CN115884635A - 显示基板、显示模组及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 87
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 11
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开提供一种显示基板、显示模组及显示装置,属于显示技术领域。本公开的显示基板划分显示区和环绕显示区的周边区;周边区包括位于显示区一侧的绑定区;显示基板包括衬底基板;第一导电图案设置在衬底基板的周边区且围绕显示区设置;发光器件的第二电极通过第一连接过孔与第一导电图案电连接;第一连接焊盘和第一扇出走线设置在衬底基板一侧且位于绑定区;第一连接焊盘通过第一扇出走线与第一导电图案电连接,二者连接节点为第一节点;第一导电图案包括连接为一体结构的第一子导电图案和第二子导电图案;第一节点位于第一子导电图案上;第一子导电图案的宽度大于第二子导电图案的宽度,和/或,第一子导电图案的厚度大于第二子导电图案的厚度。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板、显示模组及显示装置。
背景技术
采用硅基衬底的有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有体积小,分辨率高的特点,采用成熟的集成电路CMOS工艺制成,实现了像素的有源寻址,具有TCON、OCP等多种电路,并实现轻量化。广泛应用于近眼显示与虚拟现实、增强现实领域中,特别是AR/VR头戴显示装置中。OLED显示装置中应用于近眼显示设备中,显示面板的固定位置对于用户来说是十分重要的,决定了用户的体验感。目前的硅基基板OLED显示装置应用在AR/VR装置中时,大尺寸硅基板OLED显示装置为了实现高亮的目标,经过阴极和阳极的电流较大,为了确保实现高均一性,需要确保阴极阻抗造成的电流损失较小,同步提升耐电流能力。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板、显示模组及显示装置。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,所述显示基板划分显示区和环绕显示区的周边区;所述周边区包括位于所述显示区一侧的绑定区;所述显示基板包括:
衬底基板;
第一导电图案,设置在所述衬底基板上,位于所述周边区,且围绕显示区设置;
第一层间绝缘层,设置在所述第一导电图案背离所述衬底基板的一侧,且位于所述显示区和所述周边区;
多个发光器件,设置在所述第一层绝缘层背离衬底基板一侧,且位于所述显示区;所述发光器件包括沿背离衬底基板方向依次设置的第一电极、发光层和第二电极;所述第二电极通过贯穿所述第一层间绝缘层的第一连接过孔与所述第一导电图案电连接;
第一连接焊盘和第一扇出走线,设置在所述衬底基板一侧,且位于所述绑定区;所述第一连接焊盘通过第一扇出走线与所述第一导电图案电连接,且二者的连接节点为第一节点;其中,
所述第一导电图案包括连接为一体结构的第一子导电图案和第二子导电图案;所述第一节点位于所述第一子导电图案上;所述第一子导电图案的宽度大于第二子导电图案的宽度,和/或,所述第一子导电图案的厚度大于第二子导电图案的厚度。
其中,所述显示基板还包括位于周边区的转接电极;所述转接电极、所述第一扇出走线与所述第一导电图案同层设置,且第一扇出走线的两端分别电连接所述转接电极和所述第一节点;所述转接电极包括通过贯穿第一层间绝缘层的第二连接过孔与第一连接焊盘电连接。
其中,所述第一连接过孔为多个,且对应所述第一子导电图案的所述第一连接过孔的尺寸大于对应所述第二子导电图案的所述第一连接过孔的尺寸。
其中,与所述第一子导电图案对应的所述第一连接过孔的尺寸相等,与所述第二子导电图案对应的所述第一连接过孔的尺寸相等。
其中,所述第二子导电图案对应的所述第一连接过孔包括至少两行,且任意两相邻行的所述第一连接过孔交错排布。
其中,所述第一连接过孔内填充有第一连接电极,所述第一连接电极将所述第一导电图案和所述第二电极电连接。
其中,所述第一连接电极的材料包括钨。
其中,所述第一子导电图案靠近所述显示区的侧边为折线段,所述折线段的拐点处对应第一节点。
其中,所述衬底基板包括硅基衬底。
第二方面,本公开实施例还提供了一种显示模组,所述显示模组包括是上述中任意所述显示基板。
其中,所述显示模组包括覆晶薄膜转接板和柔性线路板;所述覆晶薄膜转接板与所述显示基板位于所述周边区的绑定区的第二连接焊盘连接;所述柔性线路板与所述覆晶薄膜转接板连接;所述柔性线路板通过所述覆晶薄膜转接板与所述显示基板连接。
第三方面,本公开实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述中任一所述的显示模组。
附图说明
图1为本公开实施例中显示基板的第一种示例的俯视图。
图2为图1的A-A’的截面图。
图3为本公开实施例中显示基板的第一种示例的第一导电图案和第一连接过孔的示意图。
图4为本公开实施例中显示基板的第二种示例的俯视图。
图5为图4的B-B’的截面图。
图6为本公开实施例中显示基板的第二种示例的第一导电图案和第一连接过孔的示意图。
图7为本公开实施例中显示基板的第三种示例的俯视图。
图8为本公开实施例中显示基板的第三种示例的第一导电图案和第一连接过孔的示意图。
图9为本公开实施例中显示基板的第四种示例的俯视图。
图10为本公开实施例中显示基板的第四种示例的第一导电图案和第一连接过孔的示意图。
图11为图7和图9的C-C’的截面图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
现如今,采用硅基衬底的有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有体积小,分辨率高的特点,广泛应用于近眼显示与虚拟现实、增强现实领域中,除此之外,还用在各种OLED显示装置中。以应用在AR/VR头戴显示装置为例,OLED显示装置中应用于近眼显示设备中时,显示面板的固定位置对于用户来说是十分重要的,决定了用户的体验感。目前的硅基基板OLED显示装置应用在AR/VR装置中时,大尺寸硅基板OLED显示装置为了实现高亮的目标,经过用于驱动发光器件的发光层发光的阴极和阳极的电流较大,为了确保实现高均一性,需要确保阴极阻抗造成的电流损失较小,同步提升耐电流能力。而在实际的设计和使用中,由于在向阴极供电的时候,阴极具有一定的电阻;并且,在制作阴极时通常直接制作成一体结构或是做成多个阵列排布的阴极再通过导线进行连接;因此远离阴极电源信号输入节点的阴极部分,其电流会有所下降,导致显示装置中发光器件的阳极和阴极之间的压差不一致,进而导致显示装置显示时亮度不均一的现象发生。
鉴于此,本公开实施例公开了一种显示基板、显示模组及显示装置,其包括优化了结构后用于给阴极供电的第一导电图案,该导电图案在向阴极供电时,可以一定程度的减小因电阻的原因带来的电流损失。
以下结合实施例以及说明书附图对本公开中提供的显示基板、显示模组及显示装置进行进一步的具体说明。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,图1为本公开实施例中显示基板的第一种示例的俯视图,图2为图1的A-A’的截面图,图3为本公开实施例中显示基板的第一种示例的第一导电图案和第一连接过孔的示意图,如图1-3所示,显示基板划分显示区Q1和环绕显示区Q1的周边区Q2,周边区Q2包括位于显示区Q1一侧的绑定区Q3。显示基板包括:衬底基板1;在衬底基板1上,位于周边区Q2,且围绕显示区Q1设置第一导电图案2;在第一导电图案2背离衬底基板1的一侧,且位于显示区Q1和周边区Q2设置第一层间绝缘层7;在第一层绝缘层背离衬底基板1一侧,且位于显示区Q1设置多个发光器件;发光器件包括沿背离衬底基板1方向依次设置的第一电极8、发光层9和第二电极3;第二电极3通过贯穿第一层间绝缘层7的第一连接过孔Via1与第一导电图案2电连接。在本公开实施例中,第一电极8为阳极,第二电极3为阴极,第一导电图案2为用于给第二电极3提供电流以使第二电极3形成公共电压。发光层9需要通过第一电极8和第二电极3的产生的压差进行驱动,使发光层9进行发光,像素驱动电路电压向第一电极8提供驱动电压,在用作阴极的第二电极3需要施加一个公共电压,使其与用作阳极的第二电压形成压差。通常采用改变对第一电极8施加的电压改变发光器件的亮度,因此,各个发光器件的第二电极3上所施加的电压通常相同,多个发光器件共用一个第二电极3,各个发光器件的第二电极3的电压都是相同的。
进一步的,在衬底基板1一侧,且位于绑定区Q3设置第一连接焊盘4和第一扇出走线5;第一连接焊盘4通过第一扇出走线5与第一导电图案2电连接,且二者的连接节点为第一节点;第一导电图案2包括连接为一体结构的第一子导电图案21和第二子导电图案22;第一节点位于第一子导电图案21上;第一子导电图案21的宽度大于第二子导电图案22的宽度,和/或,第一子导电图案21的厚度大于第二子导电图案22的厚度。将连接有第一扇出走线5的第一子导电图案21的宽度增大,使第一子导电图案21的电阻降低,进而可以减少从第一扇出走线5流入第一子导电图案21的电流因电阻大而造成的电流损失,最终可以使更多的电流流入第一导电图案2中。第一导电图案2通过第一连接过孔Via1将电流传输到第二电极3,由于电流损失变小,因此靠近第一连接过孔Via1位置的阴极和远离第一连接过孔Via1位置的阴极其电流大小相差不大,第二电极3各个部分上形成的公共电压也基本相同,进而各个发光器件的第一电极8和第二电极3的压差也基本相同,实现了提高显示均匀性的效果。
需要说明的是,在显示基板制作过程中,在第一层间绝缘层7上先制作第一电极8,然后在第一电极8上对应制作发光层9,在发光层9制作完成后,制作第二电极3。在制作的过程中,在显示区Q1和非显示区Q1均制作有第一电极8,显示区Q1的第一电极8用于连接像素驱动电路的输出端,像素驱动电路的输出端给发光器件提供驱动电压,其背离衬底基板1一侧设置发光器件的发光层9,靠近衬底基板1一侧设置有像素驱动层10,像素驱动层10包括像素驱动电路的输出端且与第一电极8通过第三连接过孔Via3电连接,输出端通常为像素驱动电路中的薄膜晶体管的漏极,像素驱动层10与第一导电图案2同层制作。
在一些示例中,本公开实施例中的显示基板不仅包括上述结构,而且还包括位于周边区Q2的转接电极6;转接电极6、第一扇出走线5与第一导电图案2同层设置,且第一扇出走线5的两端分别电连接转接电极6和第一节点;转接电极6包括通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接。位于绑定区Q3的连接焊盘在第一层间绝缘层7背离衬底基板1一侧制作,而第一导电图案2位于第一层间绝缘层7靠近衬底基板1一侧,为了使第一扇出走线5和第一导电图案2的连接更加稳定,因此需要将第一扇出走线5和第一导电图案2设置在同层,转接电极6和第一连接焊盘4在衬底基板1的正投影至少部分重叠,连接焊盘通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,使转接电极6接通外部提供的电流。
在一些示例中,第一连接过孔Via1为多个,且对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的尺寸大于对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的尺寸。与第一子导电图案21对应的第一连接过孔Via1是指,第一子导电图案21在衬底基板1上的正投影覆盖第一连接过孔Via1在衬底基板1上的正投影,故认为二者具有对应关系;与第二子导电图案22对应的第一连接过孔Via1是指,第二子导电图案22在衬底基板1上的正投影覆盖第一连接过孔Via1在衬底基板1上的正投影,故认为二者具有对应关系。将连接有第一扇出走线5的第一子导电图案21的对应的第一连接过孔Via1的尺寸增大,使第一子导电图案21对应的第一连接过孔Via1的电阻降低,进而可以减少从第一扇出走线5流入第一子导电图案21再通过第一连接过孔Via1传输到第二电极3的电流因电阻大而造成的电流损失,最终可以使更多的电流流入第二电极3中。第一导电图案2通过第一连接过孔Via1将电流传输到第二电极3,由于电流损失变小,因此靠近第一连接过孔Via1位置的阴极和远离第一连接过孔Via1位置的阴极其电流大小相差不大,第二电极3各个部分上形成的公共电压也基本相同,进而各个发光器件的第一电极8和第二电极3的压差也基本相同,实现了提高显示均匀性的效果。
在一些示例中,第二子导电图案22对应的第一连接过孔Via1包括至少两行,且任意两相邻行的第一连接过孔Via1交错排布。通过交替排布的方式可以使第二电极3和第一导电图案2中的第二子导电图案22的电流传输更加稳定,并且用这种阵列排布的方式,可以减小第一导电图案2向第二电极3传输的电流差值,并且保证了电流传输的效率。
以下为本公开中的四种显示基板的结构的实施例。
第一种示例:
如图1-3所示,在显示基板的衬底基板1一侧,且位于绑定区Q3设置第一连接焊盘4和第一扇出走线5;第一连接焊盘4通过第一扇出走线5与第一导电图案2电连接,且二者的连接节点为第一节点;第一导电图案2包括连接为一体结构的第一子导电图案21和第二子导电图案22;第一节点位于第一子导电图案21两端,第一子导电图案21位于靠近绑定区Q3一侧,一个第一子导电图案21和三个第二子导电图案22成一体结构,并且为矩形。第一子导电图案21的宽度大于第二子导电图案22的宽度,和/或,第一子导电图案21的厚度大于第二子导电图案22的厚度,第一子导电图案21的宽度为250微米、厚度为9000埃,第二子导电图案22的宽度为150微米、厚度为6000埃。位于绑定区Q3的连接焊盘在第一层间绝缘层7背离衬底基板1一侧制作,而第一导电图案2位于第一层间绝缘层7靠近衬底基板1一侧,转接电极6、第一扇出走线5与第一导电图案2同层设置,且第一扇出走线5的两端分别电连接转接电极6和第一节点;转接电极6包括通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,转接电极6和第一连接焊盘4在衬底基板1的正投影至少部分重叠,连接焊盘通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,使转接电极6接通外部提供的电流。第一连接过孔Via1为多个,且对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的尺寸大于对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的尺寸;对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的直径为4微米,对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的直径为2.2微米。
第二种示例:
如图4-6所示,在显示基板的在衬底基板1一侧,且位于绑定区Q3设置第一连接焊盘4和第一扇出走线5;第一连接焊盘4通过第一扇出走线5与第一导电图案2电连接,且二者的连接节点为第一节点;第一导电图案2包括连接为一体结构的第一子导电图案21和第二子导电图案22;第一节点位于第一子导电图案21两端,第一子导电图案21位于远离绑定区Q3一侧,一个第一子导电图案21和三个第二子导电图案22成一体结构,并且为矩形。第一子导电图案21的宽度大于第二子导电图案22的宽度,和/或,第一子导电图案21的厚度大于第二子导电图案22的厚度,第一子导电图案21的宽度为250微米、厚度为9000埃,第二子导电图案22的宽度为150微米、厚度为6000埃。位于绑定区Q3的连接焊盘在第一层间绝缘层7背离衬底基板1一侧制作,而第一导电图案2位于第一层间绝缘层7靠近衬底基板1一侧,转接电极6、第一扇出走线5与第一导电图案2同层设置,且第一扇出走线5的两端分别电连接转接电极6和第一节点;转接电极6包括通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,转接电极6和第一连接焊盘4在衬底基板1的正投影至少部分重叠,连接焊盘通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,使转接电极6接通外部提供的电流。第一连接过孔Via1为多个,且对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的尺寸大于对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的尺寸;对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的直径为4微米,对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的直径为2.2微米。
第三种示例:
如图7、8和11所示,在显示基板的在衬底基板1一侧,且位于绑定区Q3设置第一连接焊盘4和第一扇出走线5;第一连接焊盘4通过第一扇出走线5与第一导电图案2电连接,且二者的连接节点为第一节点;第一导电图案2包括连接为一体结构的第一子导电图案21和第二子导电图案22;在本示例中,包括两个第一子导电图案21和两个第二子导电图案22,两个第一子导电图案21相对设置,两个第二子导电图案22相对设置,两个第一子导电图案21和两个第二子导电图案22成一体结构,并且为矩形。两个第一子导电图案21在长度方向的中点处个包括一个第一节点,其各自连接一条第一扇出走线5。将第一节点设置在两个第一子导电图案21在长度方向的中点,且设置两个第一子导电图案21分别连接一个扇出走线,增大了第一导电图案2电阻较小的部分,并且可使流入第一导电图案2的电流在各个位置基本一致,进而使得第二电极3上的各个部分的电流也基本一致,各个发光器件对应的第二电极3的公共电压也基本一致。第一子导电图案21的宽度大于第二子导电图案22的宽度,和/或,第一子导电图案21的厚度大于第二子导电图案22的厚度,第一子导电图案21的宽度为250微米、厚度为9000埃,第二子导电图案22的宽度为150微米、厚度为6000埃。位于绑定区Q3的连接焊盘在第一层间绝缘层7背离衬底基板1一侧制作,而第一导电图案2位于第一层间绝缘层7靠近衬底基板1一侧,转接电极6、第一扇出走线5与第一导电图案2同层设置,且第一扇出走线5的两端分别电连接转接电极6和第一节点;转接电极6包括通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,转接电极6和第一连接焊盘4在衬底基板1的正投影至少部分重叠,连接焊盘通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,使转接电极6接通外部提供的电流。第一连接过孔Via1为多个,且对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的尺寸大于对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的尺寸;对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的直径为4微米,对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的直径为2.2微米。
第四种示例:
如图9-11所示,在显示基板的在衬底基板1一侧,且位于绑定区Q3设置第一连接焊盘4和第一扇出走线5;第一连接焊盘4通过第一扇出走线5与第一导电图案2电连接,且二者的连接节点为第一节点;第一导电图案2包括连接为一体结构的第一子导电图案21和第二子导电图案22;在本示例中,包括两个第一子导电图案21和两个第二子导电图案22,两个第一子导电图案21相对设置,两个第二子导电图案22相对设置,两个第一子导电图案21和两个第二子导电图案22成一体结构,其远离显示区Q1的侧边的轮廓为矩形,其靠近显示区Q1的侧边的轮廓为不规则图形。第一子导电图案21靠近显示区Q1的侧边为折线段,折线段的拐点处对应有第一节点。进一步的,拐点位于第一子导电图案21在长度方向的中点处,两个第一子导电图案21的拐点处各对应一个第一节点,并各自连接一条第一扇出走线5。将第一节点设置在两个第一子导电图案21在长度方向的中点,且设置两个第一子导电图案21分别连接一个扇出走线,增大了第一导电图案2电阻较小的部分,并且可使流入第一导电图案2的电流在各个位置基本一致,进而使得第二电极3上的各个部分的电流也基本一致,各个发光器件对应的第二电极3的公共电压也基本一致。
将第一子导电图案21靠近显示区Q1的侧边设计成折线段可以更好的控制第一导电图案2在各个位置的电流大小,防止第一子导电图案21整体电流量偏大。通过该方案仅仅对电流输入的部分增大宽度,增大电流输入量的同时,防止第一子导电图案21整体的电流大小过大。第一子导电图案21的宽度大于第二子导电图案22的宽度,和/或,第一子导电图案21的厚度大于第二子导电图案22的厚度,第一子导电图案21拐点处的宽度为250微米,两端的宽度为150微米,第一子导电图案21的厚度为9000埃,第二子导电图案22的宽度为150微米、厚度为6000埃。位于绑定区Q3的连接焊盘在第一层间绝缘层7背离衬底基板1一侧制作,而第一导电图案2位于第一层间绝缘层7靠近衬底基板1一侧,转接电极6、第一扇出走线5与第一导电图案2同层设置,且第一扇出走线5的两端分别电连接转接电极6和第一节点;转接电极6包括通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,转接电极6和第一连接焊盘4在衬底基板1的正投影至少部分重叠,连接焊盘通过贯穿第一层间绝缘层7的第二连接过孔Via2与第一连接焊盘4电连接,使转接电极6接通外部提供的电流。第一连接过孔Via1为多个,且对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的尺寸大于对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的尺寸;对应第一子导电图案21的第一连接过孔Via1的直径为4微米,对应第二子导电图案22的第一连接过孔Via1的直径为2.2微米。
在一些示例中,第一连接过孔Via1内填充有第一连接电极,第一连接电极将第一导电图案2和第二电极3连接。优选的,第一连接电极的材料包括钨。可理解的,也可以是其他导电材料用作第一连接电极。
在一些示例中,衬底基包括硅基基板,在硅基衬底上制作有像素驱动电路,像素驱动电路通常包括多个薄膜晶体管,薄膜晶体管的有源层制作在硅基衬底上。在硅基衬底可以包括有P型硅基衬底和N型硅基衬底;薄膜晶体管包括N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管。其中,N型薄膜晶体管可以直接制作在P型硅基衬底上,P型薄膜晶体管需要制作在硅基衬底上掺杂的N阱中;P型薄膜晶体管可以直接制作在N型硅基衬底上,N型薄膜晶体管需要制作在硅基衬底上掺杂的P阱中。在硅基衬底上制作完薄膜晶体管的有源层后,还需要制作导电层用于形成薄膜晶体管的栅极,电容基板以及数据线栅线电源信号线复位信号线等像素驱动电路的结构,在本公开的附图中仅仅示意出与发光器件第一电极8下方的像素驱动层10,其至少包括有薄膜晶体管的漏极用于连接发光器件的第一电极8,以施加像素驱动电压。可理解的,在有源层和导电层之间以及两个导电层之间包括有绝缘层用于防止短路。
需要说明的是,在本公开实施例中,像素驱动电路可以包括多种电路结构结构,如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构,本公开实施例对此不作限定。
在一些示例中,显示基板还包括背离发光器件D的第二电极3依次设立的第一封装层、彩膜层和第二封装层。发光器件D的第一电极8一般采用ITO制作而成,其具有较高的透过率、高功函数等;发光器件D的发光层9通常是由有机材料制成,利用有机材料的发光特性,在电压或者电流的作用,有空穴与电子激发,形成激子,实现发光;在发光层9上面设置有第二电极3,第二电极3是一种透明的结构,其位于第一封装层的下面,第二电极3可以选择Mg/Ag中的一种或几种合金材料制作而成;第一封装层背离第二电极3一侧还设置有彩膜层,第二封装层,第二封装层与第一封装层之间设置彩膜层,且对应于发光层9设置,实现发射光的彩色化显示。第二封装层,与第一封装层结合使用,实现OLED器件的有效封装,实现水汽、氧气的有效阻挡,达到保护器件,延长寿命的目的,彩膜层与发光层9匹配作用,第二封装层设置在彩膜层的上面,可以实现保护彩膜层的功能。第一封装层和第二封装层可以采用密封特性较好的有机材料,无机材料中的一种或者多种结合制作而成,例如氧化硅,氮化硅等,已达到保护OLED器件结构,达到较好的密封作用。
需要说明的是,本公开中不对发光器件D的第一电极8、发光层9和第二电极3以及显示基板的第一封装层、彩膜层和第二封装层的材料做进一步的限定,本领域技术人员可以根据实际需求选用合适的材料。
第二方面,本公开实施例还提供了一种显示模组,显示模组包括覆晶薄膜转接板和柔性线路板;覆晶薄膜转接板与显示基板位于周边区Q2的绑定区Q3的第二连接焊盘连接(图中未出示),此处的第二连接焊盘可以与第一连接焊盘4成一体结构,也可以通过导线和第一连接焊盘4电连接;柔性线路板与覆晶薄膜转接板连接;柔性线路板通过覆晶薄膜晶体管与显示基板连接。柔性线路板与显示基板实现电气连接,实现外部信号的传输,将外部电压传输到像素驱动电路,为像素驱动电路提供驱动电压。显示基板包括多少条栅线、多条数据线和多个像素驱动电路,栅线被配置为选通或者关断像素驱动电路中的薄膜晶体管,数据线被配置为为像素驱动电路提供数据电压信号;柔性线路板包括像素驱动芯片和公共电压稳压器;栅线和数据线通过覆晶薄膜转接板与像素驱动芯片连接,公共电压稳压器通过覆晶薄膜转接板与第一扇出走线5连接并向第一导电图案2提供稳压后的公共电压。
显示模组还可以包括盖板玻璃,盖板玻璃可以实现OLED器件的有效封装,实现水汽、氧气的有效阻挡,达到保护器件,延长寿命的目的,盖板玻璃是一种透明的材料,例如,采用一种高透过率的素玻璃。
第三方面,本公开实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括上述任一显示模组。显示装置可以是手机、手表、虚拟现实显示、增强现实显示等显示装置。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板划分显示区和环绕显示区的周边区;所述周边区包括位于所述显示区一侧的绑定区;所述显示基板包括:
衬底基板;
第一导电图案,设置在所述衬底基板上,位于所述周边区,且围绕显示区设置;
第一层间绝缘层,设置在所述第一导电图案背离所述衬底基板的一侧,且位于所述显示区和所述周边区;
多个发光器件,设置在所述第一层绝缘层背离衬底基板一侧,且位于所述显示区;所述发光器件包括沿背离衬底基板方向依次设置的第一电极、发光层和第二电极;所述第二电极通过贯穿所述第一层间绝缘层的第一连接过孔与所述第一导电图案电连接;
第一连接焊盘和第一扇出走线,设置在所述衬底基板一侧,且位于所述绑定区;所述第一连接焊盘通过第一扇出走线与所述第一导电图案电连接,且二者的连接节点为第一节点;其中,
所述第一导电图案包括连接为一体结构的第一子导电图案和第二子导电图案;所述第一节点位于所述第一子导电图案上;所述第一子导电图案的宽度大于第二子导电图案的宽度,和/或,所述第一子导电图案的厚度大于第二子导电图案的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于周边区的转接电极;所述转接电极、所述第一扇出走线与所述第一导电图案同层设置,且第一扇出走线的两端分别电连接所述转接电极和所述第一节点;所述转接电极包括通过贯穿第一层间绝缘层的第二连接过孔与第一连接焊盘电连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一连接过孔为多个,且对应所述第一子导电图案的所述第一连接过孔的尺寸大于对应所述第二子导电图案的所述第一连接过孔的尺寸。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,与所述第一子导电图案对应的所述第一连接过孔的尺寸相等,与所述第二子导电图案对应的所述第一连接过孔的尺寸相等。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二子导电图案对应的所述第一连接过孔包括至少两行,且任意两相邻行的所述第一连接过孔交错排布。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一连接过孔内填充有第一连接电极,所述第一连接电极将所述第一导电图案和所述第二电极电连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一连接电极的材料包括钨。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子导电图案靠近所述显示区的侧边为折线段,所述折线段的拐点处对应第一节点。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述衬底基板包括硅基衬底。
10.一种显示模组,其特征在于,所述显示模组包括权利要求1-9中任一所述的显示基板。
11.根据权利要求10所述的显示模组,其特征在于,所述显示模组包括覆晶薄膜转接板和柔性线路板;所述覆晶薄膜转接板与所述显示基板位于所述周边区的绑定区的第二连接焊盘连接;所述柔性线路板与所述覆晶薄膜转接板连接;所述柔性线路板通过所述覆晶薄膜转接板与所述显示基板连接。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求10、11二者中任一所述的显示模组。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211434166.5A CN115884635A (zh) | 2022-11-16 | 2022-11-16 | 显示基板、显示模组及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211434166.5A CN115884635A (zh) | 2022-11-16 | 2022-11-16 | 显示基板、显示模组及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115884635A true CN115884635A (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=85760011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211434166.5A Pending CN115884635A (zh) | 2022-11-16 | 2022-11-16 | 显示基板、显示模组及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN115884635A (zh) |
-
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