) 2001-04-02 2001-04-02 氮化镓陶瓷体的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1159262C (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101928145A (zh) * 2010-06-01 2010-12-29 上海玻璃钢研究院有限公司 一种超细、高纯γ-AlON透明陶瓷粉末的制备方法
CN103178154B (zh) * 2012-09-28 2015-11-25 吉林大学 一种高致密、单一四方结构铜锌锡硫材料的高压制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1320579A (zh) 2001-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2321016T3 (es) Dispositivo de compactacion y utilizacion de tal dispositivo.
CN102580618A (zh) 精密加工用原生细颗粒金刚石及其生产方法
CN111876632A (zh) 一种快速制备高取向高功率因子的Bi2Te3基热电材料的方法
CN112289919A (zh) 一种n型碲化铋多晶块体热电材料的制备方法
CN104555950A (zh) 一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法
CN111484019A (zh) 一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法
CN1159262C (zh) 氮化镓陶瓷体的制备方法
CN108384989A (zh) 一种高孔隙率金属间化合物钛硅钼多孔材料及其制备方法
CN114182357A (zh) 一种碳化硅晶体的破碎晶粒用于再生长碳化硅单晶的方法
CN108529572A (zh) 一种致密六方氮化硼块体的制备方法
CN103521133A (zh) 高冲击韧性立方氮化硼及其合成方法和应用
CN104894647A (zh) 一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
CN1314488C (zh) 用于合成含硼金刚石单晶的铁-镍-硼-碳系催化剂及其制备方法
CN109534385B (zh) 一种富纳孔硫化银及其快速制备方法
CN100480438C (zh) 单晶ain纳米链
CN113215655B (zh) 一种提升氮化铝单晶生长中块体材料挥发量的填充方法
CN109319748B (zh) 一种具有室温柔性的Cu2X块体热电材料的制备方法
CN109384202B (zh) 一种具有室温柔性的无机电子材料及其制备方法
JPS627151B2 (zh)
CN111326303A (zh) 稀土合金球形单晶磁粉的制造方法及<111>取向稀土超磁致伸缩材料
CN106586978B (zh) 纳米氮化镓球形粉体的制备方法
CN102034854B (zh) 一种金刚石晶圆及其生产方法
CN109020555A (zh) 一种在微正压流动氮气气氛下燃烧合成氮化铝粉体的方法
Li et al. Long silicon nitride nanowires synthesized in a simple route
CN113559886A (zh) 一种高效合成黑磷催化剂的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee