CN115798863A - 层叠线圈部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种层叠线圈部件(1)，其具备：素体(2)，其通过层叠包含多个软磁性材料的金属磁性颗粒的磁性体层而形成；第一线圈(8)，其配置于素体(2)内，并且包含多个第一线圈导体而构成；第二线圈(9)，其配置于素体(2)内，并且包含多个第二线圈导体而构成；第一外部电极(4)，其连接第一线圈(8)及第二线圈(9)各自的一端部；以及第二外部电极(5)，其连接第一线圈(8)及第二线圈(9)各自的另一端部。

Description

层叠线圈部件

技术领域

本发明涉及层叠线圈部件。

背景技术

在专利文献1(日本特开第2013-38263号公报)中公开有一种层叠线圈部件，该层叠线圈部件具备部件主体(素体)、配置于部件主体内并且由多个导体部构成的一个线圈。

发明内容

本发明的一方面的目的在于，提供能够实现电阻率的降低的层叠线圈部件。

本发明的一方面提供一种层叠线圈部件，其具备：素体，其通过层叠包含多个软磁性材料的金属磁性颗粒的磁性体层而形成；第一线圈，其配置于素体内，并且包含多个第一线圈导体而构成；第二线圈，其配置于素体内，并且包含多个第二线圈导体而构成；第一外部电极，其连接第一线圈及第二线圈各自的一端部；以及第二外部电极，其连接第一线圈及第二线圈各自的另一端部。

在本发明的一方面的层叠线圈部件中，在素体内配置有第一线圈和第二线圈。第一线圈及第二线圈各自的一端部连接于第一外部电极，第一线圈及第二线圈各自的另一端部连接于第二外部电极。由此，在层叠线圈部件中，具有将第一线圈和第二线圈并联连接的结构。因此，在层叠线圈部件中，与在素体内配置一个线圈的结构相比，能够确保至少两条流通电流的路径，因此，能够实现直流电阻的电阻率的降低。其结果，在层叠线圈部件中，能够提高Q(Quality factor)值，因此，能够实现特性的提高。另外，在层叠线圈部件中，实现发热引起的损失的降低，因此，实现质量的提高。

在层叠线圈部件中，素体通过层叠包含多个软磁性材料的金属磁性颗粒的磁性体层而形成。由此，在层叠线圈部件中，与由铁氧体材料形成的素体相比，能够实现直流叠加特性的提高。

在一个实施方式中，也可以是，第一线圈和第二线圈在素体中，在磁性体层的层叠方向上分开地配置，在素体的第一线圈和第二线圈之间，从层叠方向观察至少第一线圈和第二线圈重叠的区域的电阻率比磁性体层高。在该结构中，能够使第一线圈和第二线圈的层间的电阻率比素体材料高。由此，能够提高层叠线圈部件的耐电压。

在一个实施方式中，也可以是，在从层叠方向观察第一线圈和第二线圈重叠的区域配置高电阻部，该高电阻部为第一线圈导体及第二线圈导体的宽度尺寸以上，且电阻率比磁性体层高。在该结构中，利用高电阻部，能够使第一线圈和第二线圈的层间的电阻率比素体材料高。由此，能够提高层叠线圈部件的耐电压。

在一个实施方式中，也可以是，在素体中，在第一线圈和第二线圈之间设置电阻率比磁性体层高的高电阻层。在该结构中，利用高电阻层，能够使第一线圈和第二线圈的层间的电阻率比素体材料高。由此，能够提高层叠线圈部件的耐电压。

在一个实施方式中，也可以是，第一线圈中最接近第二线圈的导体和第二线圈中最接近第一线圈的导体从磁性体层的层叠方向观察不重叠。在该结构中，能够提高层叠线圈部件的耐电压。

在一个实施方式中，第一线圈具有连接于第一外部电极的第一连接导体及连接于第二外部电极的第二连接导体，第二线圈具有连接于第一外部电极的第三连接导体及连接于第二外部电极的第四连接导体，在磁性体层的层叠方向上，第二连接导体和第四连接导体之间的距离比第一连接导体和第三连接导体之间的距离短，从层叠方向观察，第一线圈的卷绕方向和第二线圈的卷绕方向相同。在该结构中，在磁性体层的层叠方向上，使第二连接导体和第四连接导体之间的距离比第一连接导体和第三连接导体之间的距离短，由此，能够缩小向第一线圈及第二线圈流通电流时的第一线圈和第二线圈之间的电位差。因此，能够提高层叠线圈部件的耐电压。另外，从层叠方向观察，第一线圈的卷绕方向和第二线圈的卷绕方向相同，因此，磁通的朝向相同。由此，能够使第一线圈和第二线圈的电感值相等。

在一个实施方式中，也可以是，第一线圈具有连接于第一外部电极的第一连接导体及连接于第二外部电极的第二连接导体，第二线圈具有连接于第一外部电极的第三连接导体及连接于第二外部电极的第四连接导体，在磁性体层的层叠方向上，第二连接导体和第四连接导体之间的距离比第一连接导体和第三连接导体之间的距离短，从层叠方向观察，第一线圈的卷绕方向与第二线圈的卷绕方向相反。在该结构中，在磁性体层的层叠方向上，能够使第二连接导体和第四连接导体之间的距离比第一连接导体和第三连接导体之间的距离短，能够缩小电位差。因此，能够提高层叠线圈部件的耐电压。另外，从层叠方向观察，第一线圈的卷绕方向与第二线圈的卷绕方向相反，因此，第一线圈中产生的磁通与第二线圈中产生的磁通互相抵消。因此，能够抑制磁饱和，因此，能够实现直流叠加特性的提高。

在一个实施方式中，也可以是，第一线圈的第一线圈导体的数量与第二线圈的第二线圈导体的数量相同。在该结构中，能够使第一线圈中产生的磁通与第二线圈中产生的磁通有效地相抵。因此，能够更有效地抑制磁饱和，因此，能够实现直流叠加特性的提高。

在一个实施方式中，也可以是，在第一线圈和第二线圈之间，金属磁性颗粒以沿着磁性体层的层叠方向的方式配置两个以上。在该结构中，能够提高第一线圈和第二线圈的层间的耐电压。

根据本发明的一方面，能够实现电阻率的降低。

附图说明

图1是表示第一实施方式的层叠线圈部件的立体图。

图2是表示图1所示的层叠线圈部件的截面结构的图。

图3是图1所示的层叠线圈部件的分解立体图。

图4是表示第二实施方式的层叠线圈部件的截面结构的图。

图5是图4所示的层叠线圈部件的分解立体图。

图6是表示第三实施方式的层叠线圈部件的截面结构的图。

图7是图6所示的层叠线圈部件的分解立体图。

图8是表示第四实施方式的层叠线圈部件的截面结构的图。

图9是图8所示的层叠线圈部件的分解立体图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明优选的实施方式。此外，在附图的说明中，对相同或相当要素标注相同符号，并省略重复的说明。

[第一实施方式]如图1所示，第一实施方式的层叠线圈部件1具备素体2、分别配置于素体2的两端部的第一外部电极4及第二外部电极5。

素体2呈长方体形状。长方体形状中包含对角部及棱线部进行倒角的长方体的形状、及将角部及棱线部倒圆的长方体的形状。素体2中，作为其外表面具有相互相对的一对端面2a、2b、相互相对的一对主面2c、2d、以及相互相对的一对侧面2e、2f。一对主面2c、2d相对的相对方向为第一方向D1。一对端面2a、2b相对的相对方向为第二方向D2。一对侧面2e、2f相对的相对方向为第三方向D3。在本实施方式中，第一方向D1为素体2的高度方向。第二方向D2为素体2的长边方向，与第一方向D1正交。第三方向D3为素体2的宽度方向，与第一方向D1和第二方向D2正交。

一对端面2a、2b以将一对主面2c、2d之间连结的方式在第一方向D1上延伸。一对端面2a、2b也在第三方向D3(一对主面2c、2d的短边方向)上延伸。一对侧面2e、2f以将一对主面2c、2d之间连结的方式在第一方向D1上延伸。一对侧面2e、2f也在第二方向D2(一对端面2a、2b的长边方向)上延伸。主面2d在将层叠线圈部件1安装于其它的电子设备(例如，电路基板，或电子部件等)时，可作为与其它的电子设备相对的安装面来规定。

如图3所示，素体2通过层叠多个磁性体层6及磁性体层7而构成。各磁性体层6及磁性体层7在第一方向D1上层叠。即，第一方向D1是层叠方向。素体2具有层叠的多个磁性体层6及磁性体层7。在实际的素体2中，多个磁性体层6及磁性体层7被一体化成不能辨识其层间的边界的程度。

各磁性体层6及磁性体层7包含多个金属磁性颗粒。金属磁性颗粒由软磁性合金(软磁性材料)构成。软磁性合金例如为Fe-Si系合金。在软磁性合金为Fe-Si系合金的情况下，软磁性合金也可以包含P。软磁性合金例如也可以为Fe-Ni-Si-M系合金。“M”包含选自Co、Cr、Mn、P、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、B、Al、及稀土元素中的一种以上的元素。

磁性体层6及磁性体层7中，金属磁性颗粒彼此结合。金属磁性颗粒彼此的结合例如通过形成于金属磁性颗粒的表面的氧化膜彼此的结合来实现。磁性体层6及磁性体层7中，通过氧化膜彼此的结合，金属磁性颗粒彼此被电绝缘。氧化膜的厚度例如为5～60nm以下。氧化膜也可以由一个或多个层构成。

磁性体层7包含电阻率比各磁性体层6高的材料。在本实施方式中，磁性体层7例如包含ZrO₂。磁性体层7在第一方向D1上配置于磁性体层6和磁性体层6之间。磁性体层7配置于第一线圈8和第二线圈9之间。磁性体层7在素体2中构成高电阻层。此外，磁性体层7也可以包含多个。

素体2包含树脂。树脂存在于多个金属磁性颗粒间。树脂是具有电绝缘性的树脂(绝缘性树脂)。绝缘性树脂例如包含硅树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、或环氧树脂。

金属磁性颗粒的平均粒径为0.5～15μm。在本实施方式中，金属磁性颗粒的平均粒径为5μm。在本实施方式中，“平均粒径”是指通过激光衍射·散射法求得的粒度分布中的以累计值50％的粒径。

如图1所示，第一外部电极4配置于素体2的端面2a侧，第二外部电极5配置于素体2的端面2b侧。即，第一外部电极4及第二外部电极5在一对端面2a、2b的相对方向上相互分开地位置。第一外部电极4及第二外部电极5包含导电材料(例如，Ag或Pd等)。第一外部电极4及第二外部电极5作为包含导电性金属粉末(例如，Ag粉末或Pd粉末等)及玻璃粉的导电性膏体的烧结体而构成。在第一外部电极4及第二外部电极5上，通过实施电镀，在其表面上形成镀层。电镀中可使用例如Ni、Sn等。

第一外部电极4配置于一端面2a侧。第一外部电极4包含：位于端面2a上的第一电极部分4a、位于主面2c上的第二电极部分4b、位于主面2d上的第三电极部分4c、位于侧面2e上的第四电极部分4d、位于侧面2f上的第五电极部分4e的五个电极部分。第一电极部分4a与第二电极部分4b、第三电极部分4c、第四电极部分4d及第五电极部分4e在素体2的棱线部连接，从而相互电连接。第一外部电极4形成于一个端面2a、一对主面2c、2d、及一对侧面2e、2f的五个面上。第一电极部分4a、第二电极部分4b、第三电极部分4c、第四电极部分4d及第五电极部分4e一体地形成。

在本实施方式中，第一外部电极4的第二电极部分4b及第三电极部分4c的边缘(端面)例如沿着第三方向D3。第二电极部分4b的边缘在主面2c上直线性地形成。第三电极部分4c的边缘在主面2d上直线性地形成。第一外部电极4的第四电极部分4d及第五电极部分4e的边缘沿着第一方向D1。第四电极部分4d的边缘在侧面2e上直线性地形成。第五电极部分4e的边缘在侧面2f上直线性地形成。此外，第二电极部分4b、第三电极部分4c、第四电极部分4d及第五电极部分4e各自的边缘的形状可以弯曲，也可以形成为凹凸状。

第二外部电极5配置于另一端面2b侧。第二外部电极5包含位于端面2b上的第一电极部分5a、位于主面2c上的第二电极部分5b、位于主面2d上的第三电极部分5c、位于侧面2e上的第四电极部分5d、以及位于侧面2f上的第五电极部分5e的五个电极部分。第一电极部分5a与第二电极部分5b、第三电极部分5c、第四电极部分5d及第五电极部分5e在素体2的棱线部连接，从而相互电连接。第二外部电极5形成于一个端面2b、一对主面2c、2d、及一对侧面2e、2f的五个面上。第一电极部分5a、第二电极部分5b、第三电极部分5c、第四电极部分5d及第五电极部分5e一体地形成。

在本实施方式中，第二外部电极5的第二电极部分5b及第三电极部分5c的边缘例如沿着第三方向D3。第二电极部分5b的边缘在主面2c上直线性地形成。第三电极部分5c的边缘在主面2d上直线性地形成。第二外部电极5的第四电极部分5d及第五电极部分5e的边缘沿着第一方向D1。第四电极部分5d的边缘在侧面2e上直线性地形成。第五电极部分5e的边缘在侧面2f上直线性地形成。此外，第二电极部分5b、第三电极部分5c、第四电极部分5d及第五电极部分5e各自的边缘的形状可以弯曲，也可以形成为凹凸状。

如图2所示，层叠线圈部件1在素体2内配置有第一线圈8及第二线圈9。第一线圈8和第二线圈9在素体2内，在第一方向D1上分开地配置。在本实施方式中，第一线圈8配置于素体2的主面2c侧。详细而言，第一线圈8配置于在第一方向D1上比素体2的中央靠主面2c侧的区域。第二线圈9配置于素体2的主面2d侧。详细而言，第二线圈9配置于在第一方向D1上比素体2的中央靠主面2d侧的区域。在层叠线圈部件1中，第一线圈8和第二线圈9并联地电连接。

如图3所示，第一线圈8将多个第一线圈导体20、21、22、23、24、25和第一连接导体26及第二连接导体27电连接而构成为螺旋状。第一线圈导体20和第一连接导体26一体地形成。相邻的第一线圈导体20、21、22、23、24、25通过通孔导体(省略图示)电连接。第一线圈导体25和第二连接导体27通过通孔导体(省略图示)电连接。第一连接导体26构成第一线圈8的一端部。第一连接导体26在素体2的端面2a露出，并连接于第一外部电极4(第一电极部分4a)。第二连接导体27构成第一线圈8的另一端部。第二连接导体27在素体2的端面2b露出，并连接于第二外部电极5(第一电极部分5a)。

第二线圈9将多个第二线圈导体30、31、32、33、34、35和第三连接导体36及第四连接导体37电连接而构成为螺旋状。第二线圈导体30和第三连接导体36一体地形成。相邻的第二线圈导体30、31、32、33、34、35通过通孔导体(省略图示)电连接。第二线圈导体35和第四连接导体37通过通孔导体(省略图示)电连接。第三连接导体36构成第二线圈9的一端部。第三连接导体36在素体2的端面2a露出，并连接于第一外部电极4(第一电极部分4a)。第四连接导体37构成第二线圈9的另一端部。第四连接导体37在素体2的端面2b露出，并连接于第二外部电极5(第一电极部分5a)。

第一线圈导体20、21、22、23、24、25、第一连接导体26、第二连接导体27、第二线圈导体30、31、32、33、34、35、第三连接导体36及第四连接导体37由作为线圈的导体通常使用的导电性材料(例如，Ni或Cu等)构成。第一线圈导体20、21、22、23、24、25、第一连接导体26、第二连接导体27、第二线圈导体30、31、32、33、34、35、第三连接导体36及第四连接导体37作为包含上述导电性材料的导电性膏体的烧结体构成。

如图2所示，在层叠线圈部件1中，在素体2的第一线圈8和第二线圈9之间，从第一方向D1观察至少第一线圈8和第二线圈9重叠的区域的电阻率比磁性体层6高。在本实施方式中，在素体2中，在第一线圈8和第二线圈9之间设置有电阻率比构成素体2的大部分的磁性体层6高的磁性体层7(高电阻层)。

在第一线圈8和第二线圈9之间，金属磁性颗粒以沿着第一方向D1的方式配置两个以上。金属磁性颗粒以沿着第一方向D1的方式排列。金属磁性颗粒以沿着第一方向D1的方式排列不仅包含从第一方向D1观察，金属磁性颗粒的整体相互重叠的状态，还包含从第一方向D1观察，金属磁性颗粒的一部分也相互重叠的状态。

在层叠线圈部件1中，第一线圈8的第一连接导体26和第二线圈9的第三连接导体36之间的距离H1与第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9的第四连接导体37之间的距离H2相同。第一线圈8的卷绕方向和第二线圈9的卷绕方向相同。由此，在向层叠线圈部件1流通电流时，第一线圈8中产生的磁通的朝向和第二线圈9中产生的磁通的朝向相同。

在层叠线圈部件1中，第一线圈8中最接近第二线圈9的导体和第二线圈9中最接近第一线圈8的导体从第一方向D1观察不重叠。具体而言，第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9的第二线圈导体30及第三连接导体36从第一方向D1观察不重叠。

如以上所说明，在本实施方式的层叠线圈部件1中，在素体2内配置有第一线圈8和第二线圈9。第一线圈8及第二线圈9各自的一端部连接于第一外部电极4，第一线圈8及第二线圈9各自的另一端部连接于第二外部电极5。由此，在层叠线圈部件1中，具有将第一线圈8和第二线圈9并联连接的结构。因此，在层叠线圈部件1中，与在素体2内配置一个线圈的结构相比，能够确保至少两条流通电流的路径，因此，能够实现直流电阻的电阻率的降低。其结果，在层叠线圈部件1中，能够提高Q(Quality factor)值，因此，能够实现特性的提高。另外，在层叠线圈部件1中，实现发热引起的损失的降低，因此，实现质量的提高。

在层叠线圈部件1中，素体2通过将包含多个软磁性合金的金属磁性颗粒的磁性体层6层叠而形成。由此，在层叠线圈部件1中，与由铁氧体材料形成的素体相比，能够实现直流叠加特性的提高。

在本实施方式的层叠线圈部件1中，第一线圈8和第二线圈9在素体2中，在磁性体层6的层叠方向上分开地配置。在素体2的第一线圈8和第二线圈9之间，从第一方向D1观察至少第一线圈8和第二线圈9重叠的区域的电阻率比磁性体层6高。具体而言，在素体2中，在第一线圈8和第二线圈9之间设置有电阻率比磁性体层6高的磁性体层7(高电阻层)。在该结构中，利用磁性体层7，能够使第一线圈8和第二线圈9的层间的电阻率比素体材料高。由此，能够提高层叠线圈部件1的耐电压。

在本实施方式的层叠线圈部件1中，第一线圈8的卷绕方向和第二线圈9的卷绕方向相同。由此，在向层叠线圈部件1流通电流时，第一线圈8中产生的磁通和第二线圈9中产生的磁通的朝向相同。因此，在层叠线圈部件1中，能够使第一线圈8和第二线圈9的电感值相同。

在本实施方式的层叠线圈部件1中，第一线圈8中最接近第二线圈9的导体和第二线圈9中最接近第一线圈8的导体从第一方向D1观察不重叠。具体而言，第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9的第二线圈导体30及第三连接导体36从第一方向D1观察不重叠。在该结构中，能够提高层叠线圈部件1的耐电压。

在本实施方式的层叠线圈部件1中，在第一线圈8和第二线圈9之间，金属磁性颗粒以沿着第一方向D1的方式配置两个以上。在该结构中，能够提高层叠线圈部件1的耐电压。

[第二实施方式]接着，对第二实施方式进行说明。如图4所示，第二实施方式的层叠线圈部件1A具备素体2A、分别配置于素体2A的两端部的第一外部电极4及第二外部电极5。

如图5所示，素体2A通过层叠多个磁性体层6而构成。各磁性体层6在第一方向D1上层叠。即，第一方向D1是层叠方向。素体2A具有层叠的多个磁性体层6。在实际的素体2A中，多个磁性体层6被一体化成不能辨识其层间的边界的程度。

层叠线圈部件1A如图4所示，在素体2内配置有第一线圈8及第二线圈9。第一线圈8和第二线圈9在素体2内，在第一方向D1上分开地配置。

层叠线圈部件1A在素体2内配置有高电阻部40。高电阻部40配置于从第一方向D1观察第一线圈8和第二线圈9重叠的区域。在本实施方式中，高电阻部40呈框状。高电阻部40的宽度尺寸为第一线圈导体20、21、22、23、24、25及第二线圈导体30、31、32、33、34、35的宽度尺寸以上。高电阻部40的电阻率比素体2的磁性体层6高。高电阻部40例如由ZrO₂形成。高电阻部40不限定于框状，也可以是矩形状等。在高电阻部40为矩形状的情况下，从第一方向D1观察，高电阻部40的外缘覆盖第一线圈导体20、21、22、23、24、25及第二线圈导体30、31、32、33、34、35的外缘。

如以上所说明，在本实施方式的层叠线圈部件1A中，在素体2A内配置有第一线圈8和第二线圈9。因此，在层叠线圈部件1A中，能够实现直流电阻的电阻率的降低。

在本实施方式的层叠线圈部件1A中，在从第一方向D1观察第一线圈8和第二线圈9重叠的区域配置有高电阻部40，该高电阻部40为第一线圈导体20、21、22、23、24、25及第二线圈导体30、31、32、33、34、35的宽度尺寸以上，且电阻率比磁性体层6高。在该结构中，利用高电阻部40，能够使第一线圈8和第二线圈9的层间的电阻率比素体材料高。由此，能够提高层叠线圈部件1A的耐电压。

在层叠线圈部件1A中，以通过ZrO₂形成高电阻部40的形式为一例进行了说明。但是，高电阻部40也可以是空隙。在将高电阻部40设为空隙的情况下，形成成为磁性体层6的生片，通过激光加工在生片的高电阻部40(空隙)的形成预定位置形成贯通部。接着，向该贯通部中填充烧成层叠了生片的生坯芯片时消失的树脂。通过烧成生坯芯片，树脂消失，形成空隙。

[第三实施方式]接着，对第三实施方式进行说明。如图6所示，第三实施方式的层叠线圈部件1B具备素体2B、分别配置于素体2B的两端部的第一外部电极4及第二外部电极5。

如图7所示，素体2B通过层叠多个磁性体层6而构成。各磁性体层6在第一方向D1上层叠。即，第一方向D1是层叠方向。素体2B具有层叠的多个磁性体层6。在实际的素体2B中，多个磁性体层6被一体化成不能辨识其层间的边界的程度。

如图6所示，层叠线圈部件1B在素体2B内配置有第一线圈8及第二线圈9B。第一线圈8和第二线圈9B在素体2B内，在第一方向D1上分开地配置。在本实施方式中，第一线圈8配置于素体2B的主面2c侧。详细而言，第一线圈8配置于在第一方向D1上比素体2B的中央靠主面2c侧的区域。第二线圈9B配置于素体2B的主面2d侧。详细而言，第二线圈9B配置于在第一方向D1上比素体2B的中央靠主面2d侧的区域。在层叠线圈部件1中，第一线圈8和第二线圈9B并联地电连接。

如图7所示，第一线圈8将多个第一线圈导体20、21、22、23、24、25和第一连接导体26及第二连接导体27电连接而构成为螺旋状。第一线圈导体20和第一连接导体26一体地形成。相邻的第一线圈导体20、21、22、23、24、25通过通孔导体(省略图示)电连接。第一线圈导体25和第二连接导体27通过通孔导体(省略图示)电连接。第一连接导体26构成第一线圈8的一端部。第一连接导体26在素体2的端面2a露出，并连接于第一外部电极4(第一电极部分4a)。第二连接导体27构成第一线圈8的另一端部。第二连接导体27在素体2的端面2b露出，并连接于第二外部电极5(第一电极部分5a)。

第二线圈9B将多个第二线圈导体50、51、52、53、54、55和第三连接导体56及第四连接导体57电连接而构成为螺旋状。第二线圈导体55和第三连接导体56一体地形成。相邻的第二线圈导体50、51、52、53、54、55通过通孔导体(省略图示)电连接。第二线圈导体50和第四连接导体57通过通孔导体(省略图示)电连接。第三连接导体56构成第二线圈9B的一端部。第三连接导体56在素体2B的端面2a露出，并连接于第一外部电极4(第一电极部分4a)。第四连接导体57构成第二线圈9B的另一端部。第四连接导体57在素体2B的端面2b露出，并连接于第二外部电极5(第一电极部分5a)。

如图6所示，在层叠线圈部件1B中，第一线圈8的第一连接导体26和第二线圈9B的第三连接导体56之间的距离H1比第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9B的第四连接导体57之间的距离H2长。换言之，第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9B的第四连接导体57之间的距离H2比第一线圈8的第一连接导体26和第二线圈9B的第三连接导体56之间的距离H1短。第一线圈8的卷绕方向和第二线圈9B的卷绕方向相同。由此，在向层叠线圈部件1流通电流时，第一线圈8中产生的磁通的朝向和第二线圈9中产生的磁通的朝向相同。

如以上所说明，在本实施方式的层叠线圈部件1B中，在素体2B内配置有第一线圈8和第二线圈9B。因此，在层叠线圈部件1B中，能够实现直流电阻的电阻率的降低。

在本实施方式的层叠线圈部件1B中，在第一方向D1上，第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9B的第四连接导体57之间的距离H2比第一线圈8的第一连接导体26和第二线圈9B的第三连接导体56之间的距离H1短。在该结构中，通过使第一线圈8的第二连接导体27和第二线圈9B的第四连接导体57之间的距离H2比第一线圈8的第一连接导体26和第二线圈9B的第三连接导体56之间的距离H1短，能够缩小向第一线圈8及第二线圈9B流通电流时的第一线圈8和第二线圈9B之间的电位差。因此，能够提高层叠线圈部件1B的耐电压。

在本实施方式的层叠线圈部件1B中，从第一方向D1观察，第一线圈8的卷绕方向和第二线圈9B的卷绕方向相同。在该结构中，第一线圈8和第二线圈9B的磁通的朝向相同。由此，能够使第一线圈8和第二线圈9B的电感值相等。

在层叠线圈部件1B中，可以如层叠线圈部件1那样，素体2B具有磁性体层7(高电阻层)，也可以如层叠线圈部件1A那样，在素体2B中配置高电阻部40。

[第四实施方式]接着，对第四实施方式进行说明。如图8所示，第四实施方式的层叠线圈部件1C具备素体2C、分别配置于素体2C的两端部的第一外部电极4及第二外部电极5。

如图9所示，素体2C通过层叠多个磁性体层6而构成。各磁性体层6在第一方向D1上层叠。即，第一方向D1是层叠方向。素体2C具有层叠的多个磁性体层6。在实际的素体2C中，多个磁性体层6被一体化成不能辨识其层间的边界的程度。

如图8所示，层叠线圈部件1C在素体2C内配置有第一线圈8C及第二线圈9C。第一线圈8C和第二线圈9C在素体2C内，在第一方向D1上分开地配置。在本实施方式中，第一线圈8配置于素体2C的主面2c侧。详细而言，第一线圈8C配置于在第一方向D1上比素体2C的中央靠主面2c侧的区域。第二线圈9B配置于素体2C的主面2d侧。详细而言，第二线圈9B配置于在第一方向D1上比素体2C的中央靠主面2d侧的区域。在层叠线圈部件1C中，第一线圈8C和第二线圈9C并联地电连接。

如图9所示，第一线圈8C将多个第一线圈导体60、61、62、63、64、65和第一连接导体66及第二连接导体67电连接而构成。第一线圈导体60和第一连接导体66一体地形成。相邻的第一线圈导体60、61、62、63、64、65通过通孔导体(省略图示)电连接。第一线圈导体65和第二连接导体67通过通孔导体(省略图示)电连接。第一连接导体66构成第一线圈8C的一端部。第一连接导体66在素体2C的端面2a露出，并连接于第一外部电极4(第一电极部分4a)。第二连接导体67构成第一线圈8C的另一端部。第二连接导体67在素体2C的端面2b露出，并连接于第二外部电极5(第一电极部分5a)。

第二线圈9C将多个第二线圈导体70、71、72、73、74、75和第三连接导体76及第四连接导体77电连接而构成。第二线圈导体75和第三连接导体76一体地形成。相邻的第二线圈导体70、71、72、73、74、75通过通孔导体(省略图示)电连接。第二线圈导体70和第四连接导体77通过通孔导体(省略图示)电连接。第三连接导体76构成第二线圈9C的一端部。第三连接导体76在素体2C的端面2a露出，并连接于第一外部电极4(第一电极部分4a)。第四连接导体77构成第二线圈9C的另一端部。第四连接导体77在素体2C的端面2b露出，并连接于第二外部电极5(第一电极部分5a)。

如图8所示，在层叠线圈部件1C中，第一线圈8C的第一连接导体66和第二线圈9C的第三连接导体76之间的距离H1比第一线圈8C的第二连接导体67和第二线圈9C的第四连接导体77之间的距离H2长。换言之，第一线圈8C的第二连接导体67和第二线圈9C的第四连接导体77之间的距离H2比第一线圈8C的第一连接导体66和第二线圈9C的第三连接导体76之间的距离H1短。第一线圈8C的卷绕方向与第二线圈9C的卷绕方向相反(逆)。由此，在向层叠线圈部件1C流通电流时，第一线圈8中产生的磁通与第二线圈9中产生的磁通互相抵消(相抵)。

如以上所说明，在本实施方式的层叠线圈部件1C中，在素体2C内配置有第一线圈8C和第二线圈9C。因此，在层叠线圈部件1C中，能够实现直流电阻的电阻率的降低。

在本实施方式的层叠线圈部件1C中，在第一方向D1上，第一线圈8C的第二连接导体67和第二线圈9B的第四连接导体77之间的距离H2比第一线圈8C的第一连接导体66和第二线圈9C的第三连接导体76之间的距离H1短。在该结构中，通过使第一线圈8C的第二连接导体67和第二线圈9C的第四连接导体77之间的距离H2比第一线圈8C的第一连接导体66和第二线圈9C的第三连接导体76之间的距离H1短，能够缩小向第一线圈8C及第二线圈9C流通电流时的第一线圈8C和第二线圈9C之间的电位差。因此，能够提高层叠线圈部件1C的耐电压。

在本实施方式的层叠线圈部件1C中，从第一方向D1观察，第一线圈8C的卷绕方向与第二线圈9C的卷绕方向相反。在该结构中，第一线圈8C中产生的磁通与第二线圈9C中产生的磁通互相抵消。因此，能够抑制磁饱和，因此，能够实现直流叠加特性的提高。

在本实施方式的层叠线圈部件1C中，第一线圈8C的多个第一线圈导体60、61、62、63、64、65的数量与第二线圈9C的多个第二线圈导体70、71、72、73、74、75的数量相同。在该结构中，能够使第一线圈8C中产生的磁通与第二线圈9C中产生的磁通有效地相抵。因此，能够更有效地抑制磁饱和，因此，能够实现直流叠加特性的提高。

在层叠线圈部件1C中，可以如层叠线圈部件1那样，素体2B具有磁性体层7(高电阻层)，也可以如层叠线圈部件1A那样，在素体2B配置高电阻部40。

以上，说明了本发明的实施方式，但本发明未必限定于上述的实施方式，能够在不脱离其宗旨的范围内进行各种变更。

第一线圈导体的数量、及第二线圈导体的数量不限于上述的值。如第四实施方式的层叠线圈部件1B，在成为第一线圈8C的卷绕方向与第二线圈9C的卷绕方向相反，且磁通的朝向不同的结构的情况下，优选第一线圈导体的数量和第二线圈导体的数量相同。

在层叠线圈部件1中，从提高耐电压的观点来看，也可以延长第一线圈8与第二线圈9C在第一方向D1上的距离。层叠线圈部件1A、层叠线圈部件1B及层叠线圈部件1C也同样。

第一外部电极4可以仅具有第一电极部分4a，也可以仅具有第二电极部分4b。第二外部电极5可以仅具有第一电极部分5a，也可以仅具有第二电极部分5b。第一外部电极4及第二外部电极5能够采用各种各样的形状。

Claims (9)

1.一种层叠线圈部件，其具备：

素体，其通过层叠包含多个软磁性材料的金属磁性颗粒的磁性体层而形成；

第一线圈，其配置于所述素体内，并且包含多个第一线圈导体而构成；

第二线圈，其配置于所述素体内，并且包含多个第二线圈导体而构成；

第一外部电极，其连接所述第一线圈及所述第二线圈各自的一端部；以及

第二外部电极，其连接所述第一线圈及所述第二线圈各自的另一端部。

2.根据权利要求1所述的层叠线圈部件，其中，

所述第一线圈和所述第二线圈在所述素体中，在所述磁性体层的层叠方向上分开地配置，

在所述素体的所述第一线圈和所述第二线圈之间，从所述层叠方向观察至少所述第一线圈和所述第二线圈重叠的区域的电阻率比所述磁性体层的电阻率高。

3.根据权利要求2所述的层叠线圈部件，其中，

在从所述层叠方向观察所述第一线圈和所述第二线圈重叠的所述区域，配置有高电阻部，所述高电阻部的宽度尺寸为所述第一线圈导体及所述第二线圈导体的宽度尺寸以上，且其电阻率比所述磁性体层的电阻率高。

4.根据权利要求2所述的层叠线圈部件，其中，

在所述素体中，在所述第一线圈和所述第二线圈之间设置有电阻率比所述磁性体层的电阻率高的高电阻层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠线圈部件，其中，

所述第一线圈中最接近所述第二线圈的导体和所述第二线圈中最接近所述第一线圈的导体从所述磁性体层的所述层叠方向观察不重叠。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠线圈部件，其中，

所述第一线圈具有连接于所述第一外部电极的第一连接导体及连接于所述第二外部电极的第二连接导体，

所述第二线圈具有连接于所述第一外部电极的第三连接导体及连接于所述第二外部电极的第四连接导体，

在所述磁性体层的层叠方向上，所述第二连接导体和所述第四连接导体之间的距离比所述第一连接导体和所述第三连接导体之间的距离短，

从所述层叠方向观察，所述第一线圈的卷绕方向和所述第二线圈的卷绕方向相同。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠线圈部件，其中，

所述第一线圈具有连接于所述第一外部电极的第一连接导体及连接于所述第二外部电极的第二连接导体，

所述第二线圈具有连接于所述第一外部电极的第三连接导体及连接于所述第二外部电极的第四连接导体，

在所述磁性体层的层叠方向上，所述第二连接导体和所述第四连接导体之间的距离比所述第一连接导体和所述第三连接导体之间的距离短，

从所述层叠方向观察，所述第一线圈的卷绕方向与所述第二线圈的卷绕方向相反。

8.根据权利要求7所述的层叠线圈部件，其中，

所述第一线圈的所述第一线圈导体的数量与所述第二线圈的所述第二线圈导体的数量相同。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠线圈部件，其中，

在所述第一线圈和所述第二线圈之间，所述金属磁性颗粒以沿着所述磁性体层的层叠方向的方式配置两个以上。

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