CN115828650A - 一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统 - Google Patents
一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115828650A CN115828650A CN202310159099.9A CN202310159099A CN115828650A CN 115828650 A CN115828650 A CN 115828650A CN 202310159099 A CN202310159099 A CN 202310159099A CN 115828650 A CN115828650 A CN 115828650A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- packaging
- heat dissipation
- real
- gallium nitride
- model
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 135
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 164
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000012549 training Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000003066 decision tree Methods 0.000 claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 7
- 238000013145 classification model Methods 0.000 claims description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 claims description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 30
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 and in addition Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
本发明涉及人工智能技术领域，揭露了一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法和系统，该方法包括：对获取的氮化镓的历史封装数据进行因素分类，得到历史封装数据的分类因素；确定分类因素中的可变因素，根据可变因素和预设的散热函数建立氮化镓的封装散热模型；获取封装材料的实时数据，根据实时数据确定封装材料的实时散热量；根据实时数据和实时散热量对封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型；根据训练完成的封装散热模型生成封装材料的材料值，利用材料值对氮化镓进行电路高频封装。本发明还提出一种用于实现氮化镓的电路高频封装系统，本发明可以解决基于氮化镓的电路高频封装时的封装材料散热量较小的问题。
Description
技术领域
本发明涉及人工智能技术领域，尤其涉及一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统。
背景技术
氮化镓具有高电子迁移率、耐高温、耐高压、抗辐射能力强等优越性质,可以用较少的电能消耗获得更高的运行能力，这些特性使得电力电子系统朝着更高的效率和功率密度前进。所有电力电子设备在正常运行时都会产生大量热量,更快的开关频率和更高的电流密度意味着更大量的热循环。芯片异质结结温升高,会降低漏极电流,影响器件性能。随着电流密度的增加,由于器件运行产生的自热效应,通道温度会比环境温度高出几百度。自热效应会导致器件性能恶化甚至烧毁金属线,是降低器件寿命和可靠性的关键因素之一。
高温会导致器件性能衰退，如何解决热耗散问题对氮化镓器件的发展尤其重要，并且随着器件沟道异质结温度显著上升，器件输出功率密度降低，性能迅速恶化。可以说，散热问题已经成为限制氮化镓功率器件技术进一步发展和应用的最大瓶颈，受衬底和外延材料本身导热能力所限，因此如何解决基于氮化镓的电路高频封装时封装材料的散热量较小，成为了亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统，其主要目的在于解决基于氮化镓的电路高频封装时封装材料散热量较低的问题。
为实现上述目的，本发明提供的一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法，包括：
获取氮化镓的历史封装数据，对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素；
确定所述分类因素中的可变因素，根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型；
获取所述封装材料的实时数据，根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量；
根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型；
根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，利用所述材料值对所述氮化镓进行电路高频封装。
可选地，所述对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素，包括：
根据预设的因素特征集构建基本决策树，利用贪心算法对所述基本决策树进行决策树分裂处理，得到初始决策树；
利用预获取的训练集对所述初始决策树进行训练，得到因素分类模型；
利用所述因素分类模型对所述历史封装数据进行分类，得到所述历史封装数据的分类因素。
可选地，所述根据预设的因素特征集构建基本决策树，包括：
任意选择预设的因素特征集中的一个因素特征作为根节点，在所述根节点上分裂出左节点和右节点；
将所述因素特征集分配至所述左节点和所述右节点，得到基本决策树。
可选地，所述利用贪心算法对所述基本决策树进行决策树分裂处理，得到初始决策树，包括：
利用预设的分裂收益计算函数计算所述因素特征集中的因素特征与所述根节点之间的分裂收益，得到所述因素特征集对应的分裂收益集合，其中，所述预设的分裂收益计算函数为：
其中，
为所述分裂收益，
和
为固定参数，
为所述基本决策树的左节点所包含数据的一阶偏导数累加之和，
为所述左节点所包含数据的二阶偏导数累加之和，
为所述基本决策树的右节点所包含数据的一阶偏导数累加之和，
为所述右节点所包含数据的二阶偏导数累加之和；
选择所述分裂收益集合中最大的分裂收益所对应的因素特征作为切分点进行切分，得到切分点对应的子节点；
将因素特征集分配至所述子节点，并重复执行计算分裂收益和切分处理，直至所述因素特征集分配完毕，得到初始决策树。
可选地，所述根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，包括：
根据所述可变因素和所述历史封装数据生成预设的散热函数的约束条件；
根据所述散热函数和所述约束条件生成所述氮化镓的封装散热模型。
可选地，所述根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量，包括：
对所述实时数据进行温度选取，得到所述实时数据中的实时温度；
根据所述实时温度生成所述封装材料的实时温差，根据所述实时温差确定所述封装材料的实时散热量。
可选地，所述根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型，包括：
将所述实时数据输入至所述封装散热模型，得到预测值集合；
根据所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的损失函数；
利用所述损失函数对所述封装散热模型进行模型参数矫正，得到训练完成的封装散热模型。
可选地，所述根据所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的损失函数，包括：
建立所述预测值集合和所述实时散热量的关联关系，根据所述关联关系、所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的误差值集合；
根据所述关联关系对所述误差值集合进行曲线拟合，得到所述封装散热模型的误差曲线；
根据所述误差曲线确定所述封装散热模型的损失函数。
可选地，所述根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，包括：
确定所述训练完成的封装散热模型的最优模型参数，根据所述最优模型参数和预设的参数对照表确定所述封装材料的材料值。
为了解决上述问题，本发明还提供一种用于实现氮化镓的电路高频封装系统，所述系统包括：
因素分类模块，用于获取氮化镓的历史封装数据，对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素；
封装散热模型模块，用于确定所述分类因素中的可变因素，根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，其中，所述预设的散热函数为：
其中，
是氮化镓的封装材料的散热量，
代表热量传递的方向同温度升高的方向相反，
是封装材料的热导率，
是封装材料的传热面积，
是单位时间，
是封装材料的单位厚度，
是封装材料的对流传热系数，
是封装材料的温度差，
是封装材料的辐射热；
实时散热量模块，用于获取所述封装材料的实时数据，根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量；
模型训练模块，用于根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型；
电路封装模块，用于根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，利用所述材料值对所述氮化镓进行电路高频封装。
本发明实施例通过对获取的氮化镓的历史封装数据进行因素分类，得到了后续建立封装散热模型需要的可变因素，根据预设的散热函数构建封装散热模型，并利用获取的实时数据对所述封装散热模型进行训练，对模型中的参数进行更新，提高了模型的精确度，利用高精度的封装散热模型可以确定能达到最优散热效果的封装材料，因此本发明提出用于实现氮化镓的电路高频封装方法及装置，可以解决基于氮化镓的电路高频封装时的封装材料散热量较小的问题。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的用于实现氮化镓的电路高频封装方法的流程示意图；
图2为本发明一实施例提供的生成历史封装数据的分类因素的流程示意图；
图3为本发明一实施例提供的训练封装散热模型的流程示意图；
图4为本发明一实施例提供的用于实现氮化镓的电路高频封装装置的功能模块图；
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本申请实施例提供一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法。所述用于实现氮化镓的电路高频封装方法的执行主体包括但不限于服务端、终端等能够被配置为执行本申请实施例提供的该方法的电子设备中的至少一种。换言之，所述用于实现氮化镓的电路高频封装方法可以由安装在终端设备或服务端设备的软件或硬件来执行。所述服务端包括但不限于：单台服务器、服务器集群、云端服务器或云端服务器集群等。所述服务器可以是独立的服务器，也可以是提供云服务、云数据库、云计算、云函数、云存储、网络服务、云通信、中间件服务、域名服务、安全服务、内容分发网络(Content Delivery Network，CDN)、以及大数据和人工智能平台等基础云计算服务的云服务器。
参照图1所示，为本发明一实施例提供的用于实现氮化镓的电路高频封装方法的流程示意图。在本实施例中，所述用于实现氮化镓的电路高频封装方法包括：
S1、获取氮化镓的历史封装数据，对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素。
在本发明实施例中，所述历史封装数据是指基于氮化镓制成的半导体或者芯片产生的封装数据，其中，所述封装是指把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把铸造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。
详细地，所述氮化镓是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料，其中，所述禁带是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场，氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构，由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍，更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度，此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
详细地，所述因素分类是根据所述历史封装数据确定所述氮化镓在进行封装时的影响因素，其中，影响因素可以分为可变因素和固定因素，可变因素是需要研究的对象，固定因素是需要控制的对象，所述影响因素包括但不限于：管脚数、腔体的尺寸、引脚尺寸、封装的体积、散热性能、电路布局和封装类型等。
在本发明实施例中，参图2所示，所述对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素，包括：
S21、根据预设的因素特征集构建基本决策树，利用贪心算法对所述基本决策树进行决策树分裂处理，得到初始决策树；
S22、利用预获取的训练集对所述初始决策树进行训练，得到因素分类模型；
S23、利用所述因素分类模型对所述历史封装数据进行分类，得到所述历史封装数据的分类因素。
本发明实施例中，决策树是一种树形结构，其中，决策树上的每个内部节点表示一个属性上的测试，每个分支代表一个测试输出，每个叶节点代表一种类别。
详细地，所述根据预设的因素特征集构建基本决策树，包括：
任意选择预设的因素特征集中的一个因素特征作为根节点，在所述根节点上分裂出左节点和右节点；
将所述因素特征集分配至所述左节点和所述右节点，得到基本决策树。
例如，选择所述因素特征集中“是否A类因素”这一因素特征作为根节点，并在所述根节点上分裂出“是A类因素”为左节点，“不是A类因素”为右节点，并将所述因素特征集中的数据分配到左节点和右节点上，得到基本决策树，其中，所述基本决策树是一个最简单的决策树，是后续决策树进行分裂的基础。
详细地，所述利用贪心算法对所述基本决策树进行决策树分裂处理，得到初始决策树，包括：
利用预设的分裂收益计算函数计算所述因素特征集中的因素特征与所述根节点之间的分裂收益，得到所述因素特征集对应的分裂收益集合，其中，所述预设的分裂收益计算函数为：
其中，
为所述分裂收益，
和
为固定参数，
为所述基本决策树的左节点所包含数据的一阶偏导数累加之和，
为所述左节点所包含数据的二阶偏导数累加之和，
为所述基本决策树的右节点所包含数据的一阶偏导数累加之和，
为所述右节点所包含数据的二阶偏导数累加之和；
选择所述分裂收益集合中最大的分裂收益所对应的因素特征作为切分点进行切分，得到切分点对应的子节点；
将因素特征集分配至所述子节点，并重复执行计算分裂收益和切分处理，直至所述因素特征集分配完毕，得到初始决策树。
详细地，所述贪心算法是指在对问题求解时，总是做出在当前看来是最好的选择，也就是说，不从整体最优上加以考虑，所做出的仅是在某种意义上的局部最优解。
S2、确定所述分类因素中的可变因素，根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型。
在本发明实施例中，可变因素包括所述氮化镓的封装材料种类和材料尺寸，所述封装散热模型是指计算基于氮化镓进行封装后得到的半导体或者芯片工作时的实时散热值。
在本发明实施例中，所述根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，包括：
根据所述可变因素和所述历史封装数据生成预设的散热函数的约束条件；
根据所述散热函数和所述约束条件生成所述氮化镓的封装散热模型。
详细地，所述约束条件是根据实际情况生成的，例如：氮化镓的封装材料的尺寸肯定是限制在一定的范围内的，材料尺寸不能无限大，也不能无限小，另外，所述封装材料肯定是现阶段存在的某种可用材料，例如：金属、陶瓷或者塑料。
详细地，所述预设的散热函数为：
其中，
是氮化镓的封装材料的散热量，
代表热量传递的方向同温度升高的方向相反，
是封装材料的热导率，
是封装材料的传热面积，
是单位时间，
是封装材料的单位厚度，
是封装材料的对流传热系数，
是封装材料的温度差，
是封装材料的辐射热。
S3、获取所述封装材料的实时数据，根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量。
在本发明实施例中，所述实时数据是指所述封装材料的实时温度、根据封装材料生成的芯片或者半导体的工作时间、实时电流、实时电压等；可以传感器对由氮化镓和封装材料生成的芯片或者半导体进行监测，以获取所述封装材料的实时数据。
在本发明实施例中，所述根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量，包括：
对所述实时数据进行温度选取，得到所述实时数据中的实时温度；
根据所述实时温度生成所述封装材料的实时温差，根据所述实时温差确定所述封装材料的实时散热量。
详细地，所述温度选取可以根据传感器进行，所述传感器进行数值显示或者将传感器与终端进行连接，将传感器获取到的数据传到终端，进而生成可视化的数据界面。
详细地，可以获取封装材料的比热容，从而根据比热容和实时温差生成所述封装材料的实时散热量。
S4、根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型。
在本发明实施例中，对所述封装散热模型进行训练是指对所述封装散热模型中模型参数进行参数更新，确保所述封装散热模型进行散热测试时的准确率。
在本发明实施例中，参图3所示，所述根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型，包括：
S31、将所述实时数据输入至所述封装散热模型，得到预测值集合；
S32、根据所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的损失函数；
S33、利用所述损失函数对所述封装散热模型进行模型参数矫正，得到训练完成的封装散热模型。
详细地，所述实时数据包括但不限于：实时温差、时间、传热面积、厚度等；根据所述封装散热模型和所述实时数据生成预测散热值，将所述预测散热值汇集为预测值集合。
详细地，所述根据所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的损失函数，包括：
建立所述预测值集合和所述实时散热量的关联关系，根据所述关联关系、所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的误差值集合；
根据所述关联关系对所述误差值集合进行曲线拟合，得到所述封装散热模型的误差曲线；
根据所述误差曲线确定所述封装散热模型的损失函数。
详细地，所述关联关系是指每个实时散热量都有与之相对应的、并且唯一确定的预测散热值；将所述实时散热量减去预测散热量就可以生成所述散热封装模型的散热误差值，将所述散热误差值汇集为误差值集合。
详细地，可以利用matlab、origin等软件进行曲线拟合，也可以利用最小二乘法进行曲线拟合。
S5、根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，利用所述材料值对所述氮化镓进行电路高频封装。
在本发明实施例中，所述根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，包括：
确定所述训练完成的封装散热模型的最优模型参数，根据所述最优模型参数和预设的参数对照表确定所述封装材料的材料值。
详细地，所述预设的参数对照表是指所述封装材料的电导率表，将所述封装材料的电导率值和实时温度与所述电导率表进行比对，确定所述封装材料的种类，进而对氮化镓进行电路高频封装。
本发明实施例通过对获取的氮化镓的历史封装数据进行因素分类，得到了后续建立封装散热模型需要的可变因素，根据预设的散热函数构建封装散热模型，并利用获取的实时数据对所述封装散热模型进行训练，对模型中的参数进行更新，提高了模型的精确度，利用高精度的封装散热模型可以确定能达到最优散热效果的封装材料，因此本发明提出用于实现氮化镓的电路高频封装方法，可以解决基于氮化镓的电路高频封装时的封装材料散热量较小的问题。
如图4所示，是本发明一实施例提供的用于实现氮化镓的电路高频封装系统的功能模块图。
本发明所述用于实现氮化镓的电路高频封装装置100可以安装于电子设备中。根据实现的功能，所述用于实现氮化镓的电路高频封装装置100可以包括因素分类模块101、封装散热模型模块102、实时散热量模块103、模型训练模块104及电路封装模块105。本发明所述模块也可以称之为单元，是指一种能够被电子设备处理器所执行，并且能够完成固定功能的一系列计算机程序段，其存储在电子设备的存储器中。
在本实施例中，关于各模块/单元的功能如下：
所述因素分类模块101，用于获取氮化镓的历史封装数据，对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素；
所述封装散热模型模块102，用于确定所述分类因素中的可变因素，根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，其中，所述预设的散热函数为：
其中，
是氮化镓的封装材料的散热量，
代表热量传递的方向同温度升高的方向相反，
是封装材料的热导率，
是封装材料的传热面积，
是单位时间，
是封装材料的单位厚度，
是封装材料的对流传热系数，
是封装材料的温度差，
是封装材料的辐射热；
所述实时散热量模块103，用于获取所述封装材料的实时数据，根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量；
所述模型训练模块104，用于根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型；
所述电路封装模块105，用于根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，利用所述材料值对所述氮化镓进行电路高频封装。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和装置，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能模块的形式实现。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。
因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附关联图标记视为限制所涉及的权利要求。
本申请实施例可以基于人工智能技术对相关的数据进行获取和处理。其中，人工智能（Artificial Intelligence，AI)是利用数字计算机或者数字计算机控制的机器模拟、延伸和扩展人的智能，感知环境、获取知识并使用知识获得最佳结果的理论、方法、技术及应用装置。
此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。装置权利要求中陈述的多个单元或装置也可以由一个单元或装置通过软件或者硬件来实现。第一、第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述方法包括：
获取氮化镓的历史封装数据，对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素；
确定所述分类因素中的可变因素，根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，其中，所述预设的散热函数为：
其中，
是氮化镓的封装材料的散热量，
代表热量传递的方向同温度升高的方向相反，
是封装材料的热导率，
是封装材料的传热面积，
是单位时间，
是封装材料的单位厚度，
是封装材料的对流传热系数，
是封装材料的温度差，
是封装材料的辐射热；
获取所述封装材料的实时数据，根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量；
根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型；
根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，利用所述材料值对所述氮化镓进行电路高频封装。
2.如权利要求1所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素，包括：
根据预设的因素特征集构建基本决策树，利用贪心算法对所述基本决策树进行决策树分裂处理，得到初始决策树；
利用预获取的训练集对所述初始决策树进行训练，得到因素分类模型；
利用所述因素分类模型对所述历史封装数据进行分类，得到所述历史封装数据的分类因素。
3.如权利要求2所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述根据预设的因素特征集构建基本决策树，包括：
任意选择预设的因素特征集中的一个因素特征作为根节点，在所述根节点上分裂出左节点和右节点；
将所述因素特征集分配至所述左节点和所述右节点，得到基本决策树。
4.如权利要求2所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述利用贪心算法对所述基本决策树进行决策树分裂处理，得到初始决策树，包括：
利用预设的分裂收益计算函数计算所述因素特征集中的因素特征与所述根节点之间的分裂收益，得到所述因素特征集对应的分裂收益集合，其中，所述预设的分裂收益计算函数为：
其中，
为所述分裂收益，
和
为固定参数，
为所述基本决策树的左节点所包含数据的一阶偏导数累加之和，
为所述左节点所包含数据的二阶偏导数累加之和，
为所述基本决策树的右节点所包含数据的一阶偏导数累加之和，
为所述右节点所包含数据的二阶偏导数累加之和；
选择所述分裂收益集合中最大的分裂收益所对应的因素特征作为切分点进行切分，得到切分点对应的子节点；
将因素特征集分配至所述子节点，并重复执行计算分裂收益和切分处理，直至所述因素特征集分配完毕，得到初始决策树。
5.如权利要求1所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，包括：
根据所述可变因素和所述历史封装数据生成预设的散热函数的约束条件；
根据所述散热函数和所述约束条件生成所述氮化镓的封装散热模型。
6.如权利要求1所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量，包括：
对所述实时数据进行温度选取，得到所述实时数据中的实时温度；
根据所述实时温度生成所述封装材料的实时温差，根据所述实时温差确定所述封装材料的实时散热量。
7.如权利要求1所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型，包括：
将所述实时数据输入至所述封装散热模型，得到预测值集合；
根据所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的损失函数；
利用所述损失函数对所述封装散热模型进行模型参数矫正，得到训练完成的封装散热模型。
8.如权利要求7所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述根据所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的损失函数，包括：
建立所述预测值集合和所述实时散热量的关联关系，根据所述关联关系、所述预测值集合和所述实时散热量生成所述封装散热模型的误差值集合；
根据所述关联关系对所述误差值集合进行曲线拟合，得到所述封装散热模型的误差曲线；
根据所述误差曲线确定所述封装散热模型的损失函数。
9.如权利要求1至8中任一项所述的用于实现氮化镓的电路高频封装方法，其特征在于，所述根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，包括：
确定所述训练完成的封装散热模型的最优模型参数，根据所述最优模型参数和预设的参数对照表确定所述封装材料的材料值。
10.一种用于实现氮化镓的电路高频封装系统，其特征在于，所述系统包括：
因素分类模块，用于获取氮化镓的历史封装数据，对所述历史封装数据进行因素分类，得到所述历史封装数据的分类因素；
封装散热模型模块，用于确定所述分类因素中的可变因素，根据所述可变因素和预设的散热函数建立所述氮化镓的封装散热模型，其中，所述预设的散热函数为：
其中，
是氮化镓的封装材料的散热量，
代表热量传递的方向同温度升高的方向相反，
是封装材料的热导率，
是封装材料的传热面积，
是单位时间，
是封装材料的单位厚度，
是封装材料的对流传热系数，
是封装材料的温度差，
是封装材料的辐射热；
实时散热量模块，用于获取所述封装材料的实时数据，根据所述实时数据确定所述封装材料的实时散热量；
模型训练模块，用于根据所述实时数据和所述实时散热量对所述封装散热模型进行模型训练，得到训练完成的封装散热模型；
电路封装模块，用于根据所述训练完成的封装散热模型生成所述封装材料的材料值，利用所述材料值对所述氮化镓进行电路高频封装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310159099.9A CN115828650B (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310159099.9A CN115828650B (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115828650A true CN115828650A (zh) | 2023-03-21 |
| CN115828650B CN115828650B (zh) | 2023-04-25 |
Family
ID=85522247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310159099.9A Active CN115828650B (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115828650B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117373932A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-01-09 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种基于低功耗氮化镓的芯片制备方法及系统 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021063171A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 决策树模型的训练方法、系统、存储介质及预测方法 |
| CN113139277A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-20 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 封装结构散热优化方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
| US20210289655A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | Eduardo Valdes | Power converter for high-power density |
| CN113408110A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-17 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 焊点温度的预测方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
| CN113410190A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-17 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种散热型超低功耗半导体器件 |
| CN113657495A (zh) * | 2021-08-17 | 2021-11-16 | 平安科技（深圳）有限公司 | 基于概率预测模型的保险产品推荐方法、装置、设备 |
| CN114883279A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法 |
| CN115034310A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-09 | 华东理工大学 | 乙烯裂解炉热效率的多模型预测方法及装置 |
| CN115138693A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-10-04 | 邯郸钢铁集团有限责任公司 | 一种基于分类决策树的热连轧终轧温度预测方法 |
-
2023
- 2023-02-24 CN CN202310159099.9A patent/CN115828650B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021063171A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 决策树模型的训练方法、系统、存储介质及预测方法 |
| US20210289655A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | Eduardo Valdes | Power converter for high-power density |
| CN113139277A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-20 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 封装结构散热优化方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
| CN113410190A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-17 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种散热型超低功耗半导体器件 |
| CN113408110A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-17 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 焊点温度的预测方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
| CN113657495A (zh) * | 2021-08-17 | 2021-11-16 | 平安科技（深圳）有限公司 | 基于概率预测模型的保险产品推荐方法、装置、设备 |
| CN115138693A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-10-04 | 邯郸钢铁集团有限责任公司 | 一种基于分类决策树的热连轧终轧温度预测方法 |
| CN115034310A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-09 | 华东理工大学 | 乙烯裂解炉热效率的多模型预测方法及装置 |
| CN114883279A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| R.VAIRAVAN 等: "Heat Sink Cooling Fan and Rotation Speed Effect Analysis on Heat Dissipation of High Power GaN LED Package" * |
| 尹儒;门昌骞;王文剑;刘澍泽;: "模型决策树:一种决策树加速算法" * |
| 马洪霞;钱可元;韩彦军;罗毅;: "大功率氮化镓基白光LED模组的散热设计" * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117373932A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-01-09 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种基于低功耗氮化镓的芯片制备方法及系统 |
| CN117373932B (zh) * | 2023-12-06 | 2024-02-23 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种基于低功耗氮化镓的芯片制备方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115828650B (zh) | 2023-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107622172B (zh) | 芯片-器件层级联合的压接式igbt温度场有限元建模方法 | |
| Lappalainen et al. | Effects of irradiance transition characteristics on the mismatch losses of different electrical PV array configurations | |
| Huo et al. | An intelligent optimization‐based traffic information acquirement approach to software‐defined networking | |
| CN115828650A (zh) | 一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统 | |
| US10643128B2 (en) | Power generation prediction system and a method thereof | |
| d'Alessandro et al. | Accurate and efficient analysis of the upward heat flow in InGaP/GaAs HBTs through an automated FEM‐based tool and Design of Experiments | |
| Aolaritei et al. | Hierarchical and distributed monitoring of voltage stability in distribution networks | |
| CN107611962B (zh) | 电网系统支路搜索方法、系统及电子设备 | |
| Sehsalar et al. | New approach for the probabilistic power flow of distribution systems based on data clustering | |
| Zieliński | Internet of Everything (IoE) in smart grid | |
| Bhojani et al. | Gallium arsenide semiconductor parameters extracted from pin diode measurements and simulations | |
| CN115935723B (zh) | 用于实现氮化镓制备场景下的设备组合分析方法及系统 | |
| CN113673938B (zh) | 物品分拣方法、装置、电子设备和计算机可读介质 | |
| Bennett et al. | A systematic approach for multidimensional, closed-form analytic modeling: minority electron mobilities in Ga1− xAlxAs heterostructures | |
| Kaur et al. | Lifetime enhancement of wireless sensor network using solar energy harvesting technique | |
| CN113987748B (zh) | 基于场路耦合的dab可靠性评估方法、装置及设备 | |
| Leenders et al. | Physical modeling of InP/InGaAs DHBTs with augmented drift-diffusion and Boltzmann transport equation solvers—Part I: Simulation tools and application to sample structures | |
| Donoval et al. | DEVSIM, A new simulator for better understanding of internal semiconductor structure behavior | |
| CN113887005B (zh) | 一种交直流电力系统仿真建模方法、装置 | |
| CN116502577B (zh) | Igbt芯片内部温度建模方法、设备及存储介质 | |
| Zeng et al. | Temperature Effects Analysis on Microwave Rectifiers by Field-Circuit Hybrid Multiphysics Simulation | |
| Tanji | Modeling of diffusion process in pn junction diode using matrix rational approximation | |
| CN113363348A (zh) | 一种电池组件的配置方法、装置及电子设备 | |
| Fan et al. | Impacts of measurement errors on real-time thermal rating estimation for overhead lines | |
| Singhee et al. | HAMS: A memory-efficient representation of power grids using hierarchical and multi-scenario graphs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |