CN115864110A - 激光装置及其使用方法 - Google Patents

激光装置及其使用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115864110A
CN115864110A CN202210383362.8A CN202210383362A CN115864110A CN 115864110 A CN115864110 A CN 115864110A CN 202210383362 A CN202210383362 A CN 202210383362A CN 115864110 A CN115864110 A CN 115864110A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electromagnetic wave
optical crystal
thin film
film coating
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210383362.8A
Other languages
English (en)
Inventor
谢裕华
郑英彦
顾文昱
陈科维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN115864110A publication Critical patent/CN115864110A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10061—Polarization control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本公开涉及激光装置及其使用方法。本文所述的一些实施方式提供了一种激光装置。该激光装置包括所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波。该激光装置包括所述激光装置的第二部分，位于所述激光装置的远端，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：支持从光学晶体发射所述第二电磁波，并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。

Description

激光装置及其使用方法
技术领域
本公开总体涉及激光装置及其使用方法。
背景技术
激光装置(通过辐射器件的受激发射进行光放大)是基于接收输入(例如，刺激)而使用光放大来发射光的装置。激光装置可以被配置为发射相干电磁波(例如光波)，这些电磁波可聚焦成光束(例如传输路径)。激光装置可用于发射电磁波，以用于诸如激光切割、医疗、测量工具、退火操作和/或光刻术(例如，光刻)等之类的应用。
发明内容
根据本公开的一个方面，提供了一种激光装置，包括：所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波；以及所述激光装置的第二部分，位于所述激光装置的远端，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波，并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
根据本公开的另一方面，提供了一种使用激光装置的方法，包括：将输入信号接收到激光装置的第一部分中，所述输入信号刺激具有第一波长的第一电磁波的发射；经由所述激光装置的第二部分中的光学晶体接收所述第一电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：基于对所述第一电磁波的接收，从所述光学晶体发射第二电磁波，并且引起所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射；以及经由所述光学晶体发射所述第二电磁波。
根据本公开的又一方面，提供了一种使用激光装置的方法，包括：通过激光装置朝着待检查对象发射电磁波，所述激光装置包括：所述激光装置的第一部分，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波；以及所述激光装置的第二部分，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射；以及在所述电磁波从所述对象的一个或多个表面反射或折射之后，接收所述电磁波的一部分。
附图说明
在结合附图阅读时，可以通过下面的具体实施方式来最佳地理解本公开的各方面。要注意的是，根据行业的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意地增大或减小。
图1-图3是本文所述的激光装置的示例的示意图。
图4是可以实现本文所述的系统和/或方法的示例环境的示意图。
图5是本文所述的图1的一个或多个装置的示例组件的示意图。
图6和图7是与本文所述的激光装置相关的示例过程的流程图。
图8是可以实现本文所述的系统和/或方法的示例光刻系统的示意图。
具体实施方式
下面的公开内容提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。以下描述了组件和布置的特定示例以简化本公开。当然，这些只是示例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中在第二特征之上或上形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征以直接接触的方式形成的实施例，还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个示例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
此外，本文中可以使用空间相关术语(例如，“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语旨在涵盖装置在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可被相应地解释。
在一些情况中，激光装置可以被配置有设置在激光装置的光学组件之间的光学晶体(非线性光学晶体)。光学晶体可以被配置为接收具有第一波长的第一电磁波并发射具有第二波长的第二电磁波。光学晶体可以被设置在第一镜器件和第二镜器件之间，其中第一镜器件在靠近光学晶体的表面上具有第一薄膜涂层，并且第二镜器件在靠近光学晶体的表面上具有第二薄膜涂层。第一薄膜涂层可以被配置为反射第二电磁波(例如，朝着向前方向反射向后发射的第二电磁波)。第二薄膜涂层可以被配置为使向前发射的第二电磁波通过第二镜器件，并且将向前发射的第一电磁波反射回光学晶体，以便有机会刺激附加第二电磁波的发射。
使用被配置有设置在第一镜器件和第二镜器件之间的光学晶体的激光装置可能会带来制造挑战，可能会造成能量损失，和/或可能具有不必要的较长长度。例如，设置第一薄膜涂层和第二薄膜涂层可能会带来制造挑战。第一薄膜涂层和第二薄膜涂层具有较低的沉积误差容差，因为第一薄膜涂层和第二薄膜涂层被配置为基于调谐到第一波长和/或第二波长的厚度使电磁波反射和/或通过。厚度不精确可能会导致第一层薄膜涂层或第二层薄膜涂层所通过或反射的电磁波出现误差。由此，第一薄膜涂层或第二薄膜涂层中的误差可能导致具有非预期波长的电磁波从激光装置发射，这可能损坏激光装置所针对的器件，例如半导体器件的衬底。附加地或替代地，第一薄膜涂层和第二薄膜涂层可能具有低粗糙度容差，这可能散射电磁波。此外，基于光学晶体与第一镜器件和第二镜器件之间的空间，激光装置可能会损失能量(例如，由于激光装置中的散射和/或与粒子碰撞等)。此外，激光装置可能具有不必要长的腔室，这可能是在使用该激光装置的设施(例如，半导体制造设施)中对空间的低效利用。由此，激光装置可能会消耗不必要的大量能量来补偿能量损失，设施可能使用资源来减少能量损失(例如，用氮气浸泡激光装置，以减少光学晶体与第一镜器件和第二镜器件之间的颗粒，等等)，和/或基于第一薄膜涂层或第二薄膜涂层中的误差可能会不必要地消耗制造资源。
本文所述的一些实施方式提供了用于将光学晶体用作激光装置的谐振器的技术和装置。在一些实施方式中，光学晶体可以在光学晶体的一个或多个端部(例如，沿着激光装置的传输路径的向后端和/或向前端)配置一个或多个薄膜涂层。以这种方式，光学晶体可以被配置为朝着向前方向反射向后传播的第二电磁波(例如，经由光学晶体的向后端处的内部反射)，并且从光学晶体的向前端发射向前传播的第二电磁波(例如，在光学晶体内行进)。在一些实施方式中，光学晶体可以被配置为反射向前传播的第一电磁波(例如，在光学晶体内行进)并且反射向后传播的第一电磁波(例如，在光学晶体内行进)。以这种方式，光学晶体周围的具有薄膜涂层的镜器件可能是不必要的。这可以允许激光装置的制造过程避免用于提供具有薄膜涂层的镜器件的不必要的成本和资源消耗。此外，第一电磁波和第二电磁波可以减少器件之间(例如，在光学晶体和具有薄膜涂层的镜器件之间)传播的距离，这可以减少与颗粒碰撞造成的能量损失(例如，在深紫外频率下减少10％-20％，或在可见光频率下减少5％-10％，等等)，和/或可以减少薄膜涂层粗糙度造成的散射。以这种方式，激光装置例如可以提高能量效率和/或减少制造成本和/或时间等。例如，基于沉积薄膜涂层的需求减少，激光装置可以减少停机时间(例如，减少了2-3％)。另外地或替代地，激光装置可以具有减小的腔室长度(例如，减小20％)，这可以节省包括激光装置的工具内的空间。
图1是本文所述的激光装置100的示例的示意图。激光装置100可以包括未示出的附加元件(例如，光学元件)、用于布置激光装置100内的元件的外壳，和/或激光装置100可以连接到一个或多个附加设备，例如控制器、电源、时间调制器和空间调制器(例如，用于控制激光输出序列和光束形状)、光学滤波器和光栅(例如，用于缩小激光光谱)、和/或输入设备、以及其他示例。在一些实施方式中，外壳可以包括金属外壳和/或散热器，以减少激光装置100的热负荷。在一些实施方式中，激光装置100可以被配置有温度控件，以维持激光装置100的一个或多个光学晶体的阈值温度。在一些实施方式中，激光装置100可以被配置用于例如计量、极紫外光刻、浸没扫描、激光退火和/或光源等。
如图1所示，激光装置100可以包括设置在激光装置100的腔室的向后端处的镜器件102。镜器件102可以被配置为反射从增益器件104和/或从光学晶体106(例如非线性光学晶体)沿着向后方向传播的电磁波(例如，泵浦电磁波(pump electromagnetic wave))。镜器件102可以被配置为反射具有与增益器件104和/或光学晶体106相关联的波长的电磁波。
增益器件104可以配置有粒子数反转(population inversion)，其中增益器件104的电子和/或分子能级被提升，使得能级的下降在激光装置100内产生增益器件电磁波。增益器件104可以包括基于晶体的材料，例如稀土离子、过渡金属离子、钇铝石榴石、正钒酸钇、蓝宝石和/或溴化铯镉。增益器件104可以包括：例如，玻璃材料(例如，掺杂有激光活性离子的硅酸盐或磷酸盐玻璃)、气体材料(例如，氦和氖、氮、氩、一氧化碳、二氧化碳或金属蒸汽等)、半导体材料(例如，砷化镓、砷化铟镓和/或氮化镓等)和/或液体材料(例如，染料溶液)等。增益器件可以设置在镜器件102和光学晶体106之间。
光学晶体106被配置为接收具有波长的电磁波(例如，来自增益器件104)并且发射具有其他波长(例如，激光装置的第一波长)的电磁波。光学晶体106可以包括例如硼酸钡、碘酸锂、铌酸钾、磷酸一钾、三硼酸锂、β硼酸钡、硒化镓、磷酸二氢钾、铌酸锂、磷酸二氢铵和/或磷酸钛钾等。
激光装置100可以包括调制器器件108，该调制器器件108被配置为在将电磁波传递到镜器件110之前调制从光学晶体106发射的电磁波。镜器件110和镜器件102可以与光学晶体106线性间隔开，使得从光学晶体106发射的电磁波可以在与镜器件110或镜器件102相互作用之前传播穿过真空或其他气体。调制器器件108可以被配置为在定时间隔期间阻止电磁波向镜器件110的传输，使得调制器器件108以脉冲的形式将电磁波传递到镜器件110。例如，调制器器件108可以允许在第一部分时间期间传输电磁波，并且可以在与第一部分时间交替的第二部分时间期间阻止电磁波的传输。在一些实施方式中，当调制器器件108阻挡电磁波时，电磁波可以在调制器器件108与镜器件102或光学晶体106中的一者或多者之间反射，使得在第一部分时间期间，增大量的电磁波通过调制器器件108。
镜器件110可以被配置为反射高比例(例如，约98％和/或大于或等于90％)的在配置波长范围(例如，与光学晶体106发射的电磁波相关联的波长)之外的电磁波，并且使高比例(例如，约98％和/或大于或等于90％)的在配置波长范围之内的电磁波通过。例如，镜器件110可以被配置有与配置波长范围相关的厚度和/或材料。以这种方式，镜器件110可以减少从激光装置100的第一部分112传出的、未被配置为刺激具有期望波长的电磁波的发射的电磁波的量。
在一些实施方式中，激光装置100的第一部分112可以包括多个光学晶体，这些光学晶体接收传入频率的电磁波并生成传出频率的电磁波。例如，第一光学晶体可以接收具有第一频率的电磁波，并且可以生成具有第二频率的电磁波。第二光学晶体可以接收具有第二频率的电磁波，并且可以生成具有第三频率的电磁波。第三光学晶体可以接收具有第三频率的电磁波，并且可以生成具有第四频率的电磁波。以这种方式，激光装置100的第一部分112可以具有任何数量的光学晶体，以将具有第一频率的传入电磁波转换为具有第二频率的传出电磁波。
沿着传输路径，在激光装置100的第一部分112之后，激光装置100可以包括光学晶体114，该光学晶体114被配置为接收由光学晶体106发射的电磁波，并且沿着远离第一部分112的传输路径发射具有其他波长的电磁波。在一些实施方式中，由光学晶体114发射的电磁波可以是从光学晶体106接收的电磁波的谐波。
光学晶体114可以包括位于光学晶体114的靠近第一部分112的端部(例如，向后端)的薄膜涂层116。薄膜涂层116可以被配置为接收从光学晶体106发射的电磁波，并且反射由光学晶体114(例如，基于接收从光学晶体106发射的电磁波而)生成的电磁波(例如，具有90％的反射)。例如，薄膜涂层116可以配置有厚度和/或材料，以将薄膜涂层116与从光学晶体106发射的电磁波相关联，从而使来自光学晶体106的电磁波通过薄膜涂层116。
在一些实施方式中，薄膜涂层116可以进一步被配置为基于在光学晶体114内沿着向后方向传播的第一电磁波和/或第二电磁波，在内部反射从光学晶体106发射的电磁波(第一电磁波)和/或在内部反射由光学晶体114生成的电磁波(第二电磁波)。在一些实施方式中，薄膜涂层116被配置为基于第一电磁波的波长、基于第二电磁波的波长、基于薄膜涂层116的材料(例如，材料的折射率)和/或基于薄膜涂层116的厚度T1，支持对由光学晶体114生成的电磁波(第二电磁波)的内部反射并且支持对由光学晶体106发射的电磁波的内部反射。
光学晶体114可以包括位于光学晶体114的远离第一部分112的端部(例如向前端)的薄膜涂层118。薄膜涂层118可以被配置为发射由光学晶体114生成的电磁波和/或可以被配置为反射从光学晶体106发射的电磁波。
在一些实施方式中，薄膜涂层118可以进一步被配置为基于在光学晶体114内沿着向前方向传播的第一电磁波和/或第二电磁波，发射从光学晶体114发射的电磁波和/或在内部反射从光学晶体106发射的电磁波。在一些实施方式中，薄膜涂层118被配置为基于第一电磁波的波长、基于第二电磁波的波长、基于薄膜涂层118的材料(例如，折射率)和/或基于薄膜涂层118的厚度T2，支持对从光学晶体114发射的电磁波的发射并且支持对从光学晶体106发射的电磁波的内部反射。
在一些实施方式中，薄膜涂层116可以具有诸如金属(例如，铝、银、金等)或电介质(例如，SiO2、MgF2、YF3、LaF3、Al2O3、CeF3、Y2O3、HfO2、TiO2、CeF3、YF3、ZnS、ZnO、ZnSe、LaTiO3、ZrO2等)之类的材料和/或厚度，这些材料和/或厚度被配置用于对由光学晶体106发射的电磁波进行抗反射和用于对由光学晶体114发射的电磁波进行高度反射以形成谐振器。在一些实施方式中，薄膜涂层116的厚度可以小于1微米。薄膜涂层116的折射率可以在约1.2至约2.7的范围内。光学晶体114的折射率可以在约1.4到约1.7的范围内。
多膜涂层(例如，薄膜涂层116和薄膜涂层118)可以基于干涉实现抗反射或高度反射。例如，光学涂层116和118可以被配置为对由光学晶体106发射的电磁波产生相消干涉，并且对由光学晶体114发射的电磁波产生相长干涉。因此，薄膜涂层116和薄膜涂层118可以被形成为具有用于微调反射光谱的厚度和折射率。
具有薄膜涂层116和薄膜涂层118的光学晶体114可以是激光装置100的部分120的一部分。部分120相比于第一部分112沿着激光装置100的传输路径位于更远处。在一些实施方式中，激光装置100的第二部分120可以包括多个光学晶体，这些光学晶体接收传入频率的电磁波并生成传出频率的电磁波。例如，第一光学晶体可以接收具有第一频率的电磁波，并且可以生成具有第二频率的电磁波。第二光学晶体可以接收具有第二频率的电磁波，并且可以生成具有第三频率的电磁波。第三光学晶体可以接收具有第三频率的电磁波，并且可以生成具有第四频率的电磁波。以这种方式，激光装置100的第二部分120可以具有任何数量的光学晶体，以将具有第一频率的传入电磁波转换为具有第二频率的传出波。
在激光装置100的示例操作中，光学晶体106可以发射第一电磁波122。第一电磁波122可以沿着向前方向朝着激光装置100的第二部分120(例如，朝着光学晶体114)传播。在一些实施方式中，第一电磁波122的一部分可能沿着向后方向传播并且可以被镜器件102反射，使得第一电磁波122的该部分可以沿着向前方向传播。
光学晶体114经由薄膜涂层116接收第一电磁波122，并且基于接收第一电磁波122发射第二电磁波124。在一些实施方式中，第一电磁波122可以进入光学晶体114并且刺激光学晶体114内第二电磁波124的生成。在一些实施方式中，光学晶体114内的电磁波122的一部分可传播穿过光学晶体114并且可以被薄膜涂层118在内部反射，使得第一电磁波122的该部分可以穿过光学晶体114传播回来，从而有额外的机会刺激第二电磁波124的生成。以这种方式，光学晶体114可以使用来自第一电磁波的刺激来生成和发射第二电磁波124，并且在刺激期间第一电磁波122和第二电磁波124在光学晶体114之外的传播量减少。
在一些实施方式中，增益器件104接收输入信号126以配置增益器件104的粒子数反转。在一些实施方式中，输入信号126可以包括被配置为在增益器件104内进行电子激发的电信号。增益器件104内的电子激发可使得增益器件104发射电磁波，这些电磁波在光学晶体106内引起电子激发和/或刺激图1所示的电磁波122的发射。在一些实施方式中，调制器器件108接收控制信号128，以使调制器器件108在将第一电磁波122提供给第二部分120之前形成第一电磁波122的脉冲。
图2是本文所述的激光装置200的示例的示意图。图2所示的激光装置200可以包括激光装置或可以被包括在激光装置中。激光装置200可以包括未示出的附加元件(例如，光学元件)、用于布置激光装置200内的元件的外壳，和/或激光装置200可以连接到一个或多个附加设备，例如控制器和/或输入设备、以及其他示例。激光装置200的器件和其他元件可以具有与激光装置100的器件或其他元件相对应的特征、配置和/或材料。
如图2所示，激光装置200可以包括设置在激光装置200的腔室的向后端处的镜器件102。镜器件102可以被配置为反射从增益器件104和/或从光学晶体106(例如非线性光学晶体)沿着向后方向传播的电磁波(例如，泵浦电磁波)。镜器件102可以被配置为反射具有与增益器件104和/或光学晶体106相关联的波长的电磁波。
增益器件104可以配置有粒子数反转，其中增益器件104的电子和/或分子能级被提升，使得能级的下降在激光装置200内产生增益器件电磁波。增益器件104可以包括基于晶体的材料，例如稀土离子、过渡金属离子、钇铝石榴石、正钒酸钇、蓝宝石和/或溴化铯镉。增益器件104可以包括：例如，玻璃材料(例如，掺杂有激光活性离子的硅酸盐或磷酸盐玻璃)、气体材料(例如，氦和氖、氮、氩、一氧化碳、二氧化碳或金属蒸汽等)、半导体材料(例如，砷化镓、砷化铟镓和/或氮化镓等)和/或液体材料(例如，染料溶液)等。增益器件可以设置在镜器件102和光学晶体106之间。
光学晶体106被配置为接收具有波长的电磁波(例如，来自增益器件104)并且发射具有其他波长(例如，激光装置的第一波长)的电磁波。光学晶体106可以包括例如硼酸钡、碘酸锂、铌酸钾、磷酸一钾、三硼酸锂、β硼酸钡、硒化镓、磷酸二氢钾、铌酸锂、磷酸二氢铵和/或磷酸钛钾等。
激光装置200可以包括调制器器件108，该调制器器件108被配置为在将电磁波传递到镜器件110之前调制从光学晶体发射的电磁波。调制器器件108可以被配置为在定时间隔期间阻止电磁波向镜器件110的传输，使得调制器器件108以脉冲的形式将电磁波传递到镜器件110。
镜器件110可以被配置为反射高比例(例如，约98％和/或大于或等于90％)的在配置波长范围(例如，与光学晶体106发射的电磁波相关联的波长)之外的电磁波，并且使高比例(例如，约98％和/或大于或等于90％)的在配置波长范围之内的电磁波通过。以这种方式，镜器件110可以减少从激光装置200的第一部分112传出的、未被配置为刺激具有期望波长的电磁波的发射的电磁波的量。
沿着传输路径，在激光装置200的第一部分112之后，激光装置200可以包括光学晶体114，该光学晶体114被配置为接收由光学晶体106发射的电磁波，并且发射具有其他波长的电磁波。光学晶体114可以包括位于光学晶体114的靠近第一部分112的端部(例如，向后端)的薄膜涂层116。薄膜涂层116可以被配置为接收从光学晶体106发射的电磁波(在经由第一部分112接收时)，并且反射由光学晶体106生成的电磁波(在光学晶体114内传播时)。薄膜涂层116还可以被配置为使由光学晶体114生成的电磁波(例如，基于接收从光学晶体106发射的电磁波)通过。
光学晶体114可以包括位于光学晶体114的远离第一部分112的端部(例如向前端)的薄膜涂层118。薄膜涂层118可以被配置为反射由光学晶体114生成和/或从光学晶体106发射的电磁波。在一些实施方式中，薄膜涂层118的制造容差(例如，厚度和/或粗糙度)大于薄膜涂层116的制造容差。
在一些实施方式中，薄膜涂层118包括两个或更多个倾斜表面，这些表面可以(例如，可选地)具有设置在其上的反射膜118a和118b。该两个或更多个倾斜表面可以形成有关于纵轴130对称的角度，该纵轴130平行于从激光装置的第一部分112到第二部分120的方向上的传输路径。在一些实施方式中，该两个或更多个倾斜表面可以相对于光学晶体114内的传输路径倾斜，使得第一电磁波将在内部折射。非线性光学晶体的全内反射角可以在约40度到约70度的范围内。因此，只要角度大于70度，晶体的远端就可以实现全内反射。以这种方式，光学晶体114可能不需要薄膜涂层118，可以省略薄膜涂层118。
在一些实施方式中，激光装置200还包括在经由光学晶体114发射第二电磁波之后，沿着传输路径设置的分束器202。在一些实施方式中，分束器202可以被配置为基于反射(例如，在与光学晶体106到光学晶体114之间的传输路径不同的方向上)第二电磁波的一部分124a并使第二电磁波的一部分124b通过来分割第二电磁波。
分束器202和具有薄膜涂层116和薄膜涂层118的光学晶体114可以是激光装置200的部分120的一部分。部分120相比于第一部分112沿着激光装置200的传输路径位于更远处。
在激光装置200的示例操作中，光学晶体106可以发射第一电磁波122。第一电磁波122可以沿着向前方向朝着激光装置200的第二部分120(例如，朝着光学晶体114)传播。在一些实施方式中，第一电磁波122的一部分可沿着向后方向传播并且可以被镜器件102反射，使得第一电磁波122的该部分可以沿着向前方向传播。
光学晶体114经由薄膜涂层116接收先前可能传播穿过分束器202的第一电磁波122，并且基于接收第一电磁波122发射第二电磁波124。第二电磁波124和/或第一电磁波122(统称为电磁波)可以从两个或更多个具有设置在其上的反射膜118a和118b的倾斜表面反射。基于以关于纵轴130对称的角度形成的两个或更多个倾斜表面，可以反射电磁波以使得电磁波沿着与电磁波在从这两个或更多个倾斜表面反射之前传播的方向相反的方向传播。
第二电磁波124可以基于薄膜涂层116的选择而传出光学晶体114，并且第一电磁波122可以被薄膜涂层116在内部反射。在由光学晶体114发射之后，可以使用分束器202来分割第二电磁波124。部分124a可以被分束器202反射到与激光装置200的传输方向不同的方向。
在一些实施方式中，第一电磁波122可以进入光学晶体114并且刺激光学晶体114内的第二电磁波124的生成。在一些实施方式中，光学晶体114内的电磁波122的一部分可以传播穿过光学晶体114，从薄膜涂层118反射，并且然后可以由薄膜涂层116在内部反射，使得第一电磁波122的该部分穿过光学晶体114传播回来，从而有额外的机会刺激第二电磁波124的生成。以这种方式，光学晶体114可以使用来自第一电磁波的刺激来生成和发射第二电磁波124，并且在刺激期间第一电磁波122和第二电磁波124在光学晶体114之外的传播量减少。另外地或替代地，光学晶体114的有效长度(例如，与预期发射的第二电磁波的量相关联)可以大于光学晶体114的实际长度。例如，有效长度可以是实际长度的大约两倍。
在一些实施方式中，增益器件104接收输入信号126以配置增益器件104的粒子数反转。在一些实施方式中，输入信号126可以包括被配置为在增益器件104内进行电子激发的电信号。增益器件104内的电子激发可使得增益器件104发射电磁波，这些电磁波在光学晶体106内引起电子激发和/或刺激图2中所示的电磁波122的发射。在一些实施方式中，调制器器件108接收控制信号128，以使调制器器件108在将第一电磁波122提供给第二部分120之前形成第一电磁波122的脉冲。
图3是本文所述的激光装置300的示例的示意图。图3所示的激光装置300可以包括激光装置或可以被包括在激光装置中。激光装置300可以包括未示出的附加元件(例如，光学元件)、用于布置激光装置300内的元件的外壳，和/或激光装置300可以连接到一个或多个附加设备，例如控制器和/或输入设备、以及其他示例。
如图3所示，激光装置300可以包括设置在激光装置300的腔室的向后端处的镜器件102。镜器件102可以被配置为反射从增益器件104和/或从光学晶体106(例如非线性光学晶体)沿着向后方向传播的电磁波(例如，泵浦电磁波)。镜器件102可以被配置为反射具有与增益器件104和/或光学晶体106相关联的波长的电磁波。
增益器件104可以配置有粒子数反转，其中增益器件104的电子和/或分子能级被提升，使得能级的下降在激光装置300内产生增益器件电磁波。增益器件104可以包括基于晶体的材料，例如稀土离子、过渡金属离子、钇铝石榴石、正钒酸钇、蓝宝石和/或溴化铯镉。增益器件104可以包括：例如，玻璃材料(例如，掺杂有激光活性离子的硅酸盐或磷酸盐玻璃)、气体材料(例如，氦和氖、氮、氩、一氧化碳、二氧化碳或金属蒸汽等)、半导体材料(例如，砷化镓、砷化铟镓和/或氮化镓等)和/或液体材料(例如，染料溶液)等。增益器件可以设置在镜器件102和光学晶体106之间。
光学晶体106被配置为接收具有波长的电磁波(例如，来自增益器件104)并且发射具有其他波长(例如，激光装置的第一波长)的电磁波。光学晶体106可以包括例如硼酸钡、碘酸锂、铌酸钾、磷酸一钾、三硼酸锂、β硼酸钡、硒化镓、磷酸二氢钾、铌酸锂、磷酸二氢铵和/或磷酸钛钾等。
激光装置300可以包括调制器器件108，该调制器器件108被配置为在将电磁波传递到镜器件110之前调制从光学晶体发射的电磁波。调制器器件108可以被配置为在定时间隔期间阻止电磁波向镜器件110的传输，使得调制器器件108以脉冲的形式将电磁波传递到镜器件110。
如图3所示，偏振器器件302可以设置在调制器器件108和镜器件110之间。以这种方式，激光装置300可以被配置为在将电磁波提供给光学晶体114之前使由光学晶体106发射的电磁波偏振。激光装置300的器件和其他元件可以具有与激光装置100和/或激光装置200的器件或其他元件相对应的特征、配置和/或材料
镜器件110可以被配置为反射高比例(例如，约98％和/或大于或等于90％)的在配置波长范围(例如，与光学晶体106发射的电磁波相关联的波长)之外的电磁波，并且使高比例(例如，约98％和/或大于或等于90％)的在配置波长范围之内的电磁波通过。以这种方式，镜器件110可以减少从激光装置300的第一部分112传出的、未被配置为刺激具有期望波长的电磁波的发射的电磁波的量。
沿着传输路径，在激光装置300的第一部分112之后，激光装置300可以包括光学晶体114，该光学晶体114被配置为接收由光学晶体106发射的电磁波，并且发射具有其他波长的电磁波。光学晶体114可以包括位于光学晶体114的靠近第一部分112的端部(例如，向后端)的薄膜涂层116。薄膜涂层116可以被配置为接收从光学晶体106发射的电磁波(在经由第一部分112接收时)，并且反射由光学晶体106生成的电磁波(在光学晶体114内传播时)。薄膜涂层116还可以被配置为使由光学晶体114生成的电磁波(例如，基于接收从光学晶体106发射的电磁波)通过。
光学晶体114可以包括位于光学晶体114的远离第一部分112的端部(例如向前端)的薄膜涂层118。薄膜涂层118可以被配置为反射由光学晶体114生成和/或从光学晶体106发射的电磁波。在一些实施方式中，薄膜涂层118的制造容差(例如，厚度和/或粗糙度)大于薄膜涂层116的制造容差。
在一些实施方式中，薄膜涂层118包括两个或更多个倾斜表面，这些表面具有设置在其上的反射膜118a和118b。该两个或更多个倾斜表面可以形成有关于纵轴130对称的角度，该纵轴130平行于从激光装置的第一部分112到第二部分120的方向上的传输路径。
在一些实施方式中，激光装置300还包括在经由光学晶体114发射第二电磁波之后，沿着传输路径设置的分束器304。在一些实施方式中，分束器304可以被配置为基于第二电磁波被偏振而反射第二电磁波。
分束器304和具有薄膜涂层116和薄膜涂层118的光学晶体114可以是激光装置300的部分120的一部分。部分120相比于第一部分112沿着激光装置300的传输路径处于更远处。
在激光装置300的示例操作中，光学晶体106可以发射第一电磁波122。第一电磁波122可以沿着向前方向朝着激光装置300的第二部分120(例如，朝着光学晶体114)传播。在一些实施方式中，第一电磁波122的一部分可沿着向后方向传播并且可以被镜器件102反射，使得第一电磁波122的该部分可以沿着向前方向传播。
光学晶体114经由薄膜涂层116接收具有偏振和/或先前传播穿过分束器304的第一电磁波122，并且基于接收第一电磁波122发射第二电磁波124。第二电磁波124和/或第一电磁波122(统称为电磁波)可以从两个或更多个具有设置在其上的反射膜118a和118b的倾斜表面反射。基于以关于纵轴130对称的角度形成的两个或更多个倾斜表面，可以反射电磁波以使得电磁波沿着与电磁波在从这两个或更多个倾斜表面反射之前的传播方向相反的方向传播。
第二电磁波124可以基于薄膜涂层116的选择而传出光学晶体114，并且第一电磁波122可以被薄膜涂层116在内部反射。在由光学晶体114发射之后，可以使用分束器304来反射第二电磁波124。第二电磁波124可以被分束器304反射到与激光装置300的传输方向不同的方向。在一些实施方式中，可以基于分束器作为偏振分束器并且基于第二电磁波124被生成有偏振，来反射电磁波124(例如，很少或没有分割)。第二电磁波124可以基于由偏振器器件302偏振第一电磁波122来生成有偏振。
在一些实施方式中，第一电磁波122可以进入光学晶体114并且刺激光学晶体114内的第二电磁波124的生成。在一些实施方式中，光学晶体114内的电磁波122的一部分可以传播穿过光学晶体114，从薄膜涂层118反射，并且然后可以由薄膜涂层116在内部反射，使得第一电磁波122的该部分穿过光学晶体114传播回来，从而有额外的机会刺激第二电磁波124的生成。以这种方式，光学晶体114可以使用来自第一电磁波的刺激来生成和发射第二电磁波124，并且在刺激期间第一电磁波122和第二电磁波124在光学晶体114之外的传播量减少。另外地或替代地，光学晶体114的有效长度(例如，与预期发射的第二电磁波的量相关联)可以大于光学晶体114的实际长度。例如，有效长度可以是实际长度的大约两倍。
在一些实施方式中，增益器件104接收输入信号126以配置增益器件104的粒子数反转。在一些实施方式中，输入信号126可以包括被配置为在增益器件104内进行电子激发的电信号。增益器件104内的电子激发可使得增益器件104发射电磁波，这些电磁波在光学晶体106内引起电子激发和/或刺激图3中所示的电磁波122的发射。在一些实施方式中，调制器器件108接收控制信号128，以使调制器器件108在将第一电磁波122提供给第二部分120之前形成第一电磁波122的脉冲。
图4是可以实现本文所述的系统和/或方法的示例环境的示意图。图4示出了示例系统400(例如，检查工具)，其中可以使用激光装置100、激光装置200和/或激光装置300。
如图4所示，激光装置402(例如，激光装置100、激光装置200和/或激光装置300)可以向待检查对象发射电磁波。在一些实施方式中，激光装置402可以具有基于包括结合激光装置100、激光装置200和/或激光装置300描述的一个或多个特征而减小的长度(例如，在沿着电磁波路径的方向上)。在一些实施方式中，激光装置402可以基于包括结合激光装置100、激光装置200和/或激光装置300描述的一个或多个特征而消耗减少量的功率资源和/或生成增加量的电磁波。在一些实施方式中，激光装置402可以基于包括结合激光装置100、激光装置200和/或激光装置300描述的一个或多个特征而具有降低的电磁波频率带宽。以这种方式，激光装置402可以产生一组电磁波，该组电磁波提供具有提高的结果一致性的检查工具(例如，基于从对象的电磁波折射和/或反射的一致性提高)。
电磁波可以通过强度调制器404、滤波器406和/或偏振器408。在一些实施方式中，强度调制器404可以控制指向对象的电磁波的功率。在一些实施方式中，滤波器406可以从电磁波中滤除频率范围之外的频率。例如，滤波器406可以与期望频率相关，使得处于期望频率或在与期望频率的阈值差内的电磁波通过滤波器406。偏振器408可以使电磁波偏振，使得电磁波具有共同的偏振(例如，水平偏振或垂直偏振)。通过这种方式，电磁波可以提高从对象的折射的一致性。另外地或替代地，偏振器408可以与强度调制器404一起配置，以将电磁波的功率降低到期望的功率范围。
电磁波可以由激光装置402发射，并且可以在与被检查对象410(例如，放置在检查表面412上)相互作用之前通过强度调制器404、滤波器406和/或偏振器408。可以通过朝着对象发射电磁波，使得电磁波可以从对象410的一个或多个表面反射和/或折射。至少部分地基于从对象410的一个或多个表面的反射和/或折射，系统可以检测对象410的特征，例如对象410的形貌。在一些实施方式中，对象410可以是制造后的半导体芯片(例如，被测器件)，或者可以是处于制造过程的中间状态的晶圆或半导体芯片。
在从对象410的一个或多个表面反射或折射之后，电磁波可以通过补偿器414和/或分析器416。补偿器414和分析器416可以形成或包括偏振器补偿器样品分析器，其增强了图像检查的对比度并在系统的感光元件上形成图像。例如，补偿器414和分析器416可以增强电磁波的接收，以在检测器418上形成图像。在一些实施方式中，图像可以是具有至少部分基于补偿器和/或分析器而改进的分辨率和/或对比度的灰度图像。检测器418可以经由通信介质420向数据采集装置422提供图像或相关联的信息。数据采集装置422可以包括处理器、存储器和/或一个或多个其他元件，这些元件支持基于对由激光装置402发射的电磁波的接收来分析和/或存储对象410的图像。数据采集装置422可以向另一装置提供图像和/或可以报告与对象410相关联的状态(例如，通过检查或未通过检查)。
图5是设备500的示例组件的示意图，该设备500可以对应于激光装置100、200、300或402的控制器、系统400的控制器和/或数据采集装置422。在一些实施方式中，激光装置100、200、300或402的控制器、系统400的控制器和/或数据采集装置422可以包括一个或多个设备500和/或设备500的一个或多个组件。如图5所示，设备500可以包括总线510、处理器520、存储器530、输入组件540、输出组件550和通信组件560。
总线510包括支持在设备500的组件之间进行有线和/或无线通信的一个或多个组件。总线510可以将图5的两个或更多个组件耦合在一起，例如经由操作耦合、通信耦合、电子耦合和/或电耦合。处理器520包括中央处理单元、图形处理单元、微处理器、控制器、微控制器、数字信号处理器、现场可编程门阵列、专用集成电路和/或其他类型的处理组件。处理器520以硬件、固件或硬件和软件的组合实施。在一些实施方式中，处理器520包括一个或多个处理器，这些处理器能够被编程以执行本文别处描述的一个或多个操作或过程。
存储器530包括易失性和/或非易失性存储器。例如，存储器530可以包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、硬盘驱动器和/或另一类型的存储器(例如，闪存、磁存储器和/或光学存储器)。存储器530可以包括内部存储器(例如，RAM、ROM或硬盘驱动器)和/或可移动存储器(例如，经由通用串行总线连接可移动)。存储器530可以是非暂时性计算机可读介质。存储器530存储与设备500的操作有关的信息、指令和/或软件(例如，一个或多个软件应用)。在一些实施方式中，存储器530包括例如经由总线510耦合到一个或多个处理器(例如，处理器520)的一个或多个存储器。
输入组件540使设备500能够接收输入，例如用户输入和/或感测输入。例如，输入组件540可以包括触摸屏、键盘、按键、鼠标、按钮、麦克风、开关、传感器、全球定位系统传感器、加速计、陀螺仪和/或致动器。输出组件550使设备500能够提供输出，例如经由显示器、扬声器和/或发光二极管。通信组件560使设备500能够经由有线连接和/或无线连接与其他设备通信。例如，通信组件560可以包括接收器、发射器、收发器、调制解调器、网络接口卡和/或天线。
设备500可以执行本文所述的一个或多个操作或过程。例如，非暂时性计算机可读介质(例如，存储器530)可以存储供处理器520执行的指令集(例如，一个或多个指令或代码)。处理器520可以执行指令集以执行本文所述的一个或多个操作或过程。在一些实施方式中，由一个或多个处理器520执行指令集，使得一个或多个处理器520和/或设备500执行本文所述的一个或多个操作或过程。在一些实施方式中，可以使用硬连线电路来代替指令或与指令结合来执行本文所述的一个或多个操作或过程。另外地或替代地，处理器520可以被配置为执行本文所述的一个或多个操作或过程。因此，本文所述的实施方式不限于硬件电路和软件的任何特定组合。
图5中所示的组件的数量和布置作为示例提供。设备500可以包括与图5所示相比的附加组件、更少的组件、不同的组件、或不同排列的组件。另外地或替代地，设备500的一组组件(例如，一个或多个组件)可以执行被描述为由设备500的另一组组件执行的一个或多个功能。
图6是与本文所述的激光装置及其过程有关的示例过程600的流程图。例如，过程600涉及使用激光装置。在一些实施方式中，图6的一个或多个过程块可以由一个或多个激光装置(例如，激光装置100、激光装置200、激光装置300和/或激光装置402)执行。另外地或替代地，图6的一个或多个过程块可以由设备500的一个或多个组件执行，例如处理器520、存储器530、输入组件540、输出组件550和/或通信组件560。
如图6所示，过程600可以包括将输入信号接收到激光装置的第一部分中，该输入信号刺激具有第一波长的第一电磁波的发射(块610)。例如，激光装置可以将输入信号126接收到激光装置(例如，激光装置100、200和/或300)的第一部分112中，该输入信号刺激具有第一波长的第一电磁波122的发射，如上所述。
如图6进一步所示，过程600可以包括经由激光装置的第二部分中的光学晶体接收第一电磁波(块620)。例如，如本文所述，激光装置可以经由激光装置的第二部分中的光学晶体114接收第一电磁波122。在一些实施方式中，光学晶体114包括设置在光学晶体114的端部的薄膜涂层(例如，薄膜涂层116或118)。在一些实施方式中，薄膜涂层被配置为基于对第一电磁波122的接收从光学晶体114发射第二电磁波124，并且引起第一电磁波122在光学晶体114内的内部反射。
如图6中进一步所示，过程600可以包括经由光学晶体发射第二电磁波(块630)。例如，如本文所述，激光装置可以经由光学晶体114发射第二电磁波124。
过程600可以包括附加实施方式，例如下文所述的和/或结合本文别处所述的一个或多个其他过程的任何单个实施方式或实施方式的任何组合。
在第一实施方式中，过程600包括在激光装置的第一部分112内的调制器器件108处接收输入(例如，控制信号128)，并且在由光学晶体114接收第一电磁波122之前，通过调制器器件108调制第一电磁波122。
在第二实施方式中，单独地或结合第一实施方式，过程600包括经由激光装置的第一部分112内的偏振器器件302偏振第一电磁波122。
在第三实施方式中，单独地或结合第一实施方式和第二实施方式中的一个或多个，过程600包括经由分束器202或分束器304并且在从光学晶体114发射之后，沿着与第一电磁波122的传输路径不平行的方向反射第二电磁波124的部分124a。
在第四实施方式中，单独地或结合第一实施方式至第三实施方式中的一个或多个，光学晶体114的设置有薄膜涂层116的端部靠近第一部分112，光学晶体114的附加端部(与光学晶体114的设置有薄膜涂层116的端部相反)包括具有设置在其上的反射膜118a和118b的两个或更多个倾斜表面，并且反射膜118a和118b被配置为从附加端部对第一电磁波122进行内部反射并且对第二电磁波124进行内部反射。
尽管图6示出了过程600的示例块，但在一些实施方式中，过程600可以包括与图6所示相比的附加块、更少的块、不同的块或不同排列的块。另外地或替代地，过程600的两个或更多个块可以并行执行。
图7是与本文所述的激光装置及其过程有关的示例过程700的流程图。例如，过程700涉及使用激光装置。在一些实施方式中，图7的一个或多个过程块可以由一个或多个半导体处理工具(例如，沉积工具、蚀刻工具和/或晶圆/管芯传输工具)执行。另外地或替代地，图7的一个或多个过程块可以由设备500的一个或多个组件执行，例如处理器520、存储器530、输入组件540、输出组件550和/或通信组件560。
如图7所示，过程700可以包括在激光装置的第一部分内设置一个或多个光学器件(块710)。例如，如本文所述，一个或多个半导体处理工具可以在激光装置的第一部分112内设置一个或多个光学器件(例如，器件102、104、106、108、110和/或302)。在一些实施方式中，第一部分112被配置为基于输入信号126的接收发射具有第一波长的第一电磁波122。
如图7进一步所示，过程700可以包括在光学晶体的端部沉积薄膜涂层，该薄膜涂层被配置为支持基于对第一电磁波的接收从光学晶体发射具有第二波长的第二电磁波，并且支持第一电磁波在光学晶体内的内部反射(块720)。例如，如本文所述，一个或多个半导体处理工具可以在光学晶体114的端部上沉积薄膜涂层(116或118)。在一些实施方式中，薄膜涂层116或118被配置为支持基于对第一电磁波122的接收从光学晶体114发射具有第二波长的第二电磁波124，并且支持第一电磁波122在光学晶体114内的内部反射。
如图7中进一步所示，过程700可以包括在激光装置的第二部分内设置光学晶体(块730)。例如，如本文所述，一个或多个半导体处理工具可以将光学晶体114设置在激光装置的第二部分120内。在一些实施方式中，激光装置被配置为向激光装置的第二部分内的光学晶体提供第一电磁波。
过程700可以包括附加实施方式，例如下文所述的和/或结合本文别处所述的一个或多个其他过程的任何单个实施方式或实施方式的任何组合。
在第一实施方式中，在光学晶体114的端部沉积薄膜涂层(116或118)包括：在光学晶体114的端部沉积厚度为T1或T2的薄膜涂层，以支持从光学晶体114发射第二电磁波124，并且支持第一电磁波122在光学晶体114内的内部反射，厚度(T1或T2)基于第一波长、第二波长和薄膜涂层(116或118)的材料。
尽管图7示出了过程700的示例块，但在一些实施方式中，过程700可以包括与图7所示相比的附加块、更少的块、不同的块或不同排列的块。另外地或替代地，过程700的两个或更多个块可以并行执行。
图8是本文所述的示例光刻系统800的示意图。光刻系统800包括极紫外(EUV)光刻系统或另一种类型的光刻系统，该光刻系统被配置为使用基于镜的光学器件将图案转移到半导体衬底。光刻系统800可以被配置用于半导体处理环境，例如半导体铸造厂或半导体制造设施。
如图8所示，光刻系统800包括辐射源802和曝光工具804。辐射源802(例如，EUV辐射源或另一类型的辐射源)被配置为生成辐射806，例如EUV辐射和/或另一类型的电磁辐射(例如，光)。曝光工具804(例如，EUV扫描仪工具、EUV曝光工具或另一类型的曝光工具)被配置为将辐射806聚焦到反射掩模版808(或光掩模)上，从而使用辐射806将图案从掩模版808转移到半导体衬底810上。
辐射源802包括容器812和容器812中的收集器814。收集器814包括曲面镜，该曲面镜被配置为收集由辐射源802生成的辐射806，并且将辐射806聚焦到中间焦点816。辐射806由等离子体产生，该等离子体由曝光于激光束820的靶材料的液滴818(例如，包括Sn液滴或另一类型液滴的靶材料的液滴)生成。由液滴生成器(DG)822在收集器814的前部上提供液滴818。液滴生成器822被加压以提供液滴818的精细且受控的输出。提供激光束820，使得激光束820通过收集器814的窗口824聚焦。激光束820被聚焦到生成等离子体的液滴818上。等离子体产生等离子体发射，其中一些是辐射806。
曝光工具804包括照明器826和投影光学盒(POB)828。照明器826包括多个反射镜，这些反射镜被配置为将辐射806聚焦和/或引导到掩模版808上，以便照亮掩模版808上的图案。多个镜包括例如镜830a和镜830b。镜830a包括场刻面镜(FFM)或另一类型的包括多个场刻面的镜。镜830b包括光瞳刻面镜(PFM)或另一类型的还包括多个光瞳刻面的镜。镜830a和830b的刻面被布置为聚焦、偏振和/或以其他方式调谐来自辐射源802的辐射806，以增加辐射806的均匀性和/或增加特定类型的辐射组件(例如，横向电(TE)偏振辐射、横向磁(TM)偏振辐射)。包括另一镜832(例如，中继镜)以将来自照明器826的辐射806引导到掩模版808上。
投影光学盒828包括多个镜，这些镜被配置为在基于掩模版808的图案修改辐射806之后，将辐射806投影到半导体衬底810上。多个反射镜包括例如镜834a-834f。在一些实施方式中，镜834a-834f被配置为将辐射806聚焦或减少到曝光场中，该曝光场可以包括半导体衬底810上的一个或多个管芯区域。
曝光工具804包括被配置为支撑半导体衬底810的晶圆台836(或衬底台)。此外，晶圆台836被配置为在辐射806将图案从掩模版808转移到半导体衬底810上时，通过多个曝光场移动(或步进)半导体衬底810。晶圆台836被包括在曝光工具804的底部模块838中。底部模块838包括曝光工具804的可移除子系统。底部模块838可以从曝光工具804中滑出和/或以其他方式从曝光工具804中移除，以便能够清洁和检查晶圆台836和/或晶圆台836的组件。底部模块838将晶圆台836与曝光工具804中的其他区域隔离，以减少和/或最小化半导体衬底810的污染。此外，底部模块838可以通过减少振动(例如，光刻系统800所处于的半导体处理环境中的振动，光刻系统800操作期间光刻系统800中的振动)到晶圆台836的传输，为晶圆台836提供物理隔离，并且因此，为半导体衬底810提供物理隔离。这减少了半导体衬底810的移动和/或扰动，降低了振动可能导致图案未对准的可能性。
曝光工具804还包括掩模版台840，其被配置为支撑和/或固定掩模版808。此外，掩模版台840被配置为在辐射线806中移动或滑动掩模版，使得辐射线806扫描掩模版808。以这种方式，可以将大于辐射806的场或光束的图案转移到半导体衬底810。
光刻系统800包括激光源842。激光源842可以包括激光装置100、激光装置200和/或激光装置300。激光源842被配置为生成激光束820。激光源842可以包括基于CO2的激光源或另一类型的激光源。由于基于CO2的激光源在红外(IR)区域中生成的激光束的波长，激光束可能被锡高度吸收，这使得基于CO2的激光源能够实现用于泵送基于锡的等离子体的高功率和能量。在一些实施方式中，激光束820包括激光源842使用多脉冲技术(或多级泵送技术)生成的多种类型的激光束，其中，激光源842生成预脉冲激光束和主脉冲激光束，以实现基于Sn的等离子体的更高加热效率，从而提高转换效率。
在示例曝光操作(例如，EUV曝光操作)中，液滴生成器822在收集器814前部上提供液滴818流。激光束820与液滴818接触，从而生成等离子体。激光源842生成预脉冲激光束并且朝液滴818流中的靶材料液滴提供预脉冲激光束，并且预脉冲激光束被靶材料液滴吸收。这会将靶材料液滴转变为圆盘状或雾。随后，激光源842朝着盘状靶材或靶材雾提供具有大强度和能量的主脉冲激光束。这里，靶材料的原子被中和，并且离子通过热流和冲击波生成。主脉冲激光束将离子泵送至更高的电荷状态，从而使离子辐射出辐射806(例如EUV光)。
辐射806由收集器814收集并被引导出容器812，并朝着照明器826的镜830a进入曝光工具804。镜830a将辐射806反射到镜830b上，该镜830b将辐射806朝着掩模版808反射到镜832上。辐射806由掩模版808中的图案修改。换句话说，辐射806基于掩模版808的图案从掩模版808反射。反射掩模版808将辐射806引导至投影光学盒828中的镜834a，镜834a将辐射806反射到反射镜834b上。辐射806在投影光学盒828中继续被镜834c-834f反射和缩减。镜834f将辐射806反射到半导体衬底810上，使得掩模版808的图案转移到半导体衬底810上。上述曝光操作是一个示例，并且光刻系统800可以根据其他EUV技术和辐射路径进行操作，这些EUV技术和辐射路径包括更大量的镜、更少量的镜和/或不同的反射镜配置。
如上所述，提供图8作为示例。其他示例可能不同于关于图8描述的示例。例如，另一示例可以包括与图8所示相比的附加组件、更少组件、不同组件或不同排列的组件。另外地或替代地，图8的一组组件(例如，一个或多个组件)可以执行本文所述的由另一组组件执行的一个或多个功能。
基于将光学晶体用作在该光学晶体的一个或多个端部(例如，沿着激光装置的传输路径的向后端或向前端)具有一个或多个薄膜涂层的激光装置的谐振器，光学晶体周围的具有薄膜涂层的镜器件可能是不必要的。这可以允许激光装置的制造过程避免用于提供具有薄膜涂层的镜器件的不必要的成本和资源消耗。此外，第一电磁波和第二电磁波可以减少器件之间(例如，光学晶体和具有薄膜涂层的镜器件之间)的传播，这可以减少与颗粒碰撞造成的能量损失和/或可减少薄膜涂层粗糙度造成的散射。以这种方式，激光装置例如可以提高能量效率和/或减少制造成本和/或时间等。
如上文更详细所述的，本文所述的一些实施方式提供了一种激光装置。该激光装置包括所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波。该激光装置包括所述激光装置的第二部分，位于所述激光装置的远端，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：支持从光学晶体发射所述第二电磁波，并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
如上文更详细所述的，本文所述的一些实施方式提供了一种方法。该方法包括将输入信号接收到激光装置的第一部分中，所述输入信号刺激具有第一波长的第一电磁波的发射。该方法还包括经由所述激光装置的第二部分中的光学晶体接收所述第一电磁波。所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层。所述薄膜涂层被配置为：基于对所述第一电磁波的接收，从所述光学晶体发射第二电磁波，并且引起所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。该方法还包括经由所述光学晶体发射所述第二电磁波。
如上文更详细所述的，本文所述的一些实施方式提供了一种方法。该方法包括在所述激光装置的第一部分内设置一个或多个光学器件。所述第一部分被配置为基于对输入信号的接收发射具有第一波长的第一电磁波。该方法还包括在光学晶体的端部沉积薄膜涂层。所述薄膜涂层被配置为支持基于对所述第一电磁波的接收从所述光学晶体发射具有第二波长的第二电磁波，并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。该方法还包括在所述激光装置的第二部分内设置光学晶体，其中所述激光装置被配置为向所述激光装置的第二部分内的光学晶体提供所述第一电磁波。
如上文更详细所述的，本文所述的一些实施方式提供了一种方法。该方法包括通过激光装置朝着待检查对象发射电磁波。所述激光装置包括所述激光装置的第一部分，其中所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波。所述激光装置还包括所述激光装置的第二部分，其中所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波。所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。该方法还包括在电磁波从所述对象的一个或多个表面反射或折射之后接收所述电磁波的一部分。所述方法还可以包括基于接收由所述激光装置发射的电磁波，分析所述对象的图像。
本公开概述了若干实施例的特征，以使本领域技术人员可以更好地理解本公开的各方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为基础，用于设计或者修改其他工艺和结构，以实现与本文引入的实施例相同的目的和/或达到与本文引入的实施例相同的优点。本领域技术人员还应当认识到，这些等同构造并不脱离本公开的精神和范围，并且他们可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替换和变更。
示例1.一种激光装置，包括：所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波；以及所述激光装置的第二部分，位于所述激光装置的远端，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波，并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
示例2.根据示例1所述的激光装置，其中，所述第一部分包括：附加光学晶体，被配置为生成所述第一电磁波。
示例3.根据示例1所述的激光装置，其中，所述第一部分包括：调制器器件，被配置为在向所述第二部分提供所述第一电磁波之前对所述第一电磁波进行调制。
示例4.根据示例3所述的激光装置，其中，对所述第一电磁波的调制包括基于控制信号形成所述第一电磁波的脉冲。
示例5.根据示例1所述的激光装置，其中，所述薄膜涂层是第一薄膜涂层，并且所述光学晶体的端部是所述光学晶体的第一端，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的第二端的第二薄膜涂层，其中，所述第二薄膜涂层被配置为：支持将所述第一电磁波接收到所述光学晶体中，并且支持所述第二电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
示例6.根据示例1所述的激光装置，其中，所述光学晶体的设置有所述薄膜涂层的所述端部靠近所述第一部分，并且其中，与所述光学晶体的设置有所述薄膜涂层的所述端部相反的所述光学晶体的附加端部包括两个或更多个倾斜表面，该两个或更多个倾斜表面具有设置在其上的反射膜。
示例7.根据示例6所述的激光装置，其中，所述两个或更多个倾斜表面被形成有关于纵轴对称的角度，该纵轴平行于从所述激光装置的第一部分到第二部分的方向上的传输路径。
示例8.根据示例6所述的激光装置，其中，所述反射膜被配置为支持对所述第一电磁波和所述第二电磁波的内部反射。
示例9.根据示例6所述的激光装置，其中，所述光学晶体被配置为从第一方向接收所述第一电磁波，并且其中，所述光学晶体被配置为沿着与所述第一方向相反的第二方向发射所述第二电磁波。
示例10.根据示例6所述的激光装置，其中，所述光学晶体被配置为从第一方向接收所述第一电磁波，其中，所述光学晶体被配置为沿着第二方向发射所述第二电磁波，并且其中，所述激光装置的第二部分包括分束器，该分束器被配置为在所述第二电磁波从所述光学晶体发射之后，沿着与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向反射所述第二电磁波的一部分。
示例11.根据示例10所述的激光装置，其中，所述激光装置的第一部分包括偏振器器件，该偏振器器件被配置为在所述光学晶体接收所述第一电磁波之前对所述第一电磁波进行偏振，并且其中，所述分束器是偏振分束器，该偏振分束器被配置为基于所述第二电磁波的偏振沿着所述第三方向反射所述第二电磁波的该部分。
示例12.根据示例1所述的激光装置，其中，所述薄膜涂层被配置为基于下列项来支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射：所述第一波长，所述第二波长，所述薄膜涂层的材料，以及所述薄膜涂层的厚度。
示例13.根据示例1所述的激光装置，其中，所述激光装置的第二部分不具有在所述第二电磁波从所述光学晶体发射之后沿着所述第二电磁波的传输路径设置的镜器件。
示例14.一种使用激光装置的方法，包括：将输入信号接收到所述激光装置的第一部分中，所述输入信号刺激具有第一波长的第一电磁波的发射；经由所述激光装置的第二部分中的光学晶体接收所述第一电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：基于对所述第一电磁波的接收，从所述光学晶体发射第二电磁波，并且引起所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射；以及经由所述光学晶体发射所述第二电磁波。
示例15.根据示例14所述的方法，还包括：在所述激光装置的第一部分内的调制器器件处接收输入，以及在由所述光学晶体接收所述第一电磁波之前，通过所述调制器器件调制所述第一电磁波。
示例16.根据示例14所述的方法，还包括：经由所述激光装置的第一部分内的偏振器器件使所述第一电磁波偏振。
示例17.根据示例14所述的方法，还包括：经由分束器并且在所述第二电磁波从所述光学晶体发射之后，沿着与所述第一电磁波的传输路径不平行的方向反射所述第二电磁波的一部分。
示例18.根据示例14所述的方法，其中，所述光学晶体的设置有所述薄膜涂层的所述端部靠近所述第一部分，其中，与所述光学晶体的设置有所述薄膜涂层的所述端部相反的所述光学晶体的附加端部包括两个或更多个倾斜表面，该两个或更多个倾斜表面具有设置在其上的反射膜，并且其中，所述反射膜被配置为从所述附加端部对所述第一电磁波进行内部反射并且对所述第二电磁波进行内部反射。
示例19.一种使用激光装置的方法，包括：通过所述激光装置朝着待检查对象发射电磁波，所述激光装置包括：所述激光装置的第一部分，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波；以及所述激光装置的第二部分，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射；以及在所述电磁波从所述对象的一个或多个表面反射或折射之后，接收所述电磁波的一部分。
示例20.根据示例19所述的方法，还包括：基于接收由所述激光装置发射的电磁波，分析所述对象的图像。

Claims (10)

1.一种激光装置，包括：
所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，
其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波；以及
所述激光装置的第二部分，位于所述激光装置的远端，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，
其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：
支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波，并且
支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
2.根据权利要求1所述的激光装置，其中，所述第一部分包括：
附加光学晶体，被配置为生成所述第一电磁波。
3.根据权利要求1所述的激光装置，其中，所述第一部分包括：
调制器器件，被配置为在向所述第二部分提供所述第一电磁波之前对所述第一电磁波进行调制。
4.根据权利要求3所述的激光装置，其中，对所述第一电磁波的调制包括基于控制信号形成所述第一电磁波的脉冲。
5.根据权利要求1所述的激光装置，其中，所述薄膜涂层是第一薄膜涂层，并且所述光学晶体的端部是所述光学晶体的第一端，
其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的第二端的第二薄膜涂层，
其中，所述第二薄膜涂层被配置为：
支持将所述第一电磁波接收到所述光学晶体中，并且
支持所述第二电磁波在所述光学晶体内的内部反射。
6.根据权利要求1所述的激光装置，其中，所述光学晶体的设置有所述薄膜涂层的所述端部靠近所述第一部分，并且
其中，与所述光学晶体的设置有所述薄膜涂层的所述端部相反的所述光学晶体的附加端部包括两个或更多个倾斜表面，该两个或更多个倾斜表面具有设置在其上的反射膜。
7.根据权利要求6所述的激光装置，其中，所述两个或更多个倾斜表面被形成有关于纵轴对称的角度，该纵轴平行于从所述激光装置的第一部分到第二部分的方向上的传输路径。
8.根据权利要求6所述的激光装置，其中，所述反射膜被配置为支持对所述第一电磁波和所述第二电磁波的内部反射。
9.一种使用激光装置的方法，包括：
将输入信号接收到所述激光装置的第一部分中，所述输入信号刺激具有第一波长的第一电磁波的发射；
经由所述激光装置的第二部分中的光学晶体接收所述第一电磁波，其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为：
基于对所述第一电磁波的接收，从所述光学晶体发射第二电磁波，并且
引起所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射；以及
经由所述光学晶体发射所述第二电磁波。
10.一种使用激光装置的方法，包括：
通过所述激光装置朝着待检查对象发射电磁波，所述激光装置包括：
所述激光装置的第一部分，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波；以及
所述激光装置的第二部分，所述第二部分包括光学晶体，所述光学晶体被配置为接收所述第一电磁波并且基于对所述第一电磁波的接收发射具有第二波长的第二电磁波，
其中，所述光学晶体包括设置在所述光学晶体的端部的薄膜涂层，所述薄膜涂层被配置为支持从所述光学晶体发射所述第二电磁波并且支持所述第一电磁波在所述光学晶体内的内部反射；
以及
在所述电磁波从所述对象的一个或多个表面反射或折射之后，接收所述电磁波的一部分。
CN202210383362.8A 2021-11-16 2022-04-13 激光装置及其使用方法 Pending CN115864110A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163264129P 2021-11-16 2021-11-16
US63/264,129 2021-11-16
US17/651,350 2022-02-16
US17/651,350 US20230155341A1 (en) 2021-11-16 2022-02-16 Laser device and method of using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115864110A true CN115864110A (zh) 2023-03-28

Family

ID=85660051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210383362.8A Pending CN115864110A (zh) 2021-11-16 2022-04-13 激光装置及其使用方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230155341A1 (zh)
KR (1) KR20230071696A (zh)
CN (1) CN115864110A (zh)
DE (1) DE102022104123B4 (zh)
TW (1) TWI805522B (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7535938B2 (en) 2005-08-15 2009-05-19 Pavilion Integration Corporation Low-noise monolithic microchip lasers capable of producing wavelengths ranging from IR to UV based on efficient and cost-effective frequency conversion
WO2011140641A1 (en) 2010-05-11 2011-11-17 Ye Hu Packaging method of laser and nonlinear crystal and its application in diode pumped solid state lasers
JP2014081345A (ja) * 2012-09-28 2014-05-08 Panasonic Corp センサ
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
TWI714226B (zh) * 2013-06-18 2020-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 控制自由電子雷射之方法、用於自由電子雷射之注入器及相關之自由電子雷射、微影系統及非暫態電腦可讀取媒體
US11822079B2 (en) * 2018-08-10 2023-11-21 Apple Inc. Waveguided display system with adjustable lenses

Also Published As

Publication number Publication date
US20230155341A1 (en) 2023-05-18
TW202322499A (zh) 2023-06-01
TWI805522B (zh) 2023-06-11
KR20230071696A (ko) 2023-05-23
DE102022104123B4 (de) 2024-02-22
DE102022104123A1 (de) 2023-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5181211A (en) Eye-safe laser system
CN110088993B (zh) 紧密的锁模雷射模块
Spaeth et al. National Ignition Facility wavefront requirements and optical architecture
KR102337946B1 (ko) 두께·온도 측정 장치, 두께·온도 측정 방법 및 기판 처리 시스템
CN106856292B (zh) 基于外差拍频锁定的种子注入2μm波段单频脉冲光参量振荡器
CN100483869C (zh) 一种提高输出稳定性的脉冲激光器
CN115210969A (zh) 调幅激光器
JP2007086100A (ja) パタン検査装置
EP4029093A1 (en) Method of creating an optical atom trap and atom trap apparatus, employing an incoherent light field
CN110568693A (zh) 一种预报单光子产生系统及方法
US9429814B2 (en) Laser arrangement and method for enhancing the life span of optical elements in a laser arrangement
CN115864110A (zh) 激光装置及其使用方法
Stanton et al. Continuous-wave second-harmonic generation in the far-UVC pumped by a blue laser diode
JP2002055369A (ja) レーザ光発生装置
CN102916327A (zh) 一种全反射式板条激光放大器
EP3322049A1 (en) Planar waveguide type laser device
CN110869743A (zh) 高功率宽频带照明源
EP1233483A1 (en) Method and device for generating an optical invariant field
Potemkin et al. Multipass Yb: KGW disk amplifier
CN112204703B (zh) 用于用频率转换照明源泵浦激光维持等离子体的系统及方法
CN115327880B (zh) 一种基于漫反射冷却的长条形冷原子主动光钟及实现方法
Zhao An advanced instrument for Time-and Angle-resolved photoemission spectroscopy
Huang All-optical electron acceleration with ultrafast THz pulses
US20230031153A1 (en) Device Component Assembly And Manufacturing Method Thereof
Güsken et al. Acceleration and adiabatic expansion of multi-state fluorescence from a nanofocus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination