CN115791942A - 基于dna辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，涉及分子印记传感器技术领域，制备方法，步骤如下：S1.将裸金电极用氧化铝抛光粉在麂皮表面进行打磨，以铁氰化钾溶液作为探针分子，使用循环伏安法测定至金电极电压响应值小于120mV，得到打磨好的金电极；S2.将打磨好的金电极置于单链DNA溶液中进行自组装，然后浸泡在互补DNA溶液中进行杂交，再浸入多菌灵溶液进行结合，得到DNA‑BCM复合物修饰的金电极；S3.将DNA‑BCM复合物修饰的金电极浸入邻苯二胺溶液中，采用循环伏安法进行电聚合，得到印迹聚合物修饰的金电极；S4.将印迹聚合物修饰的金电极置于甲醇和乙酸的混合溶液中进行洗脱，得到所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器。

Description

基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法

技术领域

本发明涉及分子印记传感器技术领域，具体涉及一种基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法。

背景技术

农药是具有一定毒性的化学物质，能消除病虫害，对农作物等进行增产。使用之后，或多或少会残留一些农药在农作物上，不仅对水质、农作物产品、环境造成污染，而且农残会随着食物链进入人体中，危害人的身体健康。农药残留量超过一定值时会产生毒害作用。所以及时检测和减少农残是一项重要的工作。现阶段的农残检测方法主要有：气相-色谱质谱技术、生物检测、化学分析法等，这些方法属于传统方法，耗费时间长，操作步骤繁琐，选择性和抗干扰能力差。因此，需要一种快速，高效识别农残的检测方法。

多菌灵(BCM)又名棉萎灵。其是作为广谱性的杀菌剂，具有杀菌效果强、毒害低的优点，在农作物病害有防治有一定的效果，如减少由真菌(如半知菌、多子囊菌)引起的病害，此外也可喷洒在叶面部位、农业上处理种子及土壤。但是过量使用多菌灵，会对农作物产量、营养价值、细胞色素含量等造成很大影响，其残留能引起肝病和染色体畸变，对哺乳动物有毒害，严重情况可以致死。目前检测多菌灵的方法主要有：高效液相色谱法、紫外分光光度法、免疫分析法。但高效液相色谱法仪器价格昂贵，且多菌灵溶解性小，想要重现性和稳定性好的结果有一定困难；在紫外分光光度法中，BCM残留量需结合吸光度与BCM二者的计量关系来计算，计算复杂；免疫分析法多菌灵特异性抗原及抗体制备困难。因此，建立一种能快速分离多菌灵、分离效果好、选择性好且灵敏度高的方法显得非常重要。

分子印迹技术是一种为获得在空间和结合位点上与某一分子完全匹配的聚合物的实验制备技术，最初模仿抗原抗体特异性结合发展而来。作用基本原理：当目标物分子与功能单体作用一定时间后形成聚合物，聚合物内部会形成一定的空间，包裹着目标分子，对聚合物进行洗脱，其内部留下与目标物分子形状、大小一致的孔穴，聚合物会对该模板分子进行特异性识别。分子印迹技术可根据相应的目标模板制作分子印迹聚合物，所制备的印迹聚合物对目标分子可专一识别，但常规分子印迹传感器存在一些问题：①印迹容量低；②难识别大分子物质；③在水环境中识别性能差。因此，可在传统分子印迹传感器上，引入辅助性识别物质，改善印迹传感器的性能。

DNA是遗传物质，其具有双螺旋结构，小生物分子可以与DNA的碱基、磷酸骨架及戊糖环结合。DNA与小生物分子的非共价键结合主要有以下三种方式：静电结合、沟槽结合、嵌插结合。静电结合主要是化合物分子与DNA磷酸骨架之间的静电作用；沟槽结合为化合物分子与DNA的大沟或小沟的碱基对边缘直接作用；嵌插结合方式是化合物分子的平面芳香环嵌入DNA双螺旋的碱基对内。

目前，还没一种引入DNA作为辅助识别物质，增加识别位点，固定目标分子的空间构象，提高印迹孔穴的精密度，且提高印迹结构的稳定性，从而达到改善传感器性能的分子印迹传感器的制备方法。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，本发明提供的制备方法以多菌灵为模板分子，使DNA通过SH-Au键固定在金电极表面，然后浸入目标物多菌灵溶液中进行结合，通过DNA双链中的碱基对与多菌灵分子中的芳香环相互作用形成DNA-BCM复合物，选择邻苯二胺作为底液进行电聚合，制备得到分子印迹聚合物，将目标分子进行洗脱，得到具有与多菌灵形状、大小、结构、及识别位点均一致孔穴的分子印迹传感器。

本发明的目的在于保护一种基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，步骤如下：

S1.将裸金电极用氧化铝抛光粉在麂皮表面进行打磨，以铁氰化钾溶液作为探针分子，使用循环伏安法测定至金电极电压响应值小于120mV，得到打磨好的金电极；

S2.将打磨好的金电极置于单链DNA溶液中进行自组装，修饰单链DNA后的金电极，然后浸泡在互补DNA溶液中进行杂交，得到修饰互补DNA后的金电极，再浸入多菌灵溶液进行结合，得到DNA-BCM复合物修饰的金电极；

S3.将DNA-BCM复合物修饰的金电极浸入邻苯二胺溶液中，采用循环伏安法进行电聚合，得到印迹聚合物修饰的金电极；

S4.将印迹聚合物修饰的金电极置于甲醇和乙酸的混合溶液中进行洗脱，得到所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器；

所述的互补DNA的序列为：3，-C6-TCTCTCTCTCTC-5；

所述的单链DNA的序列：5，-SH-C6-AGAGAGAGAGAG-3。

优选地，步骤S1中，所述的氧化铝抛光粉的尺寸为0.05μm。

优选地，步骤S1中，所述的铁氰化钾溶液的浓度为5.0×10^-3mol/L。

优选地，步骤S2中，所述的单链DNA溶液的浓度为1.0×10^-6mol/L，所述的自组装的时间为80min。

优选地，步骤S2中，所述的互补DNA溶液的浓度为1.0×10^-6mol/L，所述的杂交的时间为140min。

优选地，步骤S2中，所述的多菌灵溶液的浓度为1.0×10^-5mol/L，所述的进行结合的时间为240min。

优选地，步骤S3中，所述的邻苯二胺溶液的浓度为5.0×10^-4mol/L。

优选地，步骤S3中，所述的进行电聚合的条件：聚合圈数为15圈，扫描范围为-0.2V～+0.6V，扫描速率为50mV/s。

优选地，步骤S4中，所述的甲醇和乙酸的混合溶液中甲醇和乙酸的体积比为8：1，所述的进行洗脱的时间为40min。

本发明的有益效果体现在：

(1)本发明提供的制备方法以多菌灵为模板分子，使DNA通过SH-Au键固定在金电极表面，然后浸入目标物多菌灵溶液中进行结合，通过DNA双链中的碱基对与多菌灵分子中的芳香环相互作用形成DNA-BCM复合物，选择邻苯二胺作为底液进行电聚合，制备得到分子印迹聚合物，将目标分子进行洗脱，得到具有与多菌灵形状、大小、结构、及识别位点均一致孔穴的分子印迹传感器。

(2)本发明提供的制备方法利用DNA固定多菌灵分子(BCM)的空间构象，改善了印迹孔穴空间结构的精密程度，提高传感器特异性识别能力，且在分子印迹聚合物可以在印迹识别的基础上增加了DNA提供的与生物分子的识别位点，达到双重识别的效果，提高传感器的特异性识别效果。制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器对多菌灵具有高选择性、稳定性高、具有良好的重现性、使用寿命长。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。

图1为实施例提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的伏安响应图；

图2为对比例制得的非分子印迹传感器的伏安响应图；

图3为实施例提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的阻抗响应图；

图4为DNA、多菌灵、DNA-BCM的紫外图谱；

图5为实施例提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器在不同浓度多菌灵时的电流响应信号；

图6为实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的抗干扰能力；

附图1中，a-裸金电极，b-修饰单链DNA后的金电极，c-修饰互补DNA后的金电极，d-DNA-BCM复合物修饰的金电极，e-基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器，f-基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器对多菌灵溶液进行重吸附，g-印迹聚合物修饰的金电极；

附图2中，a-裸金电极，b-修饰互补DNA后的金电极，c-印迹聚合物，d-非分子印迹传感器，e-非分子印迹传感器对多菌灵溶液进行重吸附；

附图3中，a-裸金电极，b-修饰单链DNA后的金电极，c-修饰互补DNA后的金电极，d-DNA-BCM复合物修饰的金电极，e-基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器，f-基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器对多菌灵溶液进行重吸附，g-印迹聚合物修饰的金电极；

附图4中，a-DNA，b-BCM，c-实施例制得的DNA-BCM复合物修饰的金电极；

附图5中，a-1×10^-14mol/L，b-3×10^-14mol/L，c-7×10^-14mol/L，d-1×10^-13mol/L，e-3×10^-13mol/L，f-7×10^-13mol/L，g-1×10^-12mol/L，h-3×10^-12mol/L，i-7×10^-12mol/L；

附图6中，a-西维因，b-噻虫啉，c-残杀威，d-异丙威，e-BCM。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本发明的保护范围。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。

实施例

本实施例提供了一种基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，步骤如下：

S1.将裸金电极用氧化铝抛光粉在麂皮表面进行打磨，以铁氰化钾溶液作为探针分子，使用循环伏安法测定至金电极电压响应值小于120mV，得到打磨好的金电极；

S2.将打磨好的金电极置于单链DNA溶液中进行自组装，然后浸泡在互补DNA溶液中进行杂交，再浸入多菌灵溶液进行结合，得到DNA-BCM复合物修饰的金电极；

S3.将DNA-BCM复合物修饰的金电极浸入邻苯二胺溶液中，采用循环伏安法进行电聚合，得到印迹聚合物修饰的金电极；

S4.将印迹聚合物修饰的金电极置于甲醇和乙酸的混合溶液中进行洗脱，得到基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器；

其中，互补DNA的序列为：3，-C6-TCTCTCTCTCTC-5；单链DNA的序列：5，-SH-C6-AGAGAGAGAGAG-3。

步骤S1中，氧化铝抛光粉的尺寸为0.05μm。

步骤S1中，铁氰化钾溶液的浓度为5.0×10^-3mol/L。

步骤S2中，单链DNA溶液的浓度为1.0×10^-6mol/L，自组装的时间为80min。

步骤S2中，互补DNA溶液的浓度为1.0×10^-6mol/L，杂交的时间为140min。

步骤S2中，多菌灵溶液的浓度为1.0×10^-5mol/L，进行结合的时间为240min。

步骤S3中，邻苯二胺溶液的浓度为5.0×10^-4mol/L。

步骤S3中，进行电聚合的条件：聚合圈数为15圈，扫描范围为-0.2V～+0.6V，扫描速率为50mV/s。

步骤S4中，甲醇和乙酸的混合溶液中甲醇和乙酸的体积比为8：1，进行洗脱的时间为40min。

对比例

本对比例提供了一种非分子印迹传感器的制备方法，与实施例的不同之处在于：不包括S2中的步骤：浸入多菌灵溶液进行结合。

试验例1

测试实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的伏安响应

样品制备：对市售的橙子进行处理，步骤如下：取橙子1个，全部均匀切片，榨汁，过滤，收集滤液，离心(3000r/min,15min)，取上清液，加入1mL0.2mol/L pH＝7.4PBS，用玻璃棒转移至50mL容量瓶中，然后使用PBS溶液定容至刻度线，摇匀，备用。

测试方法：将实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器对样品进行检测，记录检测之后的DPV电流响应值。

测试结果：见图1。

从图1可知，在裸金电极(曲线“a”)上进行单链DNA修饰80min，得到修饰单链DNA后的金电极(曲线“b”)，修饰上去的单链DNA在一定程度上阻碍了电子的传递，相比裸金电极而言，探针分子信号强度明显下降，继续修饰互补DNA 240min，得到修饰互补DNA后的金电极(曲线“c”)，探针分子信号强度继续下降。后结合目标分子BCM 240min后，得到DNA-BCM复合物修饰的金电极(曲线“d”)，由于BCM堵塞了孔穴导致电子难以传递，进一步阻碍了电子的传递，使得探针分子信号强度进一步降低。以邻苯二胺为聚合物底液，当电聚合后，得到印迹聚合物修饰的金电极(曲线“g”)，产生的膜堵住传递电子传递的通路，使电流值急剧下降。洗脱BCM后，得到基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器(曲线“e”)，由于被洗脱位置产生与BCM形状、大小一致的孔穴，电子可重新进行传递，因此电流值有了明显增大；将基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器置于1.0×10^-5mol/L BCM溶液重吸附240min，由于多菌灵与结构、大小以及形状相匹配的印迹孔穴结合，传递电子的通道重新被堵塞，因此使得探针分子信号强度继续降低(曲线“f”)。因此，本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器能够识别BCM。

试验例2

测试对比例制得的非分子印迹传感器的伏安响应

样品制备：对市售的橙子进行处理，步骤如下：取橙子1个，全部均匀切片，榨汁，过滤，收集滤液，离心(3000r/min,15min)，取上清液，加入1mL0.2mol/L pH＝7.4PBS，用玻璃棒转移至50mL容量瓶中，然后使用PBS溶液定容至刻度线，摇匀，备用。

测试方法：将实施例制得的非分子印迹传感器对样品进行检测，记录检测之后的DPV电流响应值。

测试结果：见图2。

从图2可知，在裸金电极(曲线“a”)上组装DNA，得到修饰互补DNA后的金电极(曲线“b”)，以邻苯二胺作为聚合物底液，进行电聚合，制备印迹聚合物(曲线“c”)，由于形成致密的印迹膜，因此探针分子信号急剧下降；进行洗脱后，得到非分子印迹传感器(曲线“d”)由于电聚合时未添加BCM，洗脱后无法形成印迹孔穴，传递电子的通道无法形成，因此响应信号强度基本无变化。重吸附1.0×10^-12mol/L BCM后(曲线“e”)，由于制备非分子印迹传感器时，没有添加目标分子BCM，探针分子的响应信号强度与洗脱时基本一致。因此，非分子印迹传感器对BCM无识别效果，而本发明提供的对BCM为特异性吸附。

试验例3

测试实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的阻抗响应

测试结果：见图3所示。

从图3可知，裸金电极：处于裸金电极下有着最小的电阻值(曲线“a”，174.977Ω)。

修饰单链DNA后的金电极：自组装单链DNA至电极上，阻碍了部分电子的转移，电阻值比裸金电极大(曲线“b”，807.878Ω)。

修饰互补DNA后的金电极：自组装互补DNA至电极上，形成的DNA双螺旋结构加大阻碍电子的作用，因此电阻值继续增大(曲线“c”，1029.8Ω)。

DNA-BCM复合物修饰的金电极：DNA结合目标分子BCM，电阻值相比裸电极更大(曲线“d”，1397.6Ω)。

印迹聚合物修饰的金电极：电聚合后产生致密的膜覆盖在电极表面，电阻值有着非常明显的增大(曲线“e”，26956.7Ω)。

基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器：将BCM进行洗脱之后，聚合物有了可以传递电子的孔穴，电阻值有着明显的减小(曲线“f”，1779.65Ω)。

基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器对多菌灵溶液进行重吸附：重吸附1.0×10^-12mol/L目标分子后，BCM重新进入孔穴，孔穴被BCM堵住，无法传递电子，导电能力下降，电阻值开始增大(曲线“g”，2643.1Ω)。

采用ZsimpWin软件制作阻抗效应曲线，对制作传感器的每一步进行阻抗测定，试验结果可知，制作的阻抗效应的曲线与工作曲线表现出较好的重合性，得到的结论与差分脉冲伏安法的响应结果相同。

试验例4

紫外光谱表征

测试方法：分别对DNA、多菌灵、实施例制得的DNA-BCM复合物修饰的金电极利用紫外光谱对其三者吸光度进行测量。

测试结果：见图4所示。

从图4可知，在波长为257nm处，DNA出现最大吸收峰。在波长为284.5nm多菌灵出现最大吸收峰，DNA与目标分子BCM结合稳定后，最大吸收峰向短波方向移动，发生蓝移，在243nm产生吸收峰。因BCM苯环平面嵌入DNA中，最大吸收峰蓝移，因此，实施例中DNA-BCM复合物构建成功。

试验例5

测试实施例提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器在不同浓度多菌灵时的电流响应信号。

测试方法：多菌灵浓度a→i分别为1×10^-14、3×10^-14、7×10^-14、1×10^-13、3×10^-13、7×10^-13、1×10^-12、3×10^-12、7×10^-12mol/L。

从图5可知，随着BCM浓度的负对数(-lgC)增大，传感器响应信号强度变化值呈现减小趋势，二者在1×10^-14mol/L至7×10^-12mol/L浓度范围内呈现较好的线性关系，线性方程为Δi(μA)＝5.0563lgC(mol/L)-49.8233(r＝0.9909)，检出限DL为2.63×10^-15mol/L。

试验例6

检测实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的稳定性、重现性和使用寿命

采用平行测定方法，将同一个基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器平行测定浓度为1.0×10^-10mol/LBCM 10次，结果显示，相对标准偏差为3.3％，因此，本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器具有良好的稳定性。

采用实施例提供的制备方法方法制备5个基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器，同时测定1.0×10^-10mol/L BCM，结果显示，相对标准偏差为3.7％。因此，本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器具有良好的重现性。

采用实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器，在低温干燥条件下冷藏7天，平行测定5次1.0×10^-10mol/L BCM，电流变化量较低。置于低温干燥条件下保存20天，测定1.0×10^-10mol/L BCM，结果显示，电流变化量平均下降6.5％，因此，本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器具有较长的使用寿命。

试验例7

检测实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的抗干扰能力

配制3.0×10^-10mol/L的西维因、噻虫啉、残杀威、异丙威进行测定。将测实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器识别干扰物质和BCM的能力进行比较。

实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器具有与BCM形状、大小、结构一致的孔穴，BCM的芳香环平面以嵌插的方式嵌入DNA的碱基对中，分子印迹传感器结合DNA提供的识别位点可达到双重识别BCM的效果，而比BCM更小的物质不具备与BCM一样的结构、形状及大小，与孔穴不匹配，因此该方法无法吸附比BCM更小分子。

从图6可知，干扰物中最大响应信号值仅为多菌灵的响应信号值的3.5％。因此，本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器几乎不识别干扰物质，而本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器可特异性识别BCM。

试验例8

样品检测

样品制备：对市售的橙子进行处理，步骤如下：取橙子1个，全部均匀切片，榨汁，过滤，收集滤液，离心(3000r/min,15min)，取上清液，加入1mL0.2mol/L pH＝7.4PBS，用玻璃棒转移至50mL容量瓶中，然后使用PBS溶液定容至刻度线，摇匀，备用。

在配好的样品中，放入实施例制得的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器，测定时间为90min，测定探针分子的响应信号强度，结果见表1。根据样品响应电流，通过线性方程计算所测样品浓度为：1.17×10^-12mol/L至2.16×10^-12mol/L，工作曲线在1×10^{- 14}mol/L至7×10^-12mol/L范围中，因此样品浓度在线性范围中。

采用加标回收法对传感器的性能进行评估。结果表明，对样品中多菌灵的回收率范围为95.25％～107.00％。说明本发明提供的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器实用性强，能有效检测样品中BCM。

表1

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。

Claims (9)

1.一种基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：所述的的制备方法，步骤如下：

S1.将裸金电极用氧化铝抛光粉在麂皮表面进行打磨，以铁氰化钾溶液作为探针分子，使用循环伏安法测定至金电极电压响应值小于120mV，得到打磨好的金电极；

S2.将打磨好的金电极置于单链DNA溶液中进行自组装，然后浸泡在互补DNA溶液中进行杂交，再浸入多菌灵溶液进行结合，得到DNA-BCM复合物修饰的金电极；

S3.将DNA-BCM复合物修饰的金电极浸入邻苯二胺溶液中，采用循环伏安法进行电聚合，得到印迹聚合物修饰的金电极；

S4.将印迹聚合物修饰的金电极置于甲醇和乙酸的混合溶液中进行洗脱，得到所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器；

所述的互补DNA的序列为：3，-C6-TCTCTCTCTCTC-5；

所述的单链DNA的序列：5，-SH-C6-AGAGAGAGAGAG-3。

2.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述的氧化铝抛光粉的尺寸为0.05μm。

3.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述的铁氰化钾溶液的浓度为5.0×10^-3mol/L。

4.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述的单链DNA溶液的浓度为1.0×10^-6mol/L，所述的自组装的时间为80min。

5.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述的互补DNA溶液的浓度为1.0×10^-6mol/L，所述的杂交的时间为140min。

6.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述的多菌灵溶液的浓度为1.0×10^-5mol/L，所述的进行结合的时间为240min。

7.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述的邻苯二胺溶液的浓度为5.0×10^-4mol/L。

8.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述的进行电聚合的条件：聚合圈数为15圈，扫描范围为-0.2V～+0.6V，扫描速率为50mV/s。

9.根据权利要求1所述的基于DNA辅助识别的多菌灵分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述的甲醇和乙酸的混合溶液中甲醇和乙酸的体积比为8：1，所述的进行洗脱的时间为40min。

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