CN115885370A - 密封构造、基板处理装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

密封构造是对被加热器加热的第一部件和与第一部件对置地配置的第二部件之间进行密封的密封构造，该密封构造具有：金属板，其与第一部件接触地配置；树脂制的密封材料，其与金属板和第二部件接触地配置，通过金属板和密封材料对第一部件与第二部件之间进行密封。

Description

密封构造、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本公开涉及密封构造、基板处理装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
在形成闪存等半导体装置的图案时，作为制造工序的一工序，有时实施对基板进行氧化处理、氮化处理等规定的处理的工序。
例如，在日本特开2014-75579号公报中公开了使用等离子体激发后的处理气体对形成在基板上的图案表面进行改性处理。在处理室的上部设置有气体供给部，构成为能够向处理室内供给反应气体。
发明内容
发明要解决的课题
在基板处理装置中，有时设置有用于防止处理装置内的气体的混合、气体的泄漏等的密封构造。但是，从设置于基板处理装置的加热器放出的热较多地传递至密封构造的密封材料，从密封材料的耐热性的观点出发是不优选的。
本公开的目的在于，抑制加热器的热引起的密封材料的加热。
用于解决课题的手段
根据本公开的一方式，提供一种密封构造，其对被加热器加热的第一部件和与所述第一部件对置地配置的第二部件之间进行密封，该密封构造具有：散热用的金属板，其与所述第一部件接触地配置；树脂制的密封材料，其与所述金属板和所述第二部件接触地配置，通过所述金属板和所述密封材料对所述第一部件与所述第二部件之间进行密封。
发明效果
根据本公开，能够抑制加热器的热引起的密封材料的加热。
附图说明
图1是本公开的一实施方式的基板处理装置的概略剖视图。
图2是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的控制部(控制单元)的结构的图。
图3是表示本公开的一实施方式的基板处理工序的流程图。
图4是表示本公开的一实施方式的密封构造的放大剖视图。
图5是表示本公开的一实施方式的密封构造的变形例的放大剖视图。
具体实施方式
以下，根据附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中使用相同的附图标记表示的结构要素是指相同或同样的结构要素。此外，在以下说明的实施方式中，有时省略重复的说明以及附图标记。另外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
(1)基板处理装置的结构
以下，使用图1对本公开的第一实施方式的基板处理装置进行说明。本实施方式的基板处理装置100构成为主要对形成在基板面上的膜进行例如氧化处理。基板处理装置100具有：处理室201、加热器、作为第一部件的板1004、歧管1006以及密封构造1000。
加热器构成为对处理室201内进行加热。加热器例如是后述的灯加热器1002和设置于基座217的加热器217b。加热器217b例如是通过加热器217b自身的电阻而发热的电阻加热器。
板1004是构成后述的第一气体供给部和第二气体供给部的部位。该板1004例如设置在灯加热器1002与作为基板的晶片200的处理室201之间，是使来自灯加热器1002的辐射热透过到处理室201内的部件。板1004的至少一部分例如由作为非金属的透明材料的石英(透明石英)构成。
歧管1006与板1004对置地配置。板1004和歧管1006彼此非接触地配置。由此，在板1004为石英部件，且歧管1006为金属部件的情况下，能够防止因两者的接触使得板1004破损的情况。
密封构造1000是将板1004与歧管1006之间密封的构造。
(处理室)
基板处理装置100具有使用等离子体对作为基板的晶片200进行处理的处理炉202。在处理炉202中设置有构成处理室201的处理容器203。处理容器203具有作为第一容器的圆顶型的上侧容器210和作为第二容器的碗型的下侧容器211。上侧容器210覆盖在下侧容器211之上，由此，形成处理室201。上侧容器210例如由氧化铝(Al2O3)或石英(SiO2)等非金属材料形成，下侧容器211例如由铝(Al)形成。
另外，在下侧容器211的下部侧壁设置有闸阀244。闸阀244构成为，在打开时，能够使用搬送机构(未图示)，经由搬入搬出口245向处理室201内搬入晶片200，或向处理室201外搬出晶片200。闸阀244构成为，在关闭时成为保持处理室201内的气密性的切断阀。
处理室201具有在周围设置有谐振线圈212的等离子体生成空间201a和与等离子体生成空间201a连通且对晶片200进行处理的基板处理空间201b。等离子体生成空间201a是生成等离子体的空间，是指处理室内的、比谐振线圈212的下端更靠上方且比谐振线圈212的上端更靠下方的空间。另一方面，基板处理空间201b是使用等离子体对基板进行处理的空间，是指比谐振线圈212的下端更靠下方的空间。在本实施方式中，构成为等离子体生成空间201a与基板处理空间201b的水平方向的直径大致相同。
(基座)
在处理室201的底侧中央配置有构成载置晶片200的基板载置部(基板载置台)的基座217。基座217例如由氮化铝(AlN)、陶瓷、石英等非金属材料形成。
在基座217的内部一体地埋入有作为加热机构的加热器217b。加热器217b构成为，当被供给电力时，能够将晶片200表面加热至例如25℃～750℃左右。
基座217与下侧容器211电绝缘。阻抗调整电极217c被设置在基座217内部，经由作为阻抗调整部的阻抗可变机构275接地。阻抗可变机构275由线圈、可变电容器构成，构成为通过控制线圈的电感和电阻以及可变电容器的电容值，能够使阻抗变化。由此，能够经由阻抗调整电极217c和基座217来控制晶片200的电位(偏置电压)。此外，在本实施方式中，能够任意地选择是进行还是不进行使用了阻抗调整电极217c的偏置电压控制。
在基座217设置有具有使基座升降的驱动机构的基座升降机构268。另外，在基座217设置有贯通孔217a，并且在下侧容器211的底面设置有晶片顶起销266。贯通孔217a和晶片顶起销266在相互对置的位置至少各设置有3处。在通过基座升降机构268使基座217下降时，晶片顶起销266构成为穿过贯通孔217a。
主要由基座217及加热器217b、电极217c构成本实施方式的基板载置部。
(第一气体供给部)
以下，将从第一气体供给部供给的气体称为第一气体。在处理室201的中央上方设置有板1004。如图4所示，在板1004的周缘，与板1004在上下方向上对置地配置有歧管1006。
如图4所示，板1004载置于处理容器203的上方的开口部203a的端缘203b。具体而言，在板1004的周缘形成有凸缘部1004f，该凸缘部1004f卡定于端缘203b，由此，将板1004载置于端缘203b。板1004中的除了凸缘部1004f以外的主要部分以堵塞开口部203a的方式配置。
歧管1006安装在处理容器203之上。歧管1006与处理容器203之间由O环1014密封。在歧管1006的上方设置有例如由透明石英构成的盖部1012。歧管1006与盖部1012之间由O环1016密封。在盖部1012之上设置有灯加热器1002。来自灯加热器1002的辐射热通过盖部1012及板1004到达处理室201内。
板1004由灯加热器1002和加热器217b加热。另外，也存在因来自接触的处理容器203的热传导等而间接地被加热的情况。另外，还存在因由后述的等离子体生成部生成的等离子体而被加热的情况。
由板1004的凸缘部1004f、处理容器203、歧管1006和后述的金属板1008划分出被供给第一气体的第一缓冲空间1018。第一缓冲空间1018在板1004的周围形成为环状。在基板处理时，第一缓冲空间1018成为减压后的空间。通过形成于歧管1006的气体导入路1020向第一缓冲空间1018供给第一气体。另外，在板1004形成有第一气体吹出孔1022，能够通过第一气体吹出孔1022从第一缓冲空间1018向处理室201内供给第一气体。
供给含氧气体的含氧气体供给管232a的下游端、供给含氢气体的含氢气体供给管232b的下游端、供给非活性气体的非活性气体供给管232c以合流的方式与气体导入路1020连接。在含氧气体供给管232a设置有含氧气体供给源250a、作为流量控制装置的质量流量控制器(MFC)252a、作为开闭阀的阀253a。在含氢气体供给管232b设置有含氢气体供给源250b、MFC252b、阀253b。在非活性气体供给管232c设置有非活性气体供给源250c、MFC252c、阀253c。在含氧气体供给管232a、含氢气体供给管232b和非活性气体供给管232c合流的下游侧设置有阀243a，与气体导入路1020的上游端连接。构成为，使阀253a、253b、253c、243a开闭，利用MFC252a、252b、252c调整各自的气体的流量，并且能够经由含氧气体供给管232a、含氢气体供给管232b、非活性气体供给管232c向处理室201内供给含氧气体、含氢气体、非活性气体等处理气体。
主要由第一气体吹出孔1022、含氧气体供给管232a、含氢气体供给管232b、非活性气体供给管232c、MFC252a、252b、252c、阀253a、253b、253c、243a构成本实施方式的第一气体供给部(第一气体供给系统)。第一气体供给部构成为向处理室201内供给作为含有氧的氧化种源的气体。
(第二气体供给部)
以下，将从第二气体供给部供给的气体称为第二气体。如图1所示，由盖部1012、板1004、歧管1006和后述的金属板1008(图4)划分出被供给第二气体的第二缓冲空间1028。在基板处理时，第二缓冲空间1028为减压后的空间。通过形成于歧管1006的气体导入路1030向第二缓冲空间1028供给第二气体。在板1004的中央部形成有第二气体吹出口1004a，能够通过第二气体吹出口1004a从第二缓冲空间1028向处理室201内供给第二气体。
供给含氧气体的含氧气体供给管232d的下游端、供给含氢气体的含氢气体供给管232e的下游端、供给非活性气体的非活性气体供给管232f以合流的方式与气体导入路1030连接。在含氧气体供给管232d设置有含氧气体供给源250d、MFC252d、阀253d。在含氢气体供给管232e设置有含氢气体供给源250e、MFC252e、阀253e。在非活性气体供给管232f设置有非活性气体供给源250f、MFC252f、阀253f。在含氧气体供给管232d、含氢气体供给管232e、非活性气体供给管232f合流的下游侧设置有阀243c，与气体导入路1030的上游端连接。构成为，使阀253d、253e、253f、243c开闭，利用MFC252d、252e、252f调整各自的气体的流量，并且经由含氧气体供给管232d、含氢气体供给管232e、非活性气体供给管232f，向处理室201内供给含氧气体、含氢气体、非活性气体等处理气体。
主要由第二气体吹出口1004a、含氧气体供给管232d、含氢气体供给管232e、非活性气体供给管232f、MFC252d、252e、252f、阀253d、253e、253f、243c构成本实施方式的第二气体供给部(第二气体供给系统)。第二气体供给部构成为向处理室201内供给用于调整含有氢的氢浓度的氢浓度调整气体。
第二气体供给部构成为向沿着处理室201的内壁的等离子体生成空间201a(后述)内的第一区域即外周区域供给第二气体。另外，第一气体供给部构成为向被外周区域包围的区域，即等离子体生成空间201a内的第二区域即中央区域供给第一气体。
根据第一气体供给部和第二气体供给部，能够分别对第一气体和第二气体调整含氧气体与含氢气体的混合比(流量比)和其总流量。因此，能够调整向处理室201内的外周区域和中央区域的各区域供给的含氧气体与含氢气体的混合比和其总流量。
(排气部)
在下侧容器211的侧壁设置有从处理室201内排出反应气体等的气体排气口235。气体排气口235与气体排气管231的上游端连接。在气体排气管231设置有作为压力调整器的APC(Auto Pressure Controller，自动压力控制器)阀24b、作为开闭阀的阀243b、作为真空排气装置的真空泵246。
主要由气体排气口235、气体排气管231、APC阀242、阀243b构成本实施方式的排气部。另外，也可以将真空泵246包含于排气部。
(等离子体生成部)
在处理室201的外周部，即上侧容器210的侧壁的外侧，以包围处理室201的方式设置有作为高频电极的螺旋状的谐振线圈212。谐振线圈212与RF传感器272、高频电源273、进行高频电源273的阻抗和输出频率的匹配的匹配器274连接。
高频电源273向谐振线圈212供给高频电力(RF电力)。RF传感器272被设置在高频电源273的输出侧，监视所供给的高频的行波和反射波的信息。将由RF传感器272监视的反射波电力输入到匹配器274，匹配器274根据从RF传感器272输入的反射波的信息，控制高频电源273的阻抗和所输出的高频电力的频率，以使反射波为最小。
谐振线圈212为了形成规定的波长的驻波，以在一定的波长下谐振的方式设定卷径、卷绕间距、匝数。即，谐振线圈212的电长度设定为与从高频电源273供给的高频电力的规定频率下的1波长的整数倍相当的长度。
具体而言，考虑所施加的电力、所产生的磁场强度或所应用的装置的外形等，谐振线圈212例如被施加800kHz～50MHz、0.1～5KW的高频电力，设为200～500mm的线圈直径，在等离子体生成空间201a的外周侧卷绕2～60圈左右。此外，本说明书中的“800kHz～50MHz”这样的数值范围的表述意味着下限值和上限值包含在该范围内。例如，“800kHz～50MHz”是指“800kHz以上且50MHz以下”。对于其他数值范围也是同样的。
遮蔽板223是为了遮蔽谐振线圈212的外侧的电场而设置的。
主要由谐振线圈212、RF传感器272、匹配器274构成本实施方式的等离子体生成部。此外，作为等离子体生成部也可以包含高频电源273。
根据该结构，向谐振线圈212供给高频电力，由此，在谐振线圈212附近且沿着处理室201的内周的区域生成有环状的等离子体。即，该环状的等离子体在处理室201内的外周区域内生成。特别是在本实施方式中，在谐振线圈212的电中点所处的高度，即谐振线圈212的上端与下端的中间高度位置生成该环状的等离子体。
(密封构造)
在图4中，密封构造1000是将板1004(第一部件)与歧管1006(第二部件)之间密封的构造，具有金属板1008和树脂制的作为密封材料的O环1010。通过该金属板1008和O环1010，对板1004与歧管1006之间进行密封。板1004的凸缘部1004f也是与金属板1008接触的接触部。歧管1006例如是金属部件。
此外，作为形成O环1010的树脂材料，例示硅橡胶、氟橡胶等橡胶材料，但不限于橡胶材料，也能够使用作为密封材料发挥功能的具有弹性的其他树脂材料。另外，在本方式中，使用O环作为密封材料，但只要是作为密封材料发挥功能的形状，不限于环形状，也可以是板状、棒状等其他形状。
金属板1008形成为环状，在远离O环1010的位置与歧管1006接触而被固定。具体而言，例如通过金属制的螺栓1024固定于歧管1006。螺栓1024的中心部为了能够进行螺纹孔内的抽真空而沿轴向贯通。在图示的例子中，在金属板1008与歧管1006之间配置有密封间隔件1026。该情况下，金属板1008与歧管1006也经由螺栓1024接触。金属板1008、歧管1006以及螺栓1024都是金属部件，因此，金属板1008的热经由螺栓1024传递到歧管1006。另外，金属板1008在远离O环1010的位置与歧管1006接触而被固定，因此，能够防止O环1010因从金属板1008传递到歧管1006的热而被加热。
为了防止板1004为石英部件的情况下的破损，优选金属板1008薄。具体而言，金属板1008的厚度例如是0.1～1.0mm的范围的规定值。在金属板1008的厚度小于0.1mm的情况下，因与板1004、螺栓1024的接触，金属板1008自身破损的可能性提高，并且难以使热向歧管1006以及螺栓1024传导来抑制O环1010的温度上升。通过设为0.1mm以上，能够防止金属板1008自身破损，并且能够抑制O环1010的温度上升。在金属板1008的厚度超过1.0mm的情况下，金属板1008的弹性变小，因此，可能使所接触的石英部件即板1004破损。通过设为1.0mm以下，能够维持金属板1008的弹性，抑制板1004的破损。另外，金属板1008也可以由铝、镍合金、不锈钢中的至少任一个形成。
此外，也可以省略密封间隔件1026。该情况下，金属板1008与歧管1006直接面状地接触，因此，金属板1008的热容易传递到歧管1006。
O环1010在未设置金属板1008的情况下，主要因(a)从灯加热器1002及加热器217b中的至少任一个放射并透过板1004及处理容器203中的至少任一个的辐射热、(b)从被加热的板1004及处理容器203中的至少任一个放射的辐射热、(c)从与被加热的板1004的接触面传递的传导热等而被加热。
金属板1008被配置在加热器217b与O环1010之间，被配置成遮蔽O环1010不受从下方朝向O环1010直接或间接地放射的加热器217b的辐射热的影响。另外，金属板1008被配置为对于O环1010遮蔽从灯加热器1002(图1)朝向O环1010直接或间接地放射的辐射热。即，金属板1008被配置为遮蔽O环不受上述的热源(a)及(b)的影响。
歧管1006由冷却机构进行冷却。具体而言，在歧管1006设置有作为冷却机构的制冷剂流路1032，通过使制冷剂在制冷剂流路1032中流动，能够除去歧管1006的热。因此，金属板1008的热经由歧管1006被高效地除去。即，金属板1008被配置为将O环1010绝缘不受上述的热源(c)的影响。
此外，如图5所示，板1004例如也可以组合内周部1004b和外周部1004c而构成。内周部1004b例如是由透明石英构成的透明部。外周部1004c形成为筒状或环状，以卡定于处理容器203的开口部203a的端缘203b的方式载置。内周部1004b形成为圆板状，与外周部1004c的台阶部1004d接触地配置。外周部1004c也是与金属板1008接触的接触部。
另外，外周部1004c是由妨碍灯加热器1002的辐射热的透过的不透明材料，例如不透明石英构成的不透明部。通过由不透明材料构成作为接触部的外周部1004c，能够降低透过外周部1004c到达金属板1008、O环1010、歧管1006的辐射热。另外，通过使不透明部与金属板1008接触，能够防止O环1010因被辐射热加热的不透明部而被加热。
(控制部)
作为控制部的控制器221构成为能够通过信号线A控制APC阀242、阀243b及真空泵246，通过信号线B控制基座升降机构268，通过信号线C控制加热器电力调整机构276及阻抗可变机构275，通过信号线D控制闸阀244，通过信号线E控制RF传感器272、高频电源273及匹配器274，通过信号线F控制MFC252a～252f及阀253a～253f、243a、243c。
如图2所示，作为控制部(控制单元)的控制器221构成为具有CPU(CentralProcessing Unit，中央处理器)221a、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)221b、存储装置221c、I/O端口221d的计算机。RAM221b、存储装置221c、I/O端口221d构成为经由内部总线221e能够与CPU221a进行数据交换。控制器221与例如构成为触摸面板、显示器等的输入输出装置222连接。
存储装置221c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等构成。在存储装置221c内以能够读出的方式储存有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载了后述的基板处理的过程、条件等的程序制程等。工艺制程是以使控制器221执行后述的基板处理工序中的各过程而能够获得规定的结果的方式组合而成的，并作为程序发挥功能。以下，也将该程序制程、控制程序等统一简称为程序。此外，在本说明书中使用程序这样的用语的情况下，有时仅包含程序制程单体，有时仅包含控制程序单体，或者有时包含这两者。另外，RAM221b构成为暂时保持由CPU221a读出的程序、数据等的存储器区域(工作区)。
I/O端口221d与上述的MFC252a～252f、阀253a～253f、243a、243b、243c、闸阀244、APC阀242、真空泵246、RF传感器272、高频电源273、匹配器274、基座升降机构268、阻抗可变机构275、加热器电力调整机构276等连接。
CPU221a构成为读出并执行来自存储装置221c的控制程序，并且根据来自输入输出装置222的操作命令的输入等从存储装置221c读出工艺制程。并且，CPU221a构成为，按照所读出的工艺制程的内容，通过I/O端口221d及信号线A控制APC阀242的开度调整动作、阀243b的开闭动作及真空泵246的起动和停止，通过信号线B控制基座升降机构268的升降动作，通过信号线C控制基于加热器电力调整机构276的向加热器217b的供给电力量调整动作、基于阻抗可变机构275的阻抗值调整动作，通过信号线D控制闸阀244的开闭动作，通过信号线E控制RF传感器272、匹配器274及高频电源273的动作，通过信号线F控制基于MFC252a～252f的各种气体的流量调整动作及阀253a～253f、243a、243c的开闭动作等。
控制器221能够通过将储存在外部存储装置(例如，磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)223的上述的程序安装于计算机而构成。存储装置221c、外部存储装置223构成为计算机可读取的记录介质。以下，也将它们统一简称为记录介质。在本说明书中，在使用了记录介质这样的用语的情况下，有时仅包含存储装置221c单体，有时仅包含外部存储装置223单体，或者有时包含这两者。此外，向计算机提供程序也可以不使用外部存储装置223，而使用因特网、专用线路等通信手段来进行。
(半导体装置的制造方法)
半导体装置的制造方法具有向基板处理装置100的处理室201搬入基板的工序(例如图3的基板搬入工序S110)和利用作为加热器的灯加热器1002等对晶片200进行加热的工序(例如图3的升温和真空排气工序S120)。
基板处理装置100具有：处理晶片200的处理室201、构成为对处理室201内进行加热的作为灯的灯加热器1002、被灯加热器1002加热的作为第一部件的板1004、与板1004对置地配置的歧管1006、以及将板1000与歧管1006之间密封的密封构造1000。密封构造1000具有：与板1000接触地配置的散热用的金属板1008、以及与金属板1008和歧管1006接触地配置的树脂制的作为密封材料的O环1010，板1000与歧管1006之间由金属板1008和O环1010密封。
(2)基板处理工序
接着，关于本实施方式的基板处理工序，使用上述的基板处理装置100，作为例如闪存等半导体器件的制造工序的一工序，对将形成于晶片200的表面的膜氧化而形成氧化膜的方法的例子进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置100的各部的动作由控制器221控制。
(基板搬入工序S110)
首先，将上述晶片200搬入并收容于处理室201内。具体而言，基座升降机构268使基座217下降至晶片200的搬送位置。其结果是，晶片顶起销266为从贯通孔217a突出比基座217表面高出规定的高度的量的状态。
接着，打开闸阀244，使用晶片搬送机构(未图示)从与处理室201相邻的真空搬送室向处理室201内搬入晶片200。所搬入的晶片200以水平姿势被支承在晶片顶起销266上。在将晶片200搬入到处理室201内后，关闭闸阀244而将处理室201内密闭。并且，基座升降机构268使基座217上升，由此，晶片200被支承在基座217的上表面。
(升温和真空排气工序S120)
接着，进行搬入到处理室201内的晶片200的升温。加热器217b被预先加热，通过在埋入有加热器217b的基座217上保持晶片200，将晶片200加热到例如150～750℃的范围内的规定值。另外，处理室201也被灯加热器1002加热。另外，在进行晶片200的升温的期间，利用真空泵246经由气体排气管231对处理室201内进行真空排气，将处理室201内的压力设为规定的值。真空泵246至少在后述的基板搬出工序S160结束之前进行工作。
此时，如图4所示，通过密封构造1000中的金属板1008和O环1010，将板1004与歧管1006之间密封。因此，在由灯加热器1002等加热器加热的板1004与O环1010之间配置有金属板1008，因此，能够遮蔽从加热器及板1004向O环1010的辐射热，能够抑制O环1010的温度上升和与此相伴的劣化。
另外，金属板1008形成为环状，在远离O环1010的位置与歧管1006接触而被固定。因此，能够使金属板1008的热传导到歧管1006，抑制金属板1006的温度上升。
并且，歧管1006由冷却机构进行冷却。因此，能够对与歧管1006接触的O环1010和金属板1008进行冷却，抑制O环1010的温度上升。
另外，密封构造100能够在对第一缓冲空间1018和第二缓冲空间1028进行了减压的情况下适当地使用。即使是在通过使用金属板1008而能够密封的压力降低的情况下，通过将第一缓冲空间1018和第二缓冲空间1028设为减压(真空)空间，也能够防止第一缓冲空间1018与第二缓冲空间1028之间的气体的泄漏，维持分离。
(反应气体供给工序S130)
接着，开始从第一气体供给部向处理室201的外周区域供给含氧气体和含氢气体的混合气体作为第一气体，该第一气体是含有氧的氧化种源气体。具体而言，打开阀253a和阀253b，一边利用MFC252a和MFC252b进行流量控制，一边开始经由气体吹出口239向处理室201内供给第一气体。
作为含氧气体，例如能够使用氧(O2)气、一氧化二氮(N2O)气体、一氧化氮(NO)气体、二氧化氮(NO2)气体、臭氧(O3)气体、水蒸气(H2O气体)、一氧化碳(CO)气体、二氧化碳(CO2)气体等。作为含氧气体能够使用它们中的1种以上。另外，作为含氢气体，例如能够使用氢(H2)气、氘(D2)气体、H2O气体、氨(NH3)气等。作为含氢气体能够使用它们中的1种以上。此外，在使用H2O气体作为含氧气体的情况下，优选使用H2O气体以外的气体作为含氢气体，在使用H2O气体作为含氢气体的情况下，优选使用H2O气体以外的气体作为含氧气体。作为非活性气体，例如能够使用氮(N2)气，此外，能够使用氩(Ar)气体、氦(He)气体、氖(Ne)气体、氙(Xe)气体等稀有气体。作为非活性气体能够使用它们中的1种以上。
通过利用MFC252a和MFC252b进行流量控制，调整第一气体的总流量和第一气体的组成(特别是氢的含有率)中的至少一者。在本实施方式中，通过改变含氢气体与含氧气体的混合比(流量比)，能够容易地调整第一气体的组成。
此时，将第一气体的总流量设为例如1000～10000ccm，将第一气体中的含氧气体的流量设为例如20～4000sccm的范围内的规定值。另外，将第一气体中的含氢气体的流量设为例如20～1000sccm的范围内的规定值。第一气体中所含的含氢气体与含氧气体的含有比率设为0：100～95：5的范围的规定值。
优选对处理室201的外周区域，即在后述的等离子体处理工序S140中形成的生成环状的等离子体的区域直接供给第一气体。
同时，开始从第二气体供给部向处理室201的中央区域供给作为氢浓度调整气体即第二气体的含氧气体与含氢气体的混合气体。具体而言，打开阀253d和阀253e，一边利用MFC252d和MFC252e进行流量控制，一边开始经由设置于气体供给环300的气体吹出孔303向处理室201内供给第二气体。
通过利用MFC252d和MFC252e进行流量控制，调整第二气体的总流量和第二气体的组成(特别是氢的含有率)中的至少一者。与第一气体同样地，通过改变含氢气体与含氧气体的混合比，能够容易地调整第二气体的组成。
此时，使第二气体的总流量与第一气体的总流量同等或为其以下，例如设为100～5000sccm，将第二气体中的含氧气体的流量设为例如0～5000sccm的范围内的规定值。另外，将第二气体中的含氢气体的流量设为例如0～5000sccm的范围内的规定值。在本实施方式中，将第二气体中所含的含氢气体的比率(即第一气体的氢含有率)设为0～100％的范围内的规定值。第二气体的总流量优选与第一气体同等或为其以下。
(氢的浓度分布控制)
在本工序中，针对第一气体、第二气体的每一个，控制流量和氢含有率中的至少一方，由此，能够控制处理室201内的氢浓度分布。氢浓度分布被控制为使后述的等离子体处理工序中的氧化种的密度分布成为所期望的密度分布。第二气体的氢含有率优选调整为与第一气体的氢含有率不同。通过使用氢含有率与第一气体不同的第二气体，分别控制第一气体和第二气体的流量，容易调整处理室201内的氢浓度分布。
调整APC阀242的开度来控制处理室201内的排气，以使处理室201内的压力为例如5～260Pa的范围内的规定压力。这样，适度地对处理室201内进行排气，并且继续供给第一气体和第二气体直到后述的等离子体处理工序S140结束为止。
(等离子体处理工序S140)
若处理室201内的压力稳定，则开始从高频电源273对谐振线圈212施加高频电力。由此，在被供给了第一气体的等离子体生成空间201a内形成高频电磁场，通过该电磁场，在等离子体生成空间的与谐振线圈212的电中点相当的高度位置激发具有最高的等离子体密度的环状的感应等离子体。等离子体状的第一气体解离，生成包含O的O自由基、羟基自由基(OH自由基)等氧自由基、原子状氧(O)、O3、氧离子等氧化种。
在本工序中，向以第二等离子体密度生成等离子体的区域即等离子体生成区域供给第一气体。在本实施方式中，对接近谐振线圈212的处理室201内的外周区域内，且激发环状的等离子体的区域即等离子体生成区域供给第一气体，主要通过对第一气体进行等离子体激发来生成上述的氧化种。
另一方面，在本工序中，向以比第一等离子体密度低的第二等离子体密度生成等离子体的区域、或者不生成等离子体的区域(第二等离子体密度实质上为0的区域)即等离子体非生成区域供给第二气体。即，向等离子体的密度与第一气体不同的区域供给第二气体。在本实施方式中，特别是向在环状的等离子体的内侧形成的等离子体非生成区域供给第二气体。
(氧化种的密度分布控制)
在此，由等离子体生成的氧化种与气氛中的氢反应时，失去或降低作为其氧化种的能力(氧化能力)(即失活)。因此，根据存在氧化种的气氛中的氢浓度，该气氛中的氧化种的密度(浓度)的衰减速度(衰减量)变化。氢浓度越高，氧化种的衰减量越增大，氢浓度越低，氧化种的衰减量越降低。
在本实施方式中，在等离子体生成区域生成的氧化种在等离子体非生成区域中扩散时，与等离子体非生成区域中的氢反应而逐渐失活。因此，在等离子体非生成区域中扩散的氧化种的密度能够根据该区域内的氢浓度来调整其衰减量。即，等离子体非生成区域中的氧化种的密度分布能够通过控制该区域内的氢浓度分布来任意调整。
具体而言，在上述的反应气体供给工序中，通过调整主要向等离子体非生成区域供给的第二气体的流量或氢的含有率中的至少任一者，控制该区域内的晶片200的面内方向上的氢浓度分布。并且，通过控制该氢浓度分布，调整在晶片200的上方空间中扩散的氧化种的密度分布。将这样调整了晶片200的面内方向上的密度分布的氧化种供给至晶片200表面。
之后，若经过规定的处理时间，例如10～900秒，则停止来自高频电源273的电力的输出，停止处理室201内的等离子体放电。另外，关闭阀253a、253b、253d、253e，停止向处理室201内供给第一气体和第二气体。通过以上，等离子体处理工序S140结束。
(真空排气工序S150)
若停止第一气体和第二气体的供给，则经由气体排气管231对处理室201内进行真空排气。由此，将处理室201内的含氧气体、含氢气体、通过这些气体的反应而产生的废气等向处理室201外排气。之后，调整APC阀242的开度，将处理室201内的压力调整为与邻接于处理室201的真空搬送室相同的压力。
(基板搬出工序S160)
之后，使基座217下降至晶片200的搬送位置，使晶片200支承在晶片顶起销266上。并且，打开闸阀244，使用晶片搬送机构将晶片200搬出到处理室201外。通过以上，结束本实施方式的基板处理工序。
[其他实施方式]
以上，对本公开的实施方式的一例进行了说明，但本公开的实施方式并不限定于上述内容，除了上述内容以外，当然也能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变形来实施。
2020年9月23日申请的日本专利申请2020-159107号的公开，其整体通过参照被纳入本说明书中。
本说明书中记载的所有文献、专利申请以及技术标准具体且以与分别记载的情况相同的程度在本说明书中通过参照而纳入各个文献、专利申请以及技术标准。

Claims (20)

1.一种密封构造，其对被加热器加热的第一部件和与所述第一部件对置地配置的第二部件之间进行密封，其特征在于，
所述密封构造具有：
金属板，其与所述第一部件接触地配置；
树脂制的密封材料，其与所述金属板和所述第二部件接触地配置，
通过所述金属板和所述密封材料对所述第一部件与所述第二部件之间进行密封。
2.根据权利要求1所述的密封构造，其特征在于，
所述金属板在远离所述密封材料的位置与所述第二部件接触而被固定。
3.根据权利要求1或2所述的密封构造，其特征在于，
第二部件由冷却机构进行冷却。
4.根据权利要求1所述的密封构造，其特征在于，
金属板被配置为遮蔽从所述加热器向所述密封材料的辐射热。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述加热器包含灯加热器。
6.根据权利要求5所述的密封构造，其特征在于，
所述加热器包含电阻加热器。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述第一部件被设置在所述加热器与基板的处理室之间，由使来自所述加热器的辐射热透过到处理室内的板构成。
8.根据权利要求7所述的密封构造，其特征在于，
所述第一部件由所述板和与所述金属板接触的接触部构成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述密封构造构成为对形成于所述第一部件的上方且被供给第一气体的第一缓冲空间与形成于第一部件和第二部件之间且被供给第二气体的第二缓冲空间之间进行密封。
10.根据权利要求9所述的密封构造，其特征在于，
所述密封构造构成为对减压后的所述第一缓冲空间与减压后的所述第一缓冲空间之间进行密封。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述第一部件和所述第二部件彼此非接触地配置。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述第二部件由金属构成。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述第一部件由非金属构成。
14.根据权利要求13所述的密封构造，其特征在于，
所述第一部件的至少一部分由透明材料构成。
15.根据权利要求14所述的密封构造，其特征在于，
所述第一部件由透明部和不透明部构成，所述透明部由使所述加热器的辐射热透过的透明材料形成，所述不透明部由妨碍所述加热器的辐射热的透过的不透明材料形成。
16.根据权利要求15所述的密封构造，其特征在于，
所述金属板被配置为与所述不透明部接触。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的密封构造，其特征在于，
所述金属板的厚度为0.1～1.0mm的范围的规定值。
18.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行处理；
加热器，其构成为对所述处理室内进行加热；
第一部件，其被所述加热器加热；
第二部件，其与所述第一部件对置地配置；
密封构造，其对所述第一部件与第二部件之间进行密封，
所述密封构造具有：
金属板，其与所述第一部件接触地配置；
树脂制的密封材料，其与所述金属板和所述第二部件接触地配置，
所述第一部件与所述第二部件之间被所述金属板和所述密封材料密封。
19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
向基板处理装置的处理室搬入基板的工序；
利用加热器对所述基板进行加热的工序，
所述基板处理装置具有：
第一部件，其被所述加热器加热；
第二部件，其与所述第一部件对置地配置；
密封构造，其对所述第一部件与第二部件之间进行密封，
所述密封构造具有：
金属板，其与所述第一部件接触地配置；
树脂制的密封材料，其与所述金属板和所述第二部件接触地配置，
所述第一部件与所述第二部件之间被所述金属板和所述密封材料密封。
20.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述制造方法具有向所述处理室内供给第一气体和第二气体的工序，
所述密封构造构成为对形成于所述第一部件的上方且被供给第一气体的第一缓冲空间与形成于所述第一部件和所述第二部件之间且被供给第二气体的第二缓冲空间之间进行密封。
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JPH05149433A (ja) * 1991-11-25 1993-06-15 Kobe Steel Ltd 半導体製造装置用真空チヤンバのシール構造
US6357385B1 (en) * 1997-01-29 2002-03-19 Tadahiro Ohmi Plasma device
JP2003124206A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2005183645A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP5144990B2 (ja) * 2006-10-13 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

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