CN115803862A - 半导体工具布置 - Google Patents

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Abstract

各种示例包括半导体处理工具的布置。在一个示例中，半导体处理工具包括多个多站式模块，每个模块具有多个处理站。处理站中的至少一些被组织成菱形布置。真空传送模块耦合到每个多站式模块。真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于多个处理站中的至少一个传送。至少一个附加处理站位于真空传送模块中。公开了其他系统和装置。

Description

半导体工具布置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年4月28日提交的美国临时专利申请No.63/181,036的优先权利益，其全部内容都通过引用合并于此。
技术领域
所公开的主题总体上涉及用于半导体和相关行业(例如，平板显示器和太阳能电池生产设施)的衬底处理工具领域。更具体地，在各种实施方案中，所公开的主题涉及用于减少工具的占地面积同时在工具内维持大量处理站的衬底处理工具的布置。
背景技术
半导体固定设备根据许多性能指标进行评估。两个指标是生产率和占地面积。生产率可与衬底吞吐量和产量相关。占地面积与制造环境(fab)中生产工具所占用的面积有关。
这里提供的背景描述是为了总体呈现所公开的主题的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。因此，提供本节中描述的信息是为了向技术人员提供以下所公开的主题的上下文，不应将其视为公认的现有技术。因此，提供本节中描述的信息是为了向技术人员提供以下公开主题的上下文，不应将其视为公认的现有技术。
发明内容
在多种实施方案中，半导体处理工具包括多个多站式模块，每个模块具有多个处理站。处理站中的至少一些被组织成菱形布置。真空传送模块耦合到每个多站式模块。真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于多个处理站中的至少一个传送。半导体处理工具还包括位于真空传送模块中的至少一个附加处理站。
在多种实施方案中，半导体处理工具包括多个多站式模块，每个模块具有多个处理站。至少一些处理站被组织成菱形布置。真空传送模块耦合到每个多站式模块。真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于多个处理站中的至少一个传送。至少一个附加处理站位于真空传送模块中。
在多种实施方案中，半导体处理工具包括多个多站式模块。多个处理站的混合布置，其中至少一些处理站以菱形布置组织并且处理站的剩余部分以正方形布置组织。真空传送模块耦合到每个多站式模块。真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于多个处理站中的至少一个传送。半导体处理工具还包括位于真空传送模块中的至少一个附加处理站。
附图说明
图1示出了现有技术的具有正方形布置的处理站的多站式半导体处理工具的剖视平面图；
图2A示出了根据所公开的主题的实施方案的在五个模块中的每一个内具有菱形布置的处理站的多站式半导体处理工具的剖视平面图的示例性实施方案；
图2B示出了根据所公开的主题的实施方案的在四个模块中的每一个内具有菱形布置的处理站的多站式半导体处理工具的剖视平面图的示例性实施方案；
图2C至2H示出了根据所公开的主题的多种实施方案的处理模块内的处理站布置的多种示例；
图3A示出了根据所公开的主题的实施方案的具有正方形布置的处理站的多站式半导体处理工具的剖视平面图的示例性实施方案，其包括位于真空传送模块内的附加处理站。公开的主题；
图3B示出了根据所公开的主题的实施方案的具有菱形布置的处理站的多站式半导体处理工具的剖视平面图的示例性实施方案，其包括位于真空传送模块内的附加处理站；
图3C示出了根据所公开的主题的实施方案的具有正方形布置和菱形布置的处理站的多站式半导体处理混合工具的剖视平面图的示例性实施方案，其包括位于真空传送模块内的附加处理站；
图4A示出了根据所公开的主题的实施方案的包括双层装载锁和传送站的半导体处理工具的示例性实施方案；
图4B示出了根据所公开的主题的实施方案的包括串联的双层装载锁和传送站的半导体处理工具的示例性实施方案；
图4C示出了根据所公开的主题的多种实施方案的指示不同层级上的衬底传送路径的半导体处理工具的示例性实施方案；
图5A示出了包含图1的半导体处理工具的典型占地面积的尺寸的示例；
图5B和5C示出了包括根据图2A到图4B的某些示例中提供的所公开的主题的多种实施方案所讨论的一些工具布置的占地面积的尺寸的示例；以及
图6A和6B分别示出了与深度减小的设备前端模块(EFEM)兼容的大气传送机械手的示例性平面图和正视图，其可以与所公开的主题的多种实施方案一起使用。
具体实施方式
下面的说明包含体现本公开的主题的各个方面的说明性示例、设备和装置。在下面的说明中，为了解释的目的，阐述了多个特定细节以提供对于本发明主题的各种实施方案的理解。然而本领域技术人员应当明白，本公开的主题的各种实施方案可在不具有这些特定细节的情况下实施。此外，不详细显示众所周知的结构、材料和技术以免不必要地使各种所示的实施方案难以理解。如本文所使用的，术语“约”或“大约”可指例如与给定值或值范围相差在±10％以内的值。
现有技术的多站式半导体处理工具总是包括处理站，(当从工具的顶部平面图考虑时)这些处理站相对于工具的近端侧壁布置成正方形x-y布置。下面将更详细地讨论这种x-y布置。然而，这些布置在可能发生的面积减少量方面是有限的。
例如，参考图1，示出了现有技术的多站式半导体处理工具100的剖视平面图的高级概要图。半导体处理工具100具有正方形布置的处理站103，如下文更详细描述的。半导体处理工具100还包括处理部分115和设备前端模块(EFEM)115。当半导体处理工具100在运行时，处理部分115通常在低于大气压力(例如，几托或更低的低真空水平)下运行。
在处理部分115内，半导体处理工具100包括四个四站式模块101A、101B、101C、101D。四站式模块101A-101D中的每一个包括四个处理站103。虽然其他数量的处理站也是可能的，但是包括该示例以帮助说明现有技术的半导体处理工具100与在此描述的所公开的主题之间的显著差异。每个处理站103布置成在处理操作(例如，化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺)期间保持单个衬底(例如，300mm半导体晶片)。在这个具体示例中，每个四站式模块101A到101D的每个边缘的尺寸为大约1.1米。下文更详细地描述整个半导体处理工具的额外尺寸。
每对处理站103平行于或垂直于半导体处理工具100的侧壁。例如，侧壁可以被认为位于真空传送机械手105A、105B和四站式模块101A-101D(相应的对对处理站103位于其中)中的相应的一个之间。因此，处理站103的布置被认为是正方形布置。
继续参考图1，通过位于EFEM117内的大气传送机械手(ATR)119将每个衬底装载到半导体处理工具100中。ATR119一次从多个衬底载具111中的一个装载至少一个衬底到第一传送站113。如图1所示，ATR119具有两个臂并且可以一次将多达两个衬底装载到第一传送站113上。每个衬底载具111可以包括例如本领域已知的前开式晶片盒(FOUP)或其他类型的标准机械接口(SMIF))衬底容器。一旦ATR119将衬底装载到第一传送站113上，关闭位于EFEM117和第一传送站113之间的大气端口(未明确示出)。第一传送站113周围的装载锁区域且在处理部分115处或附近被抽空至真空水平。
半导体处理工具100还包括第一真空传送机械手(VTR)105A和第二VTR105B。真空传送机械手105A、105B中的每一个都可以被认为是衬底搬运机械手以在处理部分115内移动衬底。例如，第一VTR105A可以将衬底从第一传送站113移动到最靠近EFEM117(工具前部)的四站式模块101B、101C内的任何一个处理站103或第二传送站107。第二VTR105B可以将衬底从第二传送站107移动到距离EFEM117最远(最远意味着位于页面顶部附近或工具的后部)的四站式模块101A、101D内的任何一个处理站103。
如图1所示，EFEM117还包括占据显著面积的凸出区域109。添加凸出区域109使得维护技术人员可以访问半导体处理工具100的部分。然而，凸出区域109本身增加了半导体处理工具100的大量面积(从而增加了工具的整体占地面积)。
现在参考图2A，示出了多站式半导体处理工具200的剖视平面图的示例性实施方案。根据所公开的主题的实施方案，半导体处理工具200被显示为包括处理站203的菱形布置215。半导体处理工具200还显示为包括真空传送模块221，其包含更靠近第一传送站213的前真空传送机械手(VTR)205A以及位于半导体处理工具200后部的后VTR205B。半导体处理工具200还显示为包括第二传送站207。本领域技术人员应理解，前VTR205A和后VTR205B示意性地描绘为圆圈，以免与所公开的主题的其他部件混淆。如图所示，室传送端口223A-223E(或真空门)位于真空传送模块221和每个多站式模块201A-201E之间。
尽管在图2A中示出了多站式模块201A-201E中的五个，但不应暗示限制为五个模块。多于或少于五个多站式模块201A-201E可以被实施。例如，在半导体处理工具200中可以包括两个、三个、四个、六个、七个或更多模块。此外，在每个模块中可以包括多于或少于四个处理站203。例如，在某些实施方案中可以包括两个、三个、五个或更多个处理站。此外，并非所有模块都需要包括相同数量的处理站。一些模块可以包括一个或两个处理站，而其他模块可以包括五个或更多个处理站。各种处理站布置将在下文中参考图2C到2H进行讨论。因此，五个多站式模块201A-201E(每个模块具有四个处理站203)仅为帮助描述所公开的主题而被示出。
菱形布置215表示处理站203相对于位于多站式模块201A-201E中的每一个上的室传送端口223A-223E中的相应一个成角度放置。相应的室传送端口223A-223E使得衬底能由前VTR205A或后VTR205B放置到多站式模块201A-201E内的各个处理站203上。在将所有衬底(例如，从第一传送站213或第二传送站207)放置在各个处理站203上之后，关闭室传送端口223A-223E中适当的一个以防止任何气体、等离子体等从一个多站式模块传递到另一个多站式模块或从一个多站式模块进入真空传送模块221。
在一实施方案中，菱形布置215的一侧相对于相应的室传送端口223A-223E的角度可以是例如约45°。在其他实施方案中，菱形布置215的一侧相对于相应的室传送端口223A-223E的角度可以例如为约30°至约60°。在其他实施方案中，菱形布置215的一侧相对于相应的室传送端口223A-223E的角度可以例如为约15°至约75°。在其他实施方案中，菱形布置215可以包括例如相邻边之间的角度大于90°且小于90°的斜方形(rhombus)。在阅读和理解所公开的主题后，本领域普通技术人员将认识到其他几何形状(例如偏菱形(rhomboid))也是可能的。可以就处理模块内的各种处理站布置来考虑各种角度和角度范围中的每一个。各种处理站布置也将在下文中参考图2C到2H进行讨论。
通过位于深度减小的EFEM209内的线性大气传送机械手(ATR)617将每个衬底装载到半导体处理工具200中。如下文参照图6A和6B详细描述线性ATR 617。线性ATR 617一次将至少一个衬底从多个衬底载具211中的一个装载到第一传送站213上。参照图1的半导体处理工具100，每个衬底载具111可以包括例如本技术领域已知的前开口晶片盒(FOUP)或其他类型的标准机械接口(SMIF)衬底容器。
深度减小的EFEM209用于减小半导体处理工具200的总体占地面积。图1与例如图2A的比较表明图1的凸出区域109已被去除。相反，线性ATR 617放置在深度减小的EFEM209内。深度减小的EFEM209允许维护技术人员仍然访问深度减小的EFEM209的所有区域以进行维修或维护。深度减小的EFEM209(在与衬底载具211相对的一侧上)的较陡角度允许访问每个衬底载具211，甚至从前VTR205A访问。
在某些实施方案中，位于一个或多个多站式模块201A-201E之间的维护孔特征225允许访问相邻模块内部和下方的各种位置。如图所示，维护孔特征225可以是敞开的，或者包括盖板。虽然单个维护孔特征225被显示为位于多站式模块201A、201B中的每一个和多站式模块201C、201D中的每一个之间，但是更多或更少的维护孔特征225可以位于给定处理工具中的不同位置。在阅读和理解所公开的主题后，本领域的普通技术人员将认识到这样的维护孔特征225可以位于何处(例如，在图2B-4B所示的其他实施方案中)。
继续参考图2A，本领域的普通技术人员应认识到，基于处理站203的菱形布置215，多站式模块201A-201E中的相邻模块可以比图1的四站式模块101A-101D彼此更接近地放置。即，菱形布置215允许模块的一部分具有成角度的外表面227。成角度的外表面227允许模块具有增加的封装密度——多站式模块201A-201E可以在每个模块中仍包括相同数量的处理站203的情况下一起放置在更小的占地面积中。
现在参考图2B，示出了多站式半导体处理工具230的剖视平面图的示例性实施方案。半导体处理工具200被显示为包括前真空传送机械手(VTR)235A，其更靠近第一传送站233；以及后VTR235B，其位于半导体处理工具230的后部。前VTR235A和后VTR235B可以与图2A的真空传送机械手205A、205B相同或相似。本领域技术人员应理解，前VTR235A和后VTR235B被示意性地描绘为圆圈，以免与所公开的主题的其他部件混淆。此外，还显示了第二传送站237。类似于上面参考图2A的描述，在衬底(例如，从第一传送站233或第二传送站237)被放置在多个处理站203上之后，室传送端口223A-223D中的适当的一个被关闭以防止任何气体、等离子体等从一个多站式模块传递到另一多站式模块。
因此，半导体处理工具230与图2A的半导体处理工具200相同或相似。然而，在图2B的实施方案中，只有四个多站式模块231A-231D，而不是如图2A所示的五个。因此，本领域技术人员应认识到任何数量的模块可以被包括并且仍然在所公开的主题的范围内。
图2C至2H示出了根据所公开的主题的多种实施方案的处理模块内的处理站布置的多种示例。如本领域技术人员所理解的，专利附图不是按比例绘制的。因此，本领域的普通技术人员应认识到，每个处理站布置的宽度和/或长度可以根据需要改变以适应特定的处理工具。本领域技术人员还应认识到图2C到2H的处理站布置的多种示例的任何组合可以根据特定处理工具的需要使用。这些组合可用于最小化总体占地面积、将各种工艺组合到一个工具中，或用于技术人员所理解的各种其他原因。
图2C示出了具有两个处理站203的多站式模块241的双站配置240。图2D示出了具有三个处理站203的多站式模块251的第一种三站配置250。图2E示出了具有三个处理站203的多站式模块261的第二种三站配置260。在阅读和理解所公开的主题后，本领域普通技术人员应认识到，例如，第一种三站配置250和第二种三站配置260可以布置成彼此非常靠近，从而再次减少使用这种处理站配置的处理工具的总体占地面积。
图2F示出了具有五个处理站203的多站式模块271的五站配置270。图2G示出了具有六个处理站203的多站式模块281的六站配置280。图2H示出了具有七个处理站203的多站式模块291的七站配置290。
图2C到2H的处理模块内的处理站布置的各种示例仅作为示例提供。本领域技术人员应认识到，除了所示出的那些之外，处理站的各种数量和布置可以被考虑并且仍然在所公开的主题的范围内。
图3A示出了具有处理站203的正方形布置323的多站式半导体处理工具300的剖视平面图的示例性实施方案。半导体处理工具300显示为包含多个多站式模块301A–301D。尽管多个多站式模块301A-301D被显示为具有彼此相对以一定角度张开的各个模块，但并非意在进行这种角度限制。即，多站式模块301A-301D可以布置成使得一个模块的至少一个边缘平行于模块中的至少一个其他模块。如图所示，室传送端口325A-325D位于真空传送模块321和每个多站式模块301A-301D之间。
半导体处理工具300还被显示为包括附加处理站，其包括第一处理站307、第二处理站309A和第三处理站309B。附加处理站307、309A、309B各自位于真空传送模块321内，因此可经受高真空环境(例如，几托或更低)。尽管显示了三个处理站，但在阅读和理解所公开的主题后，本领域的普通技术人员应认识到真空传送模块321内可包含更多或更少的处理站。例如，在示例性的实施方案中，真空传送模块321内可包含一个、两个、四个、五个或更多个处理站。三个处理站仅作为示例示出以说明所公开的主题的其他方面。
类似于或相同于图2A的半导体处理工具200，每个衬底都由位于深度减小的EFEM311内的线性ATR 617装载到半导体处理工具300中。线性ATR 617从多个衬底载具中的一个载具一次至少装载一个衬底211到传送站313上。传送站313可以与图2A和2B的传送站213、207、233、237相同或相似。
半导体处理工具300还被显示为包括更靠近传送站313的前真空传送机械手(VTR)305A以及位于半导体处理工具300后部的后VTR 305B。本领域技术人员应理解，前VTR 305A和后VTR 305B被示意性地描绘为圆圈，以免与所公开的主题的其他部件混淆。前VTR 305A和后VTR 305B可以与图2A和2B的真空传送机械手205A、205B、235A、235B相同或相似。前VTR305A可以将衬底从传送站313传送到处理站203之一。替代地，前VTR 305A可以将衬底传送到处理站307、309A、309B之一。以类似的方式，后VTR 305B可以将衬底从例如处理站307、309A、309B之一传送到处理站203之一。替代地，前VTR 305A可以将衬底从处理站203之一传送到处理站307、309A、309B之一。在另一种可能的传送组合中，前VTR 305A可以将衬底从一个处理站203传送到另一个处理站203。
在特定的示例性实施方案中，第一处理站307包括预清洁站。在半导体处理操作中经常采用预清洁操作以从衬底的一个(或多个表面)去除例如天然氧化物(例如，在硅晶片上的)和其他杂质。
在具体的示例性实施方案中，第二处理站309A和第三处理站309B各自包括脱气站。在示例性脱气操作中，在进入真空传送模块321的高真空环境之后，衬底可以在第二处理站309A或第三处理站309B处经历解吸步骤。脱气操作可以在惰性气体环境(例如，氩气(Ar))中进行，并且可以在比处理序列中的其他操作显著更高(例如，高约50℃至约100℃)的温度下进行。通常，脱气操作可以去除气态和/或液态物质，例如衬底上的水分和膜。
在诸如预清洁和脱气操作之类的操作中，通过抽空真空传送模块321来实现一定程度的真空(例如，几托或更低的压强)。总的来说，包括真空传送模块321内的附加类型的处理站增加了显著的处理衬底的处理能力并且大大提高了衬底吞吐量。
在多种实施方案中，附加处理站(例如，第一处理站307、第二处理站309A和第三处理站309B)可以被配置为执行除预清洁或脱气操作之外的功能。在多种实施方案中，一个或多个附加处理站也可以被配置为执行后处理操作。后处理操作可以包括例如快速热退火和本领域普通技术人员已知的其他工艺。在多种实施方案中，一个或多个附加处理站可以交替地配置以执行预处理和后处理操作。
图3B显示了具有菱形布置的处理站的多站式半导体处理工具330的剖视平面图的示例性实施方案。根据所公开的主题的实施方案，半导体处理工具300包括位于真空传送模块321内的附加处理站337、339A、339B。处理站337、339A、339B提供显著的额外处理能力，如上文参考图3A所述的。也如参考图3A所描述的那样，虽然显示了三个附加处理站，但在阅读和理解所公开的主题后，本领域的普通技术人员应认识到，在真空传送模块321中可以包含更多或更少的额外处理站。例如，在示例性实施方案中，真空传送模块321内可包含一个、两个、四个、五个或更多个处理站。三个处理站仅作为示例示出以说明所公开的主题的附加方面。如上文参考图3A所述的，并且在特定示例性实施方案中，第一处理站337包括预清洁站。第二处理站309A和第三处理站309B可各自包括脱气站。在其他实施方案中，处理站307、309A、309B中的至少一个可以包括后处理站。在其他实施方案中，处理站307、309A、309B可以交替地包括预处理和后处理操作。
此外，如图所示，室传送端口325A-325E位于真空传送模块321和每个多站式模块331A-331E之间。类似于或相同于图3A的半导体处理工具300，每个衬底都由位于深度减小的EFEM311内的线性ATR 617装载到半导体处理工具330中。线性ATR 617从多个衬底载具211中的一个载具一次至少装载一个衬底到传送站333上。在诸如预清洁和脱气操作之类的操作中，通过抽空真空传送模块321来实现一定程度的真空(例如，几托或更低的压强)。
半导体处理工具330还被显示为包括前真空传送机械手(VTR)335A和后VTR 335B。本领域技术人员应理解，前VTR 335A和后VTR 335B被示意性地描绘为圆圈，以免与所公开的主题的其他部件混淆。前VTR 335A和后VTR 335B可以与图3A的真空传送机械手305A、305B相同或相似。
多站式模块331A-331E中的每一个内的处理站203的菱形布置215(见图2A)使得与图3A的正方形布置323可能有的放置相比，模块中的相邻模块能放置得彼此更靠近。继续参考图3B，本领域的普通技术人员应认识到，基于处理站203的菱形布置，模块中的相邻模块(例如位于半导体处理工具330的一部分处的距离深度减小的EFEM311最远(最远意味着在工具的后部；如页面顶部附近所示)的多站式模块331A、331E、331D)可以放置得比图1的四站式模块101A–101D更靠近彼此。即，菱形布置允许模块的一部分具有成角度的外表面227(参见图2A)。成角度的外表面227允许模块具有增加的封装密度——多站式模块331A-331E可以一起放置在更小的占地面积中，同时在每个模块中仍然包括相同数量的处理站203。
图3C示出了多站式半导体处理工具370的剖视平面图的示例性实施方案，其具有处理站203的正方形布置323和菱形布置215。由于处理站203的正方形布置323和菱形布置215，因此半导体处理工具370可以被认为具有处理站的混合布置。
根据所公开的主题的实施方案，半导体处理工具370被显示为包括位于真空传送模块321内的附加处理站377、379A、379B。附加处理站377、379A、379B提供显著的额外处理能力，如上文参考图3A所述。也如参考图3A所描述的那样，虽然显示了三个附加处理站，但在阅读和理解所公开的主题后，本领域的普通技术人员应认识到，在真空传送模块321中可以包含更多或更少的额外处理站。例如，在示例性实施方案中，真空传送模块321内可包含一个、两个、四个、五个或更多个处理站。三个处理站仅作为示例示出以说明所公开的主题的附加方面。如上文参考图3A所述，并且在特定的示例性实施方案中，第一处理站377包括预清洁站。第二处理站379A和第三处理站379B可各自包括脱气站。附加处理站377、379A、379B中的一个或多个也可布置成执行后处理操作或交替地执行预处理和后处理操作。
此外，如图所示，室传送端口325A-325E位于真空传送模块321和每个多站式模块371A-371E之间。类似于或相同于图3A的半导体处理工具300，每个衬底都由位于深度减小的EFEM311内的线性ATR 617装载到半导体处理工具370中。线性ATR 617一次从多个衬底载具211之一装载至少一个衬底到传送站373上。在例如预清洁和脱气操作之类的操作中，通过抽空真空传送模块321来实现一定程度的真空(例如，几托或更低的压强)。
半导体处理工具370还被显示为包括前真空传送机械手(VTR)375A和后VTR 375B。本领域的技术人员应理解，前VTR 375A和后VTR 375B被示意性地描绘为圆圈，以免与所公开的主题的其他部件混淆。前VTR 375A和后VTR 375B可以与图3A的真空传送机械手305A、305B相同或相似。
多站式模块371A、371B、371C中的每一个内的处理站203的菱形布置215使得与图3A的正方形布置323可能有的放置相比，模块中的相邻模块能放置得彼此更靠近。继续参考图3C，本领域的普通技术人员应认识到，基于处理站203的菱形布置215，模块中的相邻模块(例如位于半导体处理工具370的一部分处的距离深度减小的EFEM311最远(最远意味着在工具的后部；或者在页面顶部附近)的多站式模块371A、371B、371C)可以放置得比图1的多站式模块381A、381B更靠近彼此。即，菱形布置215允许模块的一部分具有成角度的外表面227(参见图2A)。成角度的外表面227允许模块具有增加的封装密度——多站式模块371A–371C可以一起放置在更小的占地面积中，同时在每个模块中仍然包括相同数量的处理站203。
现在参考图4A，示出了半导体处理工具400，其包括双层装载锁和传送站401(或衬底传送端口)。半导体处理工具400是符合如上文参考图2A到3C所描述的所公开的主题的多种实施方案的。本领域的普通技术人员应理解其中一个传送站位于另一个传送站上方。因此，双层装载锁和传送站401具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于比第一x-y平面更高或更低的第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站。因此，传送站中的一个未在图4A的平面图中明确示出。半导体处理工具400在其他方面可以与例如图3B的半导体处理工具330相同。然而，双层装载锁和传送站401可与本文所示和描述的所公开的主题的任何半导体处理工具一起使用。总体上，本领域技术人员应认识到双层装载锁和传送站401可以显著增加衬底吞吐量。
图4B显示了半导体处理工具430的示例性实施方案，其包含串联的双层装载锁和传送站。串联的双层装载锁和传送站包括成对的左侧(一个在另一个的上方)传送站431L和成对的右侧(一个在另一个的上方)传送站431R(或衬底传送端口)。半导体处理工具430是符合如上文参考图2A到3C所描述的所公开的主题的实施方案的。本领域的普通技术人员应理解，由于其中一个传送站位于另一个传送站的上方，因此该成对的传送站中的每个传送站未在图4B的平面图中明确示出。因此，双层装载锁和传送站431L和431R各自具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于高于或低于第一x-y平面的第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站。半导体处理工具430在其他方面可以与例如图3B的半导体处理工具330相同。然而，串联的双层装载锁和传送站431L、431R可以与本文所示和描述的所公开的主题的任何半导体处理工具一起使用。总体上，本领域的技术人员将认识到串联的双层装载锁和传送站431L、431R可以显著增加衬底吞吐量。本领域的技术人员将进一步认识到可以并排或一个在另一个的上方地使用多于两个的双层装载锁和传送站。
图4C示出了根据所公开的主题的实施方案的指示不同层上的衬底传送路径的半导体处理工具450的示例性实施方案。图4C的半导体处理工具450可以根据图4B的半导体处理工具430来考虑。在图4B中，双层装载锁和传送站431L和431R各自具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于高于或低于第一x-y平面的第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站。在图4C中，参考下面的描述，可以认为各种衬底传送路径位于高于或低于第二x-y平面的第一x-y平面中。因此，位于真空传送模块内的各种相关联的真空传送机械手和处理站也可以被认为是在第一x-y平面或第二x-y平面中。因此，位于真空传送模块内的各种真空传送机械手和处理站将在下文参考图4C描述，因为其处于与衬底传送路径基本相同的x-y平面内的水平。
例如，在一个特定的示例性实施方案中，衬底可以从线性ATR617经由第一传送路径451传送到传送站313的较低层版本(未明确示出)。衬底然后可以通过前VTR 305A的较低层版本从传送站313的较低层版本被传送到以下任一个：(1)多站式模块301B的较低层处理站之一，其中经由第二传送路径453；(2)多站式模块301C的较低层处理站之一，其中经由第三传送路径455；(3)第一处理站307的较低层实现方案，其中经由第四传送路径461；(4)第二处理站309A的较低层实现方案，其中经由第五传送路径457；或(5)第三处理站309B的较低层实现方案，其中经由第六传送路径459。
以类似的方式，然后可以通过后VTR 305B的较低层版本将衬底从第一处理站307的较低层版本传送到以下任一个：(1)多站式模块301A的较低层处理站中的一个站，其中经由第七传送路径467和第八传送路径469；(2)多站式模块301D中的较低层处理站中的一个站，其中经由第七传送路径467与第九传送路径471；(3)第二处理站309A的较低层实现方案，其中经由第十传送路径463；或(4)第三处理站309B的较低层实现方案，其中经由第十一传送路径465。
在阅读和理解所公开的主题后，本领域的普通技术人员应认识到，每个传送路径也可以以本文未明确详述的其他组合使用。本领域的技术人员也将认识到图4C的多层配置也能扩展到两个以上的层。例如，多层配置可以扩展到三层、四层或更多层并且仍然被认为在所公开的主题的范围内。
在多种实施方案中，第一处理站390、第二处理站309A和第三处理站309B的较低层实现方案中的每一者可以与图3A的第一处理站390、第二处理站309A和第三处理站309B相同或相似。在多种实施方案中，第一处理站390、第二处理站309A和第三处理站309B的较低层实现方案中的每者可以不同于图3A的第一处理站390、第二处理站309A和第三处理站309B或者尤其(inter alia)被布置成其替代配置。
图5A显示出包含图1的半导体处理工具100的典型占地面积的尺寸500的示例。大部分或全部半导体处理工具位于设备槽内。主要只有衬底载具位于制造环境501内(例如，工艺工程师在其中与工具交互的洁净室)。尺寸比率的例子示于下表I中。
Figure BDA0004000147340000151
表I
图5B和5C示出了尺寸比的示例，其包括根据图2A到图4B的某些示例中所提供的所公开的主题的多种实施方案所讨论的工具布置的占地面积。参考现有技术的表I中所示的尺寸比提供尺寸比。例如，参考图5B的尺寸530，尺寸的示例比显示于下表II中。然而，本领域的普通技术人员将容易理解这些仅是示例。因此，提供这些示例比仅仅是为了帮助理解通过并入所公开的主题的至少某些方面而可能增加的处理站密度。
Figure BDA0004000147340000152
表II
参考图5C的尺寸570，显示了以图4B的半导体处理工具430作为示例的图，其尺寸比如下表III所示，与现有技术的表I所示的尺寸比进行比较。同样，本领域的普通技术人员将容易理解这些只是示例。因此，提供这些示例比仅仅是为了帮助理解通过并入所公开的主题的至少某些方面而可能增加的处理站密度。
在该示例中，半导体处理工具430位于设备槽内。主要只有衬底载具位于制造环境501内，除了可以位于制造环境501中的模块的一部分571之外。
Figure BDA0004000147340000161
表III
同时参考图5A至5C，在阅读和理解所公开的主题后，本领域的普通技术人员应认识到使用菱形布置的各种工具布置可以增加多种实施方案中的处理站的密度。在其他实施方案中，附加处理站(例如，真空传送模块内的预清洁和脱气站)可以显著增加处理衬底的处理能力并大大提高衬底产量。在其他实施方案中，菱形布置和附加处理站的组合可以增加处理站的密度和/或通过并入附加处理站来增加显著的处理能力。
图6A和6B分别显示了大气传送机械手(ATR)617的示例性平面图和正视图，该大气传送机械手(ATR)617与深度减小的设备前端模块(EFEM)600兼容，其可以与所公开的主题的多种实施方案一起使用。
参考图6A的示例性平面图601A和图6B的正视图601B，线性ATR 617可以安装到EFEM 600内的一根或多根竖直导轨603。一根或多根竖直导轨603又安装在水平导轨601上。线性ATR 617被配置成沿竖直轨道603上的竖直Z方向升高和降低。例如，线性ATR 617可以安装在竖直轨道603中的槽(未明确示出但本领域普通技术人员可以理解)中。相反，线性ATR 617被配置成沿着水平轨道601在竖直轨道603上在水平X方向上滑动。因此，线性ATR617的位置可以在Z方向和X方向上调整以提供对多个装载锁615和包含衬底载具211的装载站(参见图2A，如果图6A或6B则未明确示出)的访问。装载站和多个装载锁615都可以处于不同的高度(在Z方向上的不同水平)。
在一个示例中，线性ATR 617包括两个臂613。在图6A中，两个臂613中的一个与另一个重叠(两个臂613的折叠配置)。两个臂613中的每一个包括臂段605和末端执行器607。在多种实施方案中，两个臂613中的一个可以比另一个长。此外，虽然显示了两个臂，但本领域的技术人员在阅读和理解所公开的主题后将认识到可以在各种配置中使用单个臂或两个以上的臂。在多种实施方案中，两个臂613中的一个可以比另一个长，具体取决于例如EFEM 600相对于衬底载具211中的各个衬底载具211(例如，参见图2A)以及多个装载锁615的整体布置。
当两个臂613处于如图所示的折叠配置时，线性ATR 617相对于EFEM 600具有相对窄的轮廓(例如，与正在传送的衬底的尺寸相比)。因此，EFEM 600被配置成容纳多个装载锁615的至少一部分和相应的真空门(未明确示出)。
在多种实施方案中，EFEM 600可以包括集成衬底对准器609。在该示例中，两个臂613中的一个具有比另一个更长的总长度使得当线性ATR 617处于图6A所示的折叠配置时，末端执行器607中的相应末端执行器能被定位在集成衬底对准器609上方。例如，臂段605和末端执行器607的相对长度允许相对线性的折叠配置，其中臂段605、末端执行器607和集成衬底对准器609布置在线611上(即，与611线同轴)。
继续参考图6A和图6B，两个臂613中的每一个都可以安装在竖直导轨603的相应一个的槽孔中。例如，竖直导轨603可以彼此独立地移动。换言之，虽然在图6A和6B中以紧凑布置示出(即，竖直导轨603相对靠近在一起)，但竖直导轨603中的一个可以移动到EFEM 600的与竖直导轨603中的另一个相对的一端。以这种方式，两个臂613中的相应的臂被配置为基本上同时访问不同的装载站和/或多个装载锁615。在其他示例中，EFEM 600可以仅包括竖直导轨603之一和两个臂613中的相应一个。
在一些示例中，尽管未明确示出，但通过线性ATR 617的配置实现的EFEM 600内的额外空间可以允许额外的衬底处理和传送系统部件位于EFEM 600内。例如，部件(包括但不限于，计量站、存储缓冲器、凹口对准站、边缘环存储装置等)可以位于EFEM 600中。在一个示例中，当两个臂613处于折叠配置时，线性ATR 617占用的空间小于例如EFEM 600总深度的50％。
如本文中所使用的，术语“或”可以以包含或排除方式解读。此外，本领域普通技术人员基于阅读和理解所提供的公开内容应当理解其他实施方案。此外，本领域普通技术人员应当容易理解，本文中所提供的技术及示例的各种组合皆可以各种组合应用。
在整个本说明书中，多个实例可将所述的部件、操作、或结构实现为单一实例。虽然各个操作被例示及说明为单独的操作，但所述各个操作中的一或多者可同时进行，因此除非特别指出，否则操作不必以所示的顺序进行。在示例性配置中被显示为单独的部件的结构及功能可以以组合结构或部件实现。类似地，被显示为单一部件的结构及功能可以单独的部件实现。这些和其他变化、修改、添加和改善都落在本文所述的主题的范围内。
此外，虽然未明确示出但本领域技术人员可以理解，图2A到图4B中描述的真空传送机械手中的每一个都包括多层传送功能。因此，每个VTR都可以包括扩展的z轴运动范围。因而，传送站、装载锁室、处理站和相关部件中的每一者也可以是多层设计。此外，尽管没有明确示出但本领域普通技术人员在阅读和理解所公开的主题后可认识到，上述每个真空传送模块可仅具有单个VTR。在其他实施方案中，三个或更多个VTR可用于每个真空传送模块中。因此，上述每个示例性实施方案可以在每个真空传送模块中包含一个或多个VTR。此外，这里显示和描述的每个示例性实施方案仅代表一种可能的配置并且不应被视为限制本公开的范围。
所公开的主题的每个真空传送机械手可以是能够在处理期间移动衬底的任何合适的机械手。在一些实施方案中，真空传送机械手可以具有多个臂。多个臂中的每一个都可以独立于其他臂移动。多个臂中的每一个都可以在x-y平面和/或沿z轴独立移动(从而覆盖多个x-y平面)。
另外，尽管真空传送模块的四个侧面或六个侧面被示出，但是本领域技术人员应理解真空传送模块可以有任何合适数量的侧面，具体取决于例如半导体处理工具的整体配置。
此外，每个衬底载具可以保持多个衬底，这些衬底被处理并返回到衬底载具。替代地，衬底载具中的一个可保持未处理的衬底，这些衬底在处理之后被移动到另一个衬底载具。
在多种实施方案中，附加处理站(例如，第一处理站307、第二处理站309A和第三处理站309B)可以被配置为执行除预清洁或脱气操作之外的功能。在多种实施方案中，一个或多个附加处理站也可以被配置为执行后处理操作。在多种实施方案中，一个或多个附加处理站可以交替地配置以执行预处理操作和后处理操作。
虽然分别讨论了各种实施方案，但这些单独的实施方案不旨在被视为是独立的技术或设计。如上所述，各种部分中的每一者可以相互关联的且可分离使用或与本文中所讨论的本公开的主题的其他实施方案组合使用。例如，虽然已说明操作、系统和工艺的各种实施方案，但这些方法、操作、系统和工艺可单独使用或以各种组合的方式使用。
因此，本领域普通技术人员在阅读和理解本文中所提供的内容时将明白，可进行许多修改及变化。除了本文中列举的之外，本领域技术人员根据前面的说明应当能明白在本公开的范围内的功能等效的方法和设备。某些实施方案中的部分及特征可被包含于其他实施方案中的部分及特征中或被其他实施方案中的部分及特征所取代。此类修改及变化旨在落在所附权利要求的范围内。因此，本公开仅会受到随附的权利要求以及此类权利要求所应享有的等同方案的全范围所限制。还应理解，本文中所使用的术语仅用于说明特定实施方案的目的且不应是限制性的。
提供本公开的摘要以使读者能快速了解本公开的技术内容的本质。提交摘要应理解，其不是用于解释或限制权利要求。此外，在前文具体实施方式中可见各种特征被组合在单一实施方案中以用于精简本公开内容。本公开的方法不应被解读为限制权利要求。因此，下面的权利要求被并入具体实施方式中，其中每一权利要求独自地作为单独的实施方案。
以下编号的实施例是所公开的主题的具体示例性实施方案
实施例1：所公开的主题的实施方案描述了一种半导体处理工具，其包括多个多站式模块和多个处理站。所述多个处理站中的至少一些在所述多个多站式模块中的至少一些中以菱形布置组织。真空传送模块耦合到所述多站式模块中的每一个，所述真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于所述多个处理站中的至少一个传送。至少一个附加处理站定位于所述真空传送模块中。
实施例2：根据实施例1所述的半导体处理工具，其中，在不包含以所述菱形布置组织的所述处理站的所述多个多站式模块的其余部分中，所述多个处理站的其余部分以正方形布置组织。
实施例3.根据实施例1或实施例2所述的半导体处理工具，其还包括位于所述多个多站式模块中的至少一些相邻模块之间的至少一个维护孔特征。
实施例4.根据前述实施例中的任一个所述的半导体处理工具，其还包括至少一个附加处理站，该至少一个附加处理站位于与该至少一个附加处理站不同的层处的真空传送模块中。
实施例5.根据前述实施例中的任一个所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站能由所述真空传送模块内的所述一个或多个真空传送机械手中的任一个访问。
实施例6.根据实施例4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括预清洁站。
实施例7.根据实施例4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括脱气站。
实施例8.根据实施例4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括后处理站。
实施例9.根据实施例4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括被配置成在预清洁站与后处理站之间交替的站。
实施例9.根据实施例4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括三个站。
实施例10.根据实施例9所述的半导体处理工具，其中所述三个站包括至少一个预清洁站和至少一个脱气站。
实施例11.根据前述实施例中的任一个所述的半导体处理工具，其还包括双层装载锁和传送站，所述双层装载锁和传送站具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一x-y平面。
实施例12.根据前述实施例中的任一个所述的半导体处理工具，其还包括串联的双层装载锁和传送站，该串联的双层装载锁和传送站包括成对的左侧传送站和成对的右侧传送站。所述成对的左侧传送站和所述成对的右侧传送站各自都具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站。所述第二x-y平面高于或低于所述第一个x-y平面。
实施例13.所公开的主题的实施方案描述了一种半导体处理工具，其包括：多个多站式模块；位于所述多个多站式模块中的每一个中的多个处理站。真空传送模块耦合到所述多站式模块中的每一个。所述真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于所述多个处理站中的至少一个传送。至少一个附加处理站位于所述真空传送模块中。
实施例14.根据实施例13所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站能由所述真空传送模块内的所述一个或多个真空传送机械手中的任一个访问。
实施例15.根据实施例13或实施例14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括预清洁站。
实施例16.根据实施例13至实施例15中的任一个所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括脱气站。
实施例17.根据实施例13至实施例16中的任一个所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括后处理站。
实施例18.根据实施例13至实施例17中的任一个所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括被配置成在预清洁站与后处理站之间交替的站。
实施例19.根据实施例13至实施例18中的任一个所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括三个站。
实施例20.根据实施例19所述的半导体处理工具，其中所述三个站包括至少一个预清洁站和至少一个脱气站。
实施例21.根据实施例19所述的半导体处理工具，其中所述多个处理站中的至少一些在所述多个多站式模块中的至少一些中以菱形布置组织。
实施例22.所公开的主题的实施方案描述了一种半导体处理工具，其包括多个多站式模块和多个处理站的混合布置。所述多个处理站的所述混合布置中的至少一些在所述多个多站式模块中的至少一些中以菱形布置组织。在不包含以所述菱形布置组织的所述处理站的所述多个多站式模块的其余部分中，所述多个处理站的所述混合布置的其余部分以正方形布置组织。真空传送模块耦合到所述多站式模块中的每一个。所述真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于所述多个处理站中的至少一个传送。多个附加处理站位于所述真空传送模块中。
实施例23.根据实施例22所述的半导体处理工具，其还包括至少一个附加处理站，其位于所述真空传送模块中。
实施例24.根据实施例22或实施例23所述的半导体处理工具，其还包括位于所述半导体处理工具的设备前端模块(EFEM)中的线性大气传送机械手。
实施例25.根据实施例22至24中的任一个所述的半导体处理工具，其还包括位于所述多个多站式模块中的至少一些相邻模块之间的至少一个维护孔特征。
实施例26.根据实施例22至25中的任一个所述的半导体处理工具，其还包括至少一个附加处理站，该至少一个附加处理站位于与该至少一个附加处理站不同的层处的真空传送模块中。
实施例27.根据实施例26所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站能由所述真空传送模块内的所述一个或多个真空传送机械手中的任一个访问。
实施例28.根据实施例26所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括预清洁站。
实施例29.根据实施例26所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括脱气站。
实施例30.根据实施例26所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括后处理站。
实施例31.根据实施例26所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括被配置成在预清洁站与后处理站之间交替的站。
实施例32.根据实施例26所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括三个站。
实施例33.根据实施例32所述的半导体处理工具，其中所述三个站包括至少一个预清洁站和至少一个脱气站。
实施例34.根据实施例22至33中的任一个所述的半导体处理工具，其还包括双层装载锁和传送站，所述双层装载锁和传送站具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一x-y平面。
实施例35.根据实施例23所述的半导体处理工具，其还包括串联的双层装载锁和传送站，该串联的双层装载锁和传送站包括成对的左侧传送站和成对的右侧传送站，所述成对的左侧传送站和所述成对的右侧传送站各自都具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一个x-y平面。

Claims (36)

1.一种半导体处理工具，其包括：
多个多站式模块；
多个处理站，所述多个处理站中的至少一些在所述多个多站式模块中的至少一些中以菱形布置组织；
真空传送模块，其耦合到所述多站式模块中的每一个，所述真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于所述多个处理站中的至少一个传送；以及
至少一个附加处理站，其位于所述真空传送模块中。
2.根据权利要求1所述的半导体处理工具，其中，在不包含以所述菱形布置组织的所述处理站的所述多个多站式模块的其余部分中，所述多个处理站的其余部分以正方形布置组织。
3.根据权利要求1所述的半导体处理工具，其还包括位于所述多个多站式模块中的至少一些相邻模块之间的至少一个维护孔特征。
4.根据权利要求1所述的半导体处理工具，其还包括至少一个附加处理站，该至少一个附加处理站位于与该至少一个附加处理站不同的层处的真空传送模块中。
5.根据权利要求4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站能由所述真空传送模块内的所述一个或多个真空传送机械手中的任一个访问。
6.根据权利要求4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括预清洁站。
7.根据权利要求4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括脱气站。
8.根据权利要求4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括后处理站。
9.根据权利要求4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括被配置成在预清洁站与后处理站之间交替的站。
10.根据权利要求4所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括三个站。
11.根据权利要求10所述的半导体处理工具，其中所述三个站包括至少一个预清洁站和至少一个脱气站。
12.根据权利要求1所述的半导体处理工具，其还包括双层装载锁和传送站，所述双层装载锁和传送站具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一x-y平面。
13.根据权利要求1所述的半导体处理工具，其还包括串联的双层装载锁和传送站，该串联的双层装载锁和传送站包括成对的左侧传送站和成对的右侧传送站，所述成对的左侧传送站和所述成对的右侧传送站各自都具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一个x-y平面。
14.一种半导体处理工具，其包括：
多个多站式模块；
位于所述多个多站式模块中的每一个中的多个处理站；
真空传送模块，其耦合到所述多站式模块中的每一个，所述真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于所述多个处理站中的至少一个传送；以及
至少一个附加处理站，其位于所述真空传送模块中。
15.根据权利要求14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站能由所述真空传送模块内的所述一个或多个真空传送机械手中的任一个访问。
16.根据权利要求14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括预清洁站。
17.根据权利要求14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括脱气站。
18.根据权利要求14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括后处理站。
19.根据权利要求14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括被配置成在预清洁站与后处理站之间交替的站。
20.根据权利要求14所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括三个站。
21.根据权利要求20所述的半导体处理工具，其中所述三个站包括至少一个预清洁站和至少一个脱气站。
22.根据权利要求20所述的半导体处理工具，其中所述多个处理站中的至少一些在所述多个多站式模块中的至少一些中以菱形布置组织。
23.一种半导体处理工具，其包括：
多个多站式模块；
多个处理站的混合布置，所述多个处理站的所述混合布置中的至少一些在所述多个多站式模块中的至少一些中以菱形布置组织，以及在不包含以所述菱形布置组织的所述处理站的所述多个多站式模块的其余部分中，所述多个处理站的所述混合布置的其余部分以正方形布置组织；
真空传送模块，其耦合到所述多站式模块中的每一个，所述真空传送模块具有一个或多个真空传送机械手以将衬底往来于所述多个处理站中的至少一个传送；以及
多个附加处理站，其位于所述真空传送模块中。
24.根据权利要求23所述的半导体处理工具，其还包括至少一个附加处理站，其位于所述真空传送模块中。
25.根据权利要求23所述的半导体处理工具，其还包括位于所述半导体处理工具的设备前端模块(EFEM)中的线性大气传送机械手。
26.根据权利要求23所述的半导体处理工具，其还包括位于所述多个多站式模块中的至少一些相邻模块之间的至少一个维护孔特征。
27.根据权利要求23所述的半导体处理工具，其还包括至少一个附加处理站，该至少一个附加处理站位于与该至少一个附加处理站不同的层处的真空传送模块中。
28.根据权利要求27所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站能由所述真空传送模块内的所述一个或多个真空传送机械手中的任一个访问。
29.根据权利要求27所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括预清洁站。
30.根据权利要求27所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括脱气站。
31.根据权利要求27所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括后处理站。
32.根据权利要求27所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括被配置成在预清洁站与后处理站之间交替的站。
33.根据权利要求27所述的半导体处理工具，其中所述至少一个附加处理站包括三个站。
34.根据权利要求33所述的半导体处理工具，其中所述三个站包括至少一个预清洁站和至少一个脱气站。
35.根据权利要求23所述的半导体处理工具，其还包括双层装载锁和传送站，所述双层装载锁和传送站具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一x-y平面。
36.根据权利要求23所述的半导体处理工具，其还包括串联的双层装载锁和传送站，该串联的双层装载锁和传送站包括成对的左侧传送站和成对的右侧传送站，所述成对的左侧传送站和所述成对的右侧传送站各自都具有位于第一x-y平面中的第一层装载锁和位于第二x-y平面中的第二双层装载锁和传送站，所述第二x-y平面高于或低于所述第一个x-y平面。
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