CN115808431A - 动态x射线检测面板、x射线检测器以及驱动其的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种动态X射线检测面板、一种包含动态X射线检测面板的X射线检测器以及一种驱动X射线检测器的方法。驱动X射线检测器的方法为驱动包含X射线检测面板的动态X射线检测器的方法。X射线检测面板包含以矩阵布置的多个像素，像素中的每一个包含读出薄膜晶体管、重置薄膜晶体管以及光二极管，且相对于每一行中的多个像素进行线重置、窗口时间以及读出。

Description

动态X射线检测面板、X射线检测器以及驱动其的方法

相关申请的交叉引用

本专利文献要求2021年9月14日申请的韩国专利申请第10-2021-0122648号的优先权和权益，所述专利文献的整个公开内容出于所有目的以引用的方式并入，如同在此完全阐述一样。

技术领域

本发明的实施例涉及一种X射线检测面板、一种包含X射线检测面板的X射线检测器以及一种驱动X射线检测器的方法，且更确切地说，涉及一种高帧率动态X射线检测面板、一种包含高帧率动态X射线检测面板的X射线检测器以及一种驱动X射线检测器的方法。

背景技术

X射线检测器不仅用于用于医院和牙科诊所中的X射线诊断成像的医疗设备中，而且还用于电动汽车电池、半导体、电子组件、建筑、航空、船舶等的内部缺陷检测，用于用于检测机场和港口设施处的装载和卸载货物的工业设备，以及用于用于检测危险物质，例如炸药等的军用设备中。

动态X射线检测器用于医学和工业成像系统中，且动态X射线检测器出于工业目的的使用正在增加，尤其是在对产品(例如电动汽车电池或半导体)可靠性至关重要的无损检测中。出于医疗目的，动态X射线检测器用于例如C形臂CT、锥束CT、乳腺癌诊断CT等中。

动态X射线检测器需要具有高帧率、低图像滞后以及低重影图像，以便实现高帧率图像。

X射线检测器包含作为动态成像传感器的X射线检测面板。X射线检测面板可通过将X射线转换成可见光而经由闪烁器来检测可见光。

图1为常规动态X射线检测器的X射线检测面板的示意性布局图。

参看图1，常规X射线检测面板包含多个像素N、像素N+1、像素N+2、……，所述像素中的每一第N个像素包含读出薄膜晶体管(readout thin film transistor，TFT)和光二极管。

在薄膜晶体管中，读出端子(即，漏极)通过读出衬垫连接到读出IC，且栅极通过栅极衬垫连接到栅极IC。

光二极管通过偏压衬垫连接到偏压端子。

图2为示出常规X射线检测面板中的读出薄膜晶体管的切换操作的示意图，且图3示出常规X射线检测面板的驱动时序的示意图。

首先，参看图2，常规X射线检测面板通过全局重置、窗口时间以及读出的顺序步骤获得图像数据。读出TFT在全局重置时接通，在窗口时间中断开，且在读出步骤中接通。

参看图3，全局重置对所有线同时进行预定时间段，窗口时间也对所有线同时进行，且读出步骤对每一线依序进行。在这一方法中，在窗口时间与读出步骤之间的每一线中均发生时间延迟，由此在实施动态X射线图像时引起图像滞后和重影图像。因此，驱动常规X射线检测器的方法不适用于需要具有高帧率的动态X射线检测器。

发明内容

本发明的实施例提供一种能够防止窗口时间与读出之间的每一线中的时间延迟的动态X射线检测面板、一种包含所述动态X射线检测面板的动态X射线检测器以及一种驱动X射线检测器的方法。

另外，本发明的实施例提供一种适用于获取高帧率X射线图像的动态X射线检测面板、一种包含所述动态X射线检测面板的动态X射线检测器以及一种驱动X射线检测器的方法。

根据本发明的一个方面，提供一种驱动动态X射线检测器的方法。动态X射线检测器驱动方法为驱动包含X射线检测面板的动态X射线检测器的方法。X射线检测面板包含以矩阵布置的多个像素，其中，像素中的每一个包含读出薄膜晶体管、重置薄膜晶体管以及光二极管，且相对于每一行中的多个像素进行线重置(line reset)、窗口时间(window time)以及读出(readout)。

在一个实施例中，后一行的窗口时间的开始时间可晚于前一行的窗口时间的开始时间，且可在完成前一行中的像素的读出之后执行后一行中的像素的读出。

此外，完成前一行的读出可与完成后一行的窗口时间一致。

此外，重置时间可长于读出时间，且可在完成读出时间之后定义闲置时间。闲置时间可对应于重置时间与读出时间之间的差。

在一个实施例中，后一行的线重置可在完成前一行的线重置之后开始。

此外，重置时间可短于读出时间，且可在完成重置时间之后定义闲置时间。闲置时间可对应于重置时间与读出时间之间的差。

在另一实施例中，后一行的线重置可在完成前一行的线重置之前执行，且可在完成前一行的线重置之后的预定时间段内完成后一行的线重置。

在一个实施例中，相对于检测面板中的所有行的像素，可相同地定义重置时间、窗口时间以及读出时间中的每一个。

在一个实施例中，在线重置时，对应行的重置薄膜晶体管可处于接通状态且对应行的读出薄膜晶体管可处于断开状态；在窗口时间期间，对应行的重置薄膜晶体管可处于断开状态且对应行的读出薄膜晶体管可处于断开状态；且在读出时，对应行的重置薄膜晶体管可处于断开状态且对应行的读出薄膜晶体管可处于接通状态。

此外，每一行的像素中的读出薄膜晶体管的栅极可通常连接到一个读出栅极衬垫；每一行的像素中的读出薄膜晶体管的漏极可分别连接到不同读出衬垫；每一行的像素中的重置薄膜晶体管的栅极可通常连接到一个重置栅极衬垫；多个像素中的重置薄膜晶体管的漏极可通常连接到重置漏极衬垫；且像素中的每一个中的光二极管可通常连接到其中的重置薄膜晶体管和读出薄膜晶体管的源极。

根据本发明的另一方面，动态X射线检测面板可包含：多个像素，以矩阵布置且各自包含读出薄膜晶体管、重置薄膜晶体管以及光二极管；多个读出栅极衬垫，各自通常连接到一个行的像素中的读出薄膜晶体管的栅极；读出衬垫，分别连接到一个行的像素中的读出薄膜晶体管的漏极；多个重置栅极衬垫，各自通常连接到每一行的像素中的重置薄膜晶体管的栅极；以及至少一个重置漏极衬垫，通常连接到多个像素中的重置薄膜晶体管的漏极，其中像素中的每一个中的光二极管通常连接到其中的重置薄膜晶体管和读出薄膜晶体管的源极。

动态X射线检测面板可进一步包含通常连接到多个像素中的光二极管的阳极(正极端子)的偏压衬垫。

读出衬垫可通常连接到每一列的像素中的读出薄膜晶体管。

动态X射线检测面板可包含各自通常连接到多个像素中的重置薄膜晶体管的漏极的多个重置漏极衬垫，所述多个重置漏极衬垫定位在检测面板中的上部和下部位置和/或右侧和左侧位置处。

根据本发明的另一方面，提供一种包含上文所阐述的动态X射线检测面板的动态X射线检测器。

动态X射线检测器可进一步包含连接到读出栅极衬垫的读出栅极IC；连接到读出衬垫的读出IC；以及连接到重置栅极衬垫的重置栅极IC。

根据本发明的实施例，动态X射线检测面板和包含动态X射线检测面板的X射线检测器可防止窗口时间与读出之间的每一线中的时间延迟。另外，驱动X射线检测器的方法适用于获取高帧率X射线图像。

附图说明

图1为常规动态X射线检测器的X射线检测面板的示意性布局图。

图2为示出常规X射线检测面板中的读出薄膜晶体管的切换操作的示意图。

图3为示出常规X射线检测面板的驱动时序的示意图。

图4为根据本发明的一个实施例的动态X射线检测器的X射线检测面板的示意性布局图。

图5为示出根据本发明的实施例的X射线检测面板中的薄膜晶体管的切换操作的示意图。

图6为示出根据本发明的实施例的X射线检测面板的驱动时序的示意图。

图7为示出根据本发明的各种实施例的X射线检测面板的可选驱动时序的示意图。

附图标号说明

N、N+1、N+2、……：像素；

Vbias：偏压电压；

Vds(rst)：漏极源极电压；

Vg(ro)、Vg(rst)：栅极电压。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。应理解，提供以下实施例以使本领域的技术人员完整公开和彻底理解本发明。因此，本发明不限于以下实施例且可以不同方式实施。应注意，图式不按精确比例绘制，且可仅出于描述方便和清晰目的放大组件的宽度、长度以及厚度。应理解，当元件称为放置在另一元件“上方”或“上”时，所述元件可直接放置在另一元件上方或上，或其间也可存在介入元件。在整个本说明书中，相同组件将由相同参考标号表示，且类似组件将由类似参考标号表示。

图4为根据本发明的一个实施例的动态X射线检测器的X射线检测面板的示意性布局图。在本文中，X射线检测面板适用于间接检测，其中检测由闪烁器转换的可见光。然而，应理解，本发明不限于此，且可应用于用于直接检测X射线的直接检测型X射线检测面板。

参看图4，X射线检测面板包含多个像素N、像素N+1、像素N+2、……，且每一像素(第N个像素)包含读出薄膜晶体管(读出TFT)、重置薄膜晶体管(重置TFT)以及光二极管。另外，X射线检测面板可包含读出衬垫、读出栅极衬垫、重置栅极衬垫、重置漏极衬垫以及偏压衬垫。

多个像素可以矩阵布置，但不限于此。举例来说，多个像素可包含布置在5,000×5,000列和行中的像素。

读出TFT和重置TFT中的每一个可为开关装置，所述开关装置包含非结晶硅、In-Ga-Zn-O中的至少一个的氧化物或多晶硅作为半导体层。光二极管可为以下装置：包含非结晶硅、In-Ga-Zn-O中的至少一个的氧化物、多晶硅或有机化合物作为光电转换层。

首先，例如，将描述第N个像素中的读出TFT、重置TFT以及光二极管的连接结构。

读出TFT的读出端子(即，读出TFT的漏极)通过读出衬垫连接到读出IC，且读出TFT的栅极通过读出栅极衬垫连接到读出栅极IC。

重置TFT的漏极通过重置漏极衬垫连接到漏极源极电压端子Vds(rst)，且重置TFT的栅极通过重置栅极衬垫连接到重置栅极IC。

光二极管通过偏压衬垫连接到偏压电压端子Vbias。光电二极管的阳极可连接到偏压衬垫，且光二极管的阴极可连接到读出TFT和重置TFT的源极。替代地，光电二极管的阴极可连接到偏压衬垫，且光二极管的阳极可连接到读出TFT和重置TFT的源极。

偏压衬垫和重置漏极衬垫中的每一个可通常连接到所有多个像素N、像素N+1、像素N+2、……。即，检测面板中的所有多个光二极管可通常连接到一个偏压衬垫，且多个重置TFT的漏极可通常连接到一个重置漏极衬垫。在这一实施例中，单独地提供偏压衬垫和重置漏极衬垫中的每一个。替代地，检测面板可具有多个偏压衬垫和多个重置漏极衬垫。偏压衬垫中的每一个可通通常连接到检测面板中的多个光二极管，且重置漏极衬垫中的每一个可通常连接到检测面板中的多个重置TFT的漏极。多个重置漏极衬垫可定位在检测板中的上部和下部位置处和/或右侧和左侧位置处。多个重置漏极衬垫的这一布置可减小重置漏极衬垫与像素之间的连接长度，由此减小RC延迟。

另一方面，布置在同一行中的像素可通常连接到一个读出栅极衬垫和一个重置栅极衬垫，且布置在不同行中的像素可连接到不同的读出栅极衬垫和不同的重置栅极衬垫。即，布置在同一行中的像素中的读出TFT的栅极可通常连接到一个读出栅极衬垫，且布置在不同行中的像素中的读出TFT的栅极连接到不同的读出栅极衬垫。此外，布置在同一行中的像素中的重置TFT的栅极可通常连接到一个重置栅极衬垫，且布置在不同行中的像素中的重置TFT的栅极连接到不同的重置栅极衬垫。

另一方面，布置在同一列中的像素可通常连接到一个读出衬垫，且布置在不同列中的像素可连接到不同读出衬垫。即，布置在同一列中的像素中的读出TFT的漏极通常连接到一个读出衬垫，且布置在不同列中的像素中的读出TFT的漏极连接到不同读出衬垫。因此，布置在一个行中的像素连接到不同读出衬垫。

通过以矩阵布置的像素中的晶体管和光二极管的这一连接布置，检测面板允许每一线中(即，每一行中)的易于重置和读出操作，由此为高帧率X射线图像提供最优选图像数据。

图5为示出根据本发明的实施例的X射线检测面板中的薄膜晶体管的切换操作的示意图。

参看图5，在这一实施例中，在像素N、像素N+1、像素N+2、……中，可逐线执行线重置，即，在每一行中。

在线重置时，接通重置TFT且断开读出TFT。举例来说，通过重置栅极IC将栅极电压Vg(rst)施加到重置TFT的栅极以接通重置TFT，且通过读出栅极IC将栅极电压Vg(ro)施加到读出TFT的栅极以断开读出TFT。举例来说，在线重置时，重置TFT的栅极电压Vg(rst)可在0V到30V的范围内，漏极-源极电压可在0V到20V的范围内，或漏极可浮置。另外，读出TFT的栅极电压Vg(ro)可在0V到-30V的范围内，漏极-源极电压可在0V到20V的范围内，或漏极可浮置。另一方面，可将偏压电压Vbias施加到光二极管。偏压电压Vbias可在例如-10V到10V的范围内。

通过线重置，可通过重置TFT去除连接到重置栅极衬垫的像素中的剩余电荷，由此可重置像素。当完成相对于一个线(行)的线重置时，可执行相对于后一线的线重置。通过这一方式，可相对于X射线检测面板中的每一线的像素来执行重置操作。

在执行重置之后，窗口时间进行收集通过X射线照射产生的数据。在这一实施例中，术语“窗口时间”意指通过X射线照射在光二极管中产生的电荷在其中饱和的时间。考虑到光二极管的电荷饱和时间，可任意地设置窗口时间。

对于窗口时间，将重置TFT和读出TFT均断开。举例来说，通过重置栅极IC将栅极电压Vg(rst)施加到重置TFT的栅极以断开重置TFT，且通过读出栅极IC将栅极电压Vg(ro)施加到读出TFT的栅极以断开读出TFT。举例来说，对于窗口时间，重置TFT的栅极电压Vg(rst)可在0V到30V的范围内，漏极-源极电压可在0V到20V的范围内，或漏极可浮置。另外，读出TFT的栅极电压Vg(ro)可在0V到-30V的范围内，漏极-源极电压可在0V到20V的范围内，或漏极可浮置。另一方面，可将偏压电压Vbias施加到光二极管。偏压电压Vbias可在例如-10V到10V的范围内。

通过X射线照射，在光二极管中发生光电转变以在其中产生电荷。由于读出TFT和重置TFT处于断开状态，因此光二极管中所产生的电荷可积聚在光二极管中或读出TFT的源极中。

在读出步骤中，使重置TFT保持断开状态且接通读出TFT。举例来说，通过重置栅极IC将栅极电压Vg(rst)施加到重置TFT的栅极以使得重置TFT保持断开状态，且通过读出栅极IC将栅极电压Vg(ro)施加到读出TFT的栅极以接通读出TFT。举例来说，在读出步骤中，重置TFT的栅极电压Vg(rst)可在0V到-30V的范围内，漏极-源极电压可在0V到20V的范围内，或漏极可浮置。另外，读出TFT的栅极电压Vg(ro)可在0V到30V的范围内，漏极-源极电压可在0V到20V的范围内，或漏极可浮置。另一方面，可将偏压电压Vbias施加到光二极管。偏压电压Vbias可在例如-10V到10V的范围内。

在读出步骤中，光二极管中所产生的电荷从读出TFT的源极移动到漏极以通过读出衬垫转移到读出IC。读出IC可使用电荷的数据来产生图像数据。

依序进行线重置、窗口时间以及读出，且通过这些步骤处理相对于一个线的数据。通过依序处理每一线中的数据，可得到相对于所有像素的数据的一个帧。可通过经由重复处理每一线的数据的过程而获得数据的多个帧来实施动态图像。

将参考图6更详细地描述对每一线执行线重置、窗口时间以及读出的方法。图6为示出根据本发明的实施例的X射线检测面板的驱动时序的示意图。图6绘示相对于第一行的线重置、窗口时间以及读出。

参看图6，对每一线进行线重置、窗口时间以及读出，如参看图5所描述。举例来说，相对于第一行进行线重置、窗口时间以及读出。为了重置第一行中的像素，接通第一行的像素中的重置TFT。此处，其它行的像素中的重置TFT可处于断开状态，但不限于此。举例来说，可将其它行的像素连同第一行中像素一起重置。

执行相对于第一行的像素的线重置，以便去除光二极管和读出TFT的源极中剩余的电荷或由寄生电容引起的电荷。可执行线重置持续足够时间段以去除剩余电荷。举例来说，考虑到读出TFT、重置TFT以及光二极管的材料和容量，可设置或可以实验方式设置线重置的时间段。

在执行相对于第一行的线重置之后，断开第一行的重置TFT。另一方面，第一行的读出TFT保持断开状态。因此，通过X射线照射在光二极管中产生的电荷积聚在光二极管和读出TFT的源极中。在窗口时间的读出TFT的源极中，电荷可以是饱和的。

在窗口时间之后，接通第一行的读出TFT。因此，通过读出TFT的漏极和读出衬垫将积聚在光二极管和第一行中的读出TFT中的每一个的源极中的电荷转移到读出IC。

可在完成相对于第一行的读出之后执行相对于第二行的读出，且可在完成相对于第二行的读出之后执行相对于第三行的读出。通过这一过程完成相对于每一行的读出，由此提供数据的一个帧。根据这一实施例，完成紧接着前一行的读出可与完成后一行的窗口时间一致。另外，前一行的窗口时间的开始时间可与后一行的重置时间的开始时间一致。

在这一实施例中，可将时序设置成允许连续地执行读出，由此可在减少一个帧的时间的同时达成高帧率动态成像数据。然而，应理解，本发明不限于此。举例来说，第二行的线重置或窗口时间可在完成第一行的读出之后开始。

根据这一实施例，对每一线依序进行窗口时间和读出，由此在窗口时间与读出之间不发生时间延迟。因此，不同于常规X射线检测面板，根据这一实施例的X射线检测面板可在不产生图像延迟或残像的情况下实现高帧率动态成像。

图7为示出根据本发明的各种实施例的X射线检测面板的可选驱动时序的示意图。

在X射线照射期间，像素中的每一个通过断开重置TFT和读出TFT来积聚数据。即，在窗口时间期间，电荷积聚在光二极管和读出TFT的源极中。将窗口时间设置成允许其中的电荷大体上饱和，且通常长于重置时间或读出时间。另一方面，重置时间可与读出时间相同或可与读出时间不同，且在每种情况下，可调整驱动时序。

参看图7，时序1指示重置时间与读出时间相同的情况。当重置时间与读出时间相同时，完成前一行的读出可与开始后一行的读出一致，如参考图6所描述。替代地，完成前一行的读出可与完成后一行的窗口时间一致。替代地，完成前一行的重置时间或开始前一行的窗口时间可与开始后一行的重置时间一致。

时序2指示重置时间长于读出时间的情况。在这种情况下，以与图6中相同的方式执行线重置、窗口时间以及读出，且完成前一行的读出不与完成后一行的窗口时间一致。为了补偿这一问题，可定义闲置时间。闲置时间可定义为对应于重置时间与读出时间之间的差的时间。在闲置时间期间，可断开读出TFT。

不同于时序2，时序3指示重置时间短于读出时间的情况。在这种情况下，在完成前一行的读出之后开始后一行的读出，且前一行的窗口时间的开始时间不与后一行的重置的开始时间一致。为了补偿这一问题，闲置时间可定义在重置时间与窗口时间之间。在闲置时间期间，可断开重置TFT。

根据这一实施例，甚至当重置时间不与读出时间一致时，闲置时间也定位在其间以优化检测面板的时序驱动。

虽然后一行的重置已描述为在完成前一行的重置之后开始，但应理解，其它实施方案是可能的。举例来说，可同时开始所有行的重置。此处，重置时间的完成对于每一行有所不同，由此可在窗口时间之后在无时间延迟的情况下执行读出。

虽然已本文中已描述一些实施例，但应理解，这些实施例不应以任何方式解释为限制本发明。应理解，本领域的技术人员可在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改、变化和更改。

Claims (16)

1.一种驱动动态X射线检测器的方法，所述动态X射线检测器包含X射线检测面板，所述X射线检测面板包括以矩阵布置的多个像素，所述像素中的每一个包含读出薄膜晶体管、重置薄膜晶体管以及光二极管，其中相对于每一行中的所述多个像素进行线重置、窗口时间以及读出。

2.根据权利要求1所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中后一行的窗口时间的开始晚于前一行的窗口时间的开始，且在完成所述前一行中的所述像素的读出之后执行所述后一行中的所述像素的读出。

3.根据权利要求2所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中完成所述前一行的读出与完成所述后一行的所述窗口时间一致。

4.根据权利要求3所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中重置时间长于读出时间，且在完成所述读出时间之后定义对应于所述重置时间与所述读出时间之间的差的闲置时间。

5.根据权利要求2所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中在完成所述前一行的线重置之后开始所述后一行的线重置。

6.根据权利要求5所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中重置时间短于读出时间，且在完成所述重置时间之后定义对应于所述重置时间与所述读出时间之间的差的闲置时间。

7.根据权利要求2所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中在完成所述前一行的线重置之前执行所述后一行的线重置，且在完成所述前一行的所述线重置之后的预定时间段内完成所述后一行的所述线重置。

8.根据权利要求1所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中相对于所述X射线检测面板中的所有行的所述像素，相同地定义重置时间、所述窗口时间以及读出时间中的每一个。

9.根据权利要求1所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中：

在线重置时，对应行的所述重置薄膜晶体管处于接通状态，且所述对应行的所述读出薄膜晶体管处于断开状态；

在所述窗口时间期间，所述对应行的所述重置薄膜晶体管处于断开状态，且所述对应行的所述读出薄膜晶体管处于断开状态；且

在读出时，所述对应行的所述重置薄膜晶体管处于断开状态，且所述对应行的所述读出薄膜晶体管处于接通状态。

10.根据权利要求9所述的驱动动态X射线检测器的方法，其中：

每一行的所述像素中的所述读出薄膜晶体管的栅极通常连接到一个读出栅极衬垫；

每一行的所述像素中的所述读出薄膜晶体管的漏极分别连接到不同读出衬垫；

每一行的所述像素中的所述重置薄膜晶体管的栅极通常连接到一个重置栅极衬垫；

所述多个像素中的所述重置薄膜晶体管的漏极通常连接到重置漏极衬垫；且

所述像素中的每一个中的所述光二极管通常连接到所述像素中的每一个中的所述读出薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管的源极。

11.一种动态X射线检测面板，包括：

多个像素，以矩阵布置且各自包括读出薄膜晶体管、重置薄膜晶体管以及光二极管；

多个读出栅极衬垫，各自通常连接到一个行的所述像素中的所述读出薄膜晶体管的栅极；

读出衬垫，分别连接到所述一个行的所述像素中的所述读出薄膜晶体管的漏极；

多个重置栅极衬垫，各自通常连接到所述一个行的所述像素中的所述重置薄膜晶体管的栅极；以及

至少一个重置漏极衬垫，通常连接到所述多个像素中的所述重置薄膜晶体管的漏极，

其中所述像素中的每一个中的所述光二极管通常连接到所述像素中的每一个中的所述读出薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管的源极。

12.根据权利要求11所述的动态X射线检测面板，进一步包括：

偏压衬垫，通常连接到所述多个像素中的所述光二极管。

13.根据权利要求11所述的动态X射线检测面板，其中所述读出衬垫通常连接到每一列中的所述像素中的所述读出薄膜晶体管。

14.根据权利要求11所述的动态X射线检测面板，包括：

多个重置漏极衬垫，各自通常连接到所述多个像素中的所述重置薄膜晶体管的所述漏极，所述多个重置漏极衬垫定位在所述动态X射线检测面板中的上部和下部位置处和/或右侧和左侧位置处。

15.一种动态X射线检测器，所述动态X射线检测器包括根据权利要求11到权利要求14中任一项所述的动态X射线检测面板。

16.根据权利要求15所述的动态X射线检测器，进一步包括：

读出栅极集成电路，连接到所述读出栅极衬垫；

读出集成电路，连接到所述读出衬垫；以及

重置栅极集成电路，连接到所述重置栅极衬垫。

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