CN115804008A - 共模扼流线圈以及具备该共模扼流线圈的噪声滤波器电路 - Google Patents

Abstract

共模扼流线圈(CC1)具备：扼流线圈，包括磁芯(1)和缠绕到磁芯(1)的包覆导线(2a、2b)；导电体(5)，沿着磁芯(1)的表面延伸；以及接地导线(6)，用于将导电体(5)接地。导电体(5)配置于接触包覆导线(2a、2b)的对于磁芯(1)的卷绕开始部(3a、3b)并且不接触以及不接近卷绕结束部(4a、4b)的位置。

Description

共模扼流线圈以及具备该共模扼流线圈的噪声滤波器电路

技术领域

本公开涉及被用作抑制电磁噪声的噪声滤波器的共模扼流线圈以及具备该共模扼流线圈的噪声滤波器电路。

背景技术

作为抑制电磁噪声的噪声滤波器，有使用共模扼流线圈和对地间电容器的情况，但为了削减噪声对策零件的件数，提出了兼具对地间电容器的功能的共模扼流线圈。

例如，在日本特开2008-118101号公报(专利文献1)中，公开了通过将接地的导电体配置到共模扼流线圈的磁芯，形成与对地间电容器同样地发挥功能的对地电容的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-118101号公报

发明内容

在日本特开2008-118101号公报公开的结构中，通过将接地的导电体追加到磁芯而形成对地电容，使电磁噪声旁通。然而，根据配置导电体的范围，产生电磁噪声经由对地电容再次传输到共模扼流线圈的路径，存在相比于不具有导电体的以往的共模扼流线圈而电磁噪声抑制效果降低这样的问题。在日本特开2008-118101号公报中，未言及这样的问题及其对策。

本公开是为了解决上述课题而完成的，其目的在于改善兼具对地间电容器的功能的共模扼流线圈的电磁噪声抑制效果。

本公开所涉及的共模扼流线圈具备：至少1个扼流线圈，包括磁芯和缠绕于磁芯的包覆导线；导电体，沿着磁芯的表面延伸；以及接地导线，用于将导电体接地。导电体配置于接触或者接近包覆导线的针对磁芯的卷绕开始部以及卷绕结束部的某一方并且不接触以及不接近卷绕开始部以及卷绕结束部的另一方的位置。

在本公开所涉及的共模扼流线圈中，用于形成对地电容的导电体的位置被限制于接触或者接近包覆导线的卷绕开始部以及卷绕结束部中的某一方并且不接触以及不接近卷绕开始部以及卷绕结束部的另一方的范围。由此，即使形成对地电容，也不产生电磁噪声再次传输到共模扼流线圈的路径，所以能够改善兼具对地间电容器的功能的共模扼流线圈的电磁噪声抑制效果。

附图说明

图1是共模扼流线圈的正面图(其1)。

图2是共模扼流线圈的侧面图(其1)。

图3是共模扼流线圈的正面图(其2)。

图4是共模扼流线圈的正面图(其3)。

图5是共模扼流线圈的正面图(其4)。

图6是共模扼流线圈的正面图(其5)。

图7是共模扼流线圈的侧面图(其2)。

图8是共模扼流线圈的正面图(其6)。

图9是共模扼流线圈的正面图(其7)。

图10是共模扼流线圈的电路图(其1)。

图11是比较例所涉及的共模扼流线圈的正面图。

图12是比较例所涉及的共模扼流线圈的侧面图。

图13是比较例所涉及的共模扼流线圈的电路图。

图14是示出电磁噪声降低效果的解析结果的一个例子的图。

图15是示出电磁噪声降低效果的解析结果的另一例子的图。

图16是共模扼流线圈的正面图(其8)。

图17是共模扼流线圈的侧面图(其3)。

图18是共模扼流线圈的电路图(其2)。

图19是共模扼流线圈的正面图(其9)。

图20是共模扼流线圈的电路图(其3)。

图21是共模扼流线圈的正面图(其10)。

图22是噪声滤波器电路的正面图(其1)。

图23是噪声滤波器电路的正面图(其2)。

(符号说明)

1、1a、1b：磁芯；2a、2b：包覆导线；3a、3b：卷绕开始部；4a、4b：卷绕结束部；5、5a、5b、7：导电体；6、6a、6b、8：接地导线；9a、9b：输入端子；10a、10b：输出端子；11、14：接地端子；12、13：基板；15：电介质；C1、C2、C3：对地电容；CC1～CC10：共模扼流线圈；F1、F2：噪声滤波器电路；La、Lb、Wa、Wb：引线。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本公开的实施方式。以下，说明多个实施方式，但从申请当初预定适当地组合在各实施方式中说明的结构。此外，在图中对同一或者相当部分附加同一符号而不反复其说明。

实施方式1.

图1是本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1的正面图。图2是本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1的侧面图。

共模扼流线圈CC1具备具有圆环形状的环型的磁芯1、包覆导线2a、2b、导电体5以及接地导线6。由磁芯1和包覆导线2a、2b形成扼流线圈。

包覆导线2a缠绕到磁芯1的一半(在图1中右一半)的范围。包覆导线2a包括缠绕到磁芯1的卷绕开始部3a至卷绕结束部4a的部分和未缠绕到磁芯1的引线La、Wa。

引线La与卷绕开始部3a连接，从卷绕开始部3a引出到磁芯1的一方侧面(在图1中正面侧的侧面)侧而朝向磁芯1的外径方向(在图1中下方)延伸。引线Wa与卷绕结束部4a连接，从卷绕结束部4a引出到磁芯1的另一方侧面(在图1中背面侧的侧面)侧而朝向与引线La相同的方向(在图1中下方)延伸。

包覆导线2b缠绕到磁芯1的另一方的一半(在图1中左一半)的范围。包覆导线2b包括缠绕到磁芯1的卷绕开始部3b至卷绕结束部4b的部分和未缠绕到磁芯1的引线Lb、Wb。

引线Lb与卷绕开始部3b连接，从卷绕开始部3b引出到磁芯1的一方侧面(在图1中正面侧的侧面)侧而朝向磁芯1的外径方向(在图1中下方)延伸。引线Wb与卷绕结束部4b连接，从卷绕结束部4b引出到磁芯1的另一方侧面(在图1中背面侧的侧面)侧，朝向与引线Lb相同的方向(在图1中下方)延伸。

此外，引线Wa、Wb的配置未必限定于图1所示的配置。例如，引线Wa、Wb也可以引出到在从磁芯1观察时与引线La、Lb相同的一侧(在图1中正面侧的侧面侧)，朝向与引线La、Lb不同的方向(在图1中上方)延伸(参照后述图16、17)。

接地导线6的一方的端部与导电体5连接，另一方的端部被接地。接地导线6配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb相同的一侧。接地导线6配置于在从正面观察共模扼流线圈CC1时包覆导线2a的引线La与包覆导线2b的引线Lb之间。接地导线6既可以是与导电体5相同的材质，也可以设为布线或者母线、图案。

导电体5沿着磁芯1的内周面延伸，配置于磁芯1的内周面与包覆导线2a、2b之间。配置导电体5的范围被限制于磁芯1的内周面的一部分的范围。具体而言，导电体5配置于接触包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b并且不接触以及不接近包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b的位置。此外，导电体5未必限定于接触卷绕开始部3a、3b，也可以接近卷绕开始部3a、3b。

另外，在本实施方式1中，配置导电体5的范围也可以限制于在从环状的磁芯1的中心O观察时劣角(大于0°且小于180°的角)的范围。进而，在本实施方式1中，配置导电体5的范围也可以限制于从包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b至分别缠绕3次的部分的范围。通过这样限制导电体5的配置范围，导电体5与卷绕结束部4a、4b之间的距离大于导电体5与卷绕开始部3a、3b之间的距离。另外，包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b与卷绕结束部4a、4b之间的距离大于导电体5与包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b之间的距离。

进而，也可以如图2所示，以使连接到未与导电体5接触以及接近的卷绕结束部4a、4b的引线Wa、Wb和导电体5的距离大于连接到与导电体5接触的卷绕开始部3a、3b的引线La、Lb与导电体5之间的距离的方式将引线Wa、Wb配置到离开导电体5的位置。

此外，导电体5配置于接触或者接近包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b以及卷绕结束部4a、4b的某一方并且不接触以及不接近另一方的位置即可。因此，例如，导电体5也可以配置于接触或者接近卷绕结束部4a、4b并且不接触以及不接近卷绕开始部3a、3a的位置。

图1以及图2所示的磁芯1具有圆环形状，但磁芯1的形状不限于此。例如，磁芯1也可以是椭圆型、矩形型、梯型等其他闭环形状。另外，磁芯1也可以是I字型、U字型、E字型等开环形状。图3是使用I字型(圆柱状)的磁芯1的情况下的共模扼流线圈CC2的正面图。

另外，图1以及图2所示的磁芯1没有间隙，但磁芯1也可以有间隙。图1以及图2所示的磁芯1并未用绝缘体覆盖，但磁芯1的表面也可以用绝缘体覆盖。图1以及图2所示的磁芯1是块状体，但磁芯1也可以是带状、纳米晶体构造。

另外，图1以及图2所示的包覆导线2a、2b未相互接触，但包覆导线2a、2b也可以相互接触，包覆导线2a、2b也可以相互重叠地缠绕到磁芯1。

另外，图1以及图2所示的导电体5沿着磁芯1的内周面配置，但导电体5沿着包括磁芯1的外周面或者侧面或者组合它们的区域的、磁芯的表面配置即可。图4是沿着磁芯1的侧面配置了导电体5的情况下的共模扼流线圈CC3的正面图。

另外，图1以及图2所示的导电体5配置于磁芯1与包覆导线2a、2b之间，但导电体5也可以配置于缠绕到磁芯1的包覆导线2a、2b之上。

另外，图1所示的接地导线6配置于引线La、Lb之间，但接地导线6的位置不限于此。图5是将接地导线6配置于引线La、Lb之间的外侧的情况下的共模扼流线圈CC4的正面图。

另外，图1以及图2所示的接地导线6配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb相同的一侧，但接地导线6也可以配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb不同的一侧(即与引线Wa、Wb相同的一侧)。图6是将接地导线6配置于与引线Wa、Wb相同的一侧的情况下的共模扼流线圈CC5的正面图。图7是图6所示的共模扼流线圈CC5的侧面图。但是，在共模扼流线圈CC5中，如图7所示，以使连接到未与导电体5接触以及接近的卷绕结束部4a、4b的引线Wa、Wb与接地导线6之间的距离大于连接到与导电体5接触的卷绕开始部3a、3b的引线La、Lb与导电体5之间的距离的方式将引线Wa、Wb配置于离开接地导线6的位置。

另外，在图1以及图2中配置有1个导电体5，但导电体5也可以分割成多个。

图8是分成与包覆导线2a的卷绕开始部3a接触的导电体5a和与包覆导线2b的卷绕开始部3b接触的导电体5b而配置的情况下的共模扼流线圈CC6的正面图。在共模扼流线圈CC6中，将导电体5a接地的接地导线6a和将导电体5b接地的接地导线6b配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb相同的一侧。

此外，关于接地导线6a、6b，只要以不接近引线Wa、Wb的方式充分确保与引线Wa、Wb的距离，则也可以配置于在从磁芯1观察时与引线Wa、Wb相同的一侧。

图9是分成与包覆导线2a的卷绕开始部3a接触的导电体5a和与包覆导线2b的卷绕开始部3b接触的导电体5b而配置的情况下的其他共模扼流线圈CC7的正面图。在共模扼流线圈CC7中，将导电体5a接地的接地导线6a配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb相同的一侧，将导电体5b接地的接地导线6b配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb不同的一侧(与引线Wa、Wb相同的一侧)。但是，在共模扼流线圈CC7中，以使接地导线6b不接近引线Wa、Wb的方式充分地确保接地导线6b与引线Wa、Wb之间的距离。

图10是本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1的电路图。在图10中，由包覆导线2a、2b、与包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b接触的导电体5以及将导电体5接地的接地导线6，形成对地电容C1。通过形成该对地电容C1，形成通过对地电容C1的电磁噪声路径Ia、Ib。

在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，导电体5与包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b接触但离开卷绕结束部4a、4b，所以形成对地电容C1的范围被限制于卷绕开始部3a、3b周边，在卷绕结束部4a、4b周边不形成对地电容。

图11是比较例所涉及的共模扼流线圈的正面图。图12是图11所示的比较例所涉及的共模扼流线圈的侧面图。图13是图11所示的比较例所涉及的共模扼流线圈的电路图。

在图11～图13所示的比较例中，导电体5的配置范围未被限制，导电体5配置于磁芯1的内周面整体。因此，导电体5延伸到从包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b至卷绕结束部4a、4b的整体。由此，在比较例所涉及的共模扼流线圈中，不仅在卷绕开始部3a、3b周边，而且在卷绕开始部3a、3b和卷绕结束部4a、4b的中间部分以及卷绕结束部4a、4b周边，也分别形成与对地电容C1共同地接地的对地电容C2、C3。因此，除了通过对地电容C1的电磁噪声路径Ia、Ib以外，还形成通过对地电容C2、C3的电磁噪声路径Ic、Id，会产生电磁噪声再次传输到共模扼流线圈的路径。

相对于此，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，通过如上所述限制导电体5的配置范围，使得不形成对地电容C2、C3，不形成通过对地电容C2、C3的电磁噪声路径Ic、Id。由此，能够得到比比较例显著的电磁噪声抑制效果。

另外，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，使包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b与卷绕结束部4a、4b之间的距离大于导电体5与包覆导线2a、2b之间的距离。由此，抑制共模扼流线圈CC1的端子间电容的形成。即，在假设形成共模扼流线圈的端子间电容、即将包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b和卷绕结束部4a、4b作为两端的电容时，会形成通过该端子间电容的电磁噪声的旁通路径，电磁噪声抑制效果可能降低。因此，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，通过使包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b与卷绕结束部4a、4b之间的距离大于导电体5与包覆导线2a、2b之间的距离，抑制共模扼流线圈CC1的端子间电容的形成。

图14是示出电磁噪声降低效果的解析结果的一个例子的图。在图14中，在横轴上用对数表示频率(单位：MHz)，纵轴表示电磁噪声(单位：dB)。在图14中，曲线L1表示不具备导电体5的共模扼流线圈的解析结果。曲线L2表示在磁芯1的内周面整体配置有导电体5的比较例的共模扼流线圈(参照图11～图13)的解析结果。曲线L3表示本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1的解析结果。从图14可理解，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，相比于不具备导电体5的共模扼流线圈以及比较例的共模扼流线圈，大幅改善电磁噪声抑制效果。

图15是示出电磁噪声降低效果的解析结果的另一例子的图。在图15中，横轴以及纵轴与上述图14相同。在图15中，曲线L4表示不具备导电体5的共模扼流线圈的解析结果。曲线L5表示使导电体5的配置范围成为在从磁芯1的中心观察时平角(180°)的情况或者将导电体5的配置范围设为从包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b至分别缠绕4次的部分的情况下的解析结果。曲线L6表示本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1的解析结果。此外，在图15中，作为共模扼流线圈CC1的一个例子，示出将导电体5的配置范围限制于直至在从磁芯1的中心观察时垂直(90°)的范围的情况或者将导电体5的配置范围限制于从包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b至分别缠绕3次的部分的范围的情况下的解析结果。

曲线L5相对不具备导电体5的曲线L4，仅能够得到稍微的电磁噪声抑制效果。这是由于发生将导电体5和包覆导线2a、2b的中间部分作为两端的对地电容C2而形成通过对地电容C1、C2的电磁噪声的旁通路径所引起的。

相对于此，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，通过将导电体5的配置范围限制于从卷绕开始部3a、3b至分别缠绕3次的部分的范围，抑制对地电容C2的发生。因此，如曲线L6所示可理解，电磁噪声降低效果比曲线L4、L5改善。此外，如上所述，通过将导电体5的配置范围限制于直至在从磁芯1的中心观察时垂直(90°)的范围，也能够起到同样的效果。

如以上所述，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，用于在与包覆导线2a、2b之间形成对地电容的导电体5的位置被限制于接触包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b并且不接触以及不接近卷绕结束部4a、4b的范围。由此，能够将形成对地电容的范围限制于包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b周边，抑制在包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b周边形成对地电容。因此，能够抑制形成噪声从导电体5返回到包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b的路径。其结果，能够改善兼具对地间电容器的功能的共模扼流线圈CC1的电磁噪声抑制效果。

进而，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，连接到未与导电体5接触以及接近的卷绕结束部4a、4b的引线(第2引线)Wa、Wb与导电体5的距离大于连接到与导电体5接触的卷绕开始部3a、3b的引线(第1引线)La、Lb与导电体5之间的距离(参照图2)。由此，充分地确保与卷绕结束部4a、4b连接的引线Wa、Wb和导电体5的距离，所以能够更适当地抑制在包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b周边形成对地电容。

进而，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，配置导电体5的范围被限制于在从具有圆环形状的磁芯1的中心O观察时劣角(大于0°且小于180°的角)的范围。由此，相比于使配置导电体5的范围成为在从磁芯1的中心O观察时平角(180°)或者优角(大于180°的角)的情况，能够更适当地限制形成对地电容的范围。

进而，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，配置导电体5的范围被限制于从包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b至分别缠绕3次的部分的范围。由此，相比于从包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b至分别缠绕4次以上的部分配置导电体5的情况，能够更适当地限制形成对地电容的范围。

进而，在本实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b与卷绕结束部4a、4b之间的距离大于导电体5与包覆导线2a、2b之间的距离(即导电体5和包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b的距离)。由此，能够抑制在包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b与卷绕结束部4a、4b之间形成浮置电容。因此，能够抑制电磁噪声经由浮置电容在共模扼流线圈CC1的两端旁通。

实施方式2.

图16是本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8的正面图。图17是本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8的侧面图。

共模扼流线圈CC8是针对上述图1所示的共模扼流线圈CC1，追加导电体7以及接地导线8并变更引线Wa、Wb的配置的结构。共模扼流线圈CC8的其他结构与上述共模扼流线圈CC1相同，所以此处不反复详细的说明。

导电体7与导电体5独立地设置。导电体7配置于磁芯1的内周面中的、与导电体5对置的位置。具体而言，导电体7配置于不接触以及不接近包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b并且接触包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b的位置。配置导电体7的范围也可以限制于在从磁芯1的中心O观察时劣角(大于0°且小于180°的角)的范围。进而，配置导电体7的范围也可以限制于从包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b至分别缠绕3次的部分的范围。此外，图16以及图17所示的导电体5、7沿着磁芯1的内周面配置，但导电体5、7沿着包括磁芯1的外周面或者侧面或者组合它们的区域的、磁芯的表面配置即可。

接地导线8与接地导线6独立地设置。接地导线8的一方的端部与导电体7连接，另一方的端部被接地。接地导线8配置于在从磁芯1观察时与接地导线6相同的一侧。

此外，导电体7以及接地导线8的其他结构基本上与导电体5以及接地导线6分别相同，还能够在技术上不产生矛盾的范围内与导电体5以及接地导线6同样地变形。

进而，在本实施方式2中，引线Wa、Wb配置于在从磁芯1观察时与引线La、Lb相同的一侧，从卷绕结束部4a、4b朝向远离导电体5的方向(在图16以及图17中上方)延伸。

图18是本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8的电路图。如图18所示，由包覆导线2a、2b、与包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b接触的导电体5以及将导电体5接地的接地导线6，形成对地电容C1。通过形成该对地电容C1，形成在以往的共模扼流线圈中没有的、通过对地电容C1的噪声路径Ia、Ib(参照图10)。

在上述实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1中，导电体5与包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b接触，但离开卷绕结束部4a、4b。因此，在共模扼流线圈CC1中，如图10所示，对地电容C1的形成范围被限制于卷绕开始部3a、3b周边，在卷绕结束部4a、4b周边不形成对地电容。

相对于此，在本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8中，如图18所示，除了对地电容C1以外，由包覆导线2a、2b的卷绕结束部4a、4b、导电体7以及接地导线8，在共模扼流线圈CC8的另一方的端部形成与对地电容C1独立的对地电容C3。

在上述图13所示的比较例中，分别形成于共模扼流线圈的两端的对地电容C1、C3都用相同的导电体5的接地导线6接地。因此，会产生经由对地电容C1传输到导电体5的电磁噪声从导电体5经由对地电容C3再次传输到共模扼流线圈的路径。

相对于此，在本实施方式2中，相互独立地设置形成对地电容C1的导电体5的接地导线6和形成对地电容C3的导电体7的接地导线8。因此，不形成经由对地电容C1传输到导电体5的电磁噪声从导电体5经由对地电容C3再次传输到共模扼流线圈CC8的路径。同样地，不形成经由对地电容C3传输到导电体7的电磁噪声经由对地电容C1再次传输到共模扼流线圈CC8的路径。因此，在本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8中，能够得到比图13所示的比较例显著的电磁噪声抑制效果。

进而，在上述图13所示的比较例中，在包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b和卷绕结束部4a、4b的中间部分周边，也形成与对地电容C1共同地接地的对地电容C2。因此，产生经由对地电容C1或者对地电容C3传输到导电体5的电磁噪声从导电体5经由对地电容C2再次传输到共模扼流线圈的路径。

相对于此，在本实施方式2中，配置各导电体5、7的范围被限制于在从磁芯1的中心观察时劣角(大于0°且小于180°的角)的范围。由此，在本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8中，能够防止在包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b和卷绕结束部4a、4b的中间部分周边形成对地电容C2。

如以上所述，本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8与导电体5独立地具备不接触以及不接近包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b而接触卷绕结束部4a、4b的其他导电体7。进而，本实施方式2所涉及的共模扼流线圈CC8与用于将导电体5接地的接地导线6独立地还具备用于将其他导电体7接地的其他接地导线8。因此，能够在包覆导线2a、2b的卷绕开始部3a、3b周边和卷绕结束部4a、4b周边分别形成相互独立的对地电容C1、C3。

实施方式3.

图19是本实施方式3所涉及的共模扼流线圈CC9的正面图。共模扼流线圈CC9是通过将包括磁芯1a、包覆导线2a、导电体5a以及接地导线6a的第1扼流线圈和包括磁芯1b、包覆导线2b、导电体5b以及接地导线6b的第2扼流线圈磁耦合而形成的。

包覆导线2a缠绕到磁芯1a。导电体5a沿着磁芯1a的内周面延伸，配置于磁芯1a的内周面与包覆导线2a之间。导电体5a配置于接触包覆导线2a的卷绕开始部3a并且不接触以及不接近包覆导线2a的卷绕结束部4a的位置。配置导电体5a的范围被限制于在从磁芯1a的中心O观察时小于90°的范围。包覆导线2a的卷绕开始部3a与卷绕结束部4a之间的距离大于导电体5a与包覆导线2a之间的距离(即导电体5a与包覆导线2a的卷绕开始部3a之间的距离)。接地导线6a的一方的端部与导电体5a连接，另一方的端部被接地。

包覆导线2b缠绕到磁芯1b。导电体5b沿着磁芯1b的内周面延伸，配置于磁芯1b的内周面与包覆导线2b之间。导电体5b配置于接触包覆导线2b的卷绕开始部3b并且不接触以及不接近包覆导线2b的卷绕结束部4b的位置。配置导电体5b的范围被限制于在从磁芯1b的中心O观察时小于90°的范围。包覆导线2b的卷绕开始部3b与卷绕结束部4b之间的距离大于导电体5b与包覆导线2b之间的距离(即导电体5b与包覆导线2b的卷绕开始部3b之间的距离)。接地导线6b的一方的端部与导电体5b连接，另一方的端部被接地。

此外，磁芯1a、1b、包覆导线2a、2b、导电体5a、5b以及接地导线6a、6b的其他结构基本上与上述图1所示的共模扼流线圈CC1的磁芯1、包覆导线2a、2b、导电体5以及接地导线6相同，还能够在技术上不产生矛盾的范围与磁芯1、包覆导线2a、2b、导电体5以及接地导线6同样地变形。

图20是本实施方式3所涉及的共模扼流线圈CC9的电路图。在共模扼流线圈CC9中，在从磁芯1a泄露的磁场和从磁芯1b泄露的磁场相互耦合时，能够得到与上述实施方式1所涉及的共模扼流线圈CC1同样的效果(参照图10)。因此，在本实施方式3所涉及的共模扼流线圈CC9中，也能够得到比上述比较例(参照图11～图13)显著的电磁噪声抑制效果。

实施方式4.

图21是本实施方式4所涉及的共模扼流线圈CC10的正面图。共模扼流线圈CC10是在实施方式1所示的共模扼流线圈CC1中在导电体5与包覆导线2a、2b之间的至少一部分插入了电介质15的构造。

这样的构造也能够得到与实施方式1所示的共模扼流线圈同样的效果。进而，通过本结构，能够增大在导电体5与包覆导线2a、2b之间产生的对地电容C1，所以能够进一步提高利用对地电容C1的电磁噪声的旁通效果。因此，在本实施方式4所涉及的共模扼流线圈CC10中，也能够得到比上述比较例(参照图11～图13)显著的电磁噪声抑制效果。

实施方式5.

图22是本实施方式5所涉及的噪声滤波器电路F1的正面图。噪声滤波器电路F1具备上述实施方式1中的共模扼流线圈CC1和基板12。基板12具备输入端子9a、9b、输出端子10a、10b以及接地端子11。

共模扼流线圈CC1的引线La、Lb与基板12的输入端子9a、9b分别连接，引线Wa、Wb与基板12的输出端子10a、10b分别连接。

共模扼流线圈CC1的接地导线6与基板12的接地端子11连接。此外，图22所示的接地端子11与输入端子9a、9b平行地配置，但也可以不与输入端子9a、9b平行。另外，也可以将接地端子11设置到成为基准电位的框体。

在本实施方式4所涉及的噪声滤波器电路F1中，对地电容附加到共模扼流线圈CC1，所以能够削减作为噪声滤波器的零件的对地间电容器的件数并且得到优良的电磁噪声抑制效果。

此外，上述噪声滤波器电路F1没有对地间电容器，但也可以在输入端子9a、9b与接地端子11之间追加对地间电容器。同样地，也可以在输出端子10a、10b与接地端子11之间追加对地间电容器。

另外，也可以将设置于噪声滤波器电路F1的共模扼流线圈变更为其他共模扼流线圈CC2～CC8中的任意共模扼流线圈而代替共模扼流线圈CC1。在该情况下，与变更后的共模扼流线圈的包覆导线以及接地导线的位置匹配地变更基板12的输入端子9a、9b、输出端子10a、10b以及接地端子11的位置即可。

图23是本实施方式4所涉及的其他噪声滤波器电路F2的正面图。噪声滤波器电路F2具备上述实施方式2中的共模扼流线圈CC8和基板13。基板13是针对上述图22所示的基板12追加了与共模扼流线圈CC8的接地导线8连接的接地端子14的结构。在这样的噪声滤波器电路F2中，由于对地电容附加到共模扼流线圈CC1，所以也能够削减作为噪声滤波器的零件的对地间电容器的件数并且得到优良的电磁噪声抑制效果。

此外，也可以输入端子9a、9b以及接地端子11和输出端子10a、10b以及接地端子14的至少一方以相互接近并对置的方式配置。

包覆导线2a、2b与接地端子11、14之间的阻抗被分成对地电容C1、C2的电容分量为支配性的频率区域和接地导线6、8以及接地端子11的感应分量(寄生电感)为支配性的频率区域。因此，接地导线6、8以及接地端子11的寄生电感越小，能够越减小包覆导线2a、2b与接地端子11、14之间的阻抗，在感应分量为支配性的频率区域能够进一步提高利用对地电容C1、C2的电磁噪声的旁通效果。

通过本结构，传输到输入端子9a、9b、输出端子10a、10b的电磁噪声和传输到接地端子11、14的电磁噪声的电流方向成为相互反向。因此，能够降低在接地端子11、14产生的寄生电感，能够进一步提高利用对地电容C1的电磁噪声的旁通效果。同样地，也可以引线La、Lb以及接地导线6、和引线Wa、Wb以及接地导线8的至少一方以相互接近并对置的方式配置。由此，能够降低接地导线6、8的寄生电感，能够进一步提高利用对地电容C1的电磁噪声的旁通效果。

此外，在本实施方式中，在基板13的同一平面以接近并对置的方式配置了输入端子9a、9b、接地端子11、输出端子10a、10b以及接地端子14，但不限于此，也可以使基板13成为多层基板，在相对基板平面垂直的方向上以接近并对置的方式配置。

应认为本次公开的实施方式在所有方面为例示而非限制性的。本公开的范围并非由上述说明而由权利要求书示出，意图包括与权利要求书均等的意义以及范围内的所有变更。

Claims (11)

1.一种共模扼流线圈，具备：

至少1个扼流线圈，包括磁芯和缠绕到所述磁芯的包覆导线；

导电体，沿着所述磁芯的表面延伸；以及

接地导线，用于将所述导电体接地，

所述导电体配置于接触或者接近所述包覆导线的对于所述磁芯的卷绕开始部以及卷绕结束部的某一方并且不接触以及不接近所述卷绕开始部以及所述卷绕结束部的另一方的位置。

2.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其中，

所述包覆导线具备与所述卷绕开始部以及所述卷绕结束部的所述一方连接的第1引线和与所述卷绕开始部以及所述卷绕结束部的所述另一方连接的第2引线，

所述第2引线与所述导电体之间的距离大于所述第1引线与所述导电体之间的距离。

3.根据权利要求1或者2所述的共模扼流线圈，其中，

所述至少1个扼流线圈包括磁耦合的多个所述扼流线圈。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的共模扼流线圈，其中，

所述磁芯具有环形状，

配置所述导电体的范围被限制于在从所述磁芯的中心观察时劣角的范围。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的共模扼流线圈，其中，

配置所述导电体的范围被限制于从所述包覆导线的所述卷绕开始部至缠绕3次的部分的范围。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的共模扼流线圈，其中，

所述卷绕开始部与所述卷绕结束部之间的距离大于所述导电体与所述包覆导线之间的距离。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的共模扼流线圈，其中，

还具备配置于所述导电体与所述包覆导线之间的至少一部分的电介质。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的共模扼流线圈，其中，还具备：

其他导电体，与所述导电体独立地设置，不接触以及不接近所述卷绕开始部以及所述卷绕结束部的所述一方而接触或者接近所述卷绕开始部以及所述卷绕结束部的所述另一方；以及

其他接地导线，与所述接地导线独立地设置，用于将所述其他导电体接地。

9.一种噪声滤波器电路，具备：

权利要求1～8中的任意一项所述的共模扼流线圈；以及

基板，具备输入端子、输出端子以及接地端子，

所述输入端子以及所述输出端子与所述包覆导线的一方的端部以及另一方的端部分别连接，

所述接地端子与所述接地导线连接。

10.根据权利要求9所述的噪声滤波器电路，其中，

所述输入端子以及所述输出端子的至少一方以与所述接地端子接近并对置的方式配置。

11.根据权利要求9或者10所述的噪声滤波器电路，其中，

所述包覆导线具备与所述卷绕开始部以及所述卷绕结束部分别连接的2根引线，

所述2根引线的至少一方以与所述接地导线接近并对置的方式配置。

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