CN115924942A - 一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法 - Google Patents

一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法 Download PDF

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CN115924942A CN202211731115.9A CN202211731115A CN115924942A CN 115924942 A CN115924942 A CN 115924942A CN 202211731115 A CN202211731115 A CN 202211731115A CN 115924942 A CN115924942 A CN 115924942A
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周颖
张文朴
侯星慧
马成良
史彩欣
郭蓉
胡明薇
孔德智
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Abstract

本发明提供一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,包括如下步骤:将微晶菱镁矿进行煅烧,煅烧后的微晶菱镁矿经研磨过筛,即为轻烧氧化镁;将轻烧氧化镁加入到一定浓度的水化剂溶液中,在75‑95℃恒温水浴加热2‑6h,期间不断搅拌;随后离心,洗涤,烘干,从而制备出干燥氢氧化镁;之后经研磨过筛,筛掉干燥氢氧化镁中的粗颗粒,最终制得高纯片状氢氧化镁。利用本发明制备的氢氧化镁晶型为六角片状或卡房片状,制备工艺简单,反应时间短,水化率高,反应条件温和,易于控制,能耗低。

Description

一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法
技术领域
本发明涉及材料技术领域,尤其是涉及一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法。
背景技术
氢氧化镁作为最重要的镁化合物产品之一,是一种无机弱碱类产品,具有较强的缓冲性能、较高的活性和吸附能力、无毒无害无腐蚀等诸多性能,因此被称为“第三种碱”、“环境友好阻燃剂”等,在陶瓷材料、医学、航空等都有广泛应用。
随着工业的发展,产生了大量的工业废水和废气,因此对于这类污染物的处理至关重要。由于氢氧化镁比表面积大,在烟气脱硫时效率高,且产生副产品可回收利用,因此逐渐占据主导。由于氢氧化镁独特的安全性,中和速度慢,中和产生离子沉降速度快易于过滤,使原来用于酸性废水的一些强碱类物质如石灰、烧碱逐渐被其取代。另外氢氧化镁的活性吸附能力强,比表面积大,可以去除工业废水中的镍、铬等重金属离子,既可单独使用,也可与石灰膨润土配合使用,适应性良好,比传统的方法更具有优越性。氢氧化镁还可与易燃的高分子材料的结合,阻止高分子材料燃烧释放浓烟和有毒气体,对人体造成二次伤害。氢氧化镁与传统的阻燃剂相比更环保且阻燃效果更好,因此更适于作为聚乙烯,聚丙烯等高分子材料的填料。
氢氧化镁的合成方法多种多样,主要有固相合成法(CN112591774A),石灰乳沉淀法(CN103601224A、CN103950957A),氨水沉淀法(CN103101936A、CN104071813A),水热合成法(CN103803604A、CN103508474A)等方法。但这些方法或多或少都有缺陷,固相合成法的产品纯度低,生产效率低,产品易团聚,工业化困难;石灰乳沉淀法由于石灰自身纯度不够,因此一般产品纯度较低,含有大量氧化钙杂质;氨水沉淀法虽然产品纯度提升,但是氨水存在较强的挥发性,不仅对操作环境有严格要求,同时会带来高额的成本。
水化法(CN105256405A、CN105924023A、CN105565782A)也是一种常用的制备氢氧化镁的方法,但由于氧化镁在水中溶解度小,且生成的氢氧化镁覆盖在氧化镁表面,阻止进一步水化,因此水化法通常水化率很低,难以实际运用。CN105256405A公开了一种水化法制备纤维状氢氧化镁的方法,但制备时间长,且需加入晶种和各类活性剂,生产效率不高。CN105924023A公开了一种低品位菱镁矿制备氢氧化镁的方法,但由于菱镁矿的品位低,因此操作步骤繁琐,对实验条件要求高;CN105565782A公开了一种氧化镁烧结体靶材的氢氧化镁悬浮浆料的制备方法,制备出晶粒尺寸稳定的氢氧化镁,但制备流程繁琐,水化反应不彻底,因此纯度不高。
发明内容
本发明提供了一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,采用水化的方式,用微量水化剂辅助水化,无需外加沉淀剂,即可制得高纯片状氢氧化镁。
本发明提供一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,包括如下步骤:
(1)将经破碎后粒度小于1cm的微晶菱镁矿进行煅烧,温度600℃,保温3h,煅烧后的微晶菱镁矿经研磨、过筛,即为轻烧氧化镁;
(2)按照轻烧氧化镁和水的质量比为1:10至1:20之间配制水溶液;在水溶液中加入水化剂,配置成相应浓度的水化剂溶液,所述水化剂为氯化铵水化剂或乙酸铵水化剂或乙酸镁水化剂;
(3)称量轻烧氧化镁加入到配置好的水化剂溶液中,然后放入预先升温到75-95℃的磁力搅拌水浴锅中,水化反应2-6h;
(4)将反应后的悬浮液经离心,洗涤,烘干,得到干燥氢氧化镁;
(5)干燥的氢氧化镁经过研磨,过筛,最终得到纯度大于96%片状氢氧化镁。
优选的,所述步骤(1)的微晶菱镁矿,采用氧化镁含量大于47%的天然微晶菱镁矿,煅烧后研磨过筛采用的筛网是200目。
优选的,所述步骤(2)的氯化铵水化剂、乙酸铵水化剂、乙酸镁水化剂的浓度均为0.1摩尔/升。
优选的,所述氯化铵水化剂对应的轻烧氧化镁和水的质量比为1:20,温度为85℃,保温时间为6h。
优选的,所述乙酸铵水化剂对应的轻烧氧化镁和水的质量比为1:20,温度为95℃,保温时间为4h。
优选的,所述乙酸镁水化剂对应的轻烧氧化镁和水的质量比为1:15,温度为95℃,保温时间为6h。
优选的,所述步骤(4)反应后的悬浮液经过离心,再用离子水洗涤两次和无水乙醇洗涤两次,然后从离心管倒出至玻璃平板上,在烘箱中85℃烘干3h。
优选的,所述步骤(5)所用的筛网为200目。
本发明的有益效果为:
本发明采用微晶菱镁矿制备出的轻烧氧化镁其纯度高杂质少,并用微量水化剂辅助水化,改变水化环境的PH值,增大氧化镁的溶解度,促进水化反应彻底进行,制备的氢氧化镁为六方片状或卡房片状,制备过程简单,成本低,水化率高,杂质少,反应条件温和易于控制,为微晶菱镁矿的利用开发开辟了一种途径。
本发明工艺操作简单,成本低廉,反应条件温和易控制,反应设备简单,适合工业化生产,能耗低。本发明采用微晶菱镁矿为原料,原料储量丰富,煅烧得到的轻烧氧化镁纯度高,与水反应在微量水化剂的辅助下大大提高了水化率,是高品位菱镁矿制备片状氢氧化镁的有效方法。
附图说明
图1为本发明制备的高纯片状氢氧化镁的XRD图谱。
图2为实施例1所得产物的扫描电镜照片示意图。
图3为实施例2所得产物的扫描电镜照片示意图。
图4为实施例3所得产物的扫描电镜照片示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1:
将经破碎后粒度小于1cm的微晶菱镁矿在马弗炉中进行煅烧,温度600℃,保温3h,煅烧后的菱镁矿经过研磨,200目过筛后取筛下物;将0.34g氯化铵和60mL水配置成0.1摩尔/升的氯化铵水化剂;加入3g过筛后的轻烧氧化镁到配置好的氯化铵水化剂溶液中,然后放入预先升温到85℃的磁力搅拌水浴锅中,水化反应6h;将反应后的悬浮液经离心,去离子水洗涤,再离心,无水酒精洗涤,反复重复两次,然后从离心管倒出至玻璃平板上,在烘箱中85℃烘干3h;干燥的氢氧化镁经过简单研磨,200目过筛,最终得到氢氧化镁。
生成的氢氧化镁的XRD如下图1中的氯化铵所示,扫描电镜图片为下图2所示。可以看出所制备出的氢氧化镁与标准氢氧化镁卡片(PDF#44-1482)对应良好,标准氧化镁卡片(PDF#45-0946)对应的衍射峰在图中已不明显,经验测,采用氯化铵水化剂水化氧化镁,水化率可达97.1%。从图2可以看出所制备的氢氧化镁为六方片状,粒径在300nm左右。
实施例2:
将经破碎后粒度小于1cm的微晶菱镁矿在马弗炉中进行煅烧,温度600℃,保温3h,煅烧后的菱镁矿经过研磨,200目过筛后取筛下物;将0.48g乙酸铵和60mL水配置成0.1摩尔/升的乙酸铵水化剂;加入3g过筛后的轻烧氧化镁到配置的乙酸铵水化剂溶液中,然后放入预先升温到95℃的磁力搅拌水浴锅中,水化反应4h;将反应后的悬浮液经离心,去离子水洗涤,在离心,无水酒精洗涤,反复重复两次,然后从离心管倒出至玻璃平板上,在烘箱中85℃烘干3h;干燥的氢氧化镁经过简单研磨,200目过筛,最终得到氢氧化镁。
生成的氢氧化镁的XRD如下图1中的乙酸铵所示,扫描电镜图片为下图3所示。可以看出所制备出的氢氧化镁与标准氢氧化镁卡片(PDF#44-1482)对应良好,标准氧化镁卡片(PDF#45-0946)对应的衍射峰在图中已不明显,经验测,采用乙酸铵水化剂水化氧化镁,水化率可达98.4%。从图3可以看出所制备的氢氧化镁为卡方片状,粒径在400nm左右。
实施例3:
将经破碎后粒度小于1cm的微晶菱镁矿在马弗炉中进行煅烧,温度600℃,保温3h,煅烧后的菱镁矿经过研磨,200目过筛后取筛下物;将0.97g乙酸镁和45mL水配置成0.1摩尔/升的乙酸镁水化剂;加入3g过筛后的轻烧氧化镁到配置的乙酸镁水化剂溶液中,然后放入预先升温到95℃的磁力搅拌水浴锅中,水化反应6h;将反应后的悬浮液经离心,去离子水洗涤,在离心,无水酒精洗涤,反复重复两次,然后从离心管倒出至玻璃平板上,在烘箱中85℃烘干3h;干燥的氢氧化镁经过简单研磨,200目过筛,最终得到氢氧化镁。
生成的氢氧化镁的XRD如下图1中的乙酸镁所示,扫描电镜图片为下图3所示。可以看出所制备出的氢氧化镁与标准氢氧化镁卡片(PDF#44-1482)对应良好,与标准氧化镁卡片(PDF#45-0946)对应的衍射峰在图中显示的很微弱,经验测,采用乙酸镁水化剂水化氧化镁,水化率可达96.5%。从图4可以看出所制备的氢氧化镁为卡方片状,粒径在300nm左右。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)将经破碎后粒度小于1cm的微晶菱镁矿进行煅烧,温度600℃,保温3h,煅烧后的微晶菱镁矿经研磨、过筛,即为轻烧氧化镁;
(2)按照轻烧氧化镁和水的质量比为1:10至1:20之间配制水溶液;在水溶液中加入水化剂,配置成相应浓度的水化剂溶液,所述水化剂为氯化铵水化剂或乙酸铵水化剂或乙酸镁水化剂;
(3)称量轻烧氧化镁加入到配置好的水化剂溶液中,然后放入预先升温到75-95℃的磁力搅拌水浴锅中,水化反应2-6h;
(4)将反应后的悬浮液经离心,洗涤,烘干,得到干燥氢氧化镁;
(5)干燥的氢氧化镁经过研磨,过筛,最终得到纯度大于96%片状氢氧化镁。
2.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述步骤(1)的微晶菱镁矿,采用氧化镁含量大于47%的天然微晶菱镁矿,煅烧后研磨过筛采用的筛网是200目。
3.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述步骤(2)的氯化铵水化剂、乙酸铵水化剂、乙酸镁水化剂的浓度均为0.1摩尔/升。
4.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述氯化铵水化剂对应的轻烧氧化镁和水的质量比为1:20,温度为85℃,保温时间为6h。
5.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述乙酸铵水化剂对应的轻烧氧化镁和水的质量比为1:20,温度为95℃,保温时间为4h。
6.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述乙酸镁水化剂对应的轻烧氧化镁和水的质量比为1:15,温度为95℃,保温时间为6h。
7.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述步骤(4)反应后的悬浮液经过离心,再用离子水洗涤两次和无水乙醇洗涤两次,然后从离心管倒出至玻璃平板上,在烘箱中85℃烘干3h。
8.按照权利要求1所述的一种微晶菱镁矿水化制备高纯片状氢氧化镁的方法,其特征在于:所述步骤(5)所用的筛网为200目。
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