CN115835721A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

显示装置包括：辅助布线，在基板上；绝缘层，设置在辅助布线上并且包括第一开口，第一开口与辅助布线重叠并且具有比辅助布线的宽度大的宽度；第一电极，设置在绝缘层上；堤层，包括与第一电极重叠的发射开口；中间层，通过发射开口与第一电极重叠并且包括发射层；以及第二电极，设置在中间层上，其中，辅助布线包括多个子层，并且第二电极通过绝缘层的第一开口接触多个子层中的任何一个的侧表面。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月16日提交的韩国专利申请第10-2021-0124257号的优先权和权益，出于所有目的，通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明的实施例总体上涉及显示装置。

背景技术

通常，在诸如有机发光二极管显示器的显示装置中，晶体管布置在显示区域中以控制发光二极管的亮度。晶体管被配置为使用传输的数据信号、驱动电压和公共电压来控制发光二极管以发射具有预定颜色的光。

发光二极管的电极中的一个可以通过晶体管接收预定电压，并且发光二极管的另一电极可以通过辅助布线接收电压。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，其可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据与本发明的发明构思一致的说明性实施方式构造的设备能够提供其中可以提高显示质量并且可以减小定位在显示区域周围的死区的面积的显示装置。

随着能够提供图像的显示区域在显示装置中的比例增大，需要减小作为其中不布置发光二极管的死区的非显示区域。另一方面，由于其中将要定位布置在非显示区域中的部件的空间变窄，从发光二极管发射的光的质量可能劣化。

与本发明的实施例一致的发明构思旨在解决包括上述问题的各种问题，并且本发明构思旨在提供其中在减小死区的面积的同时显示高质量图像的显示装置。然而，这些问题是说明性的，并且在下文描述的实施例的范围不限于此。

本发明构思的另外的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过实践本发明构思来获知。

根据实施例，显示装置包括：辅助布线，在基板上；绝缘层，设置在辅助布线上并且包括第一开口，第一开口与辅助布线重叠并且具有比辅助布线的宽度大的宽度；第一电极，设置在绝缘层上；堤层，包括与第一电极重叠的发射开口；中间层，通过发射开口与第一电极重叠并且包括发射层；以及第二电极，设置在中间层上，其中，辅助布线包括多个子层，并且第二电极通过绝缘层的第一开口接触多个子层中的任何一个的侧表面。

辅助布线的多个子层可以包括：主子层；上层，设置在主子层之上并且具有从主子层的侧表面和上表面彼此相交的点突出的尖端；以及下层，设置在主子层之下，并且第二电极可以直接接触主子层的侧表面。

主子层的厚度可以大于上层的厚度和下层的厚度中的任何一个。

中间层可以与辅助布线重叠，并且中间层的一部分可以在辅助布线周围通过尖端与中间层的另一部分分离的同时定位在辅助布线上。

第二电极可以与第一电极和辅助布线重叠，并且第二电极的一部分可以在辅助布线周围通过尖端与第二电极的另一部分分离的同时定位在辅助布线上。

主子层可以包括选自铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和钼(Mo)的至少一种。

上层和下层中的任何一个可以包括选自氧化铟锡(ITO)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)的至少一种。

显示装置可以进一步包括设置在辅助布线之下的下绝缘层，并且中间层的一部分可以通过绝缘层的第一开口直接接触下绝缘层的上表面的一部分。

在平面图中，辅助布线可以包括在与辅助布线的延伸方向交叉的方向上突出的多个突起。

第二电极和辅助布线的侧表面的接触区可以沿着多个突起中的至少一个的侧表面是连续的。

根据另一实施例，显示装置包括：基板，设置在显示区域和显示区域周围的非显示区域中；公共电压供应线，设置在非显示区域中；辅助布线，电连接到公共电压供应线并且设置在显示区域中；绝缘层，设置在辅助布线上并且包括第一开口，第一开口与辅助布线重叠并且具有比辅助布线的宽度大的宽度；第一电极，设置在绝缘层上；堤层，包括与第一电极重叠的发射开口；中间层，通过发射开口与第一电极重叠并且包括发射层；以及第二电极，设置在中间层上，其中，辅助布线包括多个子层，并且第二电极通过绝缘层的第一开口接触多个子层中的任何一个的侧表面。

辅助布线的多个子层可以包括：主子层；上层，设置在主子层之上并且具有从主子层的侧表面和上表面彼此相交的点突出的尖端；以及下层，设置在主子层之下，并且第二电极可以直接接触主子层的侧表面。

主子层的厚度可以大于上层的厚度和下层的厚度中的任何一个。

中间层可以与第一电极和辅助布线重叠，并且中间层的一部分可以在辅助布线周围通过尖端与中间层的另一部分分离的同时定位在辅助布线上。

第二电极可以与第一电极和辅助布线重叠，并且第二电极的一部分可以在辅助布线周围通过尖端与第二电极的另一部分分离的同时定位在辅助布线上。

主子层可以包括选自铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和钼(Mo)的至少一种。

上层和下层中的任何一个可以包括选自氧化铟锡(ITO)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)中的至少一种。

显示装置可以进一步包括设置在辅助布线之下的下绝缘层，并且中间层的一部分可以通过绝缘层的第一开口直接接触下绝缘层的上表面的一部分。

在平面图中，辅助布线可以包括在与辅助布线的延伸方向交叉的方向上突出的多个突起。

第二电极和辅助布线的侧表面的接触区可以沿着多个突起中的至少一个的侧表面是连续的。

将理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图图示了本发明的说明性实施例，并且与描述一起用于说明本发明构思。

图1是示意性地图示根据本发明的原理构造的、根据实施例的显示装置的透视图。

图2是示意性地图示根据实施例的显示装置的各个像素的截面图。

图3图示图2的颜色转换-透射层的光学单元。

图4是图示根据实施例的显示装置中包括的发光二极管和电连接到发光二极管的像素电路的等效电路图。

图5A是图示根据实施例的显示装置的公共电压供应线和驱动电压供应线的平面图。

图5B和5C是各自图示根据另一实施例的显示装置的公共电压供应线的平面图。

图6是图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图。

图7是图6的部分VI的放大截面图。

图8A和图8B是各自图示根据另一实施例的辅助布线的截面图。

图9A是示意性地图示根据实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的透视图。

图9B是示意性地图示图9A的辅助布线和第一开口的平面图。

图10A是示意性地图示根据另一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的透视图。

图10B是图示根据另一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的平面图，并且是示意性图示图10A的辅助布线和第一开口的平面图。

图10C是图示根据又一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的平面图。

图11A是示意性地图示根据又一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的透视图。

图11B是图示根据又一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的平面图。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，阐述许多特定细节，以便提供对本发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词，其是采用本文所公开的本发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，实施例的特定形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实现，而不脱离本发明构思。

除非另外指明，否则所示出的实施例应理解为提供可在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另外指明，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中，单独称为或统称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置，而不脱离本发明构思。

附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用于使相邻元件之间的边界变得清楚。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或指示针对特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可能夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。

当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理的、电的和/或流体的连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释以覆盖诸如球坐标系的其他坐标系。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。

尽管本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。

本文可能将诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语用于描述性目的，并由此描述如附图中所示出的一个元件与另一(一些)元件的关系。除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两个定向。此外，装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并因此，本文使用的空间相对描述语应被相应地解释。

本文使用的术语用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制。如本文所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”及其变体指明所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。还应注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似术语，而不是程度术语，并且因此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量的值、计算的值和/或提供的值的固有偏差。

本文参考截面图示和/或分解图示来描述各种实施例，截面图示和/或分解图示是理想化的实施例和/或中间结构的示意性图示。因此，可预期由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施例不应一定被解释为限于区域的特定示出的形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差。这样，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映设备的区域的实际形状，并且因此，不一定旨在进行限制。

除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用字典中定义的术语的术语应被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且，除非本文明确如此定义，否则不应在理想的或过度正式的意义上来解释。

图1是示意性图示根据本发明的原理构造的、根据实施例的显示装置的透视图。

参考图1，显示装置DV可以包括显示区域DA和显示区域DA周围(例如，外部)的非显示区域NDA。显示装置DV可以通过二维布置在x-y平面上的多个像素的阵列在显示区域DA中提供图像。多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素。在下文中，为了便于描述，将描述第一像素是红色像素Pr，第二像素是绿色像素Pg，并且第三像素是蓝色像素Pb的情况。

红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb分别是能够发射红光、绿光和蓝光的区域。显示装置DV可以使用从像素发射的光来提供图像。

非显示区域NDA是不提供图像的区域，并且可以完全围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供给像素电路的驱动器或主电压线可以布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括作为电子设备或印刷电路板可以电连接到其的区域的焊盘。

如图1中所示，显示区域DA可以具有包括四边形的多边形形状。例如，显示区域DA可以具有其中水平长度大于垂直长度的矩形形状、其中水平长度小于垂直长度的矩形形状或正方形形状。可替代地，显示区域DA可以具有诸如椭圆形或圆形的各种形状。显示装置DV可以是诸如电视机的电子装置(或电子产品)。在另一实施例中，显示装置DV可以包括诸如户外广告牌和电影显示装置的各种电子产品。例如，正如显示装置DV可以应用于人工智能扬声器的显示部分一样，根据实施例的显示装置DV可以应用于任何种类的电子装置，只要该电子装置可以提供预设图像即可。

图2是示意性地图示根据实施例的显示装置的各个像素的截面图。

参考图2，显示装置DV可以包括在基板100上的电路层200。电路层200包括第一至第三像素电路PC1、PC2和PC3，并且第一至第三像素电路PC1、PC2和PC3可以分别电连接到发光二极管层300的第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3。

第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3可以是包括有机材料的有机发光二极管。可替代地，第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以是包括无机半导体类材料的PN结二极管。当电压在正向方向上被施加到PN结二极管时，空穴和电子被注入，并且由空穴和电子的复合产生的能量被转换为光能以发射预定颜色的光。上述无机发光二极管可以具有几至几百微米或几至几百纳米的宽度。在一些实施例中，发光二极管(LED)可以是包括量子点的发光二极管。如上所述，LED的发光层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。

第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3可以发射相同颜色的光。例如，从第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3发射的光(例如，蓝光Lb)穿过在发光二极管层300上的封装层400并且穿过颜色转换-透射层500。

颜色转换-透射层500可以包括对从发光二极管层300发射的光(例如，蓝光Lb)的颜色进行转换或在不进行转换的情况下透射光的光学单元。例如，颜色转换-透射层500可以包括将从发光二极管层300发射的光(例如，蓝光Lb)转换为另一颜色的光的颜色转换单元以及在不进行颜色转换的情况下透射从发光二极管层300发射的光(例如，蓝光Lb)的透射单元。颜色转换-透射层500可以包括与红色像素Pr相对应的第一颜色转换单元510、与绿色像素Pg相对应的第二颜色转换单元520以及与蓝色像素Pb相对应的透射单元530。第一颜色转换单元510可以将蓝光Lb转换为红光Lr，并且第二颜色转换单元520可以将蓝光Lb转换为绿光Lg。透射单元530可以在不转换蓝光Lb的情况下，透射蓝光Lb。

颜色层600可以设置在颜色转换-透射层500上。颜色层600可以包括具有彼此不同颜色的第一至第三滤色器610、620和630。例如，第一滤色器610可以是红色滤色器，第二滤色器620可以是绿色滤色器，并且第三滤色器630可以是蓝色滤色器。

颜色转换-透射层500中的颜色转换后的光和透射光分别穿过第一至第三滤色器610、620和630，并且因此可以提高色纯度。另外，颜色层600可以防止或最小化外部光(例如，从显示装置DV的外部朝向显示装置DV入射的光)被反射而被用户识别到。

透光基底层700可以被提供在颜色层600上。透光基底层700可以包括玻璃或透光有机材料。例如，透光基底层700可以包括诸如丙烯酸树脂的透光有机材料。

在实施例中，透光基底层700是一种基板。在颜色层600和颜色转换-透射层500被形成在透光基底层700上之后，透光基底层700可以与颜色层600和颜色转换-透射层500集成，使得颜色转换-透射层500面向封装层400。

在另一实施例中，在颜色转换-透射层500和颜色层600被顺序地形成在封装层400上之后，透光基底层700可以通过直接涂敷和固化来形成。在一些实施例中，诸如抗反射(AR)膜的另一光学膜可以设置在透光基底层700上。

具有上述结构的显示装置DV可以用于诸如电视机、广告牌、电影院屏幕、监视器、平板PC和笔记本计算机的、能够显示运动图像或静止图像的电子电器。

图3图示图2的颜色转换-透射层的光学单元。

参考图3，第一颜色转换单元510可以将入射的蓝光Lb转换为红光Lr。如图3中所示，第一颜色转换单元510可以包括第一光敏聚合物1151以及分散在第一光敏聚合物1151中的第一量子点1152和第一散射颗粒1153。

第一量子点1152可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb长的波长的红光Lr。第一光敏聚合物1151可以是具有透光性的有机材料。第一散射颗粒1153将未被第一量子点1152吸收的蓝光Lb散射以激发更多的第一量子点1152，从而提高颜色转换效率。第一散射颗粒1153可以是例如二氧化钛(TiO₂)颗粒或金属颗粒。第一量子点1152可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。

第二颜色转换单元520可以将入射的蓝光Lb转换为绿光Lg。如图3中所示，第二颜色转换单元520可以包括第二光敏聚合物1161以及分散在第二光敏聚合物1161中的第二量子点1162和第二散射颗粒1163。

第二量子点1162可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb长的波长的绿光Lg。第二光敏聚合物1161可以是具有透光性的有机材料。

第二散射颗粒1163将未被第二量子点1162吸收的蓝光Lb散射以激发更多的第二量子点1162，从而提高颜色转换效率。第二散射颗粒1163可以是例如二氧化钛(TiO₂)颗粒或金属颗粒。第二量子点1162可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。

在一些实施例中，第一量子点1152可以是与第二量子点1162相同的材料。在这种情况下，第一量子点1152的尺寸可以大于第二量子点1162的尺寸。

透射单元530可以在不转换蓝光Lb的情况下，透射入射到透射单元530的蓝光Lb。如图3中所示，透射单元530可以包括其中分散有第三散射颗粒1173的第三光敏聚合物1171。第三光敏聚合物1171可以是例如具有透光性的有机材料，例如硅树脂或环氧树脂，并且可以是与第一光敏聚合物1151和第二光敏聚合物1161相同的材料。第三散射颗粒1173可以散射并且发射蓝光Lb，并且可以是与第一散射颗粒1153和第二散射颗粒1163相同的材料。

图4是图示根据实施例的显示装置中包括的发光二极管和电连接到发光二极管的像素电路的等效电路图。图4中示出的像素电路PC可以与参考图2描述的第一至第三像素电路PC1、PC2和PC3中的每一个相对应，并且图4的发光二极管OLED可以与参考图2描述的第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3中的每一个相对应。

参考图4，发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)可以连接到像素电路PC，并且发光二极管OLED的第二电极(例如，阴极)可以连接到提供公共电压ELVSS的辅助布线240。发光二极管OLED可以发射具有与从像素电路PC供应的电流的量相对应的亮度的光。

图4的发光二极管OLED可以与图2中示出的第一至第三发光二极管LED1、LED2和LED3中的每一个相对应，并且图4的像素电路PC可以与图2中示出的第一至第三像素电路PC1、PC2和PC3中的每一个相对应。

像素电路PC可以响应于数据信号而控制从驱动电压线250经由发光二极管OLED流到辅助布线240的电流的量。像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。

第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的每一个可以是包括由氧化物半导体制成的半导体层的氧化物半导体晶体管，或者可以是包括由多晶硅制成的半导体层的硅半导体晶体管。取决于晶体管的类型，第一电极可以是源电极和漏电极中的一个，并且第二电极可以是源电极和漏电极中的另一个。

第一晶体管(或驱动晶体管)M1的第一电极可以连接到用于供应驱动电压ELVDD的驱动电压线250，并且第一晶体管M1的第二电极可以连接到发光二极管OLED的第一电极。第一晶体管M1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以响应于第一节点N1的电压而控制从驱动电压线250流到发光二极管OLED的电流的量。

第二晶体管M2可以是开关晶体管。开关晶体管M2的第一电极可以连接到数据线DL，并且开关晶体管M2的第二电极可以连接到第一节点N1。开关晶体管M2的栅电极可以连接到扫描线SL。当扫描信号被供应给扫描线SL时开关晶体管M2被导通，以电连接数据线DL和第一节点N1。

第三晶体管M3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。感测晶体管M3的第一电极可以连接到第二节点N2，并且感测晶体管M3的第二电极可以连接到感测线ISL。感测晶体管M3的栅电极可以连接到控制线CL。

存储电容器Cst可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。例如，存储电容器Cst的第一电容器电极可以连接到驱动晶体管M1的栅电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极可以连接到发光二极管OLED的第一电极。

尽管驱动晶体管M1、开关晶体管M2和感测晶体管M3在图4中被图示为N型MOSFET，但是本公开不限于此。例如，驱动晶体管M1、开关晶体管M2和感测晶体管M3中的至少一个可以被形成为P型MOSFET。在一些实施例中，开关晶体管M2和/或感测晶体管M3可以被形成为P型MOSFET。

尽管图4中图示了三个晶体管，但是本公开不限于此。像素电路PC可以包括四个或更多个晶体管。

图5A是图示根据实施例的显示装置的公共电压供应线和驱动电压供应线的平面图。

参考图5A，显示装置DV可以包括用于将公共电压ELVSS供应给参考图4描述的发光二极管的第二电极的公共电压供应线10和用于将驱动电压ELVDD供应给像素电路的驱动电压供应线20。公共电压供应线10和驱动电压供应线20可以布置在非显示区域NDA中。

显示装置DV的形状可以与基板100的形状基本上相同。例如，基板100可以包括显示区域DA和显示区域DA周围(例如，外部)的非显示区域NDA。在下文中，为了便于描述，将描述基板100包括显示区域DA和显示区域DA周围(例如，外部)的非显示区域NDA。

公共电压供应线10可以包括与显示区域DA的第一边缘E1相邻布置的第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12。第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12沿着x方向彼此间隔开，但是可以通过与显示区域DA的第二至第四边缘E2、E3和E4相邻布置的第一至第三延伸部分13、14和15一体地连接。

至少一个第三公共电压输入单元16可以设置在第一公共电压输入单元11与第二公共电压输入单元12之间。在实施例中，图5A图示了四个第三公共电压输入单元16。

公共电压供应线10可以电连接到穿过显示区域DA的辅助布线240。如图5A中所示，辅助布线240可以沿着y方向延伸。至少一个辅助布线240可以延伸以沿着y方向横穿显示区域DA，并且可以电连接到第一公共电压输入单元11和第二延伸部分14的面向第一公共电压输入单元11的部分。至少一个辅助布线240可以延伸以沿着y方向横穿显示区域DA，并且可以电连接到第二公共电压输入单元12和第二延伸部分14的面向第二公共电压输入单元12的部分。类似地，至少一个辅助布线240可以延伸以沿着y方向横穿显示区域DA，并且可以电连接到第三公共电压输入单元16和第二延伸部分14的面向第三公共电压输入单元16的部分。

在公共电压供应线10包括设置在第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12之间的第三公共电压输入单元16的情况下，与仅提供第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12的情况相比，当施加通过公共电压供应线10供应的电流时，可以降低电流密度，并且可以抑制热产生。

驱动电压供应线20定位在非显示区域NDA中，但是可以包括与显示区域DA的第一边缘E1相邻的驱动电压供应单元21和沿着显示区域DA的第三边缘E3延伸的对应体22。驱动电压供应单元21和对应体22可以设置在显示区域DA的两侧，显示区域DA介于其间。

驱动电压供应线20可以电连接到横穿显示区域DA的驱动电压线250。驱动电压线250中的每一条可以在电连接到驱动电压供应单元21的同时，沿着y方向延伸。在一些实施例中，驱动电压线250可以电连接到沿着x方向延伸以与驱动电压线250交叉的水平驱动电压线270。驱动电压线250和水平驱动电压线270设置在彼此不同的层，并且可以通过穿透介于其间的至少一个绝缘层的接触孔电连接。

图5B和图5C是各自图示根据另一实施例的显示装置的公共电压供应线的平面图。如先前参考图5A描述的，图5B和图5C中示出的显示装置DV包括电连接到驱动电压供应线20的驱动电压线250(图5A)和水平驱动电压线270(图5A)。为了便于描述，在图5B和图5C中，将省略驱动电压线250(图5A)和水平驱动电压线270(图5A)。

参考图5B，显示装置DV可以包括沿着y方向横穿显示区域DA的辅助布线240'(在下文中，称为第一辅助布线)和沿着x方向横穿显示区域DA的辅助布线240”(在下文中，称为第二辅助布线)。彼此交叉的第一辅助布线240'和第二辅助布线240”可以设置在不同的层，并且可以通过形成在介于其间的至少一个绝缘层中的通孔电连接。

尽管在图5A和图5B中示出了公共电压供应线10的第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12通过第一至第三延伸部分13、14、15一体地连接，但是在本文中描述的实施例不限于此。

在另一实施例中，如图5C中所示，公共电压供应线10可以包括与显示区域DA的第一边缘E1相邻设置的第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12以及与显示区域DA的第三边缘E3相邻设置的延伸部分14'。延伸部分14'可以与第一公共电压输入单元11和第二公共电压输入单元12物理分离。

辅助布线240中的每一条的一端可以电连接到第一至第三公共电压输入单元11、12和16中的任一个，并且辅助布线240中的每一条的另一端可以连接到延伸部分14'。换句话说，由于第一至第三公共电压输入单元11、12、16和延伸部分14'通过横穿显示区域DA的辅助布线240电连接，因此在本实施例的一些实施方式中，可以省略如先前在图5A和图5B中所示的第一延伸部分13和第三延伸部分15。通过省略第一延伸部分13和第三延伸部分15，可以减小非显示区域NDA的一部分(例如，非显示区域NDA的与显示区域DA的第二边缘E2和第四边缘E4相邻的部分)。

图6是图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图，图7是图6的部分VI的放大截面图，并且图8A和图8B是各自图示根据另一实施例的辅助布线的截面图。

参考图6，以上参考图5A至图5C描述的辅助布线240、240'和240”中的至少一条可以电连接到显示区域DA中的发光二极管的第二电极。在下文中，为了便于描述，图5A或图5C中示出的辅助布线240电连接到发光二极管OLED的第二电极，但是参考图5B描述的第一辅助布线240'和/或第二辅助布线240”也可以电连接到发光二极管OLED的第二电极。换句话说，图6中示出的辅助布线240可以是参考图5B描述的第一辅助布线240'和/或第二辅助布线240”。

尽管图6图示了设置在显示装置中的多个发光二极管当中的第一发光二极管LED1，但是以上参考图2描述的第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3也与图6的第一发光二极管LED1具有相同的结构。

参考图6，第一发光二极管LED1设置在基板100上。电连接到第一发光二极管LED1的第一像素电路PC1设置在基板100与第一发光二极管LED1之间。如以上参考图4描述的，第一像素电路PC1可以包括多个晶体管和存储电容器。在这点上，图6示出了驱动晶体管M1。

基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂，并且包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性。例如，包括具有柔性的基板100的显示装置的形状可以被改变以被弯曲、以是可弯折的、可卷曲的或可折叠的。

缓冲层101设置在基板100上，并且可以防止杂质从基板100朝向晶体管(例如，驱动晶体管M1)渗透。缓冲层101可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。

驱动晶体管M1的驱动半导体层210设置在缓冲层101上。驱动半导体层210可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化铟锌(IZO)。在另一实施例中，驱动半导体层210可以包括多晶硅、非晶硅或有机半导体。驱动半导体层210可以包括与驱动栅电极220重叠的沟道区211以及设置在沟道区211两侧并被掺杂有杂质或以杂质导电的第一区212和第二区213。第一区212和第二区213中的任何一个可以与源区相对应，并且第一区212和第二区213中的另一个可以与漏区相对应。

驱动栅电极220可以与驱动半导体层210的沟道区211重叠，栅绝缘层103介于驱动栅电极220与沟道区211之间。驱动栅电极220可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以被形成为各自包括导电材料的多个层或单个层。栅绝缘层103可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。

电极230可以设置在层间绝缘层105上，并且可以连接到驱动半导体层210的第一区212和第二区213中的任何一个。在这点上，图6示出了电极230连接到第二区213。当第二区213是源(或漏)区时，电极230可以与源(或漏)电极相对应。层间绝缘层105可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。

驱动电压线250可以设置在层间绝缘层105上，并且可以在同一工艺中与电极230一起形成。电极230和驱动电压线250中的每一个可以由多个子层形成。例如，电极230可以包括第一层231、第一层231之下的第二层232和第二层232之下的第三层233。类似地，驱动电压线250可以包括第一层251、第一层251之下的第二层252和第二层252之下的第三层253。

设置在显示区域DA中的辅助布线240可以与第一像素电路PC1相邻设置。辅助布线240可以与电极230和/或驱动电压线250设置在同一层。在这点上，图6示出了辅助布线240设置在层间绝缘层105上。

辅助布线240可以具有多个导电层的堆叠结构。辅助布线240可以包括主子层242、主子层242上的上层241和主子层242之下的下层243。

参考图6和图7，主子层242可以是占据大部分辅助布线240的子层。主子层242占据大部分辅助布线240的事实可以指示主子层242的厚度t2是辅助布线240的总厚度Tp的大约50％或更多。在一些实施例中，主子层242的厚度t2可以是辅助布线240的总厚度Tp的大约60％或更多或者大约70％或更多。主子层242的厚度t2可以大于上层241和下层243中的每一个的厚度。在一个实施例中，主子层242可以具有大约

至大约

的厚度。

考虑到导电性，主子层242可以包括铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或钼(Mo)。主子层242可以具有包括上述材料的单层或多层结构。在一些实施例中，主子层242可以是包括铜(Cu)的单层或包括铝(Al)的单层。

下层243可以包括与主子层242的材料不同的材料。下层243可以考虑导电性和粘附性来选择。例如，下层243可以是包括诸如钛(Ti)的金属的金属层，或者可以包括诸如氧化镓锌(GZO)和/或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。透明导电氧化物可以是无定形的或结晶的。

上层241可以设置在主子层242上，并且可以包括与主子层242的材料不同的材料。上层241可以防止主子层242在显示装置的制造过程期间被损坏。上层241可以包括诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电氧化物(TCO)。上层241可以包括诸如钛(Ti)、钼(Mo)和/或钨(W)的金属。可替代地，上层241可以具有上述金属层和透明导电氧化物层的多层结构。

与辅助布线240设置在同一层的电极230和驱动电压线250也可以与辅助电极240包括相同的材料。例如，电极230的第一层231、第二层232和第三层233可以分别与辅助布线240的上层241、主子层242和下层243包括相同的材料。类似地，驱动电压线250的第一层251、第二层252和第三层253可以分别与辅助布线240的上层241、主子层242和下层243包括相同的材料。

平坦化绝缘层107可以设置在电极230、辅助布线240和驱动电压线250上。平坦化绝缘层107可以包括诸如丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。

平坦化绝缘层107包括与辅助布线240重叠的第一开口107OP。第一开口107OP的第一宽度W1大于辅助布线240的第二宽度W2。因此，第一开口107OP之下的绝缘层(例如，层间绝缘层105)的上表面的一部分可以通过第一开口107OP被暴露。

在平坦化绝缘层107上的第一电极310可以通过接触孔107CNT电连接到第一像素电路PC1。例如，如图6中所示，第一电极310可以通过接触孔107CNT连接到电极230。

第一电极310可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的透明导电材料。在另一实施例中，第一电极310可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或其化合物的反射膜。在另一实施例中，第一电极310可以进一步包括在反射膜上/之下的、由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃制成的膜。例如，第一电极310可以具有其中堆叠ITO层、银(Ag)层和ITO层的三层结构。

堤层111可以设置在第一电极310上，并且可以覆盖第一电极310的边缘。堤层111包括与第一电极310的一部分重叠的开口(在下文中，称为发射开口111EOP)。发射开口111EOP可以暴露第一电极310的中心部分。堤层111可以包括有机材料。堤层111可以包括与平坦化绝缘层107的第一开口107OP重叠的第二开口111OP。第二开口111OP的第三宽度W3可以大于第一开口107OP的第一宽度W1。

中间层320可以通过发射开口111EOP接触第一电极310。如图7中所示，中间层320可以包括发射层322，并且可以进一步包括设置在发射层322之下和/或上的功能层。在这点上，图7示出了中间层320包括设置在发射层322之下的第一功能层321和设置在发射层322上的第二功能层323。

第一功能层321可以具有单层结构或多层结构。第一功能层321可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。发射层322可以包括发射预定颜色的光的高分子或低分子量有机材料。第二功能层323可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。

第二电极330可以由具有低的功函数的导电材料制成。例如，第二电极330可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或其合金的(半)透明层。可替代地，第二电极330可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的、包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。

与第一电极310不同，中间层320和第二电极330可以使用具有与显示区域DA相对应的开口的掩模来沉积。因此，中间层320可以具有与显示区域DA的整个区域相对应的区域，并且可以通过辅助布线240的形状从辅助布线240切割或分离。类似地，第二电极330可以具有与显示区域DA的整个区域相对应的区域，并且可以通过辅助布线240的形状从辅助布线240切割或分离。第二电极330的定位在辅助布线240两侧的部分可以接触辅助布线240的侧表面。类似地，中间层320的定位在辅助布线240两侧的部分可以接触辅助布线240的侧表面。

如图7中所示，可以形成辅助布线240使得主子层242上的上层241的宽度大于主子层242的上表面的宽度。换句话说，在截面中，上层241可以包括从主子层242的侧表面242s和上表面242t相交的点朝向两侧突出的一对尖端T。这种结构可以通过蚀刻辅助布线240的通过第一开口107OP被暴露的部分来形成(例如，在形成第一电极310的工艺中使用蚀刻剂进行蚀刻)。

主子层242的材料可以是具有与上层241的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料。类似地，下层243的材料可以是与主子层242的材料具有不同的蚀刻选择性的材料。在一些实施例中，下层243可以与上层241包括相同的材料。如图7中所示，由于比起上层241，主子层242被蚀刻工艺中使用的蚀刻剂过度蚀刻，因此具有一对尖端T的结构可以被形成。

在形成中间层320和第二电极330中的每一个的沉积工艺中，沉积材料可以在垂直于基板100的方向(z方向)以及与其倾斜的方向上被涂敷。因此，中间层320的定位在辅助布线240两侧的部分可以直接接触主子层242的侧表面242s，并且第二电极330的定位在辅助布线240两侧的部分可以直接接触主子层242的侧表面242s以形成接触区CCR。定位在辅助布线240的上表面240t上的中间层320的部分320R和第二电极330的部分330R可以通过辅助布线240的尖端T分别与中间层320的其他部分和第二电极330的其他部分分离。

在一些实施例中，当中间层320包括第一功能层321、发射层322和第二功能层323时，如图7中所示，第一功能层321、发射层322和第二功能层323中的每一个可以包括在辅助布线240周围切割并设置在辅助布线240两侧的部分以及定位在辅助布线240的上表面240t上的部分321R、322R和323R。

在图7中，主子层242的侧表面242s的倾斜角α可以大于或等于大约20°且小于大约90°。尽管图6和图7示出了主子层242的侧表面242s具有在正向方向上的锥形形状，但是在本文中描述的实施例不限于此。在另一实施例中，如图8A中所示，主子层242的侧表面242s的倾斜角α可以是大约90°。可替代地，如图8B中所示，主子层242的侧表面242s的倾斜角α可以大于大约90°且小于或等于大约135°。

再次参考图6，具有第一电极310、中间层320和第二电极330的多层结构的发光二极管(例如，第一发光二极管LED1)被封装层400覆盖。封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层400可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。

第一无机封装层410和第二无机封装层430中的每一个可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以通过化学气相沉积形成。由于第一无机封装层410具有相对优异的台阶覆盖度，因此尽管辅助布线240具有带有尖端T(图7)的形状，但是第一无机封装层410可以完全覆盖辅助布线240。例如，第一无机封装层410可以连续延伸以覆盖中间层320和第二电极330的设置在辅助布线240的两侧的部分、主子层242的侧表面242s的一部分、上层241的下表面和侧表面以及中间层320的在辅助布线240上的部分320R和第二电极330的在辅助布线240上的部分330R。

有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。丙烯酸树脂可以包括例如聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸等。

颜色转换-透射层500和颜色层600可以设置在封装层400上。在这点上，图6示出了颜色转换-透射层500的第一颜色转换单元510被设置为与第一发光二极管LED1重叠，并且颜色层600的第一滤色器610被设置为与第一发光二极管LED1重叠。第一颜色转换单元510和第一滤色器610可以分别被遮光单元540和640围绕。在这点上，图6示出了分别设置在第一颜色转换单元510和第一滤色器610两侧的遮光单元540和640。遮光单元540和640可以包括诸如黑矩阵的遮光材料，并且辅助布线240可以与遮光单元540和640重叠。

图9A是示意性地图示根据实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的透视图，并且图9B是示意性地图示图9A的辅助布线和第一开口的平面图。

参考图9A和图9B，平坦化绝缘层107的第一开口107OP的第一宽度W1可以被形成为大于辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分的第二宽度W2。

在辅助布线240的与平坦化绝缘层107的材料部分重叠的部分中，上层241、主子层242和下层243可以被形成为具有相对相同的宽度。另一方面，由于如上所述，辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分被蚀刻剂蚀刻，因此上层241、主子层242和下层243的截面形状可以具有与以上参考图6和图7(或图8A和图8B)描述的结构相同的结构。换句话说，主子层242的与第一开口107OP重叠的尺寸或面积可以小于上层241的尺寸或面积。在这点上，在图9B中，实线指示上层241和/或下层243在平面图中的轮廓(与截面中的侧表面相对应)，并且虚线指示主子层242在平面图中的轮廓(与截面中的侧表面相对应)。如图9B中所示，上层241和/或下层243的宽度可以与第二宽度W2相对应，并且主子层242的宽度W22可以小于上层241和/或下层243的宽度(例如，第二宽度W2)。

在图9B中，与第一开口107OP重叠的虚线与由参考图7描述的辅助布线240与第二电极330之间的直接接触形成的接触区CCR(图7)相对应。

尽管图9A和图9B示出了与第一开口107OP重叠的辅助布线240沿着x方向具有相对恒定的宽度，但是在本文中描述的实施例不限于此。在另一实施例中，如图10A、图10B和图10C中所示，辅助布线240可以包括在与辅助布线240的延伸方向(y方向)交叉的方向(x方向)上突出的突起。

图10A是示意性地图示根据另一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的透视图，图10B是图示根据另一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的平面图并且是示意性图示图10A的辅助布线和第一开口的平面图，并且图10C是图示根据又一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的平面图。

参考图10A，辅助布线240可以包括在与辅助布线240的延伸方向(y方向)交叉的方向(x方向)上突出的突起240P。例如，如图10A中所示，一个突起240P可以设置在辅助布线240的两侧中的每一侧。尽管图10A和图10B示出了辅助布线240包括一对突起240P，但是在另一实施例中，辅助布线240可以包括多对突起240P。

由于辅助布线240包括突起240P，因此辅助布线240中包括的上层241、主子层242和下层243也分别包括突起241P、242P和243P。

辅助布线240的突起240P与平坦化绝缘层107的第一开口107OP重叠，并且第一开口107OP的第一宽度W1可以被形成为大于辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分的第二宽度W2'。第二宽度W2'可以与辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分的最大宽度相对应。例如，当突起240P设置在辅助布线240的两侧时，第二宽度W2'可以与从一个突起240P的端部到另一突起240P的端部的距离相对应。第二宽度W2'可以大于辅助布线240的不与第一开口107OP重叠的部分的第二宽度W2。

由于如上所述，辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分被蚀刻剂蚀刻，因此上层241、主子层242和下层243的截面形状可以具有与以上参考图6和图7(或图8A和图8B)描述的结构相同的结构。在这点上，在图10B和图10C中，实线指示上层241和/或下层243在平面图中的轮廓(与截面中的侧表面相对应)，并且虚线指示主子层242在平面图中的轮廓(与截面中的侧表面相对应)。如图10B和图10C中所示，上层241和/或下层243的宽度可以与第二宽度W2'相对应，并且主子层242的宽度W22'可以小于上层241和/或下层243的宽度(例如，第二宽度W2')。

在图10B和图10C中，与第一开口107OP重叠的虚线与由参考图7描述的辅助布线240与第二电极330之间的直接接触形成的接触区CCR(图7)相对应。换句话说，第二电极330与辅助布线240的侧表面(例如，主子层242的侧表面)之间的接触区可以沿着辅助布线240的突起240P的至少一个侧表面是连续的。如图10B和图10C中所示，当辅助布线240包括突起240P时，辅助布线240与第二电极330之间的接触区域(例如，接触区CCR)可以增大。

图11A是示意性地图示根据又一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的透视图，并且图11B是图示根据又一实施例的辅助布线和在辅助布线上的平坦化绝缘层的第一开口的平面图。

参考图11A和图11B，辅助布线240可以包括在与辅助布线240的延伸方向(y方向)交叉的方向(x方向)上凹陷的凹部240D。例如，如图11A和图11B中所示，一个凹部240D可以设置在辅助布线240的两侧中的每一侧。尽管图11A和图11B示出了辅助布线240包括一对凹部240D，但是在另一实施例中，辅助布线240可以包括多对凹部240D。

由于辅助布线240包括凹部240D，因此辅助布线240中包括的上层241、主子层242和下层243也分别包括凹部241D、242D和243D。

辅助布线240的凹部240D与平坦化绝缘层107的第一开口107OP重叠，并且第一开口107OP的第一宽度W1可以被形成为大于辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分的第二宽度W2”。第二宽度W2”可以与辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分的最小宽度相对应。例如，当凹部240D设置在辅助布线240的两侧时，第二宽度W2”可以与从一个凹部240D的端部到另一凹部240D的端部的距离相对应。第二宽度W2”可以小于辅助布线240的不与第一开口107OP重叠的部分的第二宽度W2。

如图11B中所示，上层241和/或下层243的宽度可以与第二宽度W2”相对应，并且主子层242的宽度W22”可以小于上层241和/或下层243的宽度(例如，第二宽度W2”)。

在图11B中，并且还参考图7，与第一开口107OP重叠的虚线与接触区CCR相对应。即，第二电极330与辅助布线240的侧表面(例如，主子层242的侧表面)之间的接触区域可以沿着辅助布线240的凹部240D的至少一个侧表面是连续的。如图11B中所示，当辅助布线240包括凹部240D时，辅助布线240与第二电极330之间的接触区域(例如，接触区CCR)可以增大。尽管在图11A和图11B中示出了主子层242的宽度被形成为小于上层241和/或下层243的宽度，但是在另一实施例中，辅助布线240包括凹部240D，使得当与第一开口107OP重叠的部分的第二宽度W2”变得非常窄时，可以改变工艺条件。在辅助布线240的与第一开口107OP重叠的部分中，上层241、主子层242和下层243可以被形成为具有相对相同的宽度。换句话说，主子层242的与第一开口107OP重叠的尺寸或面积可以与上层241的尺寸或面积相对相同。

根据上述实施例，可以提供其中可以提高显示质量并且可以减小定位在显示区域周围的死区的面积的显示装置。然而，上述实施例不受这样的效果限制。

尽管本文已经描述特定实施例和实施方式，但是从该描述中，其他实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求书的更宽范围以及对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

辅助布线，设置在基板上；

绝缘层，设置在所述辅助布线上并且包括第一开口，所述第一开口与所述辅助布线重叠并且具有比所述辅助布线的宽度大的宽度；

第一电极，在所述绝缘层上；

堤层，包括与所述第一电极重叠的发射开口；

中间层，通过所述发射开口与所述第一电极重叠并且包括发射层；以及

第二电极，设置在所述中间层上，

其中，所述辅助布线包括多个子层，并且所述第二电极通过所述绝缘层的所述第一开口接触所述多个子层中的一个的侧表面。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助布线的所述多个子层包括：

主子层；

上层，设置在所述主子层之上并且具有从所述主子层的侧表面和上表面彼此相交的点突出的尖端；以及

下层，设置在所述主子层之下，

并且其中，所述第二电极直接接触所述主子层的所述侧表面。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述主子层的厚度大于所述上层的厚度和所述下层的厚度中的至少一个。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述中间层与所述辅助布线重叠，并且所述中间层的一部分在所述辅助布线周围通过所述尖端与所述中间层的另一部分分离的同时定位在所述辅助布线上。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二电极与所述第一电极和所述辅助布线重叠，并且所述第二电极的一部分在所述辅助布线周围通过所述尖端与所述第二电极的另一部分分离的同时定位在所述辅助布线上。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述主子层包括选自铜、铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙和钼当中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述上层和所述下层中的至少一个包括选自氧化铟锡、钛、钼和钨当中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

下绝缘层，设置在所述辅助布线之下，

其中，所述中间层的一部分通过所述绝缘层的所述第一开口直接接触所述下绝缘层的上表面的一部分。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示装置，其中，在平面图中，所述辅助布线包括在与所述辅助布线的延伸方向交叉的方向上突出的多个突起。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二电极和所述辅助布线的所述侧表面的接触区沿着所述多个突起中的至少一个的侧表面是连续的。

11.一种显示装置，包括：

基板，设置在显示区域和所述显示区域周围的非显示区域中；

公共电压供应线，设置在所述非显示区域中；

辅助布线，电连接到所述公共电压供应线并且设置在所述显示区域中；

绝缘层，设置在所述辅助布线上并且包括第一开口，所述第一开口与所述辅助布线重叠并且具有比所述辅助布线的宽度大的宽度；

第一电极，设置在所述绝缘层上；

堤层，包括与所述第一电极重叠的发射开口；

中间层，通过所述发射开口与所述第一电极重叠并且包括发射层；以及

第二电极，设置在所述中间层上，

其中，所述辅助布线包括多个子层，并且所述第二电极通过所述绝缘层的所述第一开口接触所述多个子层中的一个的侧表面。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述辅助布线的所述多个子层包括：

主子层；

上层，设置在所述主子层之上并且具有从所述主子层的侧表面和上表面彼此相交的点突出的尖端；以及

下层，设置在所述主子层之下，

并且其中，所述第二电极直接接触所述主子层的所述侧表面。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述主子层的厚度大于所述上层的厚度和所述下层的厚度中的至少一个。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述中间层与所述第一电极和所述辅助布线重叠，并且所述中间层的一部分在所述辅助布线周围通过所述尖端与所述中间层的另一部分分离的同时定位在所述辅助布线上。

15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二电极与所述第一电极和所述辅助布线重叠，并且所述第二电极的一部分在所述辅助布线周围通过所述尖端与所述第二电极的另一部分分离的同时定位在所述辅助布线上。

16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述主子层包括选自铜、铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙和钼当中的至少一种。

17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述上层和所述下层中的至少一个包括选自氧化铟锡、钛、钼和钨当中的至少一种。

18.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：

下绝缘层，设置在所述辅助布线之下，

其中，所述中间层的一部分通过所述绝缘层的所述第一开口直接接触所述下绝缘层的上表面的一部分。

19.根据权利要求11-18中任一项所述的显示装置，其中，在平面图中，所述辅助布线包括在与所述辅助布线的延伸方向交叉的方向上突出的多个突起。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二电极和所述辅助布线的所述侧表面的接触区沿着所述多个突起中的至少一个的侧表面是连续的。

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