CN115799174A - 切割道的形成方法及形成装置、计算机可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种切割道的形成方法，用于形成定义晶圆的切割中的切割轨迹的切割道，该方法包括：获取多个芯片在晶圆上的排布图纸，排布图纸包括多个芯片在晶圆上的排布信息，排布信息中定义了多排芯片沿第一方向间隔排列，每排芯片包括沿第二方向间隔排列的至少一个芯片，第二方向与第一方向垂直；读取排布图纸中的排布信息；形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，第一内切割道位于每相邻两排芯片之间并延伸至晶圆的相对两端；以及形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，第二内切割道位于每一排的相邻芯片之间。本发明提供的切割道的形成方法，通过读取图纸中多个芯片在晶圆上的排布信息自动形成切割道，减少人工操作。

Description

切割道的形成方法及形成装置、计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种切割道的形成方法及形成装置、计算机可读存储介质。

背景技术

在半导体芯片封装工艺中，需要对晶圆进行切割以得到独立的芯片。在切割晶圆之前，需要在晶圆上的相邻芯片之间划分切割道，使得在使用激光进行切割时，激光可沿着切割道对晶圆进行切割。目前切割道的制作方法是根据多个芯片在晶圆上的排布图纸手动画切割道，效率较低。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种切割道的形成方法、切割道形成装置以及计算机可读存储介质，可根据图纸自动形成切割道，而减少人工操作并提高晶圆切割的效率。

一种切割道的形成方法，用于形成定义晶圆的切割中的切割轨迹的切割道，所述晶圆上生长有多个芯片，所述切割道的形成方法包括：获取所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸，所述排布图纸包括所述多个芯片在所述晶圆上的排布信息，所述排布信息包括芯片的布局信息，所述布局信息中定义了多个芯片呈多排排列的布局情况，其中，多排芯片沿第一方向间隔排列，每排芯片包括沿第二方向间隔排列的至少一个芯片，所述第二方向与所述第一方向垂直；读取所述排布图纸中的排布信息；根据所述读取的排布信息，形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，所述第一内切割道位于每相邻两排芯片之间并延伸至所述晶圆的相对两端；以及根据所述读取的排布信息，形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，所述第二内切割道位于每一排的相邻芯片之间。

上述切割道的形成方法，通过读取所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸中所述多个芯片的排布信息自动形成位于每相邻两排芯片之间的第一内切割道以及位于每一排相邻芯片之间的第二内切割道。

可选地，在所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道之前，所述方法还包括：获取所述多个芯片的坐标信息，包括：以所述晶圆的排布有所述多个芯片的表面的预设位置为坐标原点，以所述第二方向为坐标横轴，以所述第一方向为坐标纵轴，在所述晶圆的表面建立平面直角坐标系，获取每一芯片的端点在所述平面直角坐标系中的坐标值，所述端点的坐标值包括所述端点的横坐标值和端点的纵坐标值，所述端点为每一芯片在所述晶圆上的正投影的端点。所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道；以及形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道；以及根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道。

可选地，所述方法还包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆的相对两端的第一边缘切割道，所述第一边缘切割道位于所述多排芯片在第一方向上的相对两侧。

可选地，所述方法还包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道，每一第二边缘切割道位于每一排芯片在第二方向上的相对两侧。

可选地，所述排布信息还包括相邻两个芯片的间距，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道；其中，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道，进一步包括：选择相邻的两排芯片在第一方向上分别包括的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片的端点的纵坐标值大于所述第二芯片的端点的纵坐标值，所述第一芯片的第一边与第二芯片的第二边靠近，所述第一芯片和第二芯片为所述相邻的两排芯片中在第一方向上相邻的任意两个芯片；根据所述第一边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第一边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第一边上的端点的纵坐标值减去一半的所述第一芯片与第二芯片的间距，或者，根据所述第二边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第二边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第二边上的端点的纵坐标值加上一半的所述第一芯片与第二芯片的间距；从所述第一起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第一内切割道。

可选地，所述排布信息还包括相邻两个芯片的间距，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在第二方向上每相邻的两个芯片之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道；其中，在第二方向上每相邻的两个芯片之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道，进一步包括：选择在第二方向上相邻的第三芯片和第四芯片，其中，所述第三芯片的端点的横坐标值小于所述第四芯片的端点的横坐标值，所述第三芯片的第三边与第四芯片的第四边靠近，所述第三芯片和第四芯片为在第二方向上正对的任意两个芯片；根据所述第三边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第三边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第三边上的端点的横坐标值加上一半的所述第三芯片与第四芯片的间距，或者，根据所述第四边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第四边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第四边上的端点的横坐标值减去一半的所述第三芯片与第四芯片的间距；从所述第二起始点沿所述第一方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第二内切割道。

可选地，在确定所述多个第二内切割道中的至少一个第二内切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第五边上的端点的纵坐标值小于所述至少一个第二内切割道的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道的第一目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道，所述至少一个第二内切割道的第一目标部分为所述至少一个第二内切割道中纵坐标值小于位于所述至少一个第二内切割道的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第二内切割道的第二起始点的边；或者，在确定所述多个第二内切割道中的至少一个第二内切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第五边上的端点的纵坐标值大于所述至少一个第二内切割道的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道的第二目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道，所述至少一个第二内切割道的第二目标部分为所述至少一个第二内切割道中纵坐标值大于位于所述至少一个第二内切割道的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第二内切割道的第二起始点的边。

可选地，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆的相对两端的第一边缘切割道，包括：确定处于相对的两个边缘的第一排边缘芯片以及第二排边缘芯片，所述第一排边缘芯片的端点的纵坐标值大于所述第二排边缘芯片的纵坐标值；根据第一排边缘芯片中的第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第一子边缘切割道的第三起始点的坐标值，其中，所述第一目标芯片为所述第一排边缘芯片中的任一芯片，所述第三起始点的横坐标值等于所述第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的横坐标值，所述第三起始点的纵坐标值大于所述第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的纵坐标值，从所述第三起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第一子边缘切割道；根据第二排边缘芯片中的第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第二子边缘切割道的第四起始点的坐标值，其中，所述第二目标芯片为所述第二排边缘芯片中的任一芯片，所述第四起始点的横坐标值等于所述第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的横坐标值，所述第四起始点的纵坐标值小于所述第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的纵坐标值，从所述第四起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第二子边缘切割道。

可选地，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道包括：确定每一排芯片在第二方向上的相对两侧的第一边缘芯片和第二边缘芯片，所述第一边缘芯片的端点的横坐标值小于第二边缘芯片的端点的横坐标值；根据所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第三子边缘切割道的第五起始点的坐标值，所述第五起始点的纵坐标值等于所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的纵坐标值，所述第五起始点的横坐标值小于所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的横坐标值，从所述第五起始点沿第一方向延伸至所述晶圆的两端而形成所述第三子边缘切割道；根据所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第四子边缘切割道的第六起始点的坐标值，所述第六起始点的纵坐标值等于所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的纵坐标值，所述第六起始点的横坐标值大于所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的横坐标值，从所述第六起始点沿第一方向延伸至所述晶圆的两端而形成所述第四子边缘切割道。

可选地，所述方法还包括：在确定所述多个第三子边缘切割道中的至少一个第三子边缘切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第六边的端点的纵坐标值小于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第三子边缘切割道的第三目标部分而形成至少一个最终的第三子边缘切割道，所述第三目标部分为所述至少一个第三子边缘切割道的纵坐标值小于位于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点与所述第六边之间的第一内切割道的第一起始点的纵坐标值的部分，所述第六边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的边；或者，在确定所述多个第三子边缘切割道中的至少一个第三子边缘切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第六边的端点的纵坐标值大于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第三子边缘切割道的第四目标部分而形成至少一个最终的第三子边缘切割道，所述第四目标部分为所述至少一个第三子边缘切割道的纵坐标值大于位于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点与所述第六边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第六边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的边。

可选地，所述方法还包括步骤：生成所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸，包括：获取所述芯片的长度和宽度、所述晶圆的半径以及相邻芯片的间距；确定第一排芯片的芯片个数，并从所述晶圆的任一端沿第二方向设置第一排芯片，所述第一排芯片中相邻芯片的间距相等，所述第一排芯片在第二方向上的相对两端分别位于所述晶圆的相对两端，其中，所述第一排芯片远离所述晶圆中心的一侧与晶圆中心的距离大于所述晶圆半径与所述芯片的宽度之差；确定第二排芯片的芯片个数，并在所述第一排芯片的靠近所述晶圆中心的一侧沿第二方向设置所述第二排芯片，所述第二排芯片中相邻芯片的间距等于所述第一排芯片中相邻芯片的间距，并且等于所述第二排芯片与所述第一排芯片的间距；以及设置至第N排芯片，其中，每一排芯片中各芯片的对齐方式方向相同，每一排芯片的芯片个数为每一排芯片的最大可设置芯片个数。

可选地，所述确定第二排芯片的芯片个数，包括：所述第二排芯片的芯片的长度方向与所述第二方向平行时，根据第一公式

计算得出所述第二排芯片的芯片个数X₂，X₂为X₁的整数部分，其中，R为晶圆半径，P为第一排芯片的芯片个数，L为芯片的长度，W为芯片的宽度，G为相邻芯片的间距；所述第二排芯片的芯片的长度方向与所述第一方向平行时，根据第二公式

计算得出所述第二排芯片的芯片个数X₄，X₄为X₃的整数部分，其中，R为晶圆半径，P为第一排芯片的芯片个数，L为芯片的长度，W为芯片的宽度，G为相邻芯片的间距。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种切割道形成装置，所述切割道形成装置包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序用于供所述处理器调用后执行前述的切割道的形成方法。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于供调用后执行前述的切割道的形成方法。

附图说明

图1为本申请实施例提供的切割道的形成方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的多个芯片在晶圆上的排布示意图；

图3为本申请实施例提供的所形成的第一内切割道以及第二内切割道在晶圆上的位置示意图；

图4为本申请实施例提供的在晶圆上建立的平面直角坐标系的示意图；

图5为本申请实施例提供的第一内切割道的形成方法的流程图；

图6为本申请实施例提供的所形成的第一内切割道在晶圆上的位置示意图；

图7为本申请实施例提供的第二内切割道的形成方法的流程图；

图8为本申请实施例提供的所形成的第二内切割道在晶圆上的位置示意图；

图9为本申请实施例提供的第二内切割道穿过至少一个芯片时第二内切割道在晶圆上的位置示意图；

图10为本申请实施例提供的所形成的最终的第二内切割道在晶圆上的位置示意图；

图11为本申请另一实施例提供的第二内切割道穿过至少一个芯片时第二内切割道在晶圆上的位置示意图；

图12为本申请另一实施例提供的所形成的最终的第二内切割道在晶圆上的位置示意图；

图13为本申请实施例提供的第一边缘切割道的形成方法流程图；

图14为本申请实施例提供的所形成的第一边缘切割道在晶圆上的位置示意图；

图15为本申请实施例提供的第二边缘切割道的形成方法流程图；

图16为本申请实施例提供的所形成的第二边缘切割道在晶圆上的位置示意图；

图17为本申请实施例提供的第三子边缘切割道穿过至少一个芯片时第三子边缘切割道在晶圆上的位置示意图；

图18为本申请实施例提供的所形成的最终的第三子边缘切割道在晶圆上的位置示意图；

图19为本申请实施例提供的生成多个芯片在晶圆上的排布图纸的流程图；

图20为本申请实施例提供的切割道形成装置的结构框图。

附图标记说明：

10-芯片；20-晶圆；30-第一内切割道；40-第二内切割道；o-坐标原点；11-第一芯片；12-第二芯片；111-第一边；121-第二边；a-第一边的端点；b-第二边的端点；c-第一起始点；13-第三芯片；14-第四芯片；131-第三边；141-第四边；d-第三边的端点；e-第四边的端点；f-第二起始点；151-第五边；g、k-第五边的两个端点；41-第一目标部分；42-第二目标部分；51-第一子边缘切割道；52-第二子边缘切割道；60-第一排边缘芯片；70-第二排边缘芯片；16-第一目标芯片；17-第二目标芯片；81-第三子边缘切割道；82-第四子边缘切割道；m-第一目标芯片的远离晶圆中心的端点；t-第二目标芯片的远离晶圆中心的端点；q1-第三起始点；q2-第四起始点；18-第一边缘芯片；19-第二边缘芯片；181-第六边；811-第三目标部分；v-第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点；w-第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点；z1-第五起始点；z2-第六起始点；j、u-第六边的两个端点；200-切割道形成装置；201-存储器；202-处理器。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

本申请的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”、“第七”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序，另外，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

请一并参阅图1至图3，图1为本申请实施例提供的切割道的形成方法的流程图，图2为本申请实施例提供的多个芯片10在晶圆20上的排布示意图，图3为本申请实施例提供的所形成的第一内切割道30以及第二内切割道40在晶圆20上的位置示意图。所述切割道的形成方法用于形成定义所述晶圆20的切割中的切割轨迹的切割道，使得在使用激光或者红外光对所述晶圆20进行切割时，可沿所述切割道对所述晶圆20进行切割。如图1所示，所述切割道的形成方法包括以下步骤：

S101：获取多个芯片10在所述晶圆20上的排布图纸，所述排布图纸包括所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布信息，所述排布信息包括所述芯片10的布局信息，所述布局信息中定义了多个芯片10呈多排排列的布局情况，其中，多排芯片沿第一方向间隔排列，每排芯片包括沿第二方向间隔排列的至少一个芯片10，所述第二方向与所述第一方向垂直，如图2所示。其中，所述排布图纸为电子图档。

S102：读取所述排布图纸中的排布信息。

S103：根据所述读取的排布信息，形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道30，所述第一内切割道30位于每相邻两排芯片之间并延伸至所述晶圆20的相对两端，结果如图3所示。

S104：根据所述读取的排布信息，形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道40，所述第二内切割道40位于每一排的相邻芯片10之间，结果如图3所示。

本申请实施例提供的切割道的形成方法，通过读取所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布图纸中的排布信息，自动形成位于每相邻两排芯片之间的第一内切割道30以及位于每一排的相邻芯片10之间的第二内切割道40。

在一些实施例中，在所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道30之前，所述切割道的形成方法还包括：获取所述多个芯片10的坐标信息，包括：以所述晶圆20的排布有所述多个芯片10的表面的预设位置为坐标原点，以所述第二方向为坐标横轴，以所述第一方向为坐标纵轴，在所述晶圆20的表面建立平面直角坐标系，获取每一芯片10的端点在所述平面直角坐标系中的坐标值，所述端点的坐标值包括所述端点的横坐标值和端点的纵坐标值，所述端点为每一芯片10在所述晶圆20上的正投影的端点。

示例性地，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的在所述晶圆20的排布有芯片10的表面上建立的平面直角坐标系的示意图。如图4所示，本实施例中，以晶圆中心作为坐标原点o，以x轴作为坐标横轴以及y轴作为坐标纵轴建立平面直角坐标系，所述第二方向为x轴方向，所述第一方向为y轴方向。

其中，在一些实施例中，所述每一芯片10的端点在所述平面直角坐标系中的坐标值可根据所述排布信息得到，所述排布信息还包括所述芯片10呈长方体、所述芯片10的长度和宽度、每一排芯片的芯片个数、每一排芯片与所述晶圆中心的距离、相邻芯片10的间距以及相邻芯片10的对齐方式，所述芯片10的长度和宽度为所述芯片10在所述晶圆20上的正投影的长度和宽度，其中，根据所述排布信息计算得到每一芯片10的端点分别与所述坐标横轴和所述坐标纵轴的距离，以及根据所述排布信息得到每一芯片10的端点在所述平面直角坐标系中与所述坐标原点的相对位置，从而得到每一芯片10的端点的坐标值。

在一些实施例中，所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道30；以及形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道40，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道30；以及根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道40。

其中，形成多个第一内切割道30和形成多个第二内切割道40指的是得到所述多个第一内切割道30和多个第二内切割道40在所述晶圆20上的坐标信息。由于所述坐标信息包括的多个坐标点在所述晶圆20上形成相应的轨迹，从而，形成多个第一内切割道30和形成多个第二内切割道40也相当于确定了所述晶圆20上的待切割的多个切割道。进一步的说，切割设备可根据所述多个第一内切割道30的坐标信息在所述晶圆20上定位对应的多个第一内切割道，以沿着所述多个第一内切割道30进行定位切割，以及根据所述多个第二内切割道40的坐标信息在所述晶圆20上定位多个第二内切割道40，以沿着所述多个第二内切割道40进行定位切割。

在一些实施例中，所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道30，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道30，具体的，根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道30，而形成多个第一内切割道30。

请参阅图5，图5为本申请实施例提供的第一内切割道30的形成方法的流程图。如图5所示，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道30，包括以下步骤：

S1031：选择相邻的两排芯片在第一方向上分别包括的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片的端点的纵坐标值大于所述第二芯片的端点的纵坐标值，所述第一芯片的第一边与第二芯片的第二边靠近，所述第一芯片和第二芯片为所述相邻的两排芯片中在第一方向上相邻的任意两个芯片10。

S1032：根据所述第一边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道30的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第一边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第一边上的端点的纵坐标值减去一半的所述第一芯片与第二芯片的间距；或者，根据所述第二边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道30的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第二边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第二边上的端点的纵坐标值加上一半的所述第一芯片与第二芯片的间距。

S1033：从所述第一起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端而形成所述第一内切割道30。

示例性地，请参阅图6，图6为本申请实施例提供的所形成的第一内切割道30在晶圆20上的位置示意图。本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片和所述第四排芯片的芯片个数均为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第二排芯片与晶圆中心的距离等于所述第三排芯片与晶圆中心的距离并且为1mm，所述第一排芯片与晶圆中心的距离等于所述第四排芯片与晶圆中心的距离并且为23mm。

以晶圆中心作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值。从所述多排芯片中选择如图6所示的第一芯片11和第二芯片12，并根据所述第一芯片11的第一边111的端点a的坐标值以及所述第一芯片11与所述第二芯片12的间距确定所述第一起始点的坐标值。其中，所述端点a的横坐标值为1、纵坐标值为23，则确定所述第一起始点的横坐标值为1、纵坐标值为22，即得到如图6所示的第一起始点c，从所述第一起始点c沿x轴方向延伸至所述晶圆20的两端，即形成所述第一内切割道30。显然，也可以根据第一边111的另一端点的坐标值以及所述第一芯片11与所述第二芯片12的间距确定所述第一起始点的坐标值，其中，所述第一边111的另一端点的横坐标值为21、纵坐标值为23，则确定所述第一起始点的横坐标值为21、纵坐标值为22。

或者，根据所述第二芯片12的第二边121的端点b的坐标值以及所述第一芯片11与所述第二芯片12的间距确定所述第一起始点的坐标值，其中，所述端点b的横坐标值为1、纵坐标值为21，则确定所述第一起始点的横坐标值为1、纵坐标值为22，即得到如图6所示的第一起始点c，从所述第一起始点c沿x轴方向延伸至所述晶圆20的两端，即形成所述第一内切割道30。显然，也可以根据第二边121的另一端点的坐标值以及所述第一芯片11与所述第二芯片12的间距确定所述第一起始点的坐标值，其中，所述第二边121的另一端点的横坐标值为21、纵坐标值为21，则确定所述第一起始点的横坐标值为21、纵坐标值为22。

在一些实施例中，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道40，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在第二方向上每相邻的两个芯片10之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道40，而形成多个第二内切割道40。

请参阅图7，图7为本申请实施例提供的形成第二内切割道40的流程图。如图7所示，在第二方向上每相邻的两个芯片10之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道40，包括以下步骤：

S1041：选择在第二方向上相邻的第三芯片和第四芯片，其中，所述第三芯片的端点的横坐标值小于所述第四芯片的端点的横坐标值，所述第三芯片的第三边与第四芯片的第四边靠近，所述第三芯片和第四芯片为在第二方向上正对的任意两个芯片10。

S1042：根据所述第三边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道40的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第三边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第三边上的端点的横坐标值加上一半的所述第三芯片与第四芯片的间距；或者，根据所述第四边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道40的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第四边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第四边上的端点的横坐标值减去一半的所述第三芯片与第四芯片的间距。

S1043：从所述第二起始点沿所述第一方向延伸至所述晶圆20的相对两端而形成所述第二内切割道40。

示例性地，请参阅图8，图8为本申请实施例提供的所形成的第二内切割道40在晶圆20上的位置示意图。如图8所示，本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片和所述第四排芯片的芯片个数均为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第二排芯片与晶圆中心的距离等于所述第三排芯片与晶圆中心的距离并且为1mm，所述第一排芯片与晶圆中心的距离等于所述第四排芯片与晶圆中心的距离并且为23mm。

以晶圆中心作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值。选择在x轴方向上相邻的如图8所示的第三芯片13和第四芯片14，并根据所述第三边131上的端点d的坐标值以及所述第三芯片13与第四芯片14的间距，确定所述第二起始点的坐标值，其中，所述端点d的横坐标值为-23、纵坐标值为21，则确定所述第二起始点的横坐标值为-22、纵坐标值为21，即得到如图8所示的第二起始点f，从所述第二起始点f沿y轴方向延伸至所述晶圆20的两端，即形成所述第二内切割道40。显然，也可以根据第三边131上的另一端点的坐标值以及所述第三芯片13和第四芯片14的间距确定所述第二起始点的坐标值，其中，所述第三边131的另一端点的横坐标值为-23、纵坐标值为1，则确定所述第二起始点的横坐标值为-22、纵坐标值为1。

或者，根据所述第四芯片14的第四边141的端点e的坐标值以及所述第三芯片13和第四芯片14的间距，确定所述第二起始点的坐标值，其中，所述端点e的横坐标值为-21、纵坐标值为21，则确定所述第二起始点的横坐标值为-22、纵坐标值为21，即得到如图8所示的第二起始点f，从所述第二起始点f沿y轴方向延伸至所述晶圆20的两端，即形成所述第二内切割道40。显然，也可以根据第四边141上的另一端点的坐标值以及所述第三芯片13和第四芯片14的间距确定所述第二起始点的坐标值，其中，所述第三边131的另一端点的横坐标值为-21、纵坐标值为1，则确定所述第二起始点的横坐标值为-22、纵坐标值为1。

在一些实施例中，在确定所述多个第二内切割道40中的至少一个第二内切割道40穿过至少一个芯片10，并且所述至少一个芯片10的第五边上的端点的纵坐标值小于所述至少一个第二内切割道40的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道40的第一目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道40，所述至少一个第二内切割道40的第一目标部分为所述至少一个第二内切割道40中纵坐标值小于位于所述至少一个第二内切割道40的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道30的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片10的靠近所述至少一个第二内切割道40的第二起始点的边。

或者，在确定所述多个第二内切割道40中的至少一个第二内切割道40穿过至少一个芯片10，并且所述至少一个芯片10的第五边上的端点的纵坐标值大于所述至少一个第二内切割道40的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道40的第二目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道40，所述至少一个第二内切割道40的第二目标部分为所述至少一个第二内切割道40中纵坐标值大于位于所述至少一个第二内切割道40的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道30的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片10的靠近所述至少一个第二内切割道40的第二起始点的边。

示例性地，请参阅图9，图9为本申请实施例提供的第二内切割道40穿过至少一个芯片10时第二内切割道40在晶圆20上的位置示意图。如图9所示，本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片的芯片个数为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第四排芯片的芯片个数为三个，所述第一排芯片与晶圆中心的距离为26.26mm，所述第二排芯片与晶圆中心的距离为4.26mm，所述第四排芯片与晶圆中心的距离为19.74mm。

如图9所示，以第一排芯片的位于边缘的其中一个芯片10的靠近晶圆边缘的端点作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值。在所述第二内切割道40穿过芯片10时，并且所述芯片10的第五边151上的端点g的纵坐标值为64，小于本实施例中的所述第二内切割道40的第二起始点f的纵坐标值66，此时通过去除所述第二内切割道40的第一目标部分41而形成最终的第二内切割道40，所述第一目标部分41为所述第二内切割道40的纵坐标值小于位于所述第二起始点f与所述第五边151之间的第一内切割道30的纵坐标值65的部分，即，去除所述第二内切割道40的纵坐标值小于65的部分，而形成最终的第二内切割道40，结果如图10所示，图10示意出了最终的第二内切割道40在晶圆20上的位置。

在其它一些实施例中，请参阅图11，图11为本申请另一实施例提供的第二内切割道40时第二内切割道40在晶圆20上的位置示意图。如图11所示，本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片的芯片个数为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第四排芯片的芯片个数为三个，所述第一排芯片与晶圆中心的距离为26.26mm，所述第二排芯片与晶圆中心的距离为4.26mm，所述第四排芯片与晶圆中心的距离为19.74mm。

如图11所示，以第一排芯片的位于边缘的其中一个芯片10的靠近晶圆边缘的端点作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值。在所述第二内切割道40穿过芯片10时，并且本实施例中的所述芯片10的第五边151上的端点g的纵坐标值为66，大于本实施例中的所述第二内切割道40的第二起始点f的纵坐标值64，此时通过去除所述第二内切割道40的第二目标部分42而形成最终的第二内切割道40，所述第二目标部分42为所述第二内切割道40的纵坐标值大于位于所述第二起始点f与所述第五边151之间的第一内切割道30的纵坐标值65的部分，即，去除所述第二内切割道40的纵坐标值大于65的部分，而形成最终的第二内切割道40，结果如图12所示，图12示意出了本实施例中最终的第二内切割道40在晶圆20上的位置。

在一些实施例中，所述确定所述多个第二内切割道40中的至少一个第二内切割道40穿过至少一个芯片10，包括：在所述至少一个第二内切割道40的第二起始点的横坐标值位于所述至少一个芯片10的第二方向上的两个端点的横坐标值之间，即，位于所述至少一个芯片10的第五边151的两个端点的横坐标值之间时，确定所述至少一个第二内切割道40穿过所述至少一个芯片10。

示例性地，请再次参阅图11，本实施例中所述芯片10的第二方向上的两个端点分别为端点g和端点k，所述端点g的横坐标值为9，所述端点k的横坐标值为-11，所述第二内切割道40的第二起始点f的横坐标值为-1，则确定所述第二内切割道40穿过所述芯片10。

本申请实施例提供的第二内切割道的形成方法，可判断所述第二内切割道是否存在穿过至少一个芯片10的情况，并在确定所述第二内切割道穿过所述至少一个芯片10时，去除所述第二内切割道的穿过所述至少一个芯片10的部分，而形成最终的第二内切割道。

在一些实施例中，所述切割道的形成方法还包括步骤：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端的第一边缘切割道，所述第一边缘切割道位于所述多排芯片在第一方向上的相对两侧。其中，形成多个第一边缘切割道指的是得到所述多个第一边缘切割道在所述晶圆20上的坐标信息。由于所述坐标信息包括的多个坐标点在所述晶圆20上形成相应的轨迹，从而，形成多个第一边缘切割道也相当于确定了所述晶圆20上的待切割的多个切割道。进一步的说，切割设备可根据所述多个第一边缘切割道的坐标信息在所述晶圆20上定位对应的多个第一边缘切割道，以沿着所述多个第一边缘切割道进行定位切割。

请参阅图13，图13为本申请实施例提供的第一边缘切割道的形成方法流程图。如图13所示，在一些实施例中，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端的第一边缘切割道，包括以下步骤：

S1051：确定处于相对的两个边缘的第一排边缘芯片以及第二排边缘芯片，所述第一排边缘芯片的端点的纵坐标值大于所述第二排边缘芯片的纵坐标值。

S1052：根据第一排边缘芯中的第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第一子边缘切割道的第三起始点的坐标值，其中，所述第一目标芯片为所述第一排边缘芯片中的任一芯片，所述第三起始点的横坐标值等于所述第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的横坐标值，所述第三起始点的纵坐标值大于所述第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的纵坐标值。

S1053：从所述第三起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端而形成所述第一子边缘切割道。

S1054：根据第二排边缘芯片中的第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第二子边缘切割道的第四起始点的坐标值，其中，所述第二目标芯片为所述第二排边缘芯片中的任一芯片，所述第四起始点的横坐标值等于所述第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的横坐标值，所述第四起始点的纵坐标值小于所述第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的纵坐标值。

S1055：从所述第四起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端而形成所述第二子边缘切割道。

示例性地，请参阅图14，图14为本申请实施例提供的所形成的第一边缘切割道在晶圆20上的位置示意图。如图14所示，本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片和所述第四排芯片的芯片个数均为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第二排芯片与晶圆中心的距离等于所述第三排芯片与晶圆中心的距离并且为1mm，所述第一排芯片与晶圆中心的距离等于所述第四排芯片与晶圆中心的距离并且为23mm。

如图14所示，以晶圆中心作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值，并确定处于相对的两个边缘的如图14所示的第一排边缘芯片60以及第二排边缘芯片70，所述第一排边缘芯片60的端点的纵坐标值大于所述第二排边缘芯片70的纵坐标值。

其中，根据第一排边缘芯片60中的第一目标芯片16的远离晶圆中心的端点m的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第一子边缘切割道51的第三起始点的坐标值，其中，端点m的横坐标值为-21、纵坐标值为43，则所述第三起始点横坐标值为-21、纵坐标值大于43，即，得到如图14所示的第三起始点q1，从所述第三起始点q1沿所述第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端而形成所述第一子边缘切割道51。显然，也可以根据所述第一目标芯片16的远离晶圆中心的另一端点的坐标值确定所述第三起始点的坐标值，其中，所述第一目标芯片16的远离晶圆中心的另一端点的横坐标值为-1、纵坐标值为43，则所述第三起始点横坐标值为-1、纵坐标值大于43。

根据第二排边缘芯片70中的第二目标芯片17的远离晶圆中心的端点t的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第二子边缘切割道52的第四起始点的坐标值，其中，端点t的横坐标值为-21、纵坐标值为-43，则所述第四起始点横坐标值为-21，所述第四起始点的纵坐标值小于-43，即，得到图14中第四起始点q2，从所述第四起始点q2沿所述第二方向延伸至所述晶圆20的相对两端而形成所述第一子边缘切割道51。显然，也可以根据所述第二目标芯片17的远离晶圆中心的另一端点的坐标值确定所述第四起始点的坐标值，其中，所述第二目标芯片17的远离晶圆中心的另一端点的横坐标值为-1、纵坐标值为-43，则所述第四起始点横坐标值为-1、纵坐标值小于-43。

在一些实施例中，所述切割道的形成方法还包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道，每一第二边缘切割道位于每一排芯片在第二方向上的相对两侧。其中，形成多个第二边缘切割道指的是得到所述多个第二边缘切割道在所述晶圆20上的坐标信息。由于所述坐标信息包括的多个坐标点在所述晶圆20上形成相应的轨迹，从而，形成多个第二边缘切割道也相当于确定了所述晶圆20上的待切割的多个切割道。进一步的说，切割设备可根据所述多个第二边缘切割道的坐标信息在所述晶圆20上定位对应的多个第二边缘切割道，以沿着所述多个第二边缘切割道进行定位切割。

请参阅图15，图15为本申请实施例提供的第一边缘切割道的形成方法流程图。如图15所示，在一些实施例中，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片10的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道包括以下步骤：

S1061：确定每一排芯片在第二方向上的相对两侧的第一边缘芯片和第二边缘芯片，所述第一边缘芯片的端点的横坐标值小于第二边缘芯片的端点的横坐标值。

S1062：根据所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第三子边缘切割道的第五起始点的坐标值，所述第五起始点的纵坐标值等于所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的纵坐标值，所述第五起始点的横坐标值小于所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的横坐标值。

S1063：从所述第五起始点沿第一方向延伸至所述晶圆20的两端而形成所述第三子边缘切割道。

S1064：根据所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第四子边缘切割道的第六起始点的坐标值，所述第六起始点的纵坐标值等于所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的纵坐标值，所述第六起始点的横坐标值大于所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的横坐标值。

S1065：从所述第六起始点沿第一方向延伸至所述晶圆20的两端而形成所述第四子边缘切割道。

示例性地，请参阅图16，图16为本申请实施例提供的所形成的第二边缘切割道在晶圆20上的位置示意图。如图16所示，本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片和所述第四排芯片的芯片个数均为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第二排芯片与晶圆中心的距离等于所述第三排芯片与晶圆中心的距离并且为1mm，所述第一排芯片与晶圆中心的距离等于所述第四排芯片与晶圆中心的距离并且为23mm。

如图16所示，以晶圆中心作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值，并确定第一边缘芯片18和第二边缘芯片19，根据所述第一边缘芯片18的靠近晶圆边缘的端点v的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第三子边缘切割道81的第五起始点的坐标值，其中，所述端点v的横坐标为-43、纵坐标值为21，则所述第五起始点的纵坐标值为21、横坐标值小于-43，即，得到如图16所示的第五起始点z1，从所述第五起始点z1沿第一方向延伸至所述晶圆20的两端而形成所述第三子边缘切割道81。

根据所述第二边缘芯片19的靠近晶圆边缘的端点w的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第四子边缘切割道82的第六起始点的坐标值，其中，所述端点w的横坐标值为43、纵坐标值为21，则所述第六起始点的纵坐标值为21、横坐标值大于43，即，得到如图16所示的第六起始点z2，从所述第六起始点z2沿第一方向延伸至所述晶圆20的两端而形成所述第四子边缘切割道82。

在一些实施例中，在确定所述多个第三子边缘切割道81中的至少一个第三子边缘切割道81穿过至少一个芯片10，并且所述至少一个芯片10的第六边的端点的纵坐标值小于所述至少一个第三子边缘切割道81的第五起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第三子边缘切割道81的第三目标部分而形成至少一个最终的第三子边缘切割道81，所述第三目标部分为所述至少一个第三子边缘切割道81的纵坐标值小于位于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点与所述第六边之间的第一内切割道20的纵坐标值的部分，所述第六边为所述至少一个芯片10的靠近所述至少一个第三子边缘切割道81的第五起始点的边。

示例性地，请参阅图17，图17为本申请实施例提供的第三子边缘切割道81穿过至少一个芯片时第三子边缘切割道81在晶圆20上的位置示意图。如图17所示，本实施例中，所述排布图纸的排布信息包括：所述芯片10的长度和宽度均为20mm，所述多个芯片10中的每相邻的两个芯片10的间距为2mm，所述多排芯片包括第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片，所述第一排芯片、第二排芯片、第三排芯片和第四排芯片沿第一方向依次间隔排列，所述第一排芯片的芯片个数为两个，所述第二排芯片和所述第三排芯片的芯片个数均为四个，所述第四排芯片的芯片个数为三个，所述第一排芯片与晶圆中心的距离为26.26mm，所述第二排芯片与晶圆中心的距离为4.26mm，所述第四排芯片与晶圆中心的距离为19.74mm。

如图17所示，以第一排芯片的位于边缘的其中一个芯片10的靠近晶圆边缘的端点作为坐标原点，第二方向为x轴方向，第一方向为y轴方向，建立平面直角坐标系，根据前述的排布信息，获取每一芯片10的坐标值。在所述第三子边缘切割道81穿过至少一个芯片10时，并且所述至少一个芯片10的第六边181的端点j的纵坐标值为64，小于所述第三子边缘切割道81的第五起始点z1的纵坐标值66时，去除所述至少一个第三子边缘切割道81的第三目标部分811而形成至少一个最终的第三子边缘切割道81，所述第三目标部分811为所述第三子边缘切割道81的纵坐标值小于位于所述第五起始点z1与所述第六边181之间的第一内切割道20的纵坐标值65的部分，即，去除所述第三子边缘切割道81的纵坐标值小于65的部分，而形成最终的第三子边缘切割道81，结果如图18所示，图18示意出了本实施例中所形成的最终的第三子边缘切割道81在晶圆20上的位置。

在其它一些实施例中，在确定所述多个第三子边缘切割道81中的至少一个第三子边缘切割道81穿过至少一个芯片10，并且所述至少一个芯片10的第六边181的端点的纵坐标值大于所述至少一个第三子边缘切割道81的第五起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第三子边缘切割道81的第四目标部分而形成至少一个最终的第三子边缘切割道81，所述第四目标部分为所述至少一个第三子边缘切割道81的纵坐标值大于位于所述至少一个第三子边缘切割道81的第五起始点与所述第六边181之间的第一内切割道20的纵坐标值的部分，所述第六边181为所述至少一个芯片10的靠近所述至少一个第三子边缘切割道81的第五起始点的边。

在一些实施例中，所述确定所述多个第三子边缘切割道81中的至少一个第三子边缘切割道81穿过至少一个芯片10，包括步骤：在所述至少一个第三子边缘切割道81的第五起始点的横坐标值位于所述至少一个芯片10的第二方向上的边上的两个端点的横坐标值之间，即，位于所述至少一个芯片10的第六边181的两个端点的横坐标值之间时，确定所述至少一个第三子边缘切割道81穿过至少一个芯片10。

示例性地，请再次参阅图17，所述第三子边缘切割道81的第五起始点z1的横坐标值为-12，所述芯片10的第二方向上的边上的两个端点分别为端点j和端点u，所述端点j的横坐标值为-22，所述端点u的横坐标值为-2，则确定所述第三子边缘切割道81穿过所述芯片10。

在一些实施例中，在确定所述多个第四子边缘切割道82中的至少一个第四子边缘切割道82穿过至少一个芯片10，并且所述至少一个芯片10的第七边的端点的纵坐标值大于所述至少一个第四子边缘切割道82的第六起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第四子边缘切割道82的第五目标部分而形成至少一个最终的第四子边缘切割道82，所述第五目标部分为所述至少一个第四子边缘切割道82的纵坐标值大于位于所述至少一个第四子边缘切割道82的第六起始点与所述第七边之间的第一内切割道20的纵坐标值的部分，所述第七边为所述至少一个芯片10的靠近所述至少一个第四子边缘切割道82的第六起始点的边。

在一些实施例中，所述确定所述多个第四子边缘切割道82中的至少一个第四子边缘切割道82穿过至少一个芯片10，包括步骤：在所述至少一个第四子边缘切割道82的第六起始点的横坐标值位于所述至少一个芯片10的第二方向上的边上的两个端点的横坐标值之间时，确定所述至少一个第四子边缘切割道82穿过至少一个芯片10。

本申请实施例提供的第二边缘切割道的形成方法，可判断所述第二边缘切割道是否存在穿过至少一个芯片10的情况，并在确定所述第二边缘切割道穿过所述至少一个芯片10时，去除所述第二边缘切割道的穿过所述至少一个芯片10的部分，而形成最终的第二边缘切割道。

请参阅图19，图19为本申请实施例提供的生成所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布图纸的流程图。如图19所示，在一些实施例中，所述切割道的形成方法还包括步骤：生成所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布图纸。所述生成所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布图纸包括以下步骤：

S1071：获取所述芯片10的长度和宽度、所述晶圆20的半径以及相邻芯片10的间距。

S1072：确定第一排芯片的芯片个数，并从所述晶圆20的任一端沿第二方向设置第一排芯片，所述第一排芯片中相邻芯片10的间距相等，所述第一排芯片在第二方向上的相对两端分别位于所述晶圆20的相对两端，其中，所述第一排芯片远离所述晶圆中心的一侧与晶圆中心的距离大于所述晶圆半径与所述芯片10的宽度之差。

S1073：确定第二排芯片的芯片个数，并在所述第一排芯片的靠近所述晶圆中心的一侧沿第二方向设置所述第二排芯片，所述第二排芯片中相邻芯10的间距等于所述第一排芯片中相邻芯片10的间距，并且等于所述第二排芯片与所述第一排芯片的间距。

S1074：设置至第N排芯片，其中，每一排芯片中各芯片的对齐方式方向相同，每一排芯片的芯片个数为每一排芯片的最大可设置芯片个数。

在一些实施例中，所述确定第一排芯片的芯片个数，包括：依次设置所述第一排芯片的芯片个数为一个、二个以及逐一增加至M个，在所述第一排芯片的芯片个数为P个，所述晶圆20上设置的芯片10的个数最多时，确定所述第一排芯片的芯片个数为P个，所述P为一、二至M中的其中一个，所述P和M均为整数。

在一些实施例中，所述第二排芯片的芯片的长度方向与所述第二方向平行，所述确定第二排芯片的芯片个数包括：根据第一公式

计算得出所述第二排芯片的芯片个数X₂，X₂为X₁的整数部分，其中，R为晶圆半径，P为第一排芯片的芯片个数，L为芯片的长度，W为芯片的宽度，G为相邻芯片的间距。

在其它一些实施例中，所述第二排芯片的芯片的长度方向与所述第一方向平行，所述确定第二排芯片的芯片个数包括：根据第二公式

计算得出所述第二排芯片的芯片个数X₄，X₄为X₃的整数部分，其中，R为晶圆半径，P为第一排芯片的芯片个数，L为芯片的长度，W为芯片的宽度，G为相邻芯片的间距。

本申请实施例提供的所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布方式中，从晶圆20的端部开始排布第一排芯片，第一排芯片的相对两端设置于所述晶圆20的相对两端，现有的多个芯片在晶圆上的排布方式是以晶圆圆心作为对称中心进行排布，每一排芯片的两端边缘会留下较大的空白，造成晶圆的浪费，相较于现有的多个芯片在晶圆上的排布方式，本申请实施例提供的多个芯片10在晶圆20上的排布方式能够有效提高晶圆20的利用率，而得到更多的芯片10。例如，当所述晶圆20的直径为4英寸、所述芯片10的长度和宽度均为20mm、所述相邻芯片10的间距为2mm时，使用现有的中心排布方法可得到12个芯片，而使用本申请实施例提供的排布方法可得到13个芯片。

本申请实施例提供的切割道的形成方法，通过读取所述多个芯片10在所述晶圆20上的排布图纸中的排布信息，并根据所述排布信息获取每一芯片10的坐标信息，根据所述坐标信息自动形成位于每相邻两排芯片之间的第一内切割道30、位于每一排的相邻芯片10之间的第二内切割道40、位于所述多排芯片在第一方向上的相对两侧的第一边缘切割道以及位于每一排芯片在第二方向上的相对两侧的第二边缘切割道。

请参阅图20，图20为本申请实施例提供的切割道形成装置200。如图20所示，所述切割道形成装置200包括存储器201和处理器202，所述存储器201存储有计算机程序，所述计算机程序用于供所述处理器202调用后执行前述的任一实施例提供的切割道的形成方法。

本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于供调用后执行前述的任一实施例提供的切割道的形成方法。

需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种切割道的形成方法，用于形成定义晶圆的切割中的切割轨迹的切割道，所述晶圆上生长有多个芯片，其特征在于，所述切割道的形成方法包括：

获取所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸，所述排布图纸包括所述多个芯片在所述晶圆上的排布信息，所述排布信息包括芯片的布局信息，所述布局信息中定义了多个芯片呈多排排列的布局情况，其中，多排芯片沿第一方向间隔排列，每排芯片包括沿第二方向间隔排列的至少一个芯片，所述第二方向与所述第一方向垂直；

读取所述排布图纸中的排布信息；

根据所述读取的排布信息，形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，所述第一内切割道位于每相邻两排芯片之间并延伸至所述晶圆的相对两端；以及

根据所述读取的排布信息，形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，所述第二内切割道位于每一排的相邻芯片之间。

2.如权利要求1所述的切割道的形成方法，其特征在于，在所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道之前，所述方法还包括：

获取所述多个芯片的坐标信息，包括：以所述晶圆的排布有所述多个芯片的表面的预设位置为坐标原点，以所述第二方向为坐标横轴，以所述第一方向为坐标纵轴，在所述晶圆的表面建立平面直角坐标系，获取每一芯片的端点在所述平面直角坐标系中的坐标值，所述端点的坐标值包括所述端点的横坐标值和端点的纵坐标值，所述端点为每一芯片在所述晶圆上的正投影的端点；

所述根据所述读取的排布信息，形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道；以及

根据所述读取的排布信息，形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，包括：

根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道；以及

根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道。

3.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆的相对两端的第一边缘切割道，所述第一边缘切割道位于所述多排芯片在第一方向上的相对两侧。

4.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道，每一第二边缘切割道位于每一排芯片在第二方向上的相对两侧。

5.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述排布信息还包括相邻两个芯片的间距，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，包括：

根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道；

其中，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道，进一步包括：

选择相邻的两排芯片在第一方向上分别包括的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片的端点的纵坐标值大于所述第二芯片的端点的纵坐标值，所述第一芯片的第一边与第二芯片的第二边靠近，所述第一芯片和第二芯片为所述相邻的两排芯片中在第一方向上相邻的任意两个芯片；

根据所述第一边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第一边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第一边上的端点的纵坐标值减去一半的所述第一芯片与第二芯片的间距；或者，

根据所述第二边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第二边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第二边上的端点的纵坐标值加上一半的所述第一芯片与第二芯片的间距；

从所述第一起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第一内切割道。

6.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述排布信息还包括相邻两个芯片的间距，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，包括：

根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在第二方向上每相邻的两个芯片之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道；

其中，在第二方向上每相邻的两个芯片之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道，进一步包括：

选择在第二方向上相邻的第三芯片和第四芯片，其中，所述第三芯片的端点的横坐标值小于所述第四芯片的端点的横坐标值，所述第三芯片的第三边与第四芯片的第四边靠近，所述第三芯片和第四芯片为在第二方向上正对的任意两个芯片；

根据所述第三边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第三边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第三边上的端点的横坐标值加上一半的所述第三芯片与第四芯片的间距；或者，

根据所述第四边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第四边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第四边上的端点的横坐标值减去一半的所述第三芯片与第四芯片的间距；

从所述第二起始点沿所述第一方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第二内切割道。

7.如权利要求6所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

在确定所述多个第二内切割道中的至少一个第二内切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第五边上的端点的纵坐标值小于所述至少一个第二内切割道的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道的第一目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道，所述至少一个第二内切割道的第一目标部分为所述至少一个第二内切割道中纵坐标值小于位于所述至少一个第二内切割道的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第二内切割道的第二起始点的边；或者，

在确定所述多个第二内切割道中的至少一个第二内切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第五边上的端点的纵坐标值大于所述至少一个第二内切割道的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道的第二目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道，所述至少一个第二内切割道的第二目标部分为所述至少一个第二内切割道中纵坐标值大于位于所述至少一个第二内切割道的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第二内切割道的第二起始点的边。

8.如权利要求3所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆的相对两端的第一边缘切割道，包括：

确定处于相对的两个边缘的第一排边缘芯片以及第二排边缘芯片，所述第一排边缘芯片的端点的纵坐标值大于所述第二排边缘芯片的纵坐标值；

根据第一排边缘芯片中的第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第一子边缘切割道的第三起始点的坐标值，其中，所述第一目标芯片为所述第一排边缘芯片中的任一芯片，所述第三起始点的横坐标值等于所述第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的横坐标值，所述第三起始点的纵坐标值大于所述第一目标芯片的远离晶圆中心的端点的纵坐标值；

从所述第三起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第一子边缘切割道；

根据第二排边缘芯片中的第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的坐标值，确定所述第一边缘切割道的第二子边缘切割道的第四起始点的坐标值，其中，所述第二目标芯片为所述第二排边缘芯片中的任一芯片，所述第四起始点的横坐标值等于所述第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的横坐标值，所述第四起始点的纵坐标值小于所述第二目标芯片的远离晶圆中心的端点的纵坐标值；

从所述第四起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第二子边缘切割道。

9.如权利要求4所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道，包括：

确定每一排芯片在第二方向上的相对两侧的第一边缘芯片和第二边缘芯片，所述第一边缘芯片的端点的横坐标值小于第二边缘芯片的端点的横坐标值；

根据所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第三子边缘切割道的第五起始点的坐标值，所述第五起始点的纵坐标值等于所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的纵坐标值，所述第五起始点的横坐标值小于所述第一边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的横坐标值；

从所述第五起始点沿第一方向延伸至所述晶圆的两端而形成所述第三子边缘切割道；

根据所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的坐标值，确定所述第二边缘切割道的第四子边缘切割道的第六起始点的坐标值，所述第六起始点的纵坐标值等于所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的纵坐标值，所述第六起始点的横坐标值大于所述第二边缘芯片的靠近晶圆边缘的端点的横坐标值；

从所述第六起始点沿第一方向延伸至所述晶圆的两端而形成所述第四子边缘切割道。

10.如权利要求9所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

在确定所述多个第三子边缘切割道中的至少一个第三子边缘切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第六边的端点的纵坐标值小于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第三子边缘切割道的第三目标部分而形成至少一个最终的第三子边缘切割道，所述第三目标部分为所述至少一个第三子边缘切割道的纵坐标值小于位于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点与所述第六边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第六边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的边；或者，

在确定所述多个第三子边缘切割道中的至少一个第三子边缘切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第六边的端点的纵坐标值大于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第三子边缘切割道的第四目标部分而形成至少一个最终的第三子边缘切割道，所述第四目标部分为所述至少一个第三子边缘切割道的纵坐标值大于位于所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点与所述第六边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第六边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第三子边缘切割道的第五起始点的边。

11.如权利要求1所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：

生成所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸，包括：

获取所述芯片的长度和宽度、所述晶圆的半径以及相邻芯片的间距；

确定第一排芯片的芯片个数，并从所述晶圆的任一端沿第二方向设置第一排芯片，所述第一排芯片中相邻芯片的间距相等，所述第一排芯片在第二方向上的相对两端分别位于所述晶圆的相对两端，其中，所述第一排芯片远离所述晶圆中心的一侧与晶圆中心的距离大于所述晶圆半径与所述芯片的宽度之差；

确定第二排芯片的芯片个数，并在所述第一排芯片的靠近所述晶圆中心的一侧沿第二方向设置所述第二排芯片，所述第二排芯片中相邻芯片的间距等于所述第一排芯片中相邻芯片的间距，并且等于所述第二排芯片与所述第一排芯片的间距；以及

设置至第N排芯片，其中，每一排芯片中各芯片的对齐方式方向相同，每一排芯片的芯片个数为每一排芯片的最大可设置芯片个数。

12.如权利要求11所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述确定第二排芯片的芯片个数，包括：

所述第二排芯片的芯片的长度方向与所述第二方向平行时，根据第一公式

计算得出所述第二排芯片的芯片个数X₂，X₂为X₁的整数部分，其中，R为晶圆半径，P为第一排芯片的芯片个数，L为芯片的长度，W为芯片的宽度，G为相邻芯片的间距；

所述第二排芯片的芯片的长度方向与所述第一方向平行时，根据第二公式

计算得出所述第二排芯片的芯片个数X₄，X₄为X₃的整数部分，其中，R为晶圆半径，P为第一排芯片的芯片个数，L为芯片的长度，W为芯片的宽度，G为相邻芯片的间距。

13.一种切割道形成装置，其特征在于，所述切割道形成装置包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序用于供所述处理器调用后执行如权利要求1-12任一项所述的方法。

14.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于供调用后执行如权利要求1-12任一项所述的方法。

Images