CN115836244A - 光调制装置的制造方法 - Google Patents

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许斗宁
李范镇
李星润
金南圭
吴东炫
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LG Chem Ltd
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Abstract

本发明提供了用于制造光调制装置的方法，所述方法包括以下步骤：在通过辊来传输具有形成在第一表面上的胶合层或粘合剂层的第一基底和具有形成在第一表面上的间隔物和液晶配向膜的第二基底的同时，将第一基底和第二基底附接，其中第一基底和第二基底被附接成使得各第一表面面向彼此。因此，本发明可以提供所谓的辊对辊过程，由此在实现光调制层的期望配向状态(例如，液晶配向状态)的同时，可以快速制造在两个基底之间具有优异的粘合性的光调制装置。

Description

光调制装置的制造方法
技术领域
本申请要求基于于2020年9月16日提交的韩国专利申请第10-2020-0119125号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本申请涉及用于制造光调制装置的方法。
背景技术
其中包含液晶化合物等的光调制层定位在两个基底之间的光调制装置被用于各种应用中。
为了使光调制装置表现出预期的性能，精确控制基底之间的液晶化合物的取向状态是重要的。
此外，为了确保光调制装置的性能，需要确保被设置成彼此相对的两个基底的粘合力。
虽然用于制造光学装置的各种方法是已知的，但能够在实现光调制层中的期望取向状态的同时，快速制造在两个基底之间具有优异的粘合力的光调制装置的方法不是已知的。
发明内容
技术问题
本申请旨在提供用于制造光调制装置的方法。本申请旨在提供涉及所谓的辊对辊过程，所述辊对辊过程能够在实现光调制层的期望取向状态(例如，液晶取向状态)的同时，快速制造在两个基底之间具有优异的粘合力的光调制装置。
技术方案
本申请可以涉及用于通过辊对辊过程制造光调制装置的方法。
制造方法可以包括以下步骤：通过辊来传输其中在第一表面上形成有压敏粘合剂层或粘合剂层的第一基底和其中在第一表面上形成有间隔物和液晶配向膜的第二基底，以及同时将第一基底和第二基底附接成使得各第一表面面向彼此。
在制造方法中，在第一基底上可以未形成液晶配向膜。
在制造方法中，第一基底还可以包括附接在压敏粘合剂层或粘合剂层上的离型膜，以及制造方法还可以包括在将第一基底和第二基底附接之前剥离离型膜的步骤。
在制造方法中，第二基底还可以包括附接在其上形成有间隔物和液晶配向膜的第一表面上的保护膜，以及制造方法还可以包括在将第一基底和第二基底附接之前剥离保护膜的步骤。
制造方法在将第一基底和第二基底附接之前还可以进一步进行向第二基底的第一表面的边缘供应密封剂的步骤。
在制造方法中，在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行向第二基底的第一表面供应液晶化合物；液晶化合物和二色性染料；或者液晶化合物和手性掺杂剂的步骤。
在制造方法中，可以调节第一基底与第二基底之间的距离(d)使得所述距离(d)与由手性掺杂剂形成的手性螺距(p)的比率(d/p)小于1。
在制造方法中，第二基底的间隔物可以为分隔壁间隔物。
制造方法在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行对第一基底进行热处理的步骤，并且该热处理可以在80℃或更高的温度下进行30秒或更长。
在制造方法中，第一基底和第二基底的附接可以在高于50℃且低于90℃的温度范围内进行。
制造方法在将第一基底和第二基底附接之后可以进一步进行对附接的第一基底和第二基底进行热处理的步骤，并且该热处理可以在80℃或更高的温度下进行30秒或更长。
有益效果
本申请可以提供所谓的辊对辊过程，所述辊对辊过程能够在实现光调制层的期望取向状态(例如，液晶取向状态)的同时，快速制造在两个基底之间具有优异的粘合力的光调制装置。
附图说明
图1至图3是本申请的示例性光调制装置的示意图。
图4是示出进行本申请的光调制装置的制造过程的示意图。
图5和图6是示出根据是否在第一基底上进行热处理而存在或不存在取向缺陷的照片。
图7是示出在第一基底和第二基底的附接过程中进行热处理时的结果的图。
图8是示出在将第一基底和第二基底附接之后进行热处理时的结果的图。
<附图标记说明>
100：第一基底
200：第二基底
1001：压敏粘合剂层或粘合剂层
2001：液晶配向膜
600：光调制层
400：偏振层
401：展开辊
402：剥离辊
403：附接辊
404：密封剂供应部件
405：光调制材料供应部件
406：密封剂固化部件
407：切割部件
408：卷绕辊(take-up roll)
具体实施方式
在本说明书中，在限定角度时使用的术语垂直、平行、正交或水平等以及角度的数值意指在不损害预期效果的范围内基本上垂直、平行、正交或水平以及相关的数值，并且垂直、平行、正交或水平的范围以及数值范围包括误差例如生产误差或偏差(变化)。例如，前述的每种情况可以包括约±5度内的误差、约±4度内的误差、约±3度内的误差、约±2度内的误差、或约±1度内的误差。
在本文中提及的物理特性中，当测量的温度影响相关物理特性时，除非另有说明，否则物理特性为在室温下测量的物理特性。术语室温为在没有特别加热或冷却的状态下的温度，其可以意指在约10℃至30℃的范围内的一个温度，例如约15℃或更高、18℃或更高、20℃或更高、或者约23℃或更高且约27℃或更低的温度。除非另有说明，否则本文中提及的温度的单位为℃。
除非另有说明，否则本文中提及的相位差和折射率意指对波长为约550nm的光的折射率。
除非另有说明，否则本文中提及的由任两个方向形成的角度可以为由这两个方向形成的锐角至钝角中的锐角，或者可以为在顺时针方向和逆时针方向上测量的角度中的小角度。因此，除非另有说明，否则本文中提及的角度为正的。然而，如有必要，为了显示在顺时针方向或逆时针方向上测量的角度之间的测量方向，在顺时针方向上测量的角度和在逆时针方向上测量的角度中的任一者可以表示为正数，另一个角度可以表示为负数。
本申请涉及用于制造光调制装置的方法。术语光调制装置可以意指能够在至少两种或更多种不同的光状态之间切换的装置。在此，不同的光状态可以意指其中至少透射率、反射率、颜色和/或雾度不同的状态。
光调制装置可以实现的状态的实例包括透明模式状态、黑色模式状态、高反射模式状态、低反射模式状态和/或指示特定颜色的颜色模式状态等，但不限于此。
在一个实例中，光调制装置可以为能够在至少透明模式状态与黑色模式状态之间切换的装置，或者能够在高反射模式状态与低反射模式状态之间切换的装置。
本申请的光调制装置可以被设计成在选自透明模式状态、黑色模式状态、高反射模式状态、低反射模式状态和颜色模式状态中的任一状态以及另外的状态中的至少两种或更多种状态之间切换。如有必要，还可以实现除以上状态之外的其他第三种不同的状态或更多种状态。
光调制装置的切换可以根据是否施加外部信号例如电压信号来控制。例如，在未施加外部信号例如电压的状态下，光调制装置可以保持上述状态中的任一者，然后在施加电压时可以切换至另外的状态。通过改变施加的电压的强度、频率和/或形状，可以改变模式状态或者还可以实现第三种不同的模式状态。
本申请的光调制装置可以包括具有设置成彼此相对的两个基底和定位在基底之间的光调制层的光调制膜层作为基本单元。图1是示出光调制膜层的一个实例的图。光调制膜层包括相对设置的第一基底100和第二基底200。如图所示，在本申请的光调制装置中，压敏粘合剂层或粘合剂层可以形成在第一基底100的一个表面(在下文中，可以被称为第一表面)上，液晶配向膜2001可以形成在另一第二基底200的表面(在下文中，可以被称为第一表面)上，光调制层600可以定位在相对设置的第一基底100与第二基底200之间。当光调制层为液晶层时，通常在第一基底100和第二基底200的两个表面上形成液晶配向膜，但是在第一基底100上形成压敏粘合剂层或粘合剂层而不是液晶配向膜，以及仅在第二基底200上形成液晶配向膜，由此可以获得在特定应用(例如，智能窗或眼部佩戴物)中非常有用的液晶化合物的取向状态。此外，这样的结构使得在应用于以下将描述的本申请的制造过程时可以快速制造其中确保第一基底100与第二基底200之间的优异的粘合力的光调制装置。因此，在本申请的光调制膜层的第一基底上可以未形成液晶配向膜。此外，虽然未在图中示出，但是在光调制膜层的第一基底和第二基底中的任一者中，存在用于保持第一基底与第二基底之间的间隔(单元间隙)的间隔物。当在基底100上形成压敏粘合剂层或粘合剂层1001时，压敏粘合剂层或粘合剂层1001附接至间隔物，从而能够大大改善第一基底与第二基底之间的粘合力。
在本说明书中，基底的第一表面意指基底的主表面和相反表面中的任一个表面，第二表面意指基底的主表面和相反表面中的另一个表面。
作为基底，可以没有特别限制地使用已知的基底材料。例如，可以使用无机基底例如玻璃基底、结晶或无定形硅基底或石英基底、或塑料基底作为基底。然而，为了有效地应用于本申请的制造过程，可以使用塑料基底作为基底。
作为塑料基底，可以使用TAC(三乙酰纤维素)基底；COP(环烯烃共聚物)基底，例如降冰片烯衍生物基底；PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯))基底；PC(聚碳酸酯)基底；PE(聚乙烯)基底；PP(聚丙烯)基底；PVA(聚乙烯醇)基底；DAC(二乙酰纤维素)基底；Pac(聚丙烯酸酯)基底；PES(聚醚砜)基底；PEEK(聚醚醚酮)基底；PPS(聚苯砜)、PEI(聚醚酰亚胺)基底；PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)基底；聚酯基底，例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基底；PI(聚酰亚胺)基底；PSF(聚砜)基底；PAR(聚芳酯)基底或氟树脂基底等，但不限于此。这样的基底的厚度没有特别限制，其可以在适当的范围内选择。
存在于基底之间的光调制层是能够根据是否施加外部信号而单独地或与其他组件结合地改变透光率、反射率、雾度和/或颜色等的功能层。在本文中，这样的光调制层可以被称为有源光调制层。
在本说明书中，外部信号可以意指可以影响光调制层中包含的材料(例如，光调制材料)的行为的外部因素，例如外部电压等。因此，没有任何外部信号的状态可以意指没有施加外部电压等的状态。
在本申请中，光调制层的类型没有特别限制，只要其具有上述功能即可，并且可以应用已知的光调制层。光调制层可以为例如液晶层、电致变色材料层、光致变色材料层、电泳材料层、或分散颗粒取向层。
在一个实例中，可以应用液晶层作为光调制层。液晶层为包含液晶化合物的层。在本说明书中，术语液晶层的范围包括所有包含液晶化合物的层，例如，如下所述，包含液晶化合物(液晶主体)和二色性染料的所谓的宾主层，或者包含其他添加剂例如手性掺杂剂以及液晶化合物的层也是本说明书中限定的一种液晶层。液晶层可以为有源液晶层，并因此液晶化合物可以存在于液晶层中使得取向方向根据是否施加外部信号而改变。作为液晶化合物，可以使用任何种类的液晶化合物，只要取向方向可以通过施加外部信号而改变即可。例如，可以使用近晶型液晶化合物、向列型液晶化合物或胆甾型液晶化合物作为液晶化合物。此外，液晶化合物可以为例如不具有可聚合基团或可交联基团使得取向方向可以通过施加外部信号而改变的化合物。
液晶层可以包含介电常数各向异性为正或负的液晶化合物。可以考虑本申请的目的来适当地选择液晶的介电常数各向异性的绝对值。术语“介电常数各向异性(Δε)”可以意指液晶的水平介电常数(ε//)与垂直介电常数(ε⊥)之差(ε//-ε⊥)。在本说明书中，术语水平介电常数(ε//)意指在施加电压使得液晶的指向矢和由施加的电压产生的电场的方向基本上水平的状态下沿电场的方向测量的介电常数值，垂直介电常数(ε⊥)意指在施加电压使得液晶的指向矢和由施加的电压产生的电场的方向基本上垂直的状态下沿电场的方向测量的介电常数值。
液晶层的驱动模式可以例示为例如DS(动态散射)模式、ECB(可电控双折射)模式、IPS(面内切换)模式、FFS(边缘场切换)模式、OCB(光学补偿弯曲)模式、VA(垂直配向)模式、MVA(多域垂直配向)模式、PVA(图案化垂直配向)模式、HAN(混合排列向列)模式、TN(扭曲向列)模式、STN(超扭曲向列)模式或R-TN(反向扭曲向列)模式等。
在与液晶化合物一起控制透光率可变特性方面，作为液晶层的光调制层还可以包含二色性染料。在本说明书中，术语染料可以意指能够强烈吸收在可见光区域内的至少部分或全部范围内(例如400nm至700nm的波长范围内)的光和/或使其变形的材料，术语二色性染料可以意指能够各向异性吸收在可见光区域的至少部分或全部范围内的光的材料。这样的染料例如被称为偶氮染料或蒽醌染料等，但不限于此。
在一个实例中，光调制层为包含液晶和二色性染料的液晶层，其可以为所谓的宾主液晶层(宾主液晶单元，guest host liquid crystal cell)。术语宾主液晶层是还可以被称为GHLC层的液晶层，其可以意指这样的功能层：二色性染料根据液晶的排列而排列在一起以相对于二色性染料的配向方向和与配向方向垂直的方向分别表现出各向异性光吸收特性。例如，二色性染料是光的吸收率随着偏振方向而变化的物质，其中如果在长轴方向上偏振的光的吸收率大，则其可以被称为p型染料，如果在短轴方向上偏振的光的吸收率大，则其可以被称为n型染料。在一个实例中，当使用p型染料时，在染料的长轴方向上振动的偏振光可以被吸收，在染料的短轴方向上振动的偏振光可以被较少地吸收而被透射。在下文中，除非另有说明，否则认为二色性染料为p型染料。
包括宾主液晶层作为光调制层的光调制膜层可以用作有源偏振层(有源偏振器)。在本说明书中，术语有源偏振层(有源偏振器)可以意指能够根据外部信号施加来控制各向异性光吸收的功能元件。这样的有源偏振层可以与以下描述的无论外部信号施加如何都具有恒定的光吸收或光反射特性的无源偏振层区分开。宾主液晶层可以通过控制液晶和二色性染料的排列来控制在与二色性染料的排列方向平行的方向上的偏振光和在垂直方向上的偏振光的各向异性光吸收。由于液晶和二色性染料的排列可以通过施加外部信号例如磁场或电场来控制，因此宾主液晶层可以根据外部信号施加来控制各向异性光吸收。
作为光调制层的液晶层还可以包含所谓的手性掺杂剂以及液晶化合物。这样的手性掺杂剂可以引起液晶化合物中螺旋结构的取向。可以包含的手性掺杂剂的类型没有特别限制，并且可以根据需要从已知类型中选择适当的手性掺杂剂。此外，手性掺杂剂的比率没有特别限制，但是手性掺杂剂可以以这样的比率包含在内：光调制层的厚度(d，单元间隙)与液晶化合物的通过添加手性掺杂剂产生的螺旋结构的螺距(p)的比率(d/p)可以小于1。在另一个实例中，比率(d/p)可以为0.95或更小、0.9或更小、0.85或更小、0.8或更小、0.75或更小、0.7或更小、0.65或更小、0.6或更小、0.55或更小、0.5或更小、或者0.45或更小，或者可以为0.05或更大、0.1或更大、0.15或更大、0.2或更大、0.25或更大、0.3或更大、或者0.35或更大。这样的比率(d/p)与由压敏粘合剂层或粘合剂层以及液晶配向膜引起的液晶化合物的取向相关，使得可以得到适用于应用用途的取向状态。
可以考虑本申请的目的来适当地选择光调制层的厚度(单元间隙)。在一个实例中，光调制层的厚度可以为0.01μm或更大、0.1μm或更大、1μm或更大、2μm或更大、3μm或更大、4μm或更大、5μm或更大、6μm或更大、7μm或更大、8μm或更大、9μm或更大、或者10μm或更大。可以在这样的厚度下实现根据模式状态而在透射率、反射率、雾度和/或颜色方面具有大差异的装置。厚度越厚，越可以实现差异，使得厚度没有特别限制，但是其通常可以为约30μm或更小、25μm或更小、20μm或更小、或者15μm或更小。
在光调制膜层中，形成在第一基底的第一表面上的压敏粘合剂层或粘合剂层的类型没有特别限制。行业中被称为所谓的OCA(光学透明粘合剂，optically clear adhesive)或OCR(光学透明树脂，optically clear resin)的各种类型的压敏粘合剂或粘合剂可以与液晶配向膜结合引起液晶化合物的合适取向。作为压敏粘合剂或粘合剂，例如，可以应用丙烯酸类、基于有机硅的、基于环氧化合物的、或基于氨基甲酸酯的压敏粘合剂或粘合剂。
作为合适的压敏粘合剂或粘合剂，可以例示基于有机硅的压敏粘合剂或粘合剂。基于有机硅的压敏粘合剂或粘合剂的特定表面特性可以与液晶配向膜(特别是垂直配向膜)结合引起适用于目的的液晶化合物的取向状态。
作为基于有机硅的压敏粘合剂或粘合剂，可以使用可固化有机硅粘合剂或压敏粘合剂组合物(在下文中，可以简称为可固化有机硅组合物)的固化产物。可固化有机硅组合物的类型没有特别限制，例如可以使用可热固化有机硅组合物或可紫外固化有机硅组合物。
在一个实例中，可固化有机硅组合物为可加成固化有机硅组合物，其可以包含(1)分子中含有两个或更多个烯基的有机聚硅氧烷、和(2)分子中含有两个或更多个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷。这样的有机硅化合物可以，例如在催化剂例如铂催化剂的存在下，通过加成反应形成固化产物。
作为构成有机硅固化产物的主要组分的(1)有机聚硅氧烷在一个分子中包含至少两个烯基。此时，烯基的具体实例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或庚烯基等，并且通常应用前述中的乙烯基，但不限于此。在(1)有机聚硅氧烷中，如上所述的烯基的键合位置没有特别限制。例如，烯基可以键合至分子链的末端和/或分子链的侧链。此外，在(1)有机聚硅氧烷中，除上述烯基之外还可以包含的取代基的类型可以包括烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或庚基；芳基，例如苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基；芳烷基，例如苄基或苯乙基；经卤素取代的烷基，例如氯甲基、3-氯丙基或3,3,3-三氟丙基；等等，并且通常应用前述中的甲基或苯基，但不限于此。
(1)有机聚硅氧烷的分子结构没有特别限制，其也可以具有任何形状，例如线性、支化、环状、网状或具有部分支化的线性。在这样的分子结构中，通常应用具有线性分子结构的分子结构，但不限于此。
(1)有机聚硅氧烷的更具体的实例可以包括：在分子链的两端处用三甲基硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物、在分子链的两端处用三甲基硅氧烷基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷、在分子链的两端处用三甲基硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、在分子链的两端处用二甲基乙烯基硅氧烷基封端的二甲基聚硅氧烷、在分子链的两端处用二甲基乙烯基硅氧烷基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷、在分子链的两端处用二甲基乙烯基硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物、在分子链的两端处用二甲基乙烯基硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、包含由R1 2SiO2/2表示的硅氧烷单元以及由R1 2R2SiO1/2表示的硅氧烷单元和由SiO4/2表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷共聚物、包含由R1 2R2SiO1/2表示的硅氧烷单元和由SiO4/2表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷共聚物、包含由R1R2SiO2/2表示的硅氧烷单元以及由R1SiO3/2表示的硅氧烷单元或由R2SiO3/2表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷共聚物、以及前述中的两者或更多者的混合物，但不限于此。在此，R1为除烯基之外的烃基，具体地，烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或庚基；芳基，例如苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基；芳烷基，例如苄基或苯乙基；经卤素取代的烷基，例如氯甲基、3-氯丙基或3,3,3-三氟丙基；等等。此外，在此，R2为烯基，具体地，其可以为乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或庚烯基等。
在可加成固化有机硅组合物中，(2)有机聚硅氧烷可以用于使(1)有机聚硅氧烷交联。在(2)有机聚硅氧烷中，氢原子的键合位置没有特别限制，其可以例如键合至分子链的末端和/或侧链。此外，在(2)有机聚硅氧烷中，除与硅键合的氢原子之外还可以包含的取代基的种类没有特别限制，其可以包括例如如在(1)有机聚硅氧烷中提及的烷基、芳基、芳烷基或经卤素取代的烷基等，其中，通常应用甲基或苯基，但不限于此。
(2)有机聚硅氧烷的分子结构没有特别限制，并且也可以具有任何形状，例如线性、支化、环状、网状或具有部分支化的线性。在这样的分子结构中，通常应用具有线性分子结构的分子结构，但不限于此。
(2)有机聚硅氧烷的更具体的实例可以包括：在分子链的两端处用三甲基硅氧烷基封端的甲基氢聚硅氧烷、在分子链的两端处用三甲基硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢共聚物、在分子链的两端处用三甲基硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、在分子链的两端处用二甲基氢硅氧烷基封端的二甲基聚硅氧烷、在分子链的两端处用二甲基氢硅氧烷基封端的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、在分子链的两端处用二甲基氢硅氧烷基封端的甲基苯基聚硅氧烷、包含由R1 3SiO1/2表示的硅氧烷单元、由R1 2HSiO1/2表示的硅氧烷单元和由SiO4/2表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷共聚物、包含由R1 2HSiO1/2表示的硅氧烷单元和由SiO4/2表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷共聚物、包含由R1HSiO2/2表示的硅氧烷单元以及由R1SiO3/2表示的硅氧烷单元或由HSiO3/2表示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷共聚物、以及前述中的两者或更多者的混合物，但不限于此。在此，R1为除烯基之外的烃基，具体地，其可以为烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或庚基；芳基，例如苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基；芳烷基，例如苄基或苯乙基；经卤素取代的烷基，例如氯甲基、3-氯丙基或3,3,3-三氟丙基；等等。
(2)有机聚硅氧烷的含量没有特别限制，只要其被包含至可以进行适当固化的程度即可。例如，(2)有机聚硅氧烷可以以每如上所述的(1)有机聚硅氧烷中包含的1个烯基，0.5至10个与硅键合的氢原子的量包含在内。在这样的范围内，可以充分进行固化并且可以确保耐热性。
可加成固化有机硅组合物还可以包含铂或铂化合物作为用于固化的催化剂。该铂或铂化合物的具体类型没有特别限制。催化剂的比率也可以被调节至可以进行适当固化的水平。
可加成固化有机硅组合物还可以以适当的比率包含从改善储存稳定性、处理特性和可加工性的观点来看所需的适当添加剂。
在另一个实例中，作为可缩合固化有机硅组合物的有机硅组合物可以包含例如(a)含烷氧基的硅氧烷聚合物；和(b)含羟基的硅氧烷聚合物。
(a)硅氧烷聚合物可以为例如由下式1表示的化合物。
[式1]
R1 aR2 bSiOc(OR3)d
在式1中，R1和R2各自独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的一价烃基，R3表示烷基，其中当存在复数个R1、R2和R3时，它们各自可以彼此相同或不同，以及a和b各自独立地表示0或更大且小于1的数，a+b表示大于0且小于2的数，c表示大于0且小于2的数，d表示大于0且小于4的数，以及a+b+c×2+d为4。
在式1的限定中，一价烃可以为例如具有1至8个碳原子的烷基、苯基、苄基或甲苯基等，其中具有1至8个碳原子的烷基可以为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基等。此外，在式1的限定中，一价烃基可以经已知的取代基例如卤素、氨基、巯基、异氰酸酯基、缩水甘油基、缩水甘油氧基或脲基取代。
在式1的限定中，R3的烷基的实例可以包括甲基、乙基、丙基、异丙基或丁基等。在这些烷基中，通常应用甲基或乙基等，但不限于此。
在式1的聚合物中，可以使用支化或三级交联的硅氧烷聚合物。此外，在该(a)硅氧烷聚合物中，羟基可以在不损害目的的范围内，具体地在不抑制脱醇反应的范围内残留。
(a)硅氧烷聚合物可以例如通过使多官能烷氧基硅烷或多官能氯硅烷等水解和缩合来生产。本领域普通技术人员可以根据期望的(a)硅氧烷聚合物容易地选择适当的多官能烷氧基硅烷或氯硅烷，并且还可以容易地控制使用其的水解和缩合反应的条件。同时，在(a)硅氧烷聚合物的生产中，也可以根据目的组合使用适当的单官能烷氧基硅烷。
作为(a)硅氧烷聚合物，例如可以使用可商购的有机硅氧烷聚合物例如Shin-EtsuSilicone的X40-9220或X40-9225，或者GE Toray Silicone的XR31-B1410、XR31-B0270或XR31-B2733。
作为可缩合固化有机硅组合物中包含的(b)含羟基的硅氧烷聚合物，例如可以使用由下式2表示的化合物。
[式2]
Figure BDA0004044875710000121
在式2中，R4和R5各自独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的一价烃基，其中当存在复数个R4和R5时，它们可以彼此相同或不同，以及n表示5至2,000的整数。
在式2的限定中，一价烃基的具体类型可以包括例如与上式1的情况相同的烃基。
(b)硅氧烷聚合物可以例如通过使二烷氧基硅烷和/或二氯硅烷等水解和缩合来生产。本领域普通技术人员可以根据期望的(b)硅氧烷聚合物容易地选择适当的二烷氧基硅烷或二氯硅烷，并且还可以容易地控制使用其的水解和缩合反应的条件。作为如上的(b)硅氧烷聚合物，可以使用可商购的双官能有机硅氧烷聚合物例如GE Toray Silicone的XC96-723、YF-3800或YF-3804等。
上述加成固化或缩合固化有机硅组合物是用于形成本申请中应用的有机硅压敏粘合剂或粘合剂的材料的实例。即，基本上，行业中被称为OCA或OCR等的所有有机硅压敏粘合剂或粘合剂都可以应用于本申请。
压敏粘合剂或粘合剂或形成其的可固化组合物的类型没有特别限制，其可以根据预期用途适当地选择。例如，可以使用固体、半固体或液体压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物。固体或半固体压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物可以在粘合对象被粘结之前固化。液体压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物被称为所谓的光学透明树脂(OCR)，其可以在粘合对象被粘结之后固化。根据一个实例，作为压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物，可以使用所谓的基于聚二甲基硅氧烷的压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物、或者基于聚甲基乙烯基硅氧烷的压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物、或者基于烷氧基有机硅的压敏粘合剂或粘合剂或可固化组合物，但不限于此。
压敏粘合剂层或粘合剂层的厚度没有特别限制，其可以在适当的范围内选择以确保期望的粘合性或内聚性。厚度可以在约1μm至50μm的范围内。在另一个实例中，厚度可以为2μm或更大、3μm或更大、4μm或更大、5μm或更大、6μm或更大、7μm或更大、8μm或更大、9μm或更大、或者10μm或更大，或者也可以为45μm或更小、40μm或更小、35μm或更小、30μm或更小、25μm或更小、20μm或更小、15μm或更小、或者10μm或更小左右。
此外，形成在第二基底的第一表面上的配向膜的种类没有特别限制。即，考虑到期望的初始取向，可以应用已知的垂直配向膜或水平配向膜或其他配向膜作为配向膜。至于配向膜的类型，可以应用接触配向膜例如摩擦配向膜或者非接触配向膜例如光配向膜。在一个实例中，可以使用垂直配向膜作为配向膜。垂直配向膜和压敏粘合剂层或粘合剂层的组合可以引起适用于各种用途的液晶化合物的取向状态。
作为光调制层的液晶层中的由压敏粘合剂层或粘合剂层和液晶配向膜形成的液晶化合物的初始取向可以为垂直取向、水平取向、倾斜取向或喷射取向。此外，在垂直取向、水平取向、倾斜取向或喷射取向状态下，液晶化合物可以扭曲或可以不扭曲，从而以扭曲取向或胆甾取向存在。在此，初始取向意指在没有向包含液晶化合物的光调制层施加外部信号例如电压的状态下的取向。
水平取向、倾斜取向、垂直取向或喷射取向的含义是如本领域中已知的。当光调制层的液晶化合物在初始状态下保持水平取向、倾斜取向、垂直取向或喷射取向状态时，其可以根据外部信号变为其他取向状态。
在一个实例中，光调制层中的液晶化合物的初始取向可以为垂直取向或类似于垂直取向的取向状态。这种取向状态是通过应用垂直配向膜作为液晶配向膜而获得的。这种取向在实现所谓的R-TN(反向扭曲向列)取向的元件中是有用的。
此外，当液晶配向膜为水平配向膜时，其在实现所谓的ECB模式的元件中是有用的。
因此，垂直取向或类似于垂直取向的取向状态下的光调制层的平面相位差(基于550nm的波长)可以为例如约30nm或更小、25nm或更小、20nm或更小、15nm或更小、10nm或更小、或者5nm或更小，或者可以为0nm或更大，或者大于0nm。
平面相位差(或面内相位差)可以根据以下等式1来获得。
[等式1]
Rin＝d×(nx-ny)
在等式1中，Rin为平面相位差或面内相位差，nx为光调制层中的液晶化合物的慢轴方向折射率，ny为光调制层中的液晶化合物的快轴方向折射率，d为光调制层的厚度。
光调制膜层还可以包括用于保持第一基底与第二基底之间的间隔的间隔物。作为间隔物，可以应用作为通常应用的间隔物的球状间隔物、柱状间隔物或分隔间隔物。作为分隔间隔物，可以应用蜂窝状或四边形的分隔间隔物、或者随机间隔物。在此，当从基底的法线方向观察形成在基底上的分隔间隔物的形状时，如公知的，蜂窝状或四边形的分隔间隔物意指由分隔间隔物形成的图形是蜂窝状类型或四边形类型的情况。蜂窝状类型通常是规则六边形的组合，在四边形类型的情况下，可以存在正方形、矩形、或者正方形和矩形的组合，等等。此外，在此，随机间隔物意指分区随机排列的情况，其中相关分区不形成图形，或者即使形成图形也是随机形成图形而不是标准图形。
还可以考虑期望的粘合性或单元间隙保持效率等来适当地选择间隔物的间距。例如，当应用分隔间隔物时，分隔间隔物的间距可以在300μm至900μm的范围内。在另一个实例中，间距可以为350μm或更大、400μm或更大、450μm或更大、500μm或更大、或者550μm或更大，或者也可以为850μm或更小、800μm或更小、750μm或更小、700μm或更小、650μm或更小、或者600μm或更小左右。获得分隔间隔物中的间距的方法是已知的。例如，如果分隔间隔物为蜂窝状类型，则间距是通过形成蜂窝的六边形中相对边的间隔获得的，在四边形的情况下，间距是通过四边形的边的长度获得的。在形成蜂窝的六边形中面向彼此的边的间隔或四边形的边的长度不恒定的情况下，可以将它们的平均值定义为间距。
同时，分隔间隔物的线宽，例如形成蜂窝的六边形、或四边形的每个壁的宽度，可以在例如约5μm至50μm的范围内。在另一个实例中，线宽可以为约10μm或更大、或者15μm或更大，或者也可以为45μm或更小、40μm或更小、35μm或更小、30μm或更小、25μm或更小、或者20μm或更小左右。
在以上范围内，可以适当地保持单元间隙，并且还可以极好地保持基底之间的粘合性。
在基底之间形成如上球状间隔物、柱状间隔物或分隔间隔物的方法是已知的。
作为用于向光调制层施加外部信号的组件，可以在光调制膜层的各基底上形成电极层。例如，电极层可以存在于第一基底中的第一表面与压敏粘合剂层或粘合剂层之间(图1中的100与1001之间)和/或第二基底中的第一表面与配向膜之间(图1中的200与2001之间)(如果存在间隔物，则在间隔物与配向膜之间)。在第二基底的情况下，通常首先在第一表面上形成电极层，并在电极层上顺序形成间隔物和配向膜，使得当存在间隔物时，电极层可以位于第二基底的第一表面与间隔物和配向膜之间。
作为电极层，可以应用已知的透明电极层，例如可以使用所谓的导电聚合物层、导电金属层、导电纳米线层或金属氧化物层例如ITO(氧化铟锡)作为电极层。此外，能够形成透明电极层的各种材料和形成方法是已知的，其可以没有限制地应用。
光调制装置在主要包括光调制膜层的同时还可以根据需要包括其他另外的构造。即，根据驱动模式，即使在单独光调制膜层的情况下，上述透明模式、黑色模式、高反射模式和/或低反射模式的实现以及它们之间的切换也是可能的，但是为了促进这些模式的实现或切换，还可以包括另外的组件。
例如，装置还可以包括设置在光调制膜层的一侧或两侧上的偏振层(无源偏振层)。作为以上结构的实例，图2是在图1的结构中偏振层400仅设置在光调制膜层的一侧上的情况，图3是在图1的结构中偏振层400设置在光调制膜层的两侧上的情况。此外，当应用分隔间隔物作为间隔物并且形状为四边形(正方形或矩形)时，四边形的边和偏振层的吸收轴被适当地设置成彼此基本上垂直或水平。
术语偏振层可以意指将自然光或非偏振光转换为偏振光的元件。在一个实例中，偏振层可以为线性偏振层。线性偏振层意指选择性透射的光是在任一方向上振动的线性偏振光并且选择性吸收或反射的光是在与线性偏振光的振动方向正交的方向上振动的线性偏振光的情况。即，线性偏振层可以具有在平面方向上彼此正交的透射轴和吸收轴或反射轴。
偏振层可以为吸收性偏振层或反射性偏振层。作为吸收性偏振层，例如可以使用其中将碘染色至聚合物拉伸膜例如PVA拉伸膜的偏振层、或者其中使用以取向状态聚合的液晶作为主体并使用沿液晶的取向排列的二色性染料作为客体的宾主偏振层，但不限于此。
作为反射性偏振层，例如可以使用被称为所谓的DBEF(dual brightnessenhancement film，双亮度增强膜)的反射性偏振层、或者通过涂覆液晶化合物例如LLC(lyotropic liquid crystal，溶致液晶)而形成的反射性偏振层，但不限于此。
如图3所示，光调制装置可以具有其中偏振层设置在光调制膜层的两侧上的结构。在这种情况下，由设置在两侧上的偏振层的透射轴形成的角度可以在85度至95度的范围内，或者是近似垂直的。
除以上构造之外，光调制装置还可以包括其他必要的构造。例如，可以添加驱动或使用光调制装置所需的任何其他构造，例如除形成在第一基底的第一表面上的压敏粘合剂层或粘合剂层之外的用于附接其他组件的压敏粘合剂层或粘合剂层、硬涂层膜、抗反射膜和/或NIR(近红外)截止层。
本申请的光调制装置可以应用于各种应用。可以应用光调制装置的应用可以例示为包括建筑物、容器或车辆等的封闭空间中的开口(例如窗或天窗)，或者眼部佩戴物等。在此，在眼部佩戴物的范围内，可以包括形成为使得观察者可以通过镜片观察外部的所有眼部佩戴物例如普通眼镜、太阳镜、运动护目镜或头盔、或者用于体验增强现实的装置。
本申请涉及用于制造光调制装置的方法。在本申请中，光调制装置通过应用辊对辊过程来制造。
在一个实例中，本申请的制造方法可以包括以下步骤：将其中在第一表面上形成有压敏粘合剂层或粘合剂层的第一基底和其中在第一表面上形成有间隔物和液晶配向膜的第二基底附接成使得各第一表面面向彼此。
第一基底和第二基底的内容以及形成在其各第一表面上的压敏粘合剂层、粘合剂层、间隔物和液晶配向膜的事项与上述相同。此外，如上所述，电极层可以存在于第一基底的第一表面与压敏粘合剂层或粘合剂层之间和/或第二基底的第一表面与液晶配向膜和/或间隔物之间。例如，第二基底可以具有其中电极层、间隔物和液晶配向膜以此顺序形成在第一表面上的结构。
可以在通过辊来传输各基底的同时进行第一基底和第二基底的附接。
此外，可以进行附接使得第一基底的第一表面上的压敏粘合剂层或粘合剂层以及第二基底的第一表面上的间隔物和/或液晶配向膜物理接触。
图4是示意性地示出其中进行辊对辊过程的过程的图。
如图所示，可以在从展开辊401分别展开卷绕在展开辊401上的第一基底100和第二基底200的同时进行通过辊来传输第一基底100和第二基底200。
在一个实例中，第一基底还可以包括附接至压敏粘合剂层或粘合剂层的离型膜以保护形成在第一表面上的压敏粘合剂层或粘合剂层直至光调制装置的制造过程。在这种情况下，可以将附接有离型膜的第一基底卷绕在展开辊上。此时，可应用的离型膜的类型没有特别限制。在这种情况下，在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行剥离离型膜的步骤。离型膜的剥离方法没有特别限制。例如，如图4所示，在将第一基底和第二基底附接之前可以使用剥离辊402来剥离离型膜。
为了保护形成在第二基底的第一表面上的间隔物和液晶配向膜，可以进一步形成附接在液晶配向膜(第一表面)上的保护膜。即使在这种情况下，保护膜的具体种类也没有特别限制。此外，即使在这种情况下，在将第一基底和第二基底附接之前也可以进一步进行剥离保护膜的步骤。也可以使用适当的剥离辊402来进行保护膜的剥离。
如图4所示，可以例如在使第一基底和第二基底的层合体经过两个附接辊403之间的同时进行第一基底和第二基底的附接。通过以这种方式将其中在第一表面上形成有压敏粘合剂层或粘合剂层的第一基底和其中在第一表面上形成有分隔壁间隔物的第二基底附接，可以非常好地保持基底之间的粘合力，并且可以在短时间内快速完成光调制装置的制造过程。
如有必要，在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行向第二基底的第一表面的边缘供应密封剂的步骤。如图4所示，这样的过程可以例如通过将密封剂供应部件404定位在沿待通过辊传输的第二基底200的行进路径的适当位置处来进行。此时，施加的密封剂的类型和施加形式没有特别限制。例如，可以使用应用于已知液晶装置的生产的可固化密封剂材料。当在进行所述过程期间以这种方式供应密封剂并且在将基底附接之后在适当的时间进行密封剂的固化过程时，可以形成在基底之间具有更好的粘合力的光调制装置。当施加密封剂时，如图4所示，在将第一基底100和第二基底200附接之后还可以进一步进行通过使附接的基底100、200经过使密封剂固化的固化部件406来使密封剂固化的过程。可以考虑施加的密封剂的类型来选择密封剂固化部件406的形状，例如，可以应用用合适的光照射密封剂的光照射装置或者向密封剂施加热的热施加装置。
在本申请的制造方法中，在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行向第二基底的第一表面供应光调制材料的步骤。当进行供应密封剂的步骤时，光调制材料的供应可以在密封剂的供应之前或之后进行，或者也可以与密封剂的供应同时进行。
在图4的情况下，其为在密封剂的供应之后使用光调制材料供应装置405来供应光调制材料的实例。
光调制材料的具体种类没有特别限制。例如，如上所述，光调制材料可以为液晶化合物；液晶化合物和二色性染料的混合物；液晶化合物和手性掺杂剂的混合物；或者液晶化合物、二色性染料和手性掺杂剂的混合物。
因此，制造过程在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行向第二基底的第一表面供应液晶化合物；或者液晶化合物和二色性染料；或者液晶化合物和手性掺杂剂的步骤。
在此，当供应包含手性掺杂剂的材料作为光调制材料时，可以调节附接过程期间第一基底与第二基底之间的距离(d)使得所述距离(d)与由手性掺杂剂形成的手性螺距(p)的比率(d/p)在上述范围内。
如上所述，在以上过程中的形成在第二基底的第一表面上的间隔物可以为分隔壁间隔物。通过使用这样的分隔壁间隔物，可以制造在基底之间具有优异的粘合力的光调制装置。
本申请的制造方法可以进行在适当的时间向形成在第一基底上的压敏粘合剂层或粘合剂层施加适当的热的步骤。
即，当压敏粘合剂层或粘合剂层形成在第一基底的第一表面上并且与第二基底的第一表面上的间隔物或液晶配向膜附接以构成光调制装置时，可以实现上述优异的粘合力，但是由于粘合剂或压敏粘合剂的特定表面特性和由辊对辊制造过程中施加的剪切力等引起的表面损坏，可能出现由于液晶取向异常而引起的不规则性。因此，可以通过在所述过程中在适当的时间进行热处理来防止取向不规则性。
例如，制造过程在将第一基底和第二基底附接之前可以进一步进行对第一基底进行热处理的步骤。
热处理可以在适当的温度下进行预定的时间。例如，热处理可以在约80℃或更高的温度下进行。在另一个实例中，热处理可以在约85℃或更高、约90℃或更高、约95℃或更高、或者约100℃或更高下进行，或者也可以在约200℃或更低、190℃或更低、180℃或更低、170℃或更低、160℃或更低、150℃或更低、140℃或更低、130℃或更低、120℃或更低、或者110℃或更低左右下进行。
此外，热处理可以进行约30秒或更长、60秒或更长、90秒或更长、120秒或更长、150秒或更长、180秒或更长、210秒或更长、240秒或更长、270秒或更长、或者300秒或更长，或者可以进行约20分钟或更短、18分钟或更短、16分钟或更短、14分钟或更短、12分钟或更短、10分钟或更短、8分钟或更短、或者6分钟或更短左右的时间。
在一个实例中，当离型膜附接至压敏粘合剂层或粘合剂层时，热处理可以在剥离离型膜之前或之后进行。
在另一个实例中，热处理也可以在将第一基底和第二基底附接的过程中进行。在这种情况下，第一基底和第二基底的附接可以在高于50℃且低于90℃的温度范围内进行。
在另一个实例中，附接过程也可以在约51℃或更高、52℃或更高、53℃或更高、54℃或更高、55℃或更高、约56℃或更高、约57℃或更高、约58℃或更高、约59℃或更高、或者约60℃或更高的范围内和/或在低于约90℃、为约89℃或更低、88℃或更低、87℃或更低、86℃或更低、85℃或更低、84℃或更低、83℃或更低、82℃或更低、81℃或更低、或者80℃或更低的范围内进行。
在另一个实例中，热处理也可以在将第一基底和第二基底附接之后进行。在这种情况下，本申请的制造方法还可以包括在将第一基底和第二基底附接之后对附接的第一基底和第二基底进行热处理的步骤。
热处理可以在适当的温度下进行预定的时间。例如，热处理可以在约60℃或更高的温度下进行。在另一个实例中，热处理可以在约65℃或更高、约70℃或更高、75℃或更高、80℃或更高、约85℃或更高、约90℃或更高、约95℃或更高、或者约100℃或更高下进行，或者也可以在约200℃或更低、190℃或更低、180℃或更低、170℃或更低、160℃或更低、150℃或更低、140℃或更低、130℃或更低、120℃或更低、或者110℃或更低左右下进行。此外，热处理可以进行约30秒或更长、60秒或更长、90秒或更长、120秒或更长、150秒或更长、180秒或更长、210秒或更长、240秒或更长、270秒或更长、或者300秒或更长，或者可以进行20分钟或更短、18分钟或更短、16分钟或更短、14分钟或更短、12分钟或更短、10分钟或更短、8分钟或更短、或者6分钟或更短左右的时间。
通过如上所述的热处理，可以解决这样的问题：其中由于由粘合剂或压敏粘合剂的特定表面特性和由辊对辊制造过程中施加的剪切力等引起的表面损坏引起的液晶配向异常而出现不规则性。
图5是在通过应用本申请的方法来制造光调制装置的过程中，在将第一基底和第二基底附接之前进行将剥离离型膜的第一基底在约100℃下保持约5分钟左右的热处理时观察取向不规则性的结果，图6是示出观察除了不进行热处理之外，以相同方式制造的光调制装置的取向不规则性的结果的图。通过图5和图6的比较，可以确定取向不规则性可以通过热处理而大大改善。
图7是条件是以与在图6的情况下相同的方式制造光调制装置，但在约80℃左右的温度下进行第一基底和第二基底的附接(在图6的情况下，附接在室温下进行)时观察取向不规则性的结果。通过图6和图7的比较，可以确定取向不规则性可以通过附接过程期间的温度控制而大大改善。
图8是条件是以与在图6的情况下相同的方式制造光调制装置，但在将第一基底和第二基底附接之后将第一基底和第二基底以附接状态在约80℃左右的温度下保持5分钟左右时观察取向不规则性的结果。通过图6和图8的比较，可以确定取向不规则性可以通过附接之后的热处理而大大改善。
除上述步骤之外，本申请的光调制装置的制造过程还可以进一步进行适当的必要步骤。
例如，如图4所示，还可以进行在附接之后经由密封剂固化部件406使施加的密封剂固化的过程或者通过经过适当的切割部件407来切割制备的第一基底和第二基底的层合结构(光调制膜层的结构)的步骤。
此外，如有必要，还可以进行将另外的元件例如偏振层等附接至层合结构(光调制膜层)的一侧或两侧的过程。
最后，可以通过卷绕辊408来回收制造的光调制装置(或光调制膜层)。
通过这样的过程，可以有效且快速地制造其中实现期望的粘合力和取向状态的光调制装置。

Claims (15)

1.一种用于通过辊对辊过程制造光调制装置的方法，
包括以下步骤：通过辊来传输其中在第一表面上形成有压敏粘合剂层或粘合剂层的第一基底和其中在第一表面上形成有间隔物和液晶配向膜的第二基底，以及同时将所述第一基底和所述第二基底附接成使得各第一表面面向彼此。
2.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中在所述第一基底上未形成液晶配向膜。
3.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第一基底还包括附接在所述压敏粘合剂层或所述粘合剂层上的离型膜，以及所述方法还包括在将所述第一基底和所述第二基底附接之前剥离所述离型膜的步骤。
4.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第二基底还包括附接在其上形成有所述间隔物和所述液晶配向膜的第一表面上的保护膜，以及所述方法还包括在将所述第一基底和所述第二基底附接之前剥离所述保护膜的步骤。
5.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，在将所述第一基底和所述第二基底附接之前进一步进行向所述第二基底的第一表面的边缘供应密封剂的步骤。
6.根据权利要求5所述的用于制造光调制装置的方法，在将所述第一基底和所述第二基底附接之前进一步进行向所述第二基底的第一表面供应液晶化合物的步骤。
7.根据权利要求5所述的用于制造光调制装置的方法，在将所述第一基底和所述第二基底附接之前进一步进行向所述第二基底的第一表面供应液晶化合物和二色性染料的步骤。
8.根据权利要求5所述的用于制造光调制装置的方法，在将所述第一基底和所述第二基底附接之前进一步进行向所述第二基底的第一表面供应液晶化合物和手性掺杂剂的步骤。
9.根据权利要求8所述的用于制造光调制装置的方法，其中将所述第一基底和所述第二基底附接成使得所述第一基底与所述第二基底之间的距离(d)与由所述手性掺杂剂形成的手性螺距(p)的比率(d/p)小于1。
10.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第二基底的所述间隔物为分隔壁间隔物。
11.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，在将所述第一基底和所述第二基底附接之前进一步进行对所述第一基底进行热处理的步骤。
12.根据权利要求11所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述热处理在80℃或更高的温度下进行30秒或更长。
13.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第一基底和所述第二基底的附接在高于50℃且低于90℃的温度范围内进行。
14.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，在将所述第一基底和所述第二基底附接之后进一步进行对附接的所述第一基底和所述第二基底进行热处理的步骤。
15.根据权利要求14所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述热处理在80℃或更高的温度下进行30秒或更长。
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