CN115921259A - 一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件 - Google Patents
一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115921259A CN115921259A CN202310003044.9A CN202310003044A CN115921259A CN 115921259 A CN115921259 A CN 115921259A CN 202310003044 A CN202310003044 A CN 202310003044A CN 115921259 A CN115921259 A CN 115921259A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- photosensitive layer
- layer
- orthographic projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000026683 transduction Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 238000010361 transduction Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 174
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 238000012285 ultrasound imaging Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
本申请实施例涉及超声换能技术领域，公开了一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件，包括：衬底；第一电极，设置在所述衬底的一侧；第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
Description
技术领域
本申请实施例涉及超声换能技术领域，具体而言，涉及一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件。
背景技术
超声波具有传播过程中方向集束性好和能量密度高的优点，同时又不会产生影响人生活和工作的噪音污染，更不像电磁波那样会产生电磁污染。因此，超声波工业、国防等很多领域都有广泛的应用。而在各种超声应用中，超声传感器都是其中最核心的器件。
其中，电容式超声传感器(CMUT)因其无需添加额外的匹配层，相比传统的压电陶瓷(PZT)传感器有着更为广阔的应用前景。然而，电容式超声传感器需要在发射阶段单独施加直流偏压来克服薄膜张力，因此导致当前的电容式超声传感器功耗较大，成本较高。因此，如何有效降低电容式超声传感器的功耗和成本，成为当前亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例在于提供一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件，旨在解决如何有效降低电容式超声传感器的功耗和成本的问题。
本申请实施例第一方面提供一种超声换能单元，包括：
衬底；
第一电极，设置在所述衬底的一侧；
第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；
感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
在一种可选的实施方式中，所述超声换能单元还包括支撑层，所述支撑层位于所述第二电极靠近所述衬底的一侧，所述第一电极以及所述支撑层围成所述空腔。
在一种可选的实施方式中，所述支撑层上具有刻蚀孔，所述刻蚀孔与所述空腔连通，所述刻蚀孔内填充所述感光层。
在一种可选的实施方式中，所述超声换能单元还包括第一钝化层，所述第一钝化层包括位于所述第二电极背离所述衬底一侧的第一部分和位于所述第二电极侧面的第二部分，且所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影边缘有交叠。
在一种可选的实施方式中，所述第一钝化层具有由所述第一部分围成的开口区域，所述感光层填充所述开口区域。
在一种可选的实施方式中，所述第一部分在第一方向上的尺寸大于3μm，所述第一方向为与所述衬底的法线方向垂直的方向。
在一种可选的实施方式中，所述感光层设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，所述超声换能单元还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述感光层背离所述衬底的一侧，且所述第二钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述感光层在所述衬底上的正投影。
在一种可选的实施方式中，所述感光层设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，所述超声换能单元还包括第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述第二电极背离所述衬底的一侧，且所述第三钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二电极在所述衬底上的正投影。
本申请实施例第二方面提供一种超声换能器件，包括多个如第一方面所述的超声换能单元；
显示面板，用于向所述超声换能单元提供入射光线；
驱动电路，用于向所述超声换能单元提供驱动信号；
供电电路，用于向所述超声换能单元提供电源信号，所述电源信号包括直流电源信号和交流电源信号。
本申请实施例第三方面提供一种超声换能单元的制备方法，包括：
提供衬底；
提供第一电极，设置在所述衬底的一侧；
提供第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；
提供感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
有益效果：
本申请实施例提供了一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件，包括：衬底；第一电极，设置在所述衬底的一侧；第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。本申请设置感光层使超声换能单元在接收到入射光线时产生静电力抵消振膜的张力，从而在发射阶段规避了直流电压的使用，有效降低了电容式超声传感器的功耗和成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提出的一种超声换能单元结构示意图；
图2是本申请一实施例提出的一种感光层在第二电极表面的超声换能单元结构示意图；
图3是本申请一实施例提出的一种包含第四钝化层的超声换能单元结构示意图；
图4是本申请一实施例提出的一种包含第二钝化层的超声换能单元结构示意图。
附图标记说明：101、衬底；102、第一电极；103、第二电极；1031、第一电极层；1032、第二电极层；104、感光层；105、支撑层；106、第一钝化层；1061、第一部分；1062、第二部分；107、第四钝化层；108、第二钝化层；109、第三钝化层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
超声波具有传播过程中方向集束性好和能量密度高的优点，同时又不会产生影响人生活和工作的噪音污染，更不像电磁波那样会产生电磁污染。因此，超声波工业、国防等很多领域都有广泛的应用。如在国防领域中，超声被各国军队广泛用于水下探测潜艇位置，这种军事应用需要把超声技术从传感器制造推进到超声成像中去。同时超声波也可用于超声诊断，超声探伤，超声检测以及超声波抛光，超声波搅拌，超声波治疗，超声成像，超声解调可听声等。
而在各种超声应用中，超声传感器都是其中最核心的器件。然而到目前为止，压电陶瓷(PZT)传感器几乎占据了上述领域的全部市场。但同时它也存在着天然的缺陷：PZT晶片与工作介质如空气，水之间的阻抗失配，不仅会降低界面的声波透射系数，还会严重的影响传感器的灵敏度，于是需要我们在压电材料和工作介质之间添加一层匹配层来克服这个问题，但这样又会产生两个新问题，一是匹配层会使器件的带宽变窄；二是由于要求的匹配层较薄，很难找到合适的匹配层。因此寻找新的传感器来取代PZT传感器就尤显迫切。
相关技术中，电容式超声传感器(CMUT)因其无需添加额外的匹配层，相比传统的压电陶瓷(PZT)传感器有着更为广阔的应用前景。然而，电容式超声传感器中超声波的产生需要振膜发生共振推动周围介质做功产生超声波，而振膜的振动需要克服振膜本身的薄膜张力，如果直接在振膜施加交流电压来使振膜发生振动，则因需要克服薄膜张力提供较大的交流电压，导致超声传感器的功耗大幅提升。为了克服振膜本身的薄膜张力，需要在发射阶段先单独施加直流偏压来克服振膜的张力，来降低后续使振膜发生振动时所需的交流电压，但是直流电压在发射阶段的使用仍会导致当前的电容式超声传感器功耗较大，成本较高。
有鉴于此，本申请实施例提出一种超声换能单元，图1示出了一种超声换能单元结构示意图，如图1所示，包括：衬底101，第一电极102，第二电极103以及感光层104。其中，第一电极102设置在所述衬底101的一侧；第二电极103设置在所述第一电极102背离所述衬底101的一侧，且所述第一电极102与所述第二电极103之间存在空腔。
所述感光层104设置在所述第一电极102靠近所述衬底101一侧的表面，图2示出了一种感光层在第二电极表面的超声换能单元结构示意图，如图2所示，所述感光层104在所述衬底101上的正投影与所述第一电极102在所述衬底101上的正投影至少部分交叠；或者所述感光层104设置在所述第二电极103背离所述衬底101一侧的表面，如图1所示，所述感光层104在所述衬底101上的正投影与所述第二电极103在所述衬底101上的正投影至少部分交叠。
具体而言，所述超声换能单元中的感光层104设置在靠近入射光线的入光方向的电极靠近入光方向的一侧。在所述入光方向为第二电极103指向第一电极102的方向时，所述感光层104设置在所述第二电极103背离所述衬底101一侧的表面；在所述入光方向为第一电极102指向第二电极103的方向时，所述感光层104设置在所述第一电极102靠近所述衬底101一侧的表面。
在所述感光层104设置在所述第二电极103背离所述衬底101一侧的表面的情况下，当所述感光层104接收到由第二电极103指向第一电极102的方向的入射光线的照射时，所述感光层104受到入射光线的激发生成光生电荷，所述光生电荷集中在所述感光层所接触的第二电极103背离所述衬底的一面上；同时在第一电极102上感应产生与光生电荷电性相反的电荷。第一电极102和第二电极103之间的电荷使第二电极103产生直流偏置电压，生成作用于振膜(包括位于所述空腔背离所述衬底一侧的多层膜结构)，受力方向指向衬底101的静电力，随着作用于振膜的静电力继续增大，振膜向衬底101方向的位移不断增加；振膜本身具有指向背离衬底方向的薄膜张力，当静电力与薄膜张力达到平衡时，完成对振膜本身的薄膜张力的抵消。此时施加于第二电极103的交流电压无需再克服薄膜张力，因此只要在第二电极103上施加一个小信号的交流电压，即可使振膜产生振动生成超声波。
在所述感光层104设置在所述第一电极102靠近所述衬底101一侧的表面的情况下，当所述感光层104接收到由第一电极102指向第二电极103的方向的入射光线的照射时，所述感光层104受到入射光线的激发生成光生电荷，所述光生电荷集中在所述感光层所接触的第一电极102靠近所述衬底的一面上；同时在第二电极103上感应产生与光生电荷电性相反的电荷。第一电极102和第二电极103之间的电荷使第二电极103产生直流偏置电压，生成作用于振膜(包括位于所述空腔背离所述衬底一侧的多层膜结构)，受力方向指向衬底101的静电力，随着作用于振膜的静电力继续增大，振膜向衬底101方向的位移不断增加；振膜本身具有指向背离衬底方向的薄膜张力，当静电力与薄膜张力达到平衡时，完成对振膜本身的薄膜张力的抵消。此时施加于第二电极103的交流电压无需再克服薄膜张力，因此只要在第二电极103上施加一个小信号的交流电压，即可使振膜产生振动。
本申请通过设置感光层104，在接收到入射光线后自动生成光生电荷，在第二电极103处产生静电力来有效抵消薄膜张力，无需额外向第二电极103施加直流偏压来抵消薄膜张力，从而在超声波的发射阶段规避了直流电压的使用，有效降低了电容式超声传感器的功耗和成本。
其中，所述感光层可以选用现有技术中的感光材料，如PIN光电二极管、OPD(Organic Photodetector)等，所述第一电极102的材料为导电金属材料，如Cu、Mo、Al等，所述第二电极103的材料为导电金属材料(如Cu、Mo、Al等)或半导体材料(如ITO等)，具体感光层、第一电极和第二电极的材料本申请实施例不作具体限制。
在一种可选的实施方式中，所述超声换能单元还包括支撑层105，所述支撑层105位于所述第二电极103靠近所述衬底101的一侧，所述第一电极102以及所述支撑层105围成所述空腔。在超声换能单元发射或接收超声波时，第二电极103会发生振动，为了防止在第二电极103振动时与第一电极102接触造成漏电或短路等不良现象，在第一电极102与第二电极103之间形成所述空腔，该空腔用作发生振动的第二电极103可振动空间，并通过支撑层105将第二电极103与空腔分隔开。
需要说明的是，所述空腔的形状可以为圆形、方型、多边形或其他不规则图形中的一种，具体空腔的形状可根据实际情况确定，本申请在此不作限制。此外，空腔的尺寸可根据振膜厚度和谐振频率计算得到，具体按照如下公式进行计算：
其中，f为所述谐振频率；t为所述振膜厚度；a为所述空腔的尺寸；Y0为杨氏模量；ρ为振膜密度；σ为泊松比。
其中，支撑层105的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体支撑层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
在一种可选的实施方式中，所述支撑层105上具有刻蚀孔，所述支撑层105上的刻蚀孔位于所述支撑层105的侧面，所述刻蚀孔与所述空腔连通，用于在制备过程中刻蚀出所述空腔。此外，所述刻蚀孔内填充所述感光层材料，用于将工作介质与空腔内的空间分隔开，防止工作介质(如水、空气等)通过刻蚀孔进入第一电极102与第二电极103之间的空腔内部，防止对第二电极102的振动产生不良影响。
在一种可选的实施方式中，所述超声换能单元还包括第一钝化层106，所述第一钝化层106包括位于所述第二电极103背离所述衬底101一侧的第一部分1061和位于所述第二电极103侧面的第二部分1062，且所述第一部分1061在所述衬底101上的正投影与所述第二电极103在所述衬底101上的正投影边缘有交叠。
其中，为了防止刻蚀空腔的过程中对第二电极103产生误刻蚀而对第二电极103造成不良影响，在第二电极103的侧面设置第一钝化层106，第一钝化层106包括位于第二电极背离所述衬底101一侧的第一部分1061以及位于第二电极103侧面的第二部分1062，保护第二电极103的侧面不会被误刻蚀。在一种可选的实施方式中，所述第一部分1061在第一方向上的尺寸大于3μm，所述第一方向为与所述衬底的法线方向垂直的方向。
其中，第一钝化层106的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体的第一钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
其中，第一钝化层106的第一部分1061在第二电极103背离所述衬底101一侧的表面上围成开口区域，该开口区域填充所述感光层104，形成如图1所示的设置在所述第二电极103背离所述衬底101一侧的表面的感光层104。
在一种可选的实施方式中，所述第一电极102背离所述衬底101的一侧还设置有第四钝化层107，图3示出了一种包含第四钝化层的超声换能单元结构示意图，如图3所示，所述第四钝化层设置在所述第一电极102和所述支撑层105之间，第四钝化层107与所述支撑层105围成所述空腔。通过设置所述第四钝化层107，对第一电极102进行保护，避免在刻蚀空腔时从支撑层105的刻蚀孔进入的刻蚀液与第一电极102背离衬底101一侧的表面接触而对第一电极102产生误刻蚀。
其中，第四钝化层107的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体的第四钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
在一种可选的实施方式中，如图3所示，所述第二电极103为包括第一电极层1031和第二电极层1032的复合结构。其中，所述第二电极层1032设置在所述支撑层105背离所述衬底101的一侧，所述第一电极层1031位于所述第二电极层1032背离所述衬底101一侧的表面，且所述第一电极层1031在所述衬底101上的正投影覆盖所述第二电极层1032在所述衬底101上的正投影，或者所述第一电极层1031在所述衬底101上的正投影与所述第二电极层1032在所述衬底101上的正投影重合。其中，第一电极层1031的材料与第二电极层1032的材料的针对于刻蚀空腔的刻蚀液的刻蚀选择比越低越好，所述第一电极层1031用于防止刻蚀液在刻蚀空腔时接触第二电极的第二电极层1032，保护所述第二电极层1032不会受到刻蚀空腔的刻蚀液的误刻蚀。示例性地，所述第一电极层1031的材料为ITO(氧化铟锡)，所述第二电极层1032的材料为Mo(钼)，此时刻蚀空腔的刻蚀液对第一电极层1031的刻蚀效果较差，对第二电极层1032的刻蚀效果较好，第一电极层可以有效包括第二电极层不被误刻蚀。需要说明的是，第一电极层可以为半导体材料，第二电极层可以为金属材料，上述示例只是为了更好的使本领域技术人员理解本申请而提供的一种可选地具体实例，具体的第一电极层1031和第二电极层1032的材料不局限于这一种情况。
在一种可选的实施方式中，所述第一电极102靠近所述衬底101的一侧还设置有缓冲层。
在一种可选的实施方式中，所述感光层104设置在所述第二电极103背离所述衬底101一侧的表面，所述超声换能单元还包括第二钝化层108，图4示出了一种包含第二钝化层的超声换能单元结构示意图，如图4所示，所述第二钝化层108设置在所述感光层104背离所述衬底101的一侧，且所述第二钝化层108在所述衬底101上的正投影覆盖所述感光层104在所述衬底101上的正投影。第二钝化层108用于将工作介质与感光层104以及第二电极103分隔开，防止工作介质对感光层104以及第二电极103造成不良影响。此时，感光层104只用于光电换能，因此感光层可以选用现有技术中的感光材料，如有机光电器件PIN光电二极管、OPD(Organic Photodetector)等；第二钝化层108的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体的第二钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
在一种可选的实施方式中，所述感光层104复用为所述第二钝化层，如图1所示，此时所述感光层104直接与工作介质接触，用于将工作介质与第二电极103背离衬底101一侧的表面分隔开，防止工作介质对第二电极103造成不良影响。通过将所述感光层104复用为第二钝化层，使本申请提供的超声换能单元的膜层数不会因设置感光层而额外增加，从而降低了超声换能单元的生产成本。需要说明的是，当所述感光层104复用为第二钝化层时，所述感光层104的材料为能够在工作介质中具有稳定性的感光材料，如PIN结构材料，具体复用为第二钝化层的感光层的材料可选择现有技术中在工作介质中具有稳定性的感光材料，本申请在此不作限制。
在一种可选的实施方式中，如图2所示，所述感光层104设置在所述第一电极102靠近所述衬底101一侧的表面，所述感光层104在所述衬底101上的正投影与所述第二电极103在所述衬底101上的正投影至少部分交叠。其中，所述超声换能单元还包括第三钝化层109，所述第三钝化层109设置在所述第二电极103背离所述衬底101的一侧，且所述第三钝化层109在所述衬底101上的正投影覆盖所述第二电极103在所述衬底上的正投影。
其中，第三钝化层109用于将工作介质与第二电极103分隔开，防止工作介质对第二电极103造成不良影响。第三钝化层109的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体的第三钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
本申请实施例中，所述第二电极103、支撑层105与所述第二电极接触的部分、以及第二电极103背离所述衬底一侧设置的层一起作为振膜。具体而言，在所述感光层104设置在所述第二电极103背离所述衬底101一侧的表面的情况下，所述第二电极103、支撑层105与所述第二电极接触的部分、以及感光层104一起作为振膜；在所述感光层104设置在所述第一电极102背离所述衬底101一侧的表面的情况下，所述第二电极103、支撑层105与所述第二电极接触的部分、以及第三钝化层109一起作为振膜。
在超声波发射阶段，第二电极103接收小信号的交流电压而进行振动，振膜的振动推动周围的工作介质做功产生超声波，实现超声波的发射；在超声波接收阶段，第一电极102和第二电极103之间施加有固定的直流偏置电压，工作介质传播的超声波会使振膜引起谐波振动，从而使超声换能单元的电容发生改变，超声换能单元的电容变化导致电流在外部电路中流动，该电流被放大以进行下一步电路处理。即可以检测周围工作介质的超声波信息。
本申请实施例提供了一种超声换能单元，包括：衬底；第一电极，设置在所述衬底的一侧；第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。本申请设置感光层使超声换能单元在接收到入射光线时产生静电力抵消振膜的张力，从而在发射阶段规避了直流电压的使用，有效降低了电容式超声传感器的功耗和成本。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种超声换能器件，包括多个如上所述的超声换能单元、驱动电路和供电电路。其中，驱动电路用于向所述显示面板提供驱动信号，供电电路用于向所述显示面板提供电源信号。
本申请实施例中，所述电源信号包括直流电源信号和交流电源信号。其中，在超声发射阶段，所述供电电路与所述超声换能单元的第二电极相连接，向所述超声换能单元的第二电极提供交流电源信号；在超声接收阶段，所述供电电路与所述超声换能单元的第一电极以及第二电极相连接，向所述超声换能单元的第一电极与第二电极之间提供直流电源信号。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种超声换能单元的制备方法，包括：
提供衬底。
提供第一电极，设置在所述衬底的一侧。
提供第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔。
提供感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
具体制备第一电极时，在所述衬底的一侧形成第一电极材料层，对第一电极材料层背离所述衬底的一侧表面进行曝光、刻蚀，形成第一电极的电极图案，随后去除残留光刻胶，形成所述第一电极。其中，第一电极材料层可以为导电金属材料，如Cu、Mo、Al等。
在一种可选的实施方式中，先在所述衬底的一侧形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成第一电极材料层，对第一电极材料层背离所述衬底的一侧表面进行曝光、刻蚀，形成第一电极的电极图案，随后去除残留光刻胶，形成所述第一电极。
在一种可选的实施方式中，在形成所述第一电极之后，在所述第一电极背离所述衬底的一侧形成第四钝化层，所述第四钝化层的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体的第四钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
具体制备第二电极时，在所述第一电极背离所述衬底的一侧的第一目标区域内形成牺牲层，所述牺牲层的材料为刻蚀速率较快、表面平整度较好的金属材料，如Mo等。在形成所述牺牲层之后，在所述牺牲层背离所述衬底的一侧表面以及侧面形成支撑层，并在所述支撑层侧面的第二目标区域内刻蚀出刻蚀孔，使所述刻蚀孔中暴露所述牺牲层。其中，所述支撑层的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。
在所述支撑层背离所述衬底的一侧形成第二电极，所述第二电极材料层，对第二电极材料层背离所述衬底的一侧表面进行曝光、刻蚀，形成第二电极的电极图案，随后去除残留光刻胶，形成所述第二电极。其中，第二电极材料层可以为导电金属材料，如Cu、Mo、Al等，也可以为半导体材料，如ITO等。随后，通过所述支撑层的刻蚀孔注入刻蚀液将牺牲层刻蚀去除，形成空腔。
在一种可选的实施方式中，所述第二电极包括复合的第一电极层和第二电极层。具体而言，在所述支撑层背离所述衬底的一侧形成第二电极的第一电极层的材料，对所述第二电极的第一电极层的材料背离所述衬底的一侧表面进行曝光、刻蚀，形成第二电极的电极图案，随后去除残留光刻胶，形成所述第二电极的第一电极层，然后在所述第二电极的第一电极层背离所述衬底的一侧形成第二电极层，其中，第一电极层可以为半导体材料，第二电极层可以为金属材料，保证第一电极层的材料与第二电极层的材料的针对于刻蚀牺牲层的刻蚀液的刻蚀选择比较低。
在一种可选的实施方式中，在形成第二电极之后，在所述第二电极的侧面形成第一绝缘层的第二部分，以及在第二电极背离所述衬底一侧的表面形成第一绝缘层的第一部分，其中，所述第一绝缘层的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。
在一种可选的实施方式中，在形成第一绝缘层之后，在所述第一部分的第三目标区域内刻蚀出开口区域，使目标区域暴露出第二电极背离衬底一侧的表面，且刻蚀开口区域后保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影边缘有交叠。
具体制备感光层时，在一种可选的实施方式中，在所述第一绝缘层的第一部分刻蚀出开口区域之后，在所述开口区域形成感光层材料，进行曝光、干刻蚀，形成感光层图案，得到所述感光层；同时在所述刻蚀孔形成感光层材料。其中，所述感光层材料可以为现有技术中的感光材料，如PIN光电二极管、OPD等。
在一种可选的实施方式中，在所述开口区域形成所述感光层之后，在所述感光层背离所述衬底的一侧形成第二钝化层，使所述第二钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述感光层在所述衬底上的正投影。其中，第二钝化层的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种。具体的第二钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
在另一种可选的实施方式中，在形成所述缓冲层之后，在所述缓冲层背离所述基底的一侧的表面形成所述感光层材料，随后进行曝光、干刻蚀，形成感光层图案，得到所述感光层。其中，所述感光层材料可以为现有技术中的感光材料，如PIN光电二极管、OPD等。
在一种可选的实施方式中，在所述感光层形成于所述缓冲层背离所述基底的一侧的表面时，在形成第二电极之后，在所述第二电极背离所述衬底的一侧，形成所述第三钝化层，其中所述第三钝化层的材料可以为：氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多晶硅(poly-Si)中的一种，具体的第三钝化层的材料可以根据实际情况进行确定，本申请在此不作限制。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，诸如“第一”和“第二”之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请，在具体实施方式及应用范围上均会有不同形式的改变之处，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种超声换能单元，其特征在于，包括：
衬底；
第一电极，设置在所述衬底的一侧；
第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；
感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的超声换能单元，其特征在于，所述超声换能单元还包括支撑层，所述支撑层位于所述第二电极靠近所述衬底的一侧，所述第一电极以及所述支撑层围成所述空腔。
3.根据权利要求2所述的超声换能单元，其特征在于，所述支撑层上具有刻蚀孔，所述刻蚀孔与所述空腔连通，所述刻蚀孔内填充所述感光层。
4.根据权利要求1所述的超声换能单元，其特征在于，所述超声换能单元还包括第一钝化层，所述第一钝化层包括位于所述第二电极背离所述衬底一侧的第一部分和位于所述第二电极侧面的第二部分，且所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影边缘有交叠。
5.根据权利要求4所述的超声换能单元，其特征在于，所述第一钝化层具有由所述第一部分围成的开口区域，所述感光层填充所述开口区域。
6.根据权利要求4所述的超声换能单元，其特征在于，所述第一部分在第一方向上的尺寸大于3μm，所述第一方向为与所述衬底的法线方向垂直的方向。
7.根据权利要求1所述的超声换能单元，其特征在于，所述感光层设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，所述超声换能单元还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述感光层背离所述衬底的一侧，且所述第二钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述感光层在所述衬底上的正投影。
8.根据权利要求1所述的超声换能单元，其特征在于，所述感光层设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，所述超声换能单元还包括第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述第二电极背离所述衬底的一侧，且所述第三钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二电极在所述衬底上的正投影。
9.一种超声换能器件，包括多个如权利要求1至8任一项所述的超声换能单元；
显示面板，用于向所述超声换能单元提供入射光线；
驱动电路，用于向所述超声换能单元提供驱动信号；
供电电路，用于向所述超声换能单元提供电源信号，所述电源信号包括直流电源信号和交流电源信号。
10.一种超声换能单元的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
提供第一电极，设置在所述衬底的一侧；
提供第二电极，设置在所述第一电极背离所述衬底的一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间存在空腔；
提供感光层，设置在所述第一电极靠近所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠，或者设置在所述第二电极背离所述衬底一侧的表面，且所述感光层在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310003044.9A CN115921259A (zh) | 2023-01-03 | 2023-01-03 | 一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310003044.9A CN115921259A (zh) | 2023-01-03 | 2023-01-03 | 一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115921259A true CN115921259A (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=86552361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310003044.9A Pending CN115921259A (zh) | 2023-01-03 | 2023-01-03 | 一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115921259A (zh) |
Citations (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0383972A1 (de) * | 1989-02-22 | 1990-08-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Ultraschall-Array mit trapezförmigen Schwingerelementen sowie Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
| DE60010540D1 (de) * | 1999-02-05 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vielfarbige emissions-dispersionsartige elektrolumineszierende Lampe |
| US20060004289A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Wei-Cheng Tian | High sensitivity capacitive micromachined ultrasound transducer |
| US20070299345A1 (en) * | 2004-10-27 | 2007-12-27 | Hideo Adachi | Capacitive Ultrasonic Transducer and Endo Cavity Ultrasonic Diagnosis System Using the Same |
| US20090301199A1 (en) * | 2005-09-05 | 2009-12-10 | Takashi Azuma | Ultrasonographic device |
| US20100110839A1 (en) * | 2008-04-28 | 2010-05-06 | Tsinghua University | Thermoacoustic device |
| WO2012085333A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Sensor and a sensor system |
| CN103889603A (zh) * | 2011-10-20 | 2014-06-25 | 佳能株式会社 | 除尘装置和成像装置 |
| CN104117477A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 佳能株式会社 | 电容变换器及其制造方法、探测器以及对象信息获取装置 |
| WO2015044827A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer assembly and method for transmitting and receiving ultrasound waves |
| CN205199868U (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 华南理工大学 | 柔性化电容式微加工超声换能器 |
| US20170155034A1 (en) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus using the same |
| CN109092649A (zh) * | 2018-09-05 | 2018-12-28 | 西安交通大学 | 静电-压电混合驱动收发一体化cmut及其使用方法和制备方法 |
| CN110100294A (zh) * | 2016-12-22 | 2019-08-06 | 皇家飞利浦有限公司 | 电容式射频微机电开关的系统和操作方法 |
| US20190328354A1 (en) * | 2017-01-10 | 2019-10-31 | The Regents Of The University Of California | Stretchable ultrasonic transducer devices |
| WO2020240104A1 (fr) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | Aer | Transducteur electroacoustique capacitif ultrasonore miniaturise fonctionnant a haute tension |
| CN112138972A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种声波换能单元及其制备方法、声波换能器 |
| KR102253210B1 (ko) * | 2020-08-06 | 2021-05-18 | 한국과학기술원 | 전하 포획층을 가지는 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서 및 이의 제조 방법 |
| US20210337316A1 (en) * | 2018-09-07 | 2021-10-28 | Graphaudio Inc. | Transparent electrostatic transducers |
| EP3911240A1 (en) * | 2019-01-15 | 2021-11-24 | Koninklijke Philips N.V. | Intravascular ultrasound device |
| US20220175340A1 (en) * | 2019-04-18 | 2022-06-09 | The Regents Of The University Of California | System and method for continuous non-invasive ultrasonic monitoring of blood vessels and central organs |
| CN115432662A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-12-06 | 复旦大学 | 中心支撑底电极的微机械超声换能器 |
-
2023
- 2023-01-03 CN CN202310003044.9A patent/CN115921259A/zh active Pending
Patent Citations (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0383972A1 (de) * | 1989-02-22 | 1990-08-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Ultraschall-Array mit trapezförmigen Schwingerelementen sowie Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
| DE60010540D1 (de) * | 1999-02-05 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vielfarbige emissions-dispersionsartige elektrolumineszierende Lampe |
| US20060004289A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Wei-Cheng Tian | High sensitivity capacitive micromachined ultrasound transducer |
| US20070299345A1 (en) * | 2004-10-27 | 2007-12-27 | Hideo Adachi | Capacitive Ultrasonic Transducer and Endo Cavity Ultrasonic Diagnosis System Using the Same |
| US20090301199A1 (en) * | 2005-09-05 | 2009-12-10 | Takashi Azuma | Ultrasonographic device |
| US20100110839A1 (en) * | 2008-04-28 | 2010-05-06 | Tsinghua University | Thermoacoustic device |
| WO2012085333A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Sensor and a sensor system |
| CN103889603A (zh) * | 2011-10-20 | 2014-06-25 | 佳能株式会社 | 除尘装置和成像装置 |
| CN104117477A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 佳能株式会社 | 电容变换器及其制造方法、探测器以及对象信息获取装置 |
| WO2015044827A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer assembly and method for transmitting and receiving ultrasound waves |
| US20170155034A1 (en) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus using the same |
| CN205199868U (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 华南理工大学 | 柔性化电容式微加工超声换能器 |
| CN110100294A (zh) * | 2016-12-22 | 2019-08-06 | 皇家飞利浦有限公司 | 电容式射频微机电开关的系统和操作方法 |
| US20190328354A1 (en) * | 2017-01-10 | 2019-10-31 | The Regents Of The University Of California | Stretchable ultrasonic transducer devices |
| CN109092649A (zh) * | 2018-09-05 | 2018-12-28 | 西安交通大学 | 静电-压电混合驱动收发一体化cmut及其使用方法和制备方法 |
| US20210337316A1 (en) * | 2018-09-07 | 2021-10-28 | Graphaudio Inc. | Transparent electrostatic transducers |
| EP3911240A1 (en) * | 2019-01-15 | 2021-11-24 | Koninklijke Philips N.V. | Intravascular ultrasound device |
| US20220175340A1 (en) * | 2019-04-18 | 2022-06-09 | The Regents Of The University Of California | System and method for continuous non-invasive ultrasonic monitoring of blood vessels and central organs |
| WO2020240104A1 (fr) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | Aer | Transducteur electroacoustique capacitif ultrasonore miniaturise fonctionnant a haute tension |
| KR102253210B1 (ko) * | 2020-08-06 | 2021-05-18 | 한국과학기술원 | 전하 포획층을 가지는 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서 및 이의 제조 방법 |
| CN112138972A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种声波换能单元及其制备方法、声波换能器 |
| CN115432662A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-12-06 | 复旦大学 | 中心支撑底电极的微机械超声换能器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 张小凤, 尚志远: "静电式超声检测换能器的设计", 陕西师范大学学报(自然科学版), no. 04, 5 December 2001 (2001-12-05) * |
| 陈科;陈亚扣;郑红梅;: "多层PVDF压电薄膜输出电压研究", 电子测量与仪器学报, no. 01, 15 January 2018 (2018-01-15) * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI305473B (en) | Capacitive vibration sensor, microphone, acoustic transducer, and manufacturing method thereof | |
| US8114697B2 (en) | Piezoelectric microphone, speaker, microphone-speaker integrated device and manufacturing method thereof | |
| WO2019228198A1 (zh) | 超声波传感器及其制作方法、显示装置 | |
| CN108871389B (zh) | 超声波传感单元及制作方法、超声波传感器及显示装置 | |
| CN110227640A (zh) | 压电传感器组件及其制作方法以及显示面板 | |
| CN110149582A (zh) | 一种mems结构的制备方法 | |
| CN110113700A (zh) | 一种mems结构 | |
| KR20130022083A (ko) | 초음파 변환기 및 그 제조 방법 | |
| US8803260B2 (en) | Low frequency CMUT with vent holes | |
| TWI455471B (zh) | 振動發電裝置及其製造方法 | |
| Midtbo et al. | Fabrication and characterization of CMUTs realized by wafer bonding | |
| CN115921259A (zh) | 一种超声换能单元及其制备方法、超声换能器件 | |
| JPS61220600A (ja) | 超音波センサ | |
| CN102553091A (zh) | 超声波换能器探头 | |
| CN209608857U (zh) | 一种mems结构 | |
| US11376628B2 (en) | Capacitive device and piezoelectric device | |
| CN114112010A (zh) | 一种用于超低频水下声学信号检测的声学测量单元及装置 | |
| JPS61220596A (ja) | 超音波トランスジユ−サ | |
| JP6144752B2 (ja) | 高周波数ｃｍｕｔ | |
| WO2024027730A1 (zh) | 基底同侧设置有双pmut的微机械超声换能器结构及其制造方法 | |
| WO2021253444A1 (zh) | 超声换能器制备方法、超声换能器以及信息采集元件 | |
| Ren et al. | Micromachined piezoelectric acoustic device | |
| CN113286222B (zh) | Mems芯片、耳机和电子设备 | |
| JP2021007117A (ja) | 圧電トランスデューサ及び圧電モジュール | |
| JP2007208544A (ja) | 音響センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |