CN115877663A - 感光性树脂组合物以及利用其的显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种感光性树脂组合物以及利用其的显示装置的制造方法，根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物包含：将由化学式1表示的第一单体、由化学式2表示的第二单体、由化学式3表示的第三单体以及由化学式4表示的第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物。

Description

感光性树脂组合物以及利用其的显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种感光性树脂组合物，更具体地，涉及一种感光性树脂组合物以及利用其的显示装置的制造方法。
背景技术
电视、移动电话、平板计算机、导航仪、游戏机等各种电子装置可以具备用于显示图像的显示装置。
在制造显示装置的过程中，为了形成图案而适用光刻工艺，此时使用感光性物质。例如，通过感光性物质可以形成保护膜、绝缘膜、柱状间隔物、保护涂层、滤色层等。根据感光性物质的构成，可以确定通过感光性物质形成的图案或膜的分辨率、透射率、耐热性、耐化学性、残膜率等。
最近，为了简化工艺，正在研究对感光性有机物，例如感光性树脂组合物直接进行图案化而形成具有图案的有机膜的方法。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种具有高感光度、高分辨率、高透明、高耐热、低介电特性的感光性树脂组合物以及利用其的显示装置的制造方法。
根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物包含：将由下面化学式1表示的第一单体、由下面化学式2表示的第二单体、由下面化学式3表示的第三单体以及由下面化学式4表示的第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物。
[化学式1]
R1-R2-Si(R3)3
[化学式2]
(R4)n-Si(R5)4-n
[化学式3]
Si(R6)4
[化学式4]
(R7)3-Si-R8-Si-(R7)3
在所述化学式1至所述化学式4中，R1是取代或非取代的巯基或者取代或非取代的呋喃基，R2是直接键合(direct linkage)或者取代或非取代的碳数3以上且6以下的二价的烷基，R3以及R5～R7分别独立地是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基，R4是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷基或者取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的芳基，R8是取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的亚芳基，n是1以上且3以下的整数。
可以是，所述倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量为5,000～15,000。
可以是，所述倍半硅氧烷类共聚物的分散度为2.0～4.0。
可以是，所述倍半硅氧烷类共聚物包含所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体以及所述第四单体的组合顺序随机(random)的重复单元。
可以是，所述第一单体包含第1-1单体以及与所述第1-1单体不同的第1-2单体，所述第1-1单体由下面化学式1-1表示，所述第1-2单体由下面化学式1-2表示。
[化学式1-1]
R1-1-R2-Si(R3)3
[化学式1-2]
R1-2-R2-Si(R3)3
可以是，在所述化学式1-1以及所述化学式1-2中，R1-1是取代或非取代的巯基，R1-2是取代或非取代的呋喃基。
可以是，在所述化学式1-1以及化学式1-2中，R2以及R3适用与在所述化学式1中所定义的内容相同的说明。
可以是，由所述化学式2表示的所述第二单体由下面化学式2-1或者化学式2-2表示。
[化学式2-1]
(R4)-Si(R5)3
[化学式2-2]
(R4)2-Si(R5)2
可以是，在所述化学式2-1以及所述化学式2-2中，R4以及R5适用与在所述化学式2中所定义的内容相同的说明。
可以是，所述第一单体包含3-(巯基)丙基三甲氧基硅烷以及三甲氧基(2-呋喃基)硅烷中的至少一种。
可以是，所述第二单体包含甲基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷以及二苯基二乙氧基硅烷中的至少一种。
可以是，所述第三单体包含四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷以及四丙氧基硅烷中的至少一种。
可以是，所述第四单体包含1,4-双(三乙氧基甲硅烷基)苯、1,3-双(三乙氧基甲硅烷基)苯以及4,4-双(三乙氧基甲硅烷基)-1,1'-联苯中的至少一种。
可以是，所述倍半硅氧烷类共聚物包含由下面化学式5表示的重复单元。
[化学式5]
Figure BDA0003856265020000031
/>
可以是，相对于所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体以及所述第四单体总量，包含：所述第一单体5重量％～25重量％；所述第二单体20重量％～60重量％；所述第三单体20重量％～40重量％；以及所述第四单体5重量％～25重量％。
可以是，所述感光性树脂组合物还包含：醌二叠氮类感光性化合物；以及乙二醇类溶剂，相对于所述感光性树脂组合物总量，包含：所述倍半硅氧烷类共聚物10重量％～40重量％；所述醌二叠氮类感光性化合物5重量％～20重量％；以及所述乙二醇类溶剂40重量％～85重量％。
可以是，所述醌二叠氮类感光性化合物包含将萘醌-1,2-二叠氮-4-磺酸酯基或者萘醌-1,2-二叠氮-5-磺酸酯基作为取代基包含的1,4-苯二醇、1,2-苯二醇、4,4'-二羟基-联苯、双酚-A、α,α-双(4-羟基苯基)-4-(4-羟基-α,α-二甲基苄基)-乙苯以及4,4',4”-三羟基苯甲烷中的至少一种。
可以是，所述乙二醇类溶剂包含乙酸丁酯、二甘醇二甲醚、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇乙酸甲酯、二甘醇乙酸乙酯、二甘醇乙醚以及二丙二醇甲醚中的至少一种。
根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物包含：将彼此不同的第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物；醌二叠氮类感光性化合物；表面活性剂；以及乙二醇类溶剂，所述第一单体由所述化学式1表示。
根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法包括：在基底层上形成有机绝缘层的步骤；以及在所述有机绝缘层上形成像素界定膜的步骤，所述有机绝缘层以及所述像素界定膜中的至少一个由感光性树脂组合物形成，所述感光性树脂组合物包含将由所述化学式1表示的第一单体、由所述化学式2表示的第二单体、由所述化学式3表示的第三单体以及由所述化学式4表示的第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物。
可以是，形成所述有机绝缘层的步骤包括：在所述基底层上涂敷所述感光性树脂组合物而形成预备有机绝缘层的步骤；以及对所述预备有机绝缘层选择性地进行曝光以及显影的步骤。
可以是，形成所述像素界定膜的步骤包括：在所述有机绝缘层上涂敷所述感光性树脂组合物而形成预备像素界定膜的步骤；以及对所述预备像素界定膜选择性地进行曝光以及显影的步骤。
本发明的一实施例的感光性树脂组合物可以包含将彼此不同的第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物，从而表现出高感光度、高分辨率、高耐热、高透明、低介电特性。
一实施例的显示装置的制造方法可以适用包含将彼此不同的第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物的感光性树脂组合物，从而提供包括高感光度、高分辨率、高耐热、高透明、低介电特性的有机绝缘层的显示装置。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图2是根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
图3是根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图4是根据本发明的一实施例的显示面板的平面图。
图5是示出根据本发明的一实施例的显示面板的像素的截面图。
图6a是示出利用根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物形成的像素界定膜的截面的扫描电子显微镜照片。
图6b是示出利用根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物形成的有机绝缘层的平面的扫描电子显微镜照片。
图7是示出利用根据本发明的实施例以及比较例的感光性树脂组合物形成的单膜的根据波长的透射率结果的图。
图8a以及图8b是用热重量分析仪测定的利用根据本发明的一实施例以及比较例的感光性树脂组合物形成的单膜的耐热性结果。
图9是示出制造根据一实施例的显示装置的方法的流程图。
图10a至图10e是简要示出制造根据一实施例的显示装置的步骤的图。
(附图标记说明)
DD：显示装置 DP：显示面板
BL：基底层 DP-CL：电路层
DP-OLED：显示元件层
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施例。
在本说明书中，在提及任一构成要件(或者区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接于”或者“结合于”其它构成要件的情况下，其意指可以直接连接/结合于其它构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。
相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例以及尺寸为了技术内容的有效说明而放大。“及/或”包括关联的结构所能够定义的一个以上的组合全部。
第一、第二等的用语可以用于说明各种构成要件，但是上述构成要件不能限定于上述用语。上述用语仅以将一个构成要件区分于其它构成要件的目的而使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的同时，第一构成要件可以命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件可以也命名为第一构成要件。除非在脉络上明确不同地表示，否则单数的表述包括复数的表述。
另外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等的用语为了说明图示于附图的结构的关联关系而使用。上述用语是相对的概念，以在附图标示的方向为基准进行说明。
“包括”或“具有”等的用语应理解为是要指定说明书中记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们组合的存在，并不预先排除一个或其以上的其它特征或数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们组合的存在或附加可能性。
在说明书中，“直接配置”可以意指在层、膜、区域、板等的部分与其它部分之间没有附加的层、膜、区域、板等。例如，“直接配置”可以意指在两个层或两个部件之间不使用粘合部件等的附加部件并配置。
除非不同地定义，否则在本说明书中使用的所有用语(包括技术用语以及科学用语)具有与由本发明所属的技术领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，与在通常使用的词典中定义的用语相同的用语应该解释为具有与在关联技术的脉络中具有的含义一致的含义，并且不解释为非常理想或过于形式的含义，除非在此明示地定义。
以下，参照附图，针对根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物以及利用其的显示装置的制造方法进行说明。
图1是根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
在本说明书中，作为显示装置DD的示例示出了移动电话终端。根据本发明的显示装置DD可以适用于电视、监视器等之类大型电子装置以及平板计算机、汽车导航仪、游戏机、智能手表等之类中小型电子装置等。
参照图1，显示装置DD可以通过显示面DS显示图像IM。作为图像IM的一示例出了图标图像。显示面DS与第一方向DR1以及第二方向DR2所界定的面平行。显示面DS的法线方向，即显示装置DD的厚度方向指示第三方向DR3。
显示面DS包括显示图像IM的显示区域DA以及与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。非显示区域NDA是不显示图像的区域。但是，不限于此，非显示区域NDA可以与显示区域DA的任一侧相邻或者省略。
在本说明书中，“当在平面上看时或者在平面上”的含义可以意指在第三方向DR3上观察的情况。以下说明的各层或单元的前面(或者上面)和背面(或者下面)由第三方向DR3划分。但是，第一至第三方向DR1、DR2、DR3的组合可以变更为其它组合。
图2是根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。示例性地，图2示出了在第一方向DR1上观察的显示装置DD的截面。
参照图2，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测部ISP、反射防止层RPL、窗口WIN、面板保护膜PPF以及第一至第三粘合层AL1、AL2、AL3。
显示面板DP可以是柔性显示面板。根据本发明的一实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，不特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或者无机发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包含有机发光物质。无机发光显示面板的发光层可以包含量子点以及量子棒等。以下，显示面板DP以有机发光显示面板进行说明。
输入感测部ISP可以配置于显示面板DP上。输入感测部ISP可以包括用于以电容方式感测外部输入的多个感测部(未图示)。输入感测部ISP可以在显示装置DD的制造时直接制造在显示面板DP上。即，输入感测部ISP可以直接配置于显示面板DP上。另一方面，在本说明书中，“直接配置”可以意指在层、膜、区域、板等的部分与其它部分之间没有附加的层、膜、区域、板等。输入感测部ISP可以配置为不使用单独的粘合部件等的附加部件并与显示面板DP的上面接触。但是，不限于此，输入感测部ISP可以以与显示面板DP单独的面板制造，并通过粘合层附着于显示面板DP。
反射防止层RPL可以配置于输入感测部ISP上。反射防止层RPL可以界定为外部光反射防止膜。反射防止层RPL可以减小从显示装置DD之上朝向显示面板DP入射的外部光的反射率。
在朝向显示面板DP行进的外部光在显示面板DP处反射而重新提供到外部的用户的情况下，如镜子那样，用户可以识别外部光。为了防止这种现象，示例性地，反射防止层RPL可以包括显示与显示面板DP的像素相同颜色的多个滤色器。
滤色器可以将外部光过滤为与像素相同的颜色。在这种情况下，外部光可以不被用户识别。但是，不限于此，反射防止层RPL可以为了减小外部光的反射率而包括相位延迟器(retarder)及/或偏振器(polarizer)。
窗口WIN可以配置于反射防止层RPL上。窗口WIN可以保护显示面板DP、输入感测部ISP以及反射防止层RPL免受外部的刮擦以及冲击。
面板保护膜PPF可以配置于显示面板DP之下。面板保护膜PPF可以保护显示面板DP的下方。面板保护膜PPF可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)之类柔性塑料物质。
第一粘合层AL1可以配置于显示面板DP与面板保护膜PPF之间，通过第一粘合层AL1彼此粘着显示面板DP与面板保护膜PPF。第二粘合层AL2可以配置于反射防止层RPL与输入感测部ISP之间，通过第二粘合层AL2彼此粘着反射防止层RPL与输入感测部ISP。第三粘合层AL3可以配置于窗口WIN与反射防止层RPL之间，通过第三粘合层AL3彼此粘着窗口WIN与反射防止层RPL。在图2中示例性地示出了面板保护膜PPF通过第一粘合层AL1附着于显示面板DP之下，但是不限于此，第一粘合层AL1可以省略，面板保护膜PPF可以直接配置于显示面板DP之下。在图2中示例性地示出了反射防止层RPL通过第二粘合层AL2附着于输入感测部ISP上，但是不限于此，第二粘合层AL2可以省略，反射防止层RPL可以是直接配置于输入感测部ISP上。在图2中示例性地示出了窗口WIN通过第三粘合层AL3附着于反射防止层RPL上，但是不限于此，第三粘合层AL3可以省略，窗口WIN可以直接配置于反射防止层RPL上。
第一粘合层AL1至第三粘合层AL3各自可以包含丙烯酸类粘合剂、氨基甲酸乙酯类粘合剂、硅类粘合剂、环氧类粘合剂、橡胶类粘合剂、乙烯基醚类粘合剂等。第一粘合层AL1至第三粘合层AL3各自可以是压敏粘合膜(PSA，Pressure Sensitive Adhesive film)、光学透明粘合膜(OCA，Optical Clear Adhesive film)或者光学透明树脂(OCR，OpticallyClear Resin)之类透明的粘合部件。
图3是根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。示例性地，在图3中示出了在第一方向DR1上观察的显示面板DP的截面。
参照图3，显示面板DP可以包括基底层BL、配置于基底层BL上的电路层DP-CL、配置于电路层DP-CL上的显示元件层DP-OLED以及配置于显示元件层DP-OLED上的薄膜封装层TFE。
基底层BL可以包括显示区域DA以及显示区域DA周边的非显示区域NDA。基底层BL可以是柔性基板，只要是可以弯曲或折叠的柔性物质，就可以包含而不限定。例如，基底层BL可以包含聚酰亚胺(PI：polyimide)之类柔性塑料物质。或者，基底层BL也可以包括薄膜玻璃基板、薄膜金属基板等柔性基板。
显示元件层DP-OLED可以配置于显示区域DA上。在电路层DP-CL以及显示元件层DP-OLED可以配置多个像素。像素各自可以包括配置于电路层DP-CL的晶体管以及配置于显示元件层DP-OLED且连接于晶体管的发光元件。晶体管可以包括半导体图案和栅极，所述半导体图案包括源极、有源区以及漏极。发光元件可以包括依次层叠的第一电极、发光层、第二电极，发光元件的第一电极可以通过连接电极接通于晶体管的漏极。像素的具体结构将在以下针对图5的说明中详细说明。
薄膜封装层TFE可以在电路层DP-CL上配置为覆盖显示元件层DP-OLED。薄膜封装层TFE可以保护像素免受水分、氧气以及外部的异物的影响。薄膜封装层TFE可以构成为单层结构或者多层结构。薄膜封装层TFE可以包括依次层叠的多个无机层以及至少一个有机层，但是构成薄膜封装层TFE的层不限于此。薄膜封装层TFE可以例如包括配置于两个无机层之间的一个有机层结构。或者，薄膜封装层TFE可以包括多个无机层和多个有机层彼此交替配置的结构。
图4是根据本发明的一实施例的显示面板的平面图。
参照图4，显示装置DD可以包括显示面板DP、扫描驱动部SDV、数据驱动部DDV、发光驱动部EDV以及多个焊盘PD。
显示面板DP可以具有矩形形状，所述矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边以及在第二方向DR2上延伸的短边，但是显示面板DP的形状不限于此。显示面板DP可以包括显示区域DA以及围绕显示区域DA的非显示区域NDA。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多个扫描线SL1～SLm、多个数据线DL1～DLn、多个发光线EL1～ELm、第一以及第二控制线CSL1、CSL2、第一以及第二电源线PL1、PL2以及连接线CNL。m以及n是大于1的自然数。
像素PX可以配置于显示区域DA。扫描驱动部SDV以及发光驱动部EDV可以配置于与显示面板DP的长边分别相邻的非显示区域NDA。数据驱动部DDV可以配置于与显示面板DP的短边中的任一个短边相邻的非显示区域NDA。当在平面上看时，数据驱动部DDV可以与显示面板DP的下端相邻。
扫描线SL1～SLm可以在第二方向DR2上延伸并连接于像素PX以及扫描驱动部SDV。数据线DL1～DLn可以在第一方向DR1上延伸并连接于像素PX以及数据驱动部DDV。发光线EL1～ELm可以在第二方向DR2上延伸并连接于像素PX以及发光驱动部EDV。
第一电源线PL1可以在第一方向DR1上延伸并配置于非显示区域NDA。第一电源线PL1可以配置于显示区域DA与发光驱动部EDV之间。
连接线CNL可以在第二方向DR2上延伸且在第一方向DR1上排列，并连接于第一电源线PL1以及像素PX。第一电压可以通过彼此连接的第一电源线PL1以及连接线CNL施加于像素PX。连接线CNL可以界定为实质上接收第一电压的第一电源线PL1的部分。
第二电源线PL2可以配置于非显示区域NDA，并沿着显示面板DP的长边以及没有配置数据驱动部DDV的显示面板DP的另一个短边延伸。第二电源线PL2可以比扫描驱动部SDV以及发光驱动部EDV配置于外围。
尽管未示出，但是第二电源线PL2可以朝向显示区域DA延伸并连接于像素PX。具有比第一电压低的电平的第二电压可以通过第二电源线PL2施加于像素PX。
第一控制线CSL1可以连接于扫描驱动部SDV，并朝向显示面板DP的下端延伸。第二控制线CSL2可以连接于发光驱动部EDV，并朝向显示面板DP的下端延伸。数据驱动部DDV可以配置于第一控制线CSL1与第二控制线CSL2之间。
焊盘PD可以配置于与显示面板DP的下端相邻的非显示区域NDA，并比数据驱动部DDV更相邻于显示面板DP的下端。数据驱动部DDV、第一以及第二电源线PL1、PL2、第一以及第二控制线CSL1、CSL2可以连接于焊盘PD。可以是，数据线DL1～DLn连接于数据驱动部DDV，数据驱动部DDV连接于与数据线DL1～DLn对应的焊盘PD。
尽管未示出，但是显示装置DD可以还包括用于控制扫描驱动部SDV、数据驱动部DDV以及发光驱动部EDV的工作的时序控制器以及用于生成第一以及第二电压的电压生成部。时序控制器以及电压生成部可以通过印刷电路基板连接于对应的焊盘PD。
可以是，扫描驱动部SDV生成多个扫描信号，扫描信号通过扫描线SL1～SLm施加于像素PX。可以是，数据驱动部DDV生成多个数据电压，数据电压通过数据线DL1～DLn施加于像素PX。可以是，发光驱动部EDV生成多个发光信号，发光信号通过发光线EL1～ELm施加于像素PX。
像素PX可以响应于扫描信号接收数据电压的提供。像素PX可以响应于发光信号发出与数据电压对应的亮度的光，从而显示图像。
图5是示出根据本发明的一实施例的显示面板的像素的截面图。
参照图5，显示面板DP可以包括基底层BL、配置于基底层BL上的电路层DP-CL、显示元件层DP-OLED以及封装层TFE。
基底层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包含热固性树脂。尤其是，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，其材料不特别限制。合成树脂层可以包含丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂以及苝类树脂中的至少任一种。除此之外，基底层BL可以包括玻璃基板、金属基板或者有机/无机复合材料基板等。
在基底层BL的上面配置至少一个无机层。无机层可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多层。多层的无机层可以构成后述的阻挡层及/或缓冲层BFL。阻挡层和缓冲层BFL可以选择性地配置。
阻挡层防止异物从外部流入。阻挡层可以包括氧化硅层以及氮化硅层。它们各自可以提供为多个，氧化硅层和氮化硅层可以交替层叠。
缓冲层BFL可以配置于阻挡层上。缓冲层BFL提升基底层BL与半导体图案及/或导电图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层以及氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以交替层叠。
在缓冲层BFL上配置半导体图案。半导体图案可以包含硅半导体。半导体图案可以包含多晶硅。但是不限于此，半导体图案也可以包含非晶硅。
在图5中仅示出半导体图案的一部分，在像素PX(图4)的另一区域可以还配置半导体图案。半导体图案根据掺杂与否而电性质不同。半导体图案可以包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可以以N型掺杂剂或者P型掺杂剂掺杂。P型晶体管包括以P型掺杂剂掺杂的掺杂区域，N型晶体管包括以N型掺杂剂掺杂的掺杂区域。
掺杂区域比非掺杂区域导电性大，具有实质上电极或信号线的作用。非掺杂区域相当于实质上晶体管的有源区(或沟道)。换句话说，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源极或者漏极，又另一部分可以是连接信号线(或者连接电极)。
如图5所示，第一晶体管TR1的源极电极S1、沟道部A1、漏极电极D1由半导体图案形成，第二晶体管TR2的源极电极S2、沟道部A2、漏极电极D2由半导体图案形成。第一晶体管TR1的源极电极S1以及漏极电极D1从沟道部A1向彼此相反方向延伸，第二晶体管TR2的源极电极S2以及漏极电极D2从沟道部A2向彼此相反方向延伸。在图5中示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。尽管未单独示出，但是连接信号线SCL可以在平面上连接于另一晶体管的漏极电极。
电路层DP-CL可以包括配置于基底层BL上的至少一个有机绝缘层。电路层DP-CL可以包括第一至第六绝缘层10、20、30、40、50、60，包括在电路层DP-CL中的第一至第六绝缘层10、20、30、40、50、60中的至少一个可以是有机绝缘层。例如，包括在电路层DP-CL中的第五绝缘层50以及第六绝缘层60可以是有机绝缘层。在电路层DP-CL包括至少一个有机绝缘层的情况下，有机绝缘层可以由将后述的根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物形成。针对感光性树脂组合物的详细说明进行后述。
在缓冲层BFL上配置第一绝缘层10。第一绝缘层10与多个像素PX(图4)共同重叠，并覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层的氧化硅层。不仅是第一绝缘层10，后述的电路层DP-CL的绝缘层也可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。无机层可以包含上述物质中的至少一种。
在第一绝缘层10上配置第一晶体管TR1的第三电极G1以及第二晶体管TR2的第三电极G2。第三电极G1、G2可以是金属图案的一部分。第一晶体管TR1的第三电极G1与第一晶体管TR1的沟道部A1重叠，第二晶体管TR2的第三电极G2与第二晶体管TR2的沟道部A2重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，第一以及第二晶体管TR1、TR2的第三电极G1、G2可以起到掩模作用。
在第一绝缘层10上配置覆盖第三电极G1、G2的第二绝缘层20。第二绝缘层20与多个像素PX(图4)共同重叠。第二绝缘层20可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。在本实施例中，第二绝缘层20可以是单层的氧化硅层。
在第二绝缘层20上可以配置上电极UE。上电极UE可以与第二晶体管TR2的第三电极G2重叠。上电极UE可以是金属面板的一部分或者掺杂的半导体图案的一部分。第三电极G2的一部分和与其重叠的上电极UE可以界定电容器。在本发明的一实施例中上电极UE也可以省略。
在本发明的一实施例中，第二绝缘层20可以由绝缘图案替代。在绝缘图案上配置上电极UE。上电极UE可以起到从第二绝缘层20形成绝缘图案的掩模作用。
在第二绝缘层20上配置覆盖上电极UE的第三绝缘层30。在本实施例中，第三绝缘层30可以是单层的氧化硅层。在第三绝缘层30上可以配置第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1可以通过贯通第一至第三绝缘层10～30的接触孔CNT-1接通于连接信号线SCL。
在第三绝缘层30上可以配置第四绝缘层40。在本实施例中，第四绝缘层40可以是单层的氧化硅层。在第四绝缘层40上可以配置第五绝缘层50。第五绝缘层50可以是有机绝缘层。在第五绝缘层50上可以配置第二连接电极CNE2。第二连接电极CNE2可以通过贯通第四绝缘层40以及第五绝缘层50的接触孔CNT-2接通于第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60可以配置于第五绝缘层50之上，并覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机绝缘层。在第六绝缘层60上配置第一电极AE。第一电极AE通过贯通第六绝缘层60的接触孔CNT-3连接于第二连接电极CNE2。在像素界定膜PDL界定有开口部OP。像素界定膜PDL的开口部OP暴露第一电极AE的至少一部分。
显示面板DP的显示区域DA(图4)可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以与发光区域PXA相邻，并围绕发光区域PXA。在本实施例中，发光区域PXA与通过开口部OP暴露的第一电极AE的一部分区域对应地界定。
显示元件层DP-OLED包括发光元件OLED以及像素界定膜PDL。发光元件OLED的第一电极AE配置于第六绝缘层60上。发光元件OLED的第一电极AE可以通过贯通第六绝缘层60的接触孔CNT-3与第二连接电极CNE2连接。
像素界定膜PDL的开口部OP暴露发光元件OLED的第一电极AE的至少一部分。像素界定膜PDL的开口部OP可以界定发光区域PXA。例如，多个像素PX(图4)可以在显示面板DP(图4)的平面上以一定的规则配置。配置多个像素PX(图4)的区域可以界定为像素区域，一个像素区域可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。像素界定膜PDL可以由将后述的根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物形成。
参照图5，空穴控制层HCL可以共同配置于发光区域PXA和非发光区域NPXA。空穴控制层HCL之类公共层可以共同形成于多个像素PX。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层以及空穴注入层。
在空穴控制层HCL上配置发光层EML。发光层EML可以仅配置于与开口部OP对应的区域。发光层EML可以分离形成于多个像素PX(图4)各自。
在本实施例中示例性地示出了图案化的发光层EML，但是发光层EML可以共同配置于多个像素PX(图4)。此时，发光层EML可以生成白色光或者蓝色光。另外，发光层EML可以具有多层结构。
在发光层EML上配置电子控制层ECL。电子控制层ECL可以包括电子传输层以及电子注入层。在电子控制层ECL上配置发光元件OLED的第二电极CE。电子控制层ECL以及第二电极CE共同配置于多个像素PX。
在第二电极CE上配置封装层TFE。封装层TFE可以覆盖多个像素PX(图4)。在本实施例中封装层TFE直接覆盖第二电极CE。在本发明的一实施例中，显示面板DP可以还包括直接覆盖第二电极CE的封盖层。在本发明的一实施例中发光元件OLED的叠层结构也可以具有从图5所示的结构上下倒置的结构。
以下，针对根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物进行详细说明。一实施例的感光性树脂组合物可以用于制造有机绝缘层及/或像素界定膜。例如，一实施例的感光性树脂组合物可以用于形成包括在电路层DP-CL中的作为有机绝缘层的第五绝缘层50以及第六绝缘层60中的至少任一个的工艺。一实施例的感光性树脂组合物可以用于形成包括在显示元件层DP-OLED中的像素界定膜PDL的工艺。
根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物可以包含彼此不同的第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物。
在本说明书中，“取代或非取代”可以意指由选自由氘原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基以及杂环基组成的组中的一种以上的取代基取代或非取代。另外，所述示例的取代基各自可以取代或非取代。例如，联苯基也可以解释为芳基，也可以解释为由苯基取代的苯基。
在本说明书中，烷基可以是直链或支链型。烷基的碳数为1以上且50以下、1以上且30以下、1以上且20以下、1以上且10以下或者1以上且6以下。作为烷基的例子，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基以及正三十烷基等，但是不限于这些。
在本说明书中，芳基意指从芳香烃环衍生的任意的官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。芳基的成环碳数可以是6以上且30以下、6以上且20以下或者6以上且15以下。作为芳基的例子，可以示例苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基(quinquephenyl)、六联苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、
Figure BDA0003856265020000161
基等，但是不限于这些。
在本说明书中，亚芳基除了为二价基之外，可以适用前述的关于芳基的说明。杂亚芳基除了为二价基之外，可以适用前述的关于杂芳基的说明。
在本说明书中，烷氧基可以是直链、支链或环链。烷氧基的碳数不特别限制，例如可以是1以上且20以下或者1以上且10以下。作为烷氧基的例子，可以有甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基等，但是不限于这些。
在本说明书中，直接键合(direct linkage)可以意指单键合。
在一实施例中，第一单体可以由下面化学式1表示。第一单体可以包含至少一个亲水性基。更具体地，第一单体包含巯基(mercapto group)以及呋喃基(furanyl group)中的至少任一种作为取代基。巯基以及呋喃基可以与第一单体的硅原子直接键合，或者通过连接基团与第一单体的硅原子键合。包含这种取代基的第一单体可以包含在倍半硅氧烷类共聚物的主链中而对容易地调节针对碱的溶解性做出贡献。
[化学式1]
R1-R2-Si(R3)3
在化学式1中，R1是取代或非取代的巯基或者取代或非取代的呋喃基。例如，R1可以是非取代的巯基或者非取代的呋喃基。
在化学式1中，R2是直接键合(direct linkage)或者取代或非取代的碳数3以上且6以下的二价的烷基。例如，R2可以是直接键合或者二价的丙基。
在化学式1中，R3是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基。例如，R3可以是取代或非取代的甲氧基。
在一实施例中，由化学式1表示的第一单体可以包含3-(巯基)丙基三甲氧基硅烷以及三甲氧基(2-呋喃基)硅烷中的至少一种。
构成一实施例的倍半硅氧烷类共聚物的第一单体通过包含巯基以及呋喃基中的至少一种作为取代基，可以调节针对碱的可溶性，可以在用于一实施例的感光性树脂组合物的情况下具有针对碱性显影液的高感光度。
在一实施例中，由化学式1表示的第一单体可以使用一种以上。例如，当形成倍半硅氧烷类共聚物时，可以使用两种彼此不同的第一单体。由化学式1表示的第一单体可以包含由下面化学式1-1表示的第1-1单体和由下面化学式1-2表示的第1-2单体。两种不同的第一单体可以分别包含巯基以及呋喃基作为取代基。在使用两种彼此不同的第一单体的情况下，一实施例的倍半硅氧烷类共聚物可以将彼此不同的两种第一单体以及后述的第二单体至第四单体共聚而获得。一实施例的倍半硅氧烷类共聚物可以将第1-1单体、第1-2单体以及后述的第二单体至第四单体共聚而获得。在此情况下，第二单体至第四单体可以分别单独使用或者混合两种以上使用。
[化学式1-1]
R1-1-R2-Si(R3)3
[化学式1-2]
R1-2-R2-Si(R3)3
在化学式1-1以及化学式1-2中，R1-1是取代或非取代的巯基，R1-2是取代或非取代的呋喃基。
另一方面，在化学式1-1以及化学式1-2中，针对R2以及R3可以适用与在所述化学式1中所定义的内容相同的内容。
在一实施例中，第二单体可以由下面化学式2表示。第二单体可以包含至少一个疏水性取代基。疏水性取代基可以与第二单体的硅原子直接键合。在下面化学式2中，疏水性取代基可以是R4。包含这种取代基的第二单体可以与所述前述的第一单体一样包含在倍半硅氧烷类共聚物的主链中而对容易地调节碱显影特性做出贡献。
[化学式2]
(R4)n-Si(R5)4-n
在化学式2中，R4是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷基或者取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的芳基。例如，R4可以是取代或非取代的甲基、取代或非取代的乙基、取代或非取代的丙基或者取代或非取代的苯基。
在化学式2中，R5是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基。例如，R5可以是取代或非取代的甲氧基或者取代或非取代的乙氧基。
在化学式2中，n是1以上且3以下的整数。在n是2以上的整数的情况下，多个R5可以彼此相同或者不同。在n是1的情况下，由化学式2表示的第二单体可以是三官能的烷氧基硅烷化合物。在n是2的情况下，由化学式2表示的第二单体可以是二官能的烷氧基硅烷化合物。在n是3的情况下，由化学式2表示的第二单体可以是一官能的烷氧基硅烷化合物。
由化学式2表示的第二单体可以举出例如：甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、甲基三正丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三异丙氧基硅烷、乙基三正丁氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、正己基三甲氧基硅烷、正己基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、对羟基苯基三甲氧基硅烷、1-萘基三甲氧基硅烷、1-萘基三乙氧基硅烷、1-萘基三正丙氧基硅烷、2-萘基三甲氧基硅烷、9-芴基三甲氧基硅烷、2-芴基三甲氧基硅烷、2-茚基三甲氧基硅烷等三官能烷氧基硅烷化合物；二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二乙酰氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二(1-萘基)二甲氧基硅烷、二(1-萘基)二乙氧基硅烷等二官能烷氧基硅烷化合物；三甲基甲氧基硅烷、三正丁基乙氧基硅烷等一官能烷氧基硅烷化合物。
在一实施例中，第二单体可以包含甲基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷以及二苯基二乙氧基硅烷中的至少一种。
在一实施例中，由化学式2表示的第二单体可以由下面化学式2-1或者化学式2-2表示。
[化学式2-1]
(R4)-Si(R5)3
[化学式2-2]
(R4)2-Si(R5)2
化学式2-1以及化学式2-2表示在化学式2中特定n的情况。化学式2-1表示在化学式2中n为1的情况。化学式2-2表示在化学式2中n为2的情况。
另一方面，在化学式2-1以及化学式2-2中，针对R4以及R5可以适用与在所述化学式2中所定义的内容相同的内容。
在一实施例中，由化学式2表示的第二单体可以使用一种以上。例如，由化学式2表示的第二单体可以使用两种彼此不同的第二单体，两种彼此不同的第二单体可以分别为由化学式2-1表示的化合物以及由化学式2-2表示的化合物。即，两种彼此不同的第二单体可以分别为二官能的烷氧基硅烷化合物以及三官能的烷氧基硅烷化合物。在使用两种彼此不同的第二单体的情况下，不仅可以容易地调节碱显影特性，而且在倍半硅氧烷类共聚物合成时提升反应性而增加固化膜的耐热性以及耐化学性。
在一实施例中，除了由化学式1表示的第一单体以及由化学式2表示的第二单体之外，可以使用用于实现分子量调节以及耐热性特性的对称结构的有机硅烷化合物。对称结构的有机硅烷化合物可以是由下面化学式3表示的第三单体以及由下面化学式4表示的第四单体。在将具有这种结构的第三单体以及第四单体作为倍半硅氧烷类共聚物的主链包含的情况下，调节倍半硅氧烷类共聚物的分子量可以变得容易，可以确保薄膜的高耐热特性。
在一实施例中，第三单体可以由下面化学式3表示。构成倍半硅氧烷类共聚物的第三单体可以是以一个硅原子为中心具有对称结构的四官能的烷氧基硅烷化合物。
[化学式3]
Si(R6)4
在化学式3中，R6可以是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基。例如，R6可以是取代或非取代的甲氧基、取代或非取代的乙氧基或者取代或非取代的丙氧基。
在一实施例中，由化学式3表示的第三单体可以包含四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷以及四丙氧基硅烷中的至少一种。
在一实施例中，第四单体可以由下面化学式4表示。构成倍半硅氧烷类共聚物的第四单体可以是具有对称结构的双硅烷(bis-silane)化合物。由化学式4表示的第四单体可以具有两个硅烷基通过连接基团连接的结构，可以以连接基团为中心具有对称结构。
[化学式4]
(R7)3-Si-R8-Si-(R7)3
在化学式4中，R7是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基。例如，R7可以是取代或非取代的乙氧基。
在化学式4中，R8是取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的亚芳基。例如，R8可以是二价的取代或非取代的苯基或者二价的取代或非取代的联苯基。
在一实施例中，由化学式4表示的第四单体可以包含1,4-双(三乙氧基甲硅烷基)苯、1,3-双(三乙氧基甲硅烷基)苯以及4,4-双(三乙氧基甲硅烷基)-1,1'-联苯中的至少一种。
在一实施例中，可以是，相对于第一至第四单体总量，第一单体的含量为5重量％～25重量％，第二单体的含量为20重量％～60重量％，第三单体的含量为20重量％～40重量％，第四单体的含量为5重量％～25重量％。在第一至第四单体的含量满足前述范围的情况下，可以提升碱溶解性能，可以增大薄膜的耐热性以及耐化学性。
用于本发明的一实施例的倍半硅氧烷类共聚物可以将第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体通过溶胶-凝胶反应共聚而制备。更具体地，倍半硅氧烷类共聚物将由化学式1表示的第一单体、由化学式2表示的第二单体、由化学式3表示的第三单体以及由化学式4表示的第四单体通过溶胶-凝胶反应共聚而制备，在各个聚合单元中第一单体至第四单体的排列顺序不受限制。即，在一实施例中，倍半硅氧烷类共聚物可以是第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体的组合顺序随机(random)组合。在将具有随机结构的倍半硅氧烷类共聚物用于一实施例的感光性树脂组合物的情况下，与使用笼子(cage)或者梯子(ladder)结构的倍半硅氧烷类共聚物的情况相比，可以改善耐热性以及耐化学性。另外，随机结构的倍半硅氧烷类共聚物的合成与笼子或者梯子结构相比工艺简单，因此在经济方面可以是有利的。
在一实施例中，倍半硅氧烷类共聚物可以包含从第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体由来的至少一个重复单元。例如，一实施例的倍半硅氧烷类共聚物可以是包含如下面化学式5那样的重复单元的共聚物，但是不限于此。
[化学式5]
Figure BDA0003856265020000221
如化学式5那样，包含在一实施例的感光性树脂组合物中的倍半硅氧烷类共聚物可以具有包含至少一个亲水性取代基以及至少一个疏水性取代基的结构。即，包含在一实施例的感光性树脂组合物中的倍半硅氧烷类共聚物可以由将包含巯基以及呋喃基中的至少一种的第一单体以及包含烷基或者芳基等疏水性取代基的第二单体包含的组合物形成。在将具有这种结构的倍半硅氧烷类共聚物用于感光性树脂组合物的情况下，可以提升碱显影特性而实现高感光度以及高分辨率图案，可以抑制工艺后残留物生成而确保优异的薄膜稳定性。另外，通过引入具有对称结构的第三单体以及第四单体，可以容易地调节倍半硅氧烷类共聚物的分子量，从而可以提升薄膜的耐热性以及耐化学性。
在一实施例中，倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量(Mw)可以是5,000～15,000。在包含在一实施例的感光性树脂组合物中的倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量满足所述前述的范围的情况下，可以在曝光部中溶解特性提升而感光度提高，可以抑制显影后浮渣(scum)，因此可以改善薄膜稳定性。倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量可以通过第一至第四单体的种类以及含量调节来适当地调节。
在一实施例中，倍半硅氧烷类共聚物的分散度可以是2.0～4.0。在倍半硅氧烷类共聚物的分散度满足前述的范围的情况下，可以提升薄膜的耐热性以及耐化学性，并适当地调节感光性树脂组合物的显影速度而提高残膜率。另一方面，在本说明书中，分散度可以意指表示为重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)的比。
包含在感光性树脂组合物中的倍半硅氧烷类共聚物的含有量可以根据使用的单体的种类或者工艺条件等适当地调节。倍半硅氧烷类共聚物的含有量可以相对于感光性树脂组合物总量，为10重量％～40重量％。在倍半硅氧烷类共聚物的含有量满足前述范围的情况下，可以获得充分的涂敷膜的厚度，感光性树脂组合物可以在保持高感光度以及高分辨率特性的同时，更加提升薄膜的耐热性、耐化学性以及透明性。可以是，在倍半硅氧烷类共聚物的含有量未满10重量％的情况下，由于低粘度，难以实现目标的涂敷膜的厚度，在倍半硅氧烷类共聚物的含有量超过40重量％的情况下，碱显影特性降低。
根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物可以是正型感光性树脂组合物。在本说明书中，正型感光性树脂组合物指代针对碱显影液的曝光部的溶解度增加，从而通过显影去除曝光部而形成图案的组合物。在一实施例的感光性树脂组合物为正型感光性树脂组合物的情况下，可以使用显影时增加曝光部的溶解度的感光性化合物。在一实施例中，感光性树脂组合物可以还包含醌二叠氮类感光性化合物作为感光性化合物。
在一实施例中，醌二叠氮类感光性化合物可以包含将萘醌-1,2-二叠氮-4-磺酸酯基或者萘醌-1,2-二叠氮-5-磺酸酯基作为取代基包含的1,4-苯二醇、1,2-苯二醇、4,4'-二羟基-联苯、双酚-A、α,α-双(4-羟基苯基)-4-(4-羟基-α,α-二甲基苄基)-乙苯以及4,4',4”-三羟基苯甲烷中的至少一种。
在感光性树脂组合物还包含醌二叠氮类感光性化合物的情况下，醌二叠氮类感光性化合物可以相对于感光性树脂组合物总量以5重量％～20重量％包含。在醌二叠氮类感光性化合物未满5重量％的情况下，针对碱显影液的溶解降低效果降低，从而难以实现高感光度特性。在醌二叠氮类感光性化合物超过20重量％的情况下，固化时通过醌二叠氮类感光性化合物的分解，薄膜的耐热性以及透明性可能降低，发生倍半硅氧烷类共聚物和醌二叠氮类感光性化合物的相分离，从而可能难以形成均匀的薄膜。在醌二叠氮类感光性化合物的含量满足前述范围的情况下，针对碱溶液的显影特性最优化，从而可以实现高感光度特性，可以确保薄膜的耐热性以及透明性。
在一实施例中，感光性树脂组合物可以还包含表面活性剂。所述表面活性剂可以为了提升感光性树脂组合物的涂敷性或者显影性而使用。作为表面活性剂，可以使用硅类表面活性剂。表面活性剂的含量可以相对于固形份100重量份，以0.0001重量份～2重量份使用，但是不限于此。
在一实施例中，感光性树脂组合物可以还包含乙二醇类溶剂。
乙二醇类溶剂可以包括乙酸丁酯、二甘醇二甲醚、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇乙酸甲酯、二甘醇乙酸乙酯、二甘醇乙醚以及二丙二醇甲醚中的至少一种。
在一实施例的感光性树脂组合物还包含乙二醇类溶剂的情况下，乙二醇类溶剂可以相对于感光性树脂组合物总量以40重量％～85重量％包含。在乙二醇类溶剂的含量满足前述范围的情况下，倍半硅氧烷类共聚物以及醌二叠氮类感光性化合物的溶解性增大，从而可以提升薄膜的透明性。乙二醇类溶剂可以根据包含在感光性树脂组合物中的各个成分的种类以及含量或者目标的组合物的粘度以及薄膜的厚度等适当地调节。
以下，在参照实施例以及比较例的同时，针对根据本发明的一实施方式的感光性树脂组合物以及利用其的有机绝缘层以及像素界定膜具体地说明。另外，以下示出的实施例是用于帮助理解本发明的一示例，本发明的范围不限于此。
[实施例]
1.感光性树脂组合物的制备
1)实施例1
(步骤A)(倍半硅氧烷类共聚物的制备)
在具备漏斗、冷却管、搅拌器的2L烧瓶中，将3-(巯基)丙基三乙氧基硅烷(19.64g，0.10mol)、二苯基二甲氧基硅烷(73.31g，0.30mol)、甲基三甲氧基硅烷(27.24g，0.20mol)、四甲氧基硅烷(45.67g，0.30mol)、1,4-双(三乙氧基硅烷)苯(40.26g，0.10mol)、丙二醇单甲醚乙酸酯(200g)分别混合后，在搅拌所述溶液的同时，附加20g的0.5当量HCl水溶液作为酸催化剂。
将反应温度升温至70℃并搅拌18小时期间。反应结束后，添加蒸馏水，通过相分离回收有机相，从而制备20g倍半硅氧烷类共聚物。凝胶渗透色谱法(GPC)测定结果，倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量为8,000。
(步骤B)(感光性树脂组合物的制备)
在阻隔紫外线的状态下，将(a)在所述实施例1的步骤A中制备的倍半硅氧烷类共聚物以固形份比率100重量份、(b)作为感光性化合物4,4',4”-三羟基苯甲烷、1,2-萘醌二叠氮-5-磺酸酯20重量份、硅类表面活性剂0.5重量份在(c)作为溶剂的丙二醇单甲醚乙酸酯中稀释溶解为固形份的总含量成为30重量％后，通过孔尺寸0.1μm的PTFE膜过滤器过滤而得到液相的感光性树脂组合物。
2)实施例2
(步骤A)(倍半硅氧烷类共聚物的制备)
在具备漏斗、冷却管、搅拌器的2L烧瓶中，将三甲氧基(2-呋喃基)硅烷(18.83g，0.10mol)、二苯基二甲氧基硅烷(73.31g，0.30mol)、甲基三甲氧基硅烷(27.24g，0.20mol)、四甲氧基硅烷(45.67g，0.30mol)、1,4-双(三乙氧基硅烷)苯(40.26g，0.10mol)、丙二醇单甲醚乙酸酯(200g)分别混合后，在搅拌所述溶液的同时，附加20g的0.5当量HCl水溶液作为酸催化剂。
将反应温度升温至70℃并搅拌18小时期间。反应结束后，添加蒸馏水，通过相分离回收有机相，从而制备20g倍半硅氧烷类共聚物。GPC测定结果，倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量为8,000。
(步骤B)(感光性树脂组合物的制备)
在阻挡紫外线的状态下，将(a)在所述实施例2的步骤A中制备的倍半硅氧烷类共聚物以固形份比率100重量份、(b)作为感光性化合物4,4',4”-三羟基苯甲烷、1,2-萘醌二叠氮-5-磺酸酯20重量份、硅类表面活性剂0.5重量份在(c)作为溶剂的丙二醇单甲醚乙酸酯中稀释溶解为固形份的总含量成为30重量％后，通过孔尺寸0.1μm的PTFE膜过滤器过滤而得到液相的感光性树脂组合物。
3)实施例3
(步骤A)(倍半硅氧烷类共聚物的制备)
在具备漏斗、冷却管、搅拌器的2L烧瓶中，将3-(巯基)丙基三乙氧基硅烷(9.82g，0.05mol)、三甲氧基(2-呋喃基)硅烷(9.42g，0.05mol)、二苯基二甲氧基硅烷(73.31g，0.30mol)、甲基三甲氧基硅烷(27.24g，0.20mol)、四甲氧基硅烷(45.67g，0.30mol)、1,4-双(三乙氧基硅烷)苯(40.26g，0.10mol)、丙二醇单甲醚乙酸酯(200g)分别混合后，在搅拌所述溶液的同时，附加20g的0.5当量HCl水溶液作为酸催化剂。
将反应温度升温至70℃并搅拌18小时期间。反应结束后，添加蒸馏水，通过相分离回收有机相，从而制备20g倍半硅氧烷类共聚物。GPC测定结果，倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量为8,000。
(步骤B)(感光性树脂组合物的制备)
在阻挡紫外线的状态下，将(a)在所述实施例3的步骤A中制备的倍半硅氧烷类共聚物以固形份比率100重量份、(b)作为感光性化合物4,4',4”-三羟基苯甲烷、1,2-萘醌二叠氮-5-磺酸酯20重量份、硅类表面活性剂0.5重量份在(c)作为溶剂的丙二醇单甲醚乙酸酯中稀释溶解为固形份的总含量成为30重量％后，通过孔尺寸0.1μm的PTFE膜过滤器过滤而得到液相的感光性树脂组合物。
4)比较例1
制备以往作为像素界定膜材料通常使用的聚酰亚胺(PI)类感光性树脂组合物。聚酰亚胺类感光性树脂组合物在实施例中代替倍半硅氧烷类共聚物使用具有由下面化学式6表示的单体的聚酰亚胺。
[化学式6]
Figure BDA0003856265020000261
另外，作为感光性化合物，使用由下面化学式7表示的化合物。
[化学式7]
Figure BDA0003856265020000262
在所述化学式7中，Q是由下面化学式8表示的取代基。在所述化学7中，在Q为氢原子的情况下，可以指代为稳定剂(Ballast)。由下面化学式8表示的Q相对于这样的稳定剂包含75％。
[化学式8]
Figure BDA0003856265020000271
在比较例1中，相对于聚酰亚胺100重量份，使用约20重量份的感光性化合物，将其在溶剂中稀释为固形份的总含量成为10重量％，从而制备聚酰亚胺类感光性树脂组合物。作为溶剂，使用将γ-丁内酯、乳酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯以10：20：70的重量比混合的溶剂。
2.涂覆膜评价
在玻璃基板上将在所述实施例1～3以及比较例1中制备的感光性树脂组合物旋涂后进行图案化而形成感光性树脂膜图案，在约230℃的温度下热处理1小时期间。施行得到的像素界定膜的物性试验，其结果在表1中示出。
(1)图案评价
使用3μm～300μm、行间距(line&space)1：1间隔的光掩模以及安装有G线、H线、I线(G,H,I-line)紫外灯的掩模对准器(产品名：SUSS MA-6)，照射100mJ/cm2(I-line，365nm基准)能量后，在2.38％TMAH(四甲基氢氧化铵)稀的碱性水溶液中进行显影60秒，用超纯水冲洗。将这样获得的图案基板在230℃烘箱中加热30分钟。用电子显微镜观察形成图案的硅晶片或者玻璃基板，若将5μm图案形成为没有浮渣(scum)，则判定为“优异”，无法形成5μm图案或者浮渣(scum)严重的试料判定为“缺陷”。
(2)残膜率评价
通过下面式1算出残膜率。
[式1]
残膜率(％)＝(显影以及固化工艺后膜厚度/初期厚度)×100
(3)耐热性评价
固化后对试料实施热重量分析(设备名：TGA，Perkin elmer公司)，从室温到600℃为止以10℃/min的速度升温，测定按照温度的重量减少率(loss wt％)。此时，将在400℃处重量减少率未满20％判定为“优异”，20％～40％之间判定为“一般”，40％以上判定为“缺陷”。
(4)耐化学性评价
涂敷膜形成后，经过固化工艺后，在PR(光刻胶)剥离液(商品名，LT-360)中在40℃下浸渍10分钟期间后，算出膜厚度溶胀(Swelling)变化率。将未满5％的溶胀(Swelling)判定为“优异”，在5％以上的溶胀(Swelling)的情况下判定为“缺陷”。
(5)介电常数评价
经过在ITO(氧化铟锡)基板形成以及固化涂膜的工艺后，蒸镀1.0直径的铝电极而制造金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)评价单元。为了测定介电常数，将所述评价单元使用LCR-meter(Agilent公司4284)测定涂敷的抗蚀剂膜的电容(C)，并通过下面式2求得介电常数。在下面式2中，d＝抗蚀剂膜的厚度，A＝蒸镀的电极的面积，ε0＝作为常数，为真空的介电常数(8.855×10-12F/m)，ε＝要求得的抗蚀剂膜的介电常数。
[式2]
C＝(ε0εA)/d
(6)水分吸湿率评价
形成涂敷膜后，经过固化工艺后，在蒸馏水中在常温下浸渍72小时期间，算出膜厚度溶胀(Swelling)变化率。将未满2％的溶胀(Swelling)判定为“优异”，在2％以上的溶胀(Swelling)的情况下判定为“缺陷”。
【表1】
Figure BDA0003856265020000281
参照所述表1，可以知道，在本发明中使用作为将第一至第四单体共聚而形成的共聚物的聚倍半硅氧烷的实施例1～3与使用以往的聚酰亚胺的比较例1相比，不仅耐热性以及耐化学性，而且残膜率、图案分辨率以及感光度也非常优异。另外，由一实施例的感光性树脂组合物形成的实施例1～3与比较例1相比，显示出低介电特性，并显示出低水分吸湿率，从而可以期待元件的可靠性优异。
图6a是示出利用根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物形成的像素界定膜的截面的扫描电子显微镜照片。在图6a中示出了针对由本发明的实施例1的感光性树脂组合物形成的像素界定膜评价锥角的结果。锥角在扫描电子显微镜中作为像素界定膜与基板之间的接合角度进行测定。锥角测定为30°，如在图6a中那样，可以确认到图案形成为没有残渣。通过此，可以知道，一实施例的感光性树脂组合物表现出优异的显影特性，从而显示出高分辨率以及高感光度特性。
图6b是示出利用根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物形成的有机绝缘层的平面的扫描电子显微镜照片。在图6b中示出了用扫描电子显微镜拍摄由本发明的实施例1的感光性树脂组合物形成的有机绝缘层的平面的结果。参照图6b，可以确认到，24μm的接触孔图案没有残渣而脱落。通过此，可以知道，一实施例的感光性树脂组合物表现出优异的显影特性，从而显示出高分辨率以及高感光度特性。
通过图6a以及图6b，可以确认到，根据一实施例的感光性树脂组合物根据包含将彼此不同的第一至第四单体共聚而形成的倍半硅氧烷类共聚物，可以实现高感光度以及高分辨率的图案形成。
图7是示出利用根据本发明的实施例以及比较例的感光性树脂组合物形成的单膜的根据波长的透射率结果的图。图7针对利用在实施例1以及比较例1中获得的感光性树脂组合物形成的单膜分别测定在紫外线区域以及可见光区域中的透过率(％)并示出。参照图7，可以确认到，在实施例的情况下，在紫外线以及可见光区域中的透过率全部高于比较例。通过此，可以期待，由一实施例的感光性树脂组合物形成的单膜与比较例相比，表现出高透明性，曝光时感光度提升，从而可以实现高分辨率的图案。
图8a以及图8b是用热重量分析仪测定的利用根据本发明的一实施例以及比较例的感光性树脂组合物形成的单膜的耐热性结果。图8a示出了针对由本发明的实施例1的感光性树脂组合物形成的单膜评价根据温度的重量变化的结果。图8b示出了针对由本发明的比较例1的感光性树脂组合物形成的单膜评价根据温度的重量变化的结果。
参照图8a，可以确认到，由实施例的感光性树脂组合物形成的单膜在341.16℃附近开始重量缓慢地减少，在383.27℃附近表现出重量减少5％以下。相反地，可以确认到，由比较例的感光性树脂组合物形成的单膜在320.31℃之后开始重量缓慢地减少并在345.65℃附近显示出重量减少5％程度，之后显示出重量急剧减少。通过此，可以知道，由实施例的感光性树脂组合物形成的单膜的情况与由比较例的感光性树脂组合物形成的单膜相比，热稳定性更优异。
以下，参照图9以及图10a至图10e，说明利用根据本发明的感光性树脂组合物的显示装置的制造方法。在针对一实施例的显示装置的制造方法的说明中，显示装置可以适用针对上述的一实施例的显示装置的说明。以下，在针对一实施例的显示装置的制造方法的说明中，与针对上述的一实施例的显示装置的说明重复的内容不再说明，以区别点为主进行说明。
图9是示出制造根据一实施例的显示装置的方法的流程图。图10a至图10e是简要示出制造根据一实施例的显示装置的步骤的图。
参照图9，制造根据一实施例的显示装置的方法包括：在基底层上形成有机绝缘层的步骤(S100)；以及在有机绝缘层上形成像素界定膜的步骤(S200)。
图10a至图10e是依次示出根据一实施例的显示装置的制造方法中的一部分步骤的截面图。在图10a至图10e中，依次示出了在与图5对应的截面部分中，形成第一至第六绝缘层10、20、30、40、50、60中的第六绝缘层60和像素界定膜PDL的步骤。图10a示出提供用于形成第六绝缘层60的一实施例的感光性树脂组合物的步骤，图10b示出形成第六绝缘层60的接触孔CNT-3的步骤，图10c示出在第六绝缘层60上形成第一电极AE的步骤，图10d示出提供用于形成像素界定膜PDL的一实施例的感光性树脂组合物的步骤，图10e示出形成像素界定膜PDL的开口部OP的步骤。另一方面，在图10a至图10e中示例性地示出了形成第六绝缘层60的步骤，但是不限于此，形成第一至第五绝缘层10、20、30、40、50中的作为有机绝缘层的至少一个的步骤也可以通过根据本发明的一实施例的制造方法执行。
参照图10a，在基底层BL上可以提供根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物。具体地，可以在基底层BL上涂敷根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物而形成预备有机绝缘层60-1。一实施例的感光性树脂组合物可以在第五绝缘层50上形成第二连接电极CNE2后提供。涂敷感光性树脂组合物的方法可以使用旋涂、化学气相沉积、喷涂法、辊涂法等各种方法。一实施例的感光性树脂组合物可以是正型感光性树脂组合物。
参照图10b，可以执行对预备有机绝缘层60-1选择性地进行曝光以及显影的步骤。在对预备有机绝缘层60-1选择性地进行曝光以及显影而形成第六绝缘层60的步骤中，可以去除第六绝缘层60的一部分而形成接触孔CNT-3。更具体地，在对预备有机绝缘层60-1进行曝光的步骤之后，可以使用碱显影液进行显影工艺。可以是，显影时去除预备有机绝缘层60-1中的照射光的部分而形成接触孔CNT-3，没有照射光的部分保留为图案。另一方面，可以在对预备有机绝缘层60-1进行曝光之前执行热处理工艺。热处理工艺可以相当于预备有机绝缘层60-1的预退火(pre-baking)工艺。通过预退火工艺可以去除感光性树脂组合物内的溶剂。
参照图10c，在形成接触孔CNT-3之后，可以在第六绝缘层60上形成第一电极AE。第一电极AE的一部分可以通过接触孔CNT-3接通于第二连接电极CNE2。
参照图10d，在第六绝缘层60上可以提供根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物。具体地，可以在第六绝缘层60上涂敷根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物而形成预备像素界定膜PDL-1。涂敷感光性树脂组合物的方法可以使用旋涂、化学气相沉积、喷涂法、辊涂法等各种方法。一实施例的感光性树脂组合物可以是正型感光性树脂组合物。
参照图10e，可以执行对预备像素界定膜PDL-1选择性地进行曝光以及显影的步骤。在对预备像素界定膜PDL-1选择性地进行曝光以及显影而形成像素界定膜PDL的步骤中，可以去除像素界定膜PDL的一部分而形成开口部OP。更具体地，在对预备像素界定膜PDL-1进行曝光的步骤之后，可以使用碱显影液进行显影工艺。可以是，显影时去除预备像素界定膜PDL-1中的照射光的部分而形成开口部OP，没有照射光的部分保留为图案。另一方面，可以在对预备像素界定膜PDL-1进行曝光之前执行热处理工艺。热处理工艺可以相当于预备像素界定膜PDL-1的预退火(pre-baking)工艺。通过预退火工艺可以去除感光性树脂组合物内的溶剂。
以往的由聚酰亚胺和萘醌二叠氮化合物构成的感光性树脂组合物由于聚酰胺酸前躯体的过高的碱溶解度，存在二叠氮醌的溶解降低效果减半而诱发高的膜收缩，并且感光度以及分辨率降低的缺点。另外，在聚酰亚胺的情况下，由于在可见光区域中光透射率低且过度僵直的主链结构，无法容易地调节图案的残渣问题或者显影特性。由于此，图案化时需要大量的曝光能量，显影时厚度损失量大，难以改善分散。
根据本发明的一实施例的感光性树脂组合物可以包含将彼此不同种类的第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体共聚而形成的倍半硅氧烷类共聚物。尤其是，使用包含作为亲水性取代基的巯基以及呋喃基中的至少一种的第一单体以及包含作为疏水性取代基的烷基或者芳基等的第二单体，可以容易地调节碱显影特性。由此，能够实现高感光度以及高分辨率图案。另外，通过引入具有对称结构的第三单体以及第四单体，可以容易地调节倍半硅氧烷类共聚物的分子量，从而可以提升薄膜的耐热性以及耐化学性。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本技术领域的熟练的技术人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员可以理解，在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及技术领域的范围内可以对本发明进行各种修改以及变更。因此，本发明的技术范围不限定为说明书的详细说明中记载的内容，应该仅由权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种感光性树脂组合物，其中，包含将由下面化学式1表示的第一单体、由下面化学式2表示的第二单体、由下面化学式3表示的第三单体以及由下面化学式4表示的第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物：
[化学式1]
R1-R2-Si(R3)3
[化学式2]
(R4)n-Si(R5)4-n
[化学式3]
Si(R6)4
[化学式4]
(R7)3-Si-R8-Si-(R7)3
在所述化学式1至所述化学式4中，
R1是取代或非取代的巯基或者取代或非取代的呋喃基，
R2是直接键合或者取代或非取代的碳数3以上且6以下的二价的烷基，
R3以及R5～R7分别独立地是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基，
R4是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷基或者取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的芳基，
R8是取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的亚芳基，
n是1以上且3以下的整数。
2.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述倍半硅氧烷类共聚物的重均分子量为5,000～15,000。
3.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述倍半硅氧烷类共聚物的分散度为2.0～4.0。
4.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述倍半硅氧烷类共聚物包含所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体以及所述第四单体的组合顺序随机的重复单元。
5.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述第一单体包含第1-1单体以及与所述第1-1单体不同的第1-2单体，
所述第1-1单体由下面化学式1-1表示，所述第1-2单体由下面化学式1-2表示：
[化学式1-1]
R1-1-R2-Si(R3)3
[化学式1-2]
R1-2-R2-Si(R3)3
在所述化学式1-1以及所述化学式1-2中，
R1-1是取代或非取代的巯基，
R1-2是取代或非取代的呋喃基，
R2以及R3与在所述化学式1中所定义的内容相同。
6.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
由所述化学式2表示的所述第二单体由下面化学式2-1或者化学式2-2表示：
[化学式2-1]
(R4)-Si(R5)3
[化学式2-2]
(R4)2-Si(R5)2
在所述化学式2-1以及所述化学式2-2中，
R4以及R5与在所述化学式2中所定义的内容相同。
7.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述第一单体包含3-(巯基)丙基三甲氧基硅烷以及三甲氧基(2-呋喃基)硅烷中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述第二单体包含甲基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷以及二苯基二乙氧基硅烷中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述第三单体包含四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷以及四丙氧基硅烷中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述第四单体包含1,4-双(三乙氧基甲硅烷基)苯、1,3-双(三乙氧基甲硅烷基)苯以及4,4-双(三乙氧基甲硅烷基)-1,1'-联苯中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述倍半硅氧烷类共聚物包含由下面化学式5表示的重复单元：
[化学式5]
Figure FDA0003856265010000031
12.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
相对于所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体以及所述第四单体总量，包含：
所述第一单体5重量％～25重量％；
所述第二单体20重量％～60重量％；
所述第三单体20重量％～40重量％；以及
所述第四单体5重量％～25重量％。
13.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中，
所述感光性树脂组合物还包含：
醌二叠氮类感光性化合物；以及
乙二醇类溶剂，
相对于所述感光性树脂组合物总量，包含：
所述倍半硅氧烷类共聚物10重量％～40重量％；
所述醌二叠氮类感光性化合物5重量％～20重量％；以及
所述乙二醇类溶剂40重量％～85重量％。
14.根据权利要求13所述的感光性树脂组合物，其中，
所述醌二叠氮类感光性化合物包含将萘醌-1,2-二叠氮-4-磺酸酯基或者萘醌-1,2-二叠氮-5-磺酸酯基作为取代基包含的1,4-苯二醇、1,2-苯二醇、4,4'-二羟基-联苯、双酚-A、α,α-双(4-羟基苯基)-4-(4-羟基-α,α-二甲基苄基)-乙苯以及4,4',4”-三羟基苯甲烷中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的感光性树脂组合物，其中，
所述乙二醇类溶剂包含乙酸丁酯、二甘醇二甲醚、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇乙酸甲酯、二甘醇乙酸乙酯、二甘醇乙醚以及二丙二醇甲醚中的至少一种。
16.一种感光性树脂组合物，其中，包含：
将彼此不同的第一单体、第二单体、第三单体以及第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物；
醌二叠氮类感光性化合物；
表面活性剂；以及
乙二醇类溶剂，
所述第一单体由下面化学式1表示：
[化学式1]
R1-R2-Si(R3)3
在所述化学式1中，
R1是取代或非取代的巯基或者取代或非取代的呋喃基，
R2是直接键合或者取代或非取代的碳数3以上且6以下的二价的烷基，
R3是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基。
17.根据权利要求16所述的感光性树脂组合物，其中，
所述第二单体由下面化学式2表示，
所述第三单体由下面化学式3表示，
所述第四单体由下面化学式4表示：
[化学式2]
(R4)n-Si(R5)4-n
[化学式3]
Si(R6)4
[化学式4]
(R7)3-Si-R8-Si-(R7)3
在所述化学式2至所述化学式4中，
R4是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷基或者取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的芳基，
R5～R7分别独立地是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基，
R8是取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的亚芳基，
n是1以上且3以下的整数。
18.一种显示装置的制造方法，其中，包括：
在基底层上形成有机绝缘层的步骤；以及
在所述有机绝缘层上形成像素界定膜的步骤，
所述有机绝缘层以及所述像素界定膜中的至少一个由感光性树脂组合物形成，
所述感光性树脂组合物包含将由下面化学式1表示的第一单体、由下面化学式2表示的第二单体、由下面化学式3表示的第三单体以及由下面化学式4表示的第四单体共聚而获得的倍半硅氧烷类共聚物：
[化学式1]
R1-R2-Si(R3)3
[化学式2]
(R4)n-Si(R5)4-n
[化学式3]
Si(R6)4
[化学式4]
(R7)3-Si-R8-Si-(R7)3
在所述化学式1至所述化学式4中，
R1是取代或非取代的巯基或者取代或非取代的呋喃基，
R2是直接键合或者取代或非取代的碳数3以上且6以下的二价的烷基，
R3以及R5～R7分别独立地是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷氧基，
R4是取代或非取代的碳数1以上且3以下的烷基或者取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的芳基，
R8是取代或非取代的成环碳数6以上且12以下的亚芳基，
n是1以上且3以下的整数。
19.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述有机绝缘层的步骤包括：
在所述基底层上涂敷所述感光性树脂组合物而形成预备有机绝缘层的步骤；以及
对所述预备有机绝缘层选择性地进行曝光以及显影的步骤。
20.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述像素界定膜的步骤包括：
在所述有机绝缘层上涂敷所述感光性树脂组合物而形成预备像素界定膜的步骤；以及
对所述预备像素界定膜选择性地进行曝光以及显影的步骤。
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