CN115840174A - 磁传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磁传感器，其具备：基板，其具有上表面；绝缘层，其配置于基板之上，且具有分别相对于基板的上表面倾斜的第一及第二倾斜面；以及MR元件。MR元件配置于第一倾斜面或第二倾斜面之上。MR元件具有包含相对于第一倾斜面或第二倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分的第一侧面。

Description

磁传感器

技术领域

本发明涉及具备配置于倾斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。

背景技术

近年来，在各种用途中利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要利用设置于基板上的磁阻效应元件检测包含垂直于基板的面的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将垂直于基板的面的方向的磁场转换成平行于基板的面的方向的磁场的软磁性体，或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，从而能够检测包含垂直于基板的面的方向的分量的磁场。

在日本国专利申请公开2006-194733号公报、中国专利申请公开第101325211A号说明书中公开有具备形成在斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。在中国专利申请公开第101325211A号说明书中公开的磁传感器中，磁阻效应元件的侧面相对于斜面成为正锥形形状。

作为磁阻效应元件，例如可使用TMR(隧道磁阻效应)元件或GMR(巨磁阻效应)元件。在TMR元件中，电流在相对于构成TMR元件的各层的一面大致垂直的方向上流通。另外，作为GMR元件，已知有在相对于构成GMR元件的各层的面大致垂直的方向上流通电流的CPP(电流垂直于平面，Current Perpendicular to Plane)类型的GMR元件。在使用了TMR元件或CPP类型的GMR元件作为磁阻效应元件的情况下，多个磁阻效应元件利用多个下部电极和多个上部电极串联连接。

在此，考虑TMR元件或CPP类型的GMR元件的侧面为锥形形状的情况。在该情况下，当锥形的角度变缓时，磁阻效应元件的侧面和上部电极相对的面积变大，其结果，磁阻效应元件的侧面和上部电极有可能短路。另外，在通过将磁阻效应元件形成为在一个方向上较长的形状从而使自由层具有形状磁各向异性的情况下，当锥形的角度变缓时，形状磁各向异性会变小。这些问题在将磁阻效应元件配置于倾斜面之上的情况下会变得显著。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种在具备配置于倾斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器中，能够抑制磁阻效应元件的侧面的形状所引起的问题的产生的磁传感器。

本发明提供一种磁传感器，其具备：基板，其具有基准平面；支承构件，其配置于基板之上，且具有相对于基准平面倾斜的倾斜面；以及磁检测元件，其配置于倾斜面之上，且具有包含相对于倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分的第一侧面。

在本发明的磁传感器中，磁检测元件的第一侧面包含相对于倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分。由此，根据本发明，在具备配置于倾斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器中，能够抑制磁阻效应元件的侧面的形状所引起的问题的产生。

本发明的其它目的、特征及优点根据以下的说明将变得充分清晰。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的磁传感器的立体图。

图2是表示包含本发明的第一实施方式的磁传感器的磁传感器装置的构成的功能框图。

图3是表示本发明的第一实施方式的第一检测电路的电路结构的电路图。

图4是表示本发明的第一实施方式的第二检测电路的电路结构的电路图。

图5是表示本发明的第一实施方式的磁传感器的一部分的俯视图。

图6是表示本发明的第一实施方式的磁传感器的一部分的截面图。

图7是表示本发明的第一实施方式的磁阻效应元件的侧视图。

图8是表示本发明的第一实施方式的第一例的磁阻效应元件、下部电极及倾斜面的截面图。

图9是图8所示的磁阻效应元件和下部电极的截面图。

图10是表示本发明的第一实施方式的下部电极的第四侧面的第一例的截面图。

图11是表示本发明的第一实施方式的下部电极的第四侧面的第二例的截面图。

图12是表示本发明的第一实施方式的第二例的磁阻效应元件、下部电极及倾斜面的截面图。

图13是表示本发明的第一实施方式的第三例的磁阻效应元件、下部电极及倾斜面的截面图。

图14是表示图13所示的磁阻效应元件和下部电极的截面图。

图15是表示本发明的第一实施方式的第四例的磁阻效应元件、下部电极及倾斜面的截面图。

图16是表示本发明的第一实施方式的第五例的磁阻效应元件、下部电极及倾斜面的截面图。

图17是表示图16所示的磁阻效应元件和下部电极的截面图。

图18是表示本发明的第一实施方式的磁传感器的变形例中的磁阻效应元件、下部电极以及倾斜面的截面图。

图19是表示本发明的第二实施方式的磁传感器的一部分的截面图。

具体实施方式

[第一实施方式]

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细地说明。首先，参照图1及图2对本发明的第一实施方式的磁传感器的结构进行说明。图1是表示本实施方式的磁传感器的立体图。图2是表示包含本实施方式的磁传感器的磁传感器装置的构成的功能框图。

如图1所示，磁传感器1具有长方体形状的芯片的方式。磁传感器1具有相互位于相反侧的上表面1a及下表面、和连接上表面1a及下表面的4个侧面。另外，磁传感器1具有设置在上表面1a上的多个电极焊盘。

在此，参照图1对本实施方式的基准坐标系进行说明。基准坐标系是以磁传感器1为基准的坐标系，是由三个轴定义的正交坐标系。在基准坐标系中，定义X方向、Y方向、Z方向。X方向、Y方向、Z方向相互正交。在本实施方式中，特别是将垂直于磁传感器1的上表面1a的方向即从磁传感器1的下表面朝向上表面1a的方向设为Z方向。另外，将与X方向相反的方向设为-X方向，将与Y方向相反的方向设为-Y方向，将与Z方向相反的方向设为-Z方向。定义基准坐标系的三个轴是与X方向平行的轴、与Y方向平行的轴、与Z方向平行的轴。

以下，将相对于基准位置位于Z方向的前方的位置称为“上方”，将相对于基准位置位于与“上方”相反侧的位置称为“下方”。另外，关于磁传感器1的构成要素，将位于Z方向的一端的一面称为“上表面”，将位于-Z方向的一端的一面称为“下表面”。另外，“从Z方向观察时”这样的表达是指从在Z方向上离开的位置观察对象物。

如图2所示，磁传感器1具备第一检测电路20和第二检测电路30。第一及第二检测电路20、30各自包含多个磁检测元件，以检测对象磁场而生成至少一个检测信号的方式构成。在本实施方式中，特别是多个磁检测元件为多个磁阻效应元件。以下，将磁阻效应元件记为MR元件。

第一及第二检测电路20、30生成的多个检测信号由处理器40处理。磁传感器1和处理器40构成磁传感器装置100。处理器40构成为通过对第一及第二检测电路20、30生成的多个检测信号进行处理，从而生成与规定的基准位置处的磁场的互不相同的两个方向的分量具有对应关系的第一检测值及第二检测值。在本实施方式中，特别是上述的互不相同的两个方向是与XY平面平行的一个方向和与Z方向平行的方向。处理器40例如由面向特定用途的集成电路(ASIC)构成。

处理器40例如也可以包含于支承磁传感器1的支承体。该支承体具有多个电极焊盘。第一及第二检测电路20、30和处理器40例如经由磁传感器1的多个电极焊盘、支承体的多个电极焊盘及多个接合线(bonding wire)而连接。在将磁传感器1的多个电极焊盘设置于磁传感器1的上表面1a的情况下，磁传感器1也可以以磁传感器1的下表面与支承体的上表面相对的姿势安装在支承体的上表面上。

接下来，参照图3～图6对第一及第二检测电路20、30进行说明。图3是表示第一检测电路20的电路结构的电路图。图4是表示第二检测电路30的电路结构的电路图。图5是表示磁传感器1的一部分的俯视图。图6是表示磁传感器1的一部分的截面图。

在此，如图5所示，如下定义U方向和V方向。U方向是从X方向向-Y方向旋转的方向。V方向是从Y方向向X方向旋转的方向。在本实施方式中，特别地，将U方向设为从X方向向-Y方向旋转α的方向，将V方向设为从Y方向向X方向旋转α的方向。此外，α是大于0°且小于90°的角度。在一例中，α为45°。另外，将与U方向相反的方向设为-U方向，将与V方向相反的方向设为-V方向。

另外，如图6所示，如下定义W1方向和W2方向。W1方向是从V方向向-Z方向旋转的方向。W2方向是从V方向向Z方向旋转的方向。在本实施方式中，特别地，将W1方向设为从V方向向-Z方向旋转β的方向，将W2方向设为从V方向向Z方向旋转β的方向。此外，β是大于0°且小于90°的角度。另外，将与W1方向相反的方向设为-W1方向，将与W2方向相反的方向设为-W2方向。W1方向及W2方向分别与U方向正交。

第一检测电路20构成为检测与对象磁场的W1方向平行的方向的分量，并生成与该分量具有对应关系的至少一个第一检测信号。第二检测电路30构成为检测与对象磁场的W2方向平行的方向的分量，并生成与该分量具有对应关系的至少一个第二检测信号。

如图3所示，第一检测电路20包含电源端V2、接地端G2、信号输出端E21、E22、第一电阻部R21、第二电阻部R22、第三电阻部R23、以及第四电阻部R24。第一检测电路20的多个MR元件构成第一～第四电阻部R21、R22、R23、R24。

第一电阻部R21设置于电源端V2和信号输出端E21之间。第二电阻部R22设置于信号输出端E21和接地端G2之间。第三电阻部R23设置于信号输出端E22和接地端G2之间。第四电阻部R24设置于电源端V2和信号输出端E22之间。

如图4所示，第二检测电路30包含电源端V3、接地端G3、信号输出端E31、E32、第一电阻部R31、第二电阻部R32、第三电阻部R33、以及第四电阻部R34。第二检测电路30的多个MR元件构成第一～第四电阻部R31、R32、R33、R34。

第一电阻部R31设置于电源端V3和信号输出端E31之间。第二电阻部R32设置于信号输出端E31和接地端G3之间。第三电阻部R33设置于信号输出端E32和接地端G3之间。第四电阻部R34设置于电源端V3和信号输出端E32之间。

对电源端V2、V3的各自施加规定的大小的电压或电流。接地端G2、G3各自接地。

以下，将第一检测电路20的多个MR元件称为多个第一MR元件50B，将第二检测电路30的多个MR元件称为多个第二MR元件50C。第一及第二检测电路20、30是磁传感器1的构成要素，因此，也可以说磁传感器1包含多个第一MR元件50B及多个第二MR元件50C。另外，对任意的MR元件标注符号50来表示。

图7是表示MR元件50的侧视图。MR元件50是包含多个磁性层的自旋阀型的MR元件。MR元件50具有：磁化固定层51，其具有方向被固定的磁化；自由层53，其具有方向可根据对象磁场的方向而变化的磁化；和间隙层52，其配置于磁化固定层51和自由层53之间。MR元件50可以是TMR(隧道磁阻效应)元件，也可以是GMR(巨磁阻效应)元件。在TMR元件中，间隙层52为隧道势垒层。在GMR元件中，间隙层52为非磁性导电层。在MR元件50中，电阻值根据自由层53的磁化的方向相对于磁化固定层51的磁化的方向所成的角度而变化，在该角度为0°时，电阻值成为最小值，在角度为180°时，电阻值成为最大值。在各MR元件50中，自由层53具有易磁化轴方向成为与磁化固定层51的磁化的方向正交的方向的形状各向异性。此外，作为对自由层53设定规定方向的易磁化轴的装置，能够使用对自由层53施加偏置磁场的磁体。磁化固定层51、间隙层52及自由层53被依次层叠。

MR元件50还可以具有反铁磁性层，该反铁磁性层配置于磁化固定层51中的与间隙层52相反侧。反铁磁性层由反铁磁性材料构成，在与磁化固定层51之间产生交换耦合，固定磁化固定层51的磁化的方向。或者，磁化固定层51也可以是所谓的自钉扎型的固定层(合成铁钉扎(Synthetic Ferri Pinned)层，SFP层)。自钉扎型的固定层具有层叠了铁磁性层、非磁性中间层及铁磁性层的层叠铁氧体结构，使两个铁磁性层反铁磁性地耦合。

此外，MR元件50中的层51～53的配置也可以与图7所示的配置上下相反。

在图3及图4中，实心箭头表示MR元件50的磁化固定层51的磁化的方向。另外，空心箭头表示不对MR元件50施加对象磁场时的、MR元件50的自由层53的磁化的方向。

在图3所示的例子中，第一及第三电阻部R21、R23各自中的磁化固定层51的磁化的方向为W1方向。第二及第四电阻部R22、R24各自中的磁化固定层51的磁化的方向为-W1方向。另外，多个第一MR元件50B各自的自由层53具有易磁化轴方向成为与U方向平行的方向的形状各向异性。在不对第一MR元件50B施加对象磁场的情况下，第一及第二电阻部R21、R22各自中的自由层53的磁化的方向为U方向。在上述的情况下，第三及第四电阻部R23、R24各自中的自由层53的磁化的方向为-U方向。

在图4所示的例子中，第一及第三电阻部R31、R33各自中的磁化固定层51的磁化的方向为W2方向。第二及第四电阻部R32、R34各自中的磁化固定层51的磁化的方向为-W2方向。另外，多个第二MR元件50C各自的自由层53具有易磁化轴方向成为与U方向平行的方向的形状各向异性。在不对第二MR元件50C施加对象磁场的情况下，第一及第二电阻部R31、R32各自中的自由层53的磁化的方向为U方向。在上述的情况下，第三及第四电阻部R33、R34各自中的自由层53的磁化的方向为-U方向。

磁传感器1包含磁场产生器，该磁场产生器构成为对多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C各自的自由层53施加规定方向的磁场。在本实施方式中，磁场产生器包含对多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C各自的自由层53施加规定方向的磁场的线圈80。

此外，从MR元件50的制作精度等观点来看，磁化固定层51的磁化的方向和自由层53的易磁化轴的方向也可以与上述的方向稍微错开。另外，磁化固定层51的磁化也可以构成为包含以上述的方向为主分量的磁化分量。在该情况下，磁化固定层51的磁化的方向成为上述的方向或大致成为上述的方向。

在本实施方式中，MR元件50构成为电流在多个磁性层即磁化固定层51及自由层53的层叠方向上流通。如后述，磁传感器1具备用于向MR元件50流通电流的下部电极及上部电极。MR元件50配置于下部电极和上部电极之间。

以下，参照图5及图6对磁传感器1的具体结构进行详细地说明。图6表示图5中以6-6线表示的位置的截面的一部分。

磁传感器1包含具有上表面301a的基板301、绝缘层302、303、304、305、307、308、309、310、多个下部电极61B、多个下部电极61C、多个上部电极62B、多个上部电极62C、多个下部线圈要素81、以及多个上部线圈要素82。基板301的上表面301a与XY平面平行。Z方向也是与基板301的上表面301a垂直的一个方向。此外，线圈要素是线圈的绕阻的一部分。

绝缘层302配置于基板301之上。多个下部线圈要素81配置于绝缘层302之上。绝缘层303在绝缘层302之上配置于多个下部线圈要素81的周围。绝缘层304、305在多个下部线圈要素81及绝缘层303之上被依次层叠。

多个下部电极61B和多个下部电极61C配置于绝缘层305之上。绝缘层307在绝缘层305之上配置于多个下部电极61B的周围和多个下部电极61C的周围。多个第一MR元件50B配置于多个下部电极61B之上。多个第二MR元件50C配置于多个下部电极61C之上。绝缘层308在多个下部电极61B、多个下部电极61C及绝缘层307之上配置于多个第一MR元件50B的周围和多个第二MR元件50C的周围。多个上部电极62B配置于多个第一MR元件50B及绝缘层308之上。多个上部电极62C配置于多个第二MR元件50C及绝缘层308之上。绝缘层309在绝缘层308之上配置于多个上部电极62B的周围和多个上部电极62C的周围。

绝缘层310配置于多个上部电极62B、多个上部电极62C及绝缘层309之上。多个上部线圈要素82配置于绝缘层310之上。磁传感器1还可以包含覆盖多个上部线圈要素82及绝缘层310的未图示的绝缘层。

磁传感器1包含支承多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C的支承构件。支承构件具有相对于基板301的上表面301a倾斜的至少一个倾斜面。在本实施方式中，特别是支承构件由绝缘层305构成。此外，在图5中，表示了磁传感器1的构成要素中的、绝缘层305、多个第一MR元件50B、多个第二MR元件50C及多个上部线圈要素82。

绝缘层305具有分别向远离基板301的上表面301a的方向(Z方向)伸出的多个凸面305c。多个凸面305c各自向与U方向平行的方向延伸。凸面305c的整体形状是使图6所示的凸面305c的曲线形状(拱形状)沿着与U方向平行的方向移动而构成的半圆筒状的曲面。另外，多个凸面305c在与V方向平行的方向上以规定的间隔并排。

多个凸面305c各自具有最远离基板301的上表面301a的上端部。在本实施方式中，多个凸面305c各自的上端部向与U方向平行的方向延伸。在此，着眼于多个凸面305c中的任意的一个凸面305c。凸面305c包含第一倾斜面305a和第二倾斜面305b。第一倾斜面305a是凸面305c中、比凸面305c的上端部靠V方向侧的面。第二倾斜面305b是凸面305c中、比凸面305c的上端部靠-V方向侧的面。在图5中，以虚线表示第一倾斜面305a和第二倾斜面305b的边界。

凸面305c的上端部也可以是第一倾斜面305a和第二倾斜面305b的边界。在该情况下，图5所示的虚线表示凸面305c的上端部。

基板301的上表面301a与XY平面平行。第一倾斜面305a和第二倾斜面305b各自相对于基板301的上表面301a即XY平面倾斜。在与基板301的上表面301a垂直的截面中，第一倾斜面305a和第二倾斜面305b的间隔随着远离基板301的上表面301a而变小。

在本实施方式中，存在多个凸面305c，因此，第一倾斜面305a和第二倾斜面305b也分别存在多个。绝缘层305具有多个第一倾斜面305a和多个第二倾斜面305b。

绝缘层305还具有存在于多个凸面305c的周围的平坦面305d。平坦面305d是与基板301的上表面301a平行的面。多个凸面305c各自在Z方向上从平坦面305d突出。另外，在本实施方式中，多个凸面305c隔开规定的间隔而配置。因此，在V方向上相邻的两个凸面305c之间存在平坦面305d。

绝缘层305包含分别向Z方向突出的多个突出部、和存在于多个突出部的周围的平坦部。多个突出部各自向与U方向平行的方向延伸，并且具有凸面305c。另外，多个突出部在与V方向平行的方向上以规定的间隔并排。平坦部的厚度(Z方向的尺寸)实际上恒定。另外，绝缘层304实际上具有恒定的厚度(Z方向的尺寸)，且沿着绝缘层305的下表面形成。

多个下部电极61B配置于多个第一倾斜面305a之上。多个下部电极61C配置于多个第二倾斜面305b之上。如上所述，第一倾斜面305a和第二倾斜面305b各自相对于基板301的上表面301a即XY平面倾斜，因此，多个下部电极61B各自的上表面和多个下部电极61C各自的上表面也相对于XY平面倾斜。因此，也可以说多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C配置于相对于XY平面倾斜的倾斜面上。绝缘层305是用于以相对于XY平面倾斜的方式支承多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C中的各自的构件。

此外，在本实施方式中，第一倾斜面305a为曲面。因此，第一MR元件50B沿着曲面(第一倾斜面305a)弯曲。在本实施方式中，方便起见，第一MR元件50B的磁化固定层51的磁化的方向作为直线性的方向并如上述那样被定义。第一MR元件50B的磁化固定层51的磁化的方向即W1方向及-W1方向也是与第一倾斜面305a中、第一MR元件50B的附近的部分相切的切线延伸的方向。

同样，在本实施方式中，第二倾斜面305b为曲面。因此，第二MR元件50C沿着曲面(第二倾斜面305b)弯曲。在本实施方式中，方便起见，第二MR元件50C的磁化固定层51的磁化的方向作为直线性的方向并如上述那样被定义。第二MR元件50C的磁化固定层51的磁化的方向即W2方向及-W2方向也是与第二倾斜面305b中、第二MR元件50C的附近的部分相切的切线延伸的方向。

如图5所示，多个第一MR元件50B以在U方向和V方向上分别各并排多个的方式排列。在一个第一倾斜面305a之上，多个第一MR元件50B并排成1列。同样，多个第二MR元件50C以在U方向和V方向上分别各并排多个的方式排列。在一个第二倾斜面305b之上，多个第二MR元件50C并排成1列。在本实施方式中，多个第一MR元件50B的列和多个第二MR元件50C的列在与V方向平行的方向上交替并排。

此外，在从Z方向观察时，相邻的一个第一MR元件50B和一个第二MR元件50C可以在与U方向平行的方向上错开，也可以不错开。另外，在从Z方向观察时，夹持一个第二MR元件50C而相邻的两个第一MR元件50B可以在与U方向平行的方向上错开，也可以不错开。另外，在从Z方向观察时，夹持一个第一MR元件50B而相邻的两个第二MR元件50C可以在与U方向平行的方向上错开，也可以不错开。

多个第一MR元件50B利用多个下部电极61B和多个上部电极62B串联连接。在此，参照图7对多个第一MR元件50B的连接方法进行详细地说明。在图7中，符号61表示与任意的MR元件50对应的下部电极，符号62表示与任意的MR元件50对应的上部电极。如图7所示，各个下部电极61具有细长的形状。在下部电极61的长边方向上相邻的两个下部电极61之间形成有间隙。在下部电极61的上表面上，在长边方向的两端的附近分别配置有MR元件50。另外，各个上部电极62具有细长的形状，将配置于在下部电极61的长边方向上相邻的两个下部电极61上而相邻的两个MR元件50彼此电连接。

虽然未图示，但位于并排成1列的多个MR元件50的列的一端的一个MR元件50与位于与下部电极61的长边方向交叉的方向上相邻的其它的多个MR元件50的列的一端的另一个MR元件50连接。该两个MR元件50利用未图示的电极相互连接。未图示的电极也可以是将两个MR元件50的下表面彼此或上表面彼此连接的电极。

在图7所示的MR元件50为第一MR元件50B的情况下，图7所示的下部电极61与下部电极61B对应，图7所示的上部电极62与上部电极62B对应。另外，在该情况下，下部电极61的长边方向成为与U方向平行的方向。

同样，多个第二MR元件50C利用多个下部电极61C和多个上部电极62C串联连接。关于上述的多个第一MR元件50B的连接方法的说明也适用于多个第二MR元件50C的连接方法。在图7所示的MR元件50为第二MR元件50C的情况下，图7所示的下部电极61对应于下部电极61C，图7所示的上部电极62对应于上部电极62C。另外，在该情况下，下部电极61的长边方向成为与U方向平行的方向。

多个上部线圈要素82各自向与Y方向平行的方向延伸。另外，多个上部线圈要素82以在X方向上并排的方式排列。在本实施方式中，特别地，在从Z方向观察时，两个上部线圈要素82与多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C各自重叠。

多个下部线圈要素81各自向与Y方向平行的方向延伸。另外，多个下部线圈要素81以在X方向上并排的方式排列。多个下部线圈要素81的形状及排列可以与多个上部线圈要素82的形状及排列相同，也可以不同。在图5及图6所示的例子中，多个下部线圈要素81各自的X方向的尺寸小于多个上部线圈要素82各自的X方向的尺寸。另外，X方向上相邻的两个下部线圈要素81的间隔小于X方向上相邻的两个上部线圈要素82的间隔。

在图5及图6所示的例子中，多个下部线圈要素81和多个上部线圈要素82被电连接，以构成对多个第一MR元件50B和多个第二MR元件50C各自的自由层53施加平行于X方向的方向的磁场的线圈80。另外，线圈80也可以构成为，例如能够对第一检测电路20的第一及第二电阻部R21、R22和第二检测电路30的第一及第二电阻部R31、R32中的自由层53施加X方向的磁场，且对第一检测电路20的第三及第四电阻部R23、R24和第二检测电路30的第三及第四电阻部R33、R34中的自由层53施加-X方向的磁场。另外，线圈80也可以由处理器40控制。

接下来，对第一及第二检测信号进行说明。首先，参照图3对第一检测信号进行说明。当对象磁场的与W1方向平行的方向的分量的强度变化时，第一检测电路20的电阻部R21～R24各自的电阻值以电阻部R22、R24的电阻值随着电阻部R21、R23的电阻值增加而减少，或电阻部R22、R24的电阻值随着电阻部R21、R23的电阻值减少而增加的方式变化。由此，信号输出端E21、E22各自的电位变化。第一检测电路20构成为生成与信号输出端E21的电位对应的信号作为第一检测信号S21，且生成与信号输出端E22的电位对应的信号作为第一检测信号S22。

接着，参照图4对第二检测信号进行说明。当对象磁场的与W2方向平行的方向的分量的强度变化时，第二检测电路30的电阻部R31～R34各自的电阻值以电阻部R32、R34的电阻值随着电阻部R31、R33的电阻值增加而减少，或电阻部R32、R34的电阻值随着电阻部R31、R33的电阻值减少而增加的方式变化。由此，信号输出端E31、E32各自的电位变化。第二检测电路30构成为生成与信号输出端E31的电位对应的信号作为第二检测信号S31，且生成与信号输出端E32的电位对应的信号作为第二检测信号S32。

接着，对处理器40的动作进行说明。处理器40构成为基于第一检测信号S21、S22及第二检测信号S31、S32生成第一检测值和第二检测值。第一检测值是与对象磁场的平行于V方向的方向的分量对应的检测值。第二检测值是与对象磁场的平行于Z方向的方向的分量对应的检测值。以下，以记号Sv表示第一检测值，以记号Sz表示第二检测值。

处理器40例如如下方式生成第一及第二检测值Sv、Sz。处理器40首先通过包含求取第一检测信号S21与第一检测信号S22的差S21-S22的运算而生成值Sa，并且通过包含求取第二检测信号S31和第二检测信号S32的差S31-S32的运算而生成值Sb。接着，处理器40使用下述的式(1)、(2)来计算值Sc、Sd。

Sc＝(Sb+Sa)/(2cosα)…(1)

Sd＝(Sb-Sa)/(2sinα)…(2)

第一检测值Sv可以是值Sc本身，也可以是对值Sc实施了增益调整及偏置调整等的规定的校正的值。同样，第二检测值Sz可以是值Sd本身，也可以是对值Sd实施了增益调整及偏置调整等的规定的校正的值。

接下来，对本实施方式的磁传感器1的结构上的特征进行说明。首先，对第一例的MR元件50的结构上的特征进行说明。图8是表示第一例的MR元件50和下部电极61及倾斜面的截面图。图9是表示图8所示的MR元件50和下部电极61的截面图。

图8表示与配置于任意的倾斜面305e之上的MR元件50交叉且与VZ平面平行的截面。以下，将与VZ平面平行的截面称为VZ截面。与图6同样，图8所示的VZ截面也可以是从位于U方向的前方的位置观察MR元件50的截面的VZ截面。在该情况下，MR元件50、下部电极61及倾斜面305e分别对应于第二MR元件50C、下部电极61C及第二倾斜面305b。或者，图8所示的VZ截面也可以是从位于-U方向的前方的位置观察MR元件50的截面的VZ截面。在该情况下，MR元件50、下部电极61及倾斜面305e分别对应于第一MR元件50B、下部电极61B及第一倾斜面305a。

在此，如图8及图9所示，定义与VZ平面平行的第一方向D1和第二方向D2。第一方向D1是沿着倾斜面305e的方向且远离基准平面的方向。在本实施方式中，将基板301的上表面301a(参照图6)称为基准平面。Z方向是与基准平面(基板301的上表面301a)垂直的一个方向。第二方向D2是沿着倾斜面305e的方向且接近基准平面(基板301的上表面301a)的方向。

另外，在以下的说明中，将沿着倾斜面305e的方向且与第一方向D1平行的方向(与第二方向D2平行的方向)简称为沿着倾斜面305e的方向。该方向也是沿着倾斜面305e的方向且距基准平面(基板301的上表面301a)的距离变化的方向。

MR元件50具有与倾斜面305e相对的下表面50a、与下表面50a相反侧的上表面50b、第一侧面50c和第二侧面50d。第一侧面50c将下表面50a的第一方向D1的端部和上表面50b的第一方向D1的端部连接。从第一侧面50c观察，第二侧面50d配置于第二方向D2的前方。第二侧面50d将下表面50a的第二方向D2的端部和上表面50b的第二方向D2的端部连接。

在图8中，符号P1表示与MR元件50交叉且与倾斜面305e垂直的假想的平面。在本实施方式中，特别是MR元件50的上表面50b弯曲。在将图8所示的MR元件50的上表面50b看作圆筒面的一部分时，假想的平面P1包含该圆筒面的中心轴C1，并且与MR元件50交叉。另外，假想的平面P1与沿着倾斜面305e的方向上的上表面50b的中央交叉。

如图8所示，第一侧面50c以随着接近下部电极61而第一侧面50c和假想的平面P1之间的距离变大的方式倾斜。同样，第二侧面50d以随着接近下部电极61而第二侧面50d和假想的平面P1之间的距离变大的方式倾斜。另外，第一侧面50c和第二侧面50d之间的距离随着接近下部电极61而变大。

在第一例中，在与VZ平面平行的任意的截面中，MR元件50的第一侧面50c和第二侧面50d实际上具有对称或大致对称的形状。具体而言，第二侧面50d具有以假想的平面P1为中心相对于第一侧面50c对称或大致对称的形状。在与倾斜面305e平行的任意的截面中，第二侧面50d和假想的平面P1之间的距离与第一侧面50c和假想的平面P1之间的距离相等或大致相等。

如图9所示，第一侧面50c包含相对于倾斜面305e所成的角度相互不同的第一部分S1及第二部分S2。第二部分S2配置于比第一部分S1更远离倾斜面305e的位置。第二部分S2相对于倾斜面305e所成的角度大于第一部分S1相对于倾斜面305e所成的角度。另外，第二部分S2相对于平行于Z方向的方向所成的角度小于第一部分S1相对于平行于Z方向的方向所成的角度。

第一部分S1以随着接近下部电极61而第一部分S1和假想的平面P1(参照图8)之间的距离变大的方式倾斜。同样，第二部分S2以随着接近下部电极61而第二部分S2和假想的平面P1(参照图8)之间的距离变大的方式倾斜。第二部分S2和假想的平面P1之间的距离成为第一部分S1和假想的平面P1之间的最小的距离以下。

在图9所示的例子中，第一部分S1和第二部分S2各自为曲面。第一部分S1相对于倾斜面305e所成的角度也可以分别为与VZ平面平行的第一切线和第二切线所成的角度。第一切线是与第一部分S1上的任意的第一点相切的切线。第二切线是在第一点的附近与倾斜面305e相切的切线。第二部分S2相对于倾斜面305e所成的角度也可以与第一部分S1相对于倾斜面305e所成的角度同样地定义。此外，第一部分S1和第二部分S2各自不限于曲面，也可以是平面。

如上述，MR元件50包含作为第一磁性层的磁化固定层51和作为第二磁性层的自由层53。在本实施方式中，特别地，磁化固定层51介于倾斜面305e和自由层53之间。第一部分S1的至少一部分由磁化固定层51的侧面构成。第二部分S2的至少一部分由自由层53的侧面构成。此外，也可以是，第一部分S1的整体由磁化固定层51的侧面构成，第二部分S2的整体由自由层53的侧面构成。或者，也可以是，第一部分S1和第二部分S2各自的一部分由间隙层52的侧面构成。在该情况下，第一部分S1和第二部分S2的边界也可以存在于间隙层52的侧面。

如图9所示，第二侧面50d包含相对于倾斜面305e所成的角度相互不同的第三部分S3及第四部分S4。关于第一侧面50c的第一及第二部分S1、S2的说明也适用于第二侧面50d的第三及第四部分S3、S4。如果将上述的说明中的第一及第二部分S1、S2分别置换成第三及第四部分S3、S4，则成为关于第三及第四部分S3、S4的说明。

如图8所示，下部电极61具有与倾斜面305e相对的下表面61a、与下表面61a相反侧的上表面61b、第三侧面61c、以及第四侧面61d。第三侧面61c将下表面61a的第一方向D1的端部和上表面61b的第一方向D1的端部连接。

第四侧面61d配置于沿着绝缘层305的上表面远离第三侧面61c的方向的前方。在此，对第四侧面61d的第一例和第二例进行说明。首先，参照图10对第四侧面61d的第一例进行说明。图10是表示第四侧面61d的第一例的截面图。在第一例中，下部电极61从倾斜面305e遍及平坦面305d而形成。第四侧面61d在平坦面305d之上，将位于平坦面305d的上方的下表面61a的端部和上表面61b的端部连接。

接下来，参照图11对第四侧面61d的第二例进行说明。图11是表示第四侧面61d的第二例的截面图。在第二例中，下部电极61的整体配置于倾斜面305e之上。第四侧面61d位于倾斜面305e之上。第四侧面61d将下表面61a的第二方向D2的端部和上表面61b的第二方向D2的端部连接。

此外，在图6中表示具有图11所示的第四侧面61d的下部电极61。但是，图6的下部电极61也可以具有图10所示的第四侧面61d。

在此，将组合了MR元件50和下部电极61的部件称为MR元件结构体，并以符号70表示。MR元件结构体70包含下部电极61和配置于下部电极61之上的MR元件50。MR元件50包含磁化固定层51和自由层53。MR元件结构体70构成为电流在下部电极61及MR元件50的层叠方向上流通。

MR元件结构体70配置于倾斜面305e之上。另外，MR元件结构体70具有与倾斜面305e相对的下表面70a、和与下表面70a相反侧的上表面70b。MR元件结构体70的下表面70a由下部电极61的下表面61a构成。MR元件结构体70的上表面70b由MR元件50的上表面50b构成。

MR元件结构体70还具有将下表面70a和上表面70b连接的第一面70c。第一面70c由MR元件50的第一侧面50c、下部电极61的第三侧面61c、下部电极61的上表面61b中的未被MR元件50覆盖的部分的一部分构成。第一面70c包含存在于第一侧面50c和第三侧面61c之间的一个台阶。

MR元件结构体70还具有第二面70d，该第二面70d在沿着绝缘层305的上表面远离第一面70c的方向的前方将下表面70a和上表面70b连接。第二面70d由MR元件50的第二侧面50d、下部电极61的第四侧面61d、下部电极61的上表面61b中的未被MR元件50覆盖的部分的另一部分构成。第二面70d包含存在于第二侧面50d和第四侧面61d之间的一个台阶。

接下来，对第二例的MR元件50的结构上的特征进行说明。图12是表示第二例的MR元件50和下部电极61及倾斜面305e的截面图。

在第二例中，MR元件50的第二侧面50d的形状与第一例不同。在与VZ平面平行的任意的截面中，MR元件50的第二侧面50d具有与MR元件50的第一侧面50c不同的形状。具体而言，第二侧面50d具有以假想的平面P1为中心相对于第一侧面50c非对称的形状。在与倾斜面305e平行的任意的截面中，除了上表面50b的附近的部分之外，第二侧面50d和假想的平面P1之间的距离大于第一侧面50c和假想的平面P1之间的距离。在上表面50b的附近的部分，第二侧面50d和假想的平面P1之间的距离也可以与第一侧面50c和假想的平面P1之间的距离相等。

接下来，对第三例的MR元件50的结构上的特征进行说明。图13是表示第三例的MR元件50和下部电极61及倾斜面305e的截面图。图14是表示图13所示的MR元件50和下部电极61的截面图。

在第三例中，MR元件50的第一侧面50c的形状与第一例不同。在第三例中，第一侧面50c的第一部分S1相对于倾斜面305e所成的角度小于第一例，第一部分S1相对于平行于Z方向的方向所成的角度大于第一例。第一部分S1实际上沿着下部电极61的上表面61b延伸。

另外，在第三例中，第一侧面50c的第二部分S2除了自由层53的侧面之外，还由磁化固定层51的侧面构成。即，第二部分S2从磁化固定层51遍及自由层53而形成。

在第三例中，特别地，沿着倾斜面305e的方向上的第一部分S1的尺寸大于沿着倾斜面305e的方向上的第二部分S2的尺寸。另外，从第二部分S2观察，第一部分S1配置于第一方向D1的前方。

另外，在第三例中，在与VZ平面平行的任意的截面，MR元件50的第一侧面50c具有与MR元件50的第二侧面50d不同的形状。具体而言，第一侧面50c具有以假想的平面P1为中心相对于第二侧面50d非对称的形状。

另外，在第三例中，MR元件结构体70的第一面70c由MR元件50的第一侧面50c和下部电极61的第三侧面61c构成。第一面70c包含存在于第一侧面50c的第二部分S2和下部电极61的第三侧面61c之间的一个台阶。

接着，对第四例的MR元件50的结构上的特征进行说明。图15是表示第四例的MR元件50和下部电极61及倾斜面305e的截面图。

在第四例中，MR元件50的第一侧面50c的形状与第三例不同。在第四例中，第一侧面50c的第一部分S1除了磁化固定层51的侧面之外，还由自由层53的侧面构成。即，第一部分S1从磁化固定层51遍及自由层53而形成。

接着，对第五例的MR元件50的结构上的特征进行说明。图16是表示第五例的MR元件50和下部电极61及倾斜面的截面图。图17是表示图16所示的MR元件50和下部电极61的截面图。

图16表示与配置于任意的倾斜面305f之上的MR元件50交叉的VZ截面。与图6同样，该VZ截面也可以是从位于U方向的前方的位置观察MR元件50的截面的VZ截面。在该情况下，MR元件50、下部电极61及倾斜面305f分别对应于第一MR元件50B、下部电极61B及第一倾斜面305a。或者，图16所示的VZ截面也可以是从处于-U方向的前方的位置观察MR元件50的截面的VZ截面。在该情况下，MR元件50、下部电极61及倾斜面305f分别对应于第二MR元件50C、下部电极61C及第二倾斜面305b。

在此，如图16及图17所示，定义与VZ平面平行的第三方向D3和第四方向D4。第三方向D3是沿着倾斜面305f的方向且远离基准平面(基板301的上表面301a)的方向。第四方向D4是沿着倾斜面305f的方向且接近基准平面(基板301的上表面301a)的方向。

另外，在以下的说明中，将沿着倾斜面305f的方向且与第三方向D3平行的方向(与第四方向D4平行的方向)简称为沿着倾斜面305f的方向。该方向也是沿着倾斜面305f的方向且距基准平面(基板301的上表面301a)的距离变化的方向。

在图16中，符号P2表示与MR元件50交叉且与倾斜面305f垂直的假想的平面。在将图16所示的MR元件50的上表面50b看作圆筒面的一部分时，假想的平面P2包含该圆筒面的中心轴C2，并且与MR元件50交叉。另外，假想的平面P2与沿着倾斜面305f的方向上的上表面50b的中央交叉。

第一例中的关于MR元件50、下部电极61及MR元件结构体70的说明除了在以下说明的几个方面之外，也适用于第五例中的MR元件50、下部电极61及MR元件结构体70。如果将第一例中的关于MR元件50、下部电极61及MR元件结构体70的说明中的倾斜面305e、第一方向D1、第二方向D2及假想的平面P1分别更换成倾斜面305f、第三方向D3、第四方向D4及假想的平面P2，则成为第五例中的关于MR元件50、下部电极61及MR元件结构体70的说明。

在第五例中，与第三例同样，第一部分S1相对于倾斜面305f所成的角度小于第一例，第一部分S1相对于平行于Z方向的方向所成的角度大于第一例。在第五例中，特别地，第一部分S1相对于倾斜面305f所成的角度为0或大致为0。第一部分S1沿着下部电极61的上表面61b延伸。

另外，在第五例中，与第三例同样，第二部分S2除了自由层53的侧面之外，还由磁化固定层51的侧面构成。即，第二部分S2从磁化固定层51遍及自由层53形成。

另外，在第五例中，与第三例同样，沿着倾斜面305f的方向上的第一部分S1的尺寸大于沿着倾斜面305f的方向上的第二部分S2的尺寸。另外，第一部分S1相对于第二部分S2配置于第三方向D3的前方。

另外，在第五例中，第一侧面50c还包含第五部分S5。第五部分S5配置于比第一部分S1更接近倾斜面305f的位置。另外，第五部分S5相对于第一部分S1配置于第三方向D3的前方。

另外，在第五例中，与第三例同样，在平行于VZ平面的任意的截面，MR元件50的第一侧面50c具有与MR元件50的第二侧面50d不同的形状。具体而言，第一侧面50c具有以假想的平面P2为中心相对于第二侧面50d非对称的形状。

另外，在第五例中，MR元件结构体70的第一面70c包含存在于第一侧面50c的第二部分S2和第一侧面50c的第五部分S5之间的第一台阶、以及存在于第一侧面50c的第五部分S5和下部电极61的第三侧面61c之间的第二台阶。

接下来，对本实施方式的磁传感器1的作用及效果进行说明。在本实施方式中，第一侧面50c包含相对于倾斜面305e或305f所成的角度相互不同的第一部分S1及第二部分S2。在本实施方式中，特别地，第二部分S2相对于倾斜面305e或305f所成的角度大于第一部分S1相对于倾斜面305e或305f所成的角度。在第一侧面50c不包含第二部分S2的情况下，即在第一侧面50c的整体实际上为第一部分S1的情况下，第一侧面50c相对于倾斜面305e或305f所成的角度整体上变小。在该情况下，第一侧面50c成为缓和的锥形形状。上部电极62和第一侧面50c相对的面积随着锥形变缓而变大。

与之相对，在本实施方式中，第一侧面50c除了第一部分S1之外，还包含第二部分S2。当将沿着倾斜面305e或305f的方向上的MR元件50的下表面50a的尺寸设为相同并进行比较时，上部电极62和第一侧面50c相对的面积相比于第一侧面50c不包含第二部分S2的情况变小。由此，根据本实施方式，能够抑制第一侧面50c和上部电极62短路。

另外，在本实施方式中，磁化固定层51介于倾斜面305e或305f和自由层53之间。第一部分S1的至少一部分由磁化固定层51构成。第二部分S2的至少一部分由自由层53构成。当将沿着倾斜面305e或305f的方向上的MR元件50的上表面50b的尺寸设为相同并进行比较时，沿着倾斜面305e或305f的方向上的自由层53的尺寸相比于第一侧面50c不包含第二部分S2的情况变小。沿着倾斜面305e或305f的方向是与MR元件50的长边方向(平行于U方向的方向)正交的方向，即为MR元件50的短边方向。因此，根据本实施方式，能够缩小MR元件50的短边方向的尺寸，由此，能够抑制自由层53的形状各向异性(形状磁各向异性)变小。

另外，自由层53的形状各向异性(形状磁各向异性)也根据自由层53的两个侧面(第一侧面50c的一部分和第二侧面50d的一部分)各自相对于倾斜面305e或305f所成的角度而变化。即，随着上述的角度变小，自由层53的形状各向异性(形状磁各向异性)变小。在本实施方式中，在自由层53上形成有第二部分S2，因此，与不存在第二部分S2的情况相比，上述的角度变大。由此，根据本实施方式，能够抑制自由层53的形状各向异性(形状磁各向异性)变小。

另外，在本实施方式中，当将沿着倾斜面305e或305f的方向上的MR元件50的上表面50b的尺寸设为相同并进行比较时，沿着倾斜面305e或305f的方向上的磁化固定层51的尺寸相比于第一侧面50c不包含第一部分S1的情况变大。由此，根据本实施方式，能够增大磁化固定层51的体积，从而抑制磁化固定层51的磁化的方向错开。如第三及第五例的MR元件50那样，在沿着倾斜面305e或305f的方向上的第一部分S1的尺寸大于沿着倾斜面305e或305f的方向上的第二部分S2的尺寸的情况下，能更有效地发挥该效果。

目前为止，以第一侧面50c为例说明了本实施方式的效果。关于第一侧面50c的上述的说明也适用于第二侧面50d。

根据以上，通过本实施方式能够抑制MR元件50的第一及第二侧面50c、50d的形状所引起的问题的产生。

此外，在本实施方式中，能够将第一～第五例的MR元件50中的任意的两个MR元件50的组设为本实施方式的第一MR元件50B及第二MR元件50C的组。例如，可以将第一MR元件50B设为第五例的MR元件50，将第二MR元件50C设为第一～第四例的MR元件50中的任一种。另外，例如，也可以将第一MR元件50B及第二MR元件50C均设为第一或第二例的MR元件50。

[变形例]

接着，参照图18对本实施方式的磁传感器1的变形例进行说明。图18是表示变形例中的MR元件50和下部电极61的截面图。

变形例中的MR元件50的形状与图8所示的第一例的MR元件50的形状同样。在变形例中，下部电极61的形状与图8～图17所示的第一～第五例不同。

在变形例中，下部电极61的上表面61b包含第一部分61b1、第二部分61b2、以及第三部分61b3。MR元件50配置于第一部分61b1之上。第二部分61b2与下部电极61的第三侧面61c连接。第一及第二部分61b1、61b2各自沿着倾斜面305f延伸。第二部分61b2配置于比第一部分61b1更接近倾斜面305f的位置。第三部分61b3将第一部分61b1和第二部分61b2连接。

另外，在变形例中，MR元件结构体70的第一面70c由MR元件50的第一侧面50c、上表面61b的第一部分61b1中未被MR元件50覆盖的部分的一部分、上表面61b的第二及第三部分61b2、61b3、以及第三侧面61c构成。第一面70c包含存在于MR元件50的第一侧面50c和下部电极61的上表面61b的第三部分61b3之间的第一台阶、存在于下部电极61的上表面61b的第三部分61b3和下部电极61的第三侧面61c之间的第二台阶。

[第二实施方式]

接着，参照图19对本发明的第二实施方式的磁传感器1进行说明。图19是表示本实施方式的磁传感器1的一部分的截面图。

在本实施方式中，绝缘层305的多个凸面305c各自的整体形状是能够使图19所示的凸面305c的三角形形状沿着与U方向平行的方向移动而构成的三角屋顶形状。另外，绝缘层305的多个第一倾斜面305a和多个第二倾斜面305b各自为平面。多个第一倾斜面305a各自为与U方向和W1方向平行的平面。多个第二倾斜面305b各自为与U方向和W2方向平行的平面。

与图6所示的例子同样，绝缘层305也可以包含形成多个凸面305c的多个突出部。或者，绝缘层305也可以包含在与V方向平行的方向上并排的多个槽部。多个槽部各自具有与第一倾斜面305a对应的第一壁面和与第二倾斜面305b对应的第二壁面。一个凸面305c可以由一个槽部的第一壁面、和在与该一个槽部的-V方向侧相邻的另一个槽部的第二壁面构成。

此外，在图19所示的例子中，多个槽部各自还具有与平坦面305d对应的底面。但是，多个槽部各自也可以不具有底面。

本实施方式的其它的结构、作用及效果与第一实施方式同样。

此外，本发明不限定于上述各实施方式，可以进行各种变更。例如，只要满足权利要求的主要条件，MR元件50的第一及第二侧面50c、50d各自的形状不限于各实施方式所示的例子，是任意的。

另外，磁传感器1还可以具备第三检测电路，其构成为检测对象磁场的平行于XY平面的一个方向的分量，并生成与该分量具有对应关系的至少一个第三检测信号。在该情况下，处理器40也可以构成为基于至少一个第三检测信号，生成与对象磁场的与U方向平行的方向的分量对应的检测值。第三检测电路可以与第一及第二检测电路20、30一体化，也可以包含于与第一及第二检测电路20、30不同的芯片。

如以上所说明，本发明的磁传感器具备：基板，其具有基准平面；支承构件，其配置于基板之上，且具有相对于基准平面倾斜的倾斜面；以及磁检测元件，其配置于倾斜面之上，且具有包含相对于倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分的第一侧面。

在本发明的磁传感器中，第二部分也可以配置于比第一部分更远离倾斜面的位置。第二部分相对于倾斜面所成的角度也可以大于第一部分相对于倾斜面所成的角度。

另外，在本发明的磁传感器中，第一部分和第二部分各自也可以为曲面。

另外，在本发明的磁传感器中，磁检测元件还可以具有第二侧面，从第一侧面观察，该第二侧面配置于沿着倾斜面的方向且接近基准平面的方向的前方。第二侧面也可以具有以与磁检测元件交叉且与倾斜面垂直的假想的平面为中心而相对于第一侧面非对称的形状。或者，第二侧面也可以具有以与磁检测元件交叉且与倾斜面垂直的假想的平面为中心相对于第一侧面对称的形状。

另外，在本发明的磁传感器中，磁检测元件也可以包含层叠的多个磁性层，构成为电流在多个磁性层的层叠方向上流通。多个磁性层也可以包含：自由层，其具有方向可根据外部磁场而变化的磁化；磁化固定层，其具有方向被固定的磁化，并且介于自由层和倾斜面之间。另外，多个磁性层也可以包含第一磁性层和第二磁性层。磁检测元件还可以包含配置于第一磁性层和第二磁性层之间的间隙层。第一部分的至少一部分也可以由第一磁性层的侧面构成。第二部分的至少一部分也可以由第二磁性层的侧面构成。

另外，在本发明的磁传感器中，倾斜面也可以为曲面。或者，倾斜面也可以为平面。

另外，本发明的磁传感器还可以具备：下部电极，其介于磁检测元件和倾斜面之间；上部电极，其配置于在上部电极与下部电极之间夹持磁检测元件的位置；以及绝缘层，其在下部电极和上部电极之间配置于磁检测元件的周围。

另外，在本发明的磁传感器中，在沿着倾斜面的方向且距基准平面的距离变化的方向上的第一部分的尺寸可以大于在沿着倾斜面的方向且距基准平面的距离变化的方向上的第二部分的尺寸。从第二部分观察，第一部分也可以配置于沿着倾斜面的方向且远离基准平面的方向的前方。

基于以上的说明可知能够实施本发明的各种方式及变形例。因此，在权利要求的均等的范围内，即使是上述的最佳方式以外的方式，也能够实施本发明。

Claims (14)

1.一种磁传感器，其特征在于，

具备：

基板，其具有基准平面；

支承构件，其配置于所述基板之上，且具有相对于所述基准平面倾斜的倾斜面；以及

磁检测元件，其配置于所述倾斜面之上，且具有包含第一部分及第二部分的第一侧面，所述第一部分及第二部分相对于所述倾斜面所成的角度相互不同。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第二部分配置于比所述第一部分更远离所述倾斜面的位置，

所述第二部分相对于所述倾斜面所成的角度大于所述第一部分相对于所述倾斜面所成的角度。

3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一部分和所述第二部分各自为曲面。

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述磁检测元件还具有第二侧面，从所述第一侧面观察，该第二侧面配置于沿着所述倾斜面的方向且接近所述基准平面的方向的前方。

5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，

所述第二侧面具有以与所述磁检测元件交叉且与所述倾斜面垂直的假想的平面为中心相对于所述第一侧面对称的形状。

6.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，

所述第二侧面具有以与所述磁检测元件交叉且与所述倾斜面垂直的假想的平面为中心相对于所述第一侧面非对称的形状。

7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述磁检测元件包含层叠的多个磁性层，构成为电流在所述多个磁性层的层叠方向上流通。

8.根据权利要求7所述的磁传感器，其特征在于，

所述多个磁性层包含：

自由层，其具有方向能够根据外部磁场变化的磁化；和

磁化固定层，其具有方向被固定的磁化，并且介于所述自由层和所述倾斜面之间。

9.根据权利要求7所述的磁传感器，其特征在于，

所述多个磁性层包含第一磁性层和第二磁性层，

所述磁检测元件还包含配置于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的间隙层，

所述第一部分的至少一部分由所述第一磁性层的侧面构成，

所述第二部分的至少一部分由所述第二磁性层的侧面构成。

10.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述倾斜面为曲面。

11.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述倾斜面为平面。

12.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

还具备：

下部电极，其介于所述磁检测元件和所述倾斜面之间；

上部电极，其配置于在所述上部电极与所述下部电极之间夹持所述磁检测元件的位置；和

绝缘层，其在所述下部电极和所述上部电极之间配置于所述磁检测元件的周围。

13.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一部分在沿着所述倾斜面的方向且距所述基准平面的距离变化的方向上的尺寸大于所述第二部分在沿着所述倾斜面的方向且距所述基准平面的距离变化的方向上的尺寸。

14.根据权利要求13所述的磁传感器，其特征在于，

从所述第二部分观察，所述第一部分配置于沿着所述倾斜面的方向且远离所述基准平面的方向的前方。

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