CN115763577B - 温控抗过载光组件 - Google Patents

温控抗过载光组件 Download PDF

Info

Publication number
CN115763577B
CN115763577B CN202211513506.3A CN202211513506A CN115763577B CN 115763577 B CN115763577 B CN 115763577B CN 202211513506 A CN202211513506 A CN 202211513506A CN 115763577 B CN115763577 B CN 115763577B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
chip
electric lead
optical
temperature control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211513506.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115763577A (zh
Inventor
曲业飞
邱振龙
郭靖宇
邹小雪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Zhongkejilian Optoelectronic Integrated Technology Research Institute Co ltd
Original Assignee
Shandong Zhongkejilian Optoelectronic Integrated Technology Research Institute Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Zhongkejilian Optoelectronic Integrated Technology Research Institute Co ltd filed Critical Shandong Zhongkejilian Optoelectronic Integrated Technology Research Institute Co ltd
Priority to CN202211513506.3A priority Critical patent/CN115763577B/zh
Publication of CN115763577A publication Critical patent/CN115763577A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115763577B publication Critical patent/CN115763577B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种温控抗过载光组件,它属于光组件领域,即可以解决接收端,PD芯片的输入光功率过载,即入射到PD芯片的光功率大于过载光功率问题,又可以解决发射端,在不改变LD芯片工作参数与不增加光衰减器的条件下,调节LD芯片光功率的问题。它主要包括管座,管座上设有管帽和芯片,管帽上设有光窗,所述管座上设有P极电引线和N极电引线,P极电引线和N极电引线之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上方设有温控光学部件,光孔和温控光学部件位于芯片上方。本发明主要用于为PD芯片或LD芯片调节透光率。

Description

温控抗过载光组件
技术领域
本发明涉及一种光组件,具体地说,尤其涉及一种温控抗过载光组件。
背景技术
自由空间光通讯应用场景,由于湍流、大气扰动的存在,导致接收端入射到光电探测器的光功率闪烁。当入射到光电探测器的光功率大于过载光功率时,将导致通讯系统会产生误码,严重时甚至烧毁光电探测器芯片。
自由空间光通讯或光纤通讯应用场景,为了调整光发射端的光功率,一般有两种解决方案,①改变LD芯片的工作参数,改变激LD芯片发出的光功率;②在光链路中增加光衰减器,调整光链路内的光功率。
限流方案:在光电探测器增加电阻,以降低通过光电探测器芯片的电流,避免PD过载或烧毁。限压方案:控制PD工作电压,避免PD过载或烧毁。PD的工作电压值越大,灵敏度越好,越容易过载;PD的工作电压值越小,灵敏度越差,越不容易过载。
无论是限流方案或者限压方案,都是通过调整PD的工作参数,不能从根本上控制入射光,无法从控制输入光功率这个根本上解决问题。
发明内容
本发明的目的,在于提供一种温控抗过载光组件,即可以解决接收端,芯片的输入光功率过载,即入射到的光功率大于过载光功率问题,又可以解决发射端,在不改变芯片工作参数与不增加光衰减器的条件下,调节光功率的问题。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种温控抗过载光组件,包括管座,管座上设有管帽和芯片,管帽上设有光窗,所述管座上设有P极电引线和N极电引线,P极电引线和N极电引线之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上方设有温控光学部件,光孔和温控光学部件位于芯片上方。
进一步地,所述的温控光学部件包括透明材质和温感聚合物液体,温感聚合物液体位于透明材质内,透明材质为凝胶玻璃或高温熔融玻璃或透明陶瓷或有机玻璃,温感聚合物液体包括温感聚合物3~10%、红外吸收剂0.1~2%、醇溶剂60~90%和去离子水,上述含量为重量百分比。
进一步地,所述的透明材质厚度0.1mm~3.0mm,长度0.1~1.0mm,宽度0.1~1.0mm。
进一步地,当温控光学部件的材料温度高于浊点时,温感聚合物液体为均相,透光率趋于100%;当温控光学部件的材料温度低于浊点时,温感聚合物液体为非均相,溶液变浑浊,温度越低,浑浊度越高,透光率越小。
进一步地,所述的温控模块包括陶瓷基板,陶瓷基板上设有薄膜电阻,薄膜电阻环设于温控光学部件下方,P极电引线和N极电引线分别电性连接薄膜电阻两端;薄膜电阻等同于一定阻值R的电阻,当有电流I从P极流向N极时产生热量,热量功率P=I2R,当薄膜电阻电流I为零时,温控光学部件不透光;当薄膜电阻电流I逐渐增加时,薄膜电阻产生热量,随着温控光学部件温度逐渐增加,温控光学部件的透光率逐渐变大,入射到芯片上的光功率也随之增大。
进一步地,所述的温控模块为TEC温控器,TEC温控器的P极与P极电引线电性连接,TEC温控器的N极与N极电引线电性连接;通过调整P极电引线、N极电引线之间的电流方向与大小,TEC温控器表面的温度不同,从而调整温控光学部件的透光率。
进一步地,所述的芯片为PD芯片或LD芯片。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、从光路的根本环节上,解决PD芯片光过载或控制LD芯片光功率过大的问题。
2、不增加原来光组件的尺寸,通过嵌入式封装方案,解决PD芯片光过载或控制LD芯片光功率过大的问题。
3、不改变激光器芯片的工作参数(影响激光器芯片的稳定性),不在光链路中增加光衰减器(增加成本),实现对发射光功率的调整。
4、利用浊点(Cloud point)原理,控制温度,使温感聚合物由均相变为非均相,适用于宽光谱范围的透光率的调整,适用性更广。
附图说明
图1是本发明的实施例1的结构示意图;
图2是本发明的实施例2的结构示意图;
图3是本发明的陶瓷基板、薄膜电阻的结构示意图;
图4是本发明的温控光学部件结构示意图;
图5是本发明温控光学部件的材料温度与透光率的变化曲线图;
图6是本发明温控光学部件的工作原理框图。
图中:1、光窗;2、管帽;3、芯片;4、P极电引线;5、温控光学部件;6、TEC温控器;7、N极电引线;8、管座;9、陶瓷基板;10、薄膜电阻;11、透明材质;12、温感聚合物液体。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步地描述说明。
如图1、3所示,实施例1、一种温控抗过载光组件,包括管座8,管座8上设有管帽2和芯片3,管帽2上设有光窗1,所述管座8上设有P极电引线4和N极电引线7,P极电引线4和N极电引线7之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上方设有温控光学部件5,光孔和温控光学部件5位于芯片3上方;如图4所示,所述的温控光学部件5包括透明材质11和温感聚合物液体12,温感聚合物液体12位于透明材质11内,透明材质11为凝胶玻璃或高温熔融玻璃或透明陶瓷或有机玻璃,温感聚合物液体12包括温感聚合物3~10%、红外吸收剂0.1~2%、醇溶剂60~90%和去离子水,上述含量为重量百分比;所述的透明材质11厚度1.5mm,长度0.8mm,宽度0.8mm;如图5所示,当温控光学部件5的材料温度高于浊点时,温感聚合物液体12为均相,透光率趋于100%;当温控光学部件5的材料温度低于浊点时,温感聚合物液体12为非均相,溶液变浑浊,温度越低,浑浊度越高,透光率越小所述的温控模块包括陶瓷基板9,陶瓷基板9上设有薄膜电阻10,薄膜电阻10环设于温控光学部件5下方,P极电引线4和N极电引线7分别电性连接薄膜电阻10两端;薄膜电阻10等同于一定阻值R的电阻,当有电流I从P极流向N极时产生热量,热量功率P=I2R,当薄膜电阻10电流I为零时,温控光学部件5不透光;当薄膜电阻10电流I逐渐增加时,薄膜电阻10产生热量,随着温控光学部件5温度逐渐增加,温控光学部件5的透光率逐渐变大,入射到芯片3上的光功率也随之增大;所述的芯片3为PD芯片或LD芯片。
如图6所示,当薄膜电阻10处于低功耗状态,此时,温控光学部件5温度低于浊点,透光率低,PD芯片或LD芯片响应电流低,逐渐增加薄膜电阻10的功耗,材料温度升高,透光率升高,进而,PD芯片或LD芯片响应电流逐渐变大,PD芯片或LD芯片响应电流处于正常范围,保持薄膜电阻10功耗不变,光组件正常工作;否则,薄膜电阻10表面的温度改变,调整温控光学部件5的透光率。薄膜电阻10电流为零时,温控光学部件5不透光。当电流I逐渐增加时,薄膜电阻10产生热量,随着温控光学部件5温度逐渐增加,温控光学部件5的透光率逐渐变大,入射到PD芯片或LD芯片上的光功率也随之增大。
如图2所示,实施例2、一种温控抗过载光组件,包括管座8,管座8上设有管帽2和芯片3,管帽2上设有光窗1,所述管座8上设有P极电引线4和N极电引线7,P极电引线4和N极电引线7之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上方设有温控光学部件5,光孔和温控光学部件5位于芯片3上方;如图4所示,所述的温控光学部件5包括透明材质11和温感聚合物液体12,温感聚合物液体12位于透明材质11内,透明材质11为凝胶玻璃或高温熔融玻璃或透明陶瓷或有机玻璃,温感聚合物液体12包括温感聚合物3~10%、红外吸收剂0.1~2%、醇溶剂60~90%和去离子水,上述含量为重量百分比;所述的透明材质11厚度2mm,长度1.0mm,宽度1.0mm;如图5所示,当温控光学部件5的材料温度高于浊点时,温感聚合物液体12为均相,透光率趋于100%;当温控光学部件5的材料温度低于浊点时,温感聚合物液体12为非均相,溶液变浑浊,温度越低,浑浊度越高,透光率越小;所述的温控模块为TEC温控器6,TEC温控器6的P极与P极电引线4电性连接,TEC温控器6的N极与N极电引线7电性连接;通过调整P极电引线4、N极电引线7之间的电流方向与大小,TEC温控器6表面的温度不同,从而调整温控光学部件5的透光率;所述的芯片3为PD芯片或LD芯片,其它与实施例1相同。
TEC温控器6的P极、N极与管座的P极电引线4、N极电引线7进行电气性连接,如图6所示,当TEC温控器6处于低功耗状态,此时,温控光学部件5温度低于浊点,透光率低,PD芯片或LD芯片响应电流低,逐渐增加TEC温控器6的功耗,材料温度升高,透光率升高,进而,PD芯片或LD芯片响应电流逐渐变大,PD芯片或LD芯片响应电流处于正常范围,保持TEC温控器6功耗不变,光组件正常工作;否则,TEC温控器6表面的温度改变,调整温控光学部件5的透光率。

Claims (5)

1.一种温控抗过载光组件,包括管座(8),管座(8)上设有管帽(2)和芯片(3),管帽(2)上设有光窗(1),其特征在于:所述管座(8)上设有P极电引线(4)和N极电引线(7),P极电引线(4)和N极电引线(7)之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上设有温控光学部件(5),光孔位于芯片(3)上方;所述的温控光学部件(5)包括透明材质(11)和温感聚合物液体(12),温感聚合物液体(12)位于透明材质(11)内,透明材质(11)为凝胶玻璃或高温熔融玻璃或透明陶瓷或有机玻璃,温感聚合物液体(12)按重量百分比包括温感聚合物3~10%、红外吸收剂0.1~2%、醇溶剂60~90%和去离子水;当温控光学部件(5)的材料温度高于浊点时,温感聚合物液体(12)为均相;当温控光学部件(5)的材料温度低于浊点时,温感聚合物液体(12)为非均相。
2.根据权利要求1所述的温控抗过载光组件,其特征在于:所述的透明材质(11)厚度0.1mm~3.0mm,长度0.1~1.0mm,宽度0.1~1.0mm。
3.根据权利要求1所述的温控抗过载光组件,其特征在于:所述的温控模块包括陶瓷基板(9),陶瓷基板(9)上设有薄膜电阻(10),薄膜电阻(10)环设于温控光学部件(5)下方,P极电引线(4)和N极电引线(7)分别电性连接薄膜电阻(10)两端。
4.根据权利要求1所述的温控抗过载光组件,其特征在于:所述的温控模块为TEC温控器(6),TEC温控器(6)的P极与P极电引线(4)电性连接,TEC温控器(6)的N极与N极电引线(7)电性连接。
5.根据权利要求1所述的温控抗过载光组件,其特征在于:所述的芯片(3)为PD芯片或LD芯片。
CN202211513506.3A 2022-11-29 2022-11-29 温控抗过载光组件 Active CN115763577B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211513506.3A CN115763577B (zh) 2022-11-29 2022-11-29 温控抗过载光组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211513506.3A CN115763577B (zh) 2022-11-29 2022-11-29 温控抗过载光组件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115763577A CN115763577A (zh) 2023-03-07
CN115763577B true CN115763577B (zh) 2023-10-27

Family

ID=85340536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211513506.3A Active CN115763577B (zh) 2022-11-29 2022-11-29 温控抗过载光组件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115763577B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008239810A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Nichiyu Giken Kogyo Co Ltd 耐光性温度管理インジケーター
CN106410601A (zh) * 2016-06-14 2017-02-15 武汉宜鹏光电科技有限公司 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺
CN106969842A (zh) * 2017-04-17 2017-07-21 武汉联钧科技有限公司 一种光电传感器及红外测温仪
CN110857889A (zh) * 2018-08-23 2020-03-03 江阴市鼎众新能源材料有限公司 一种温感智能复合光学玻璃
CN111987076A (zh) * 2020-08-31 2020-11-24 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法
CN114745052A (zh) * 2022-04-12 2022-07-12 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008239810A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Nichiyu Giken Kogyo Co Ltd 耐光性温度管理インジケーター
CN106410601A (zh) * 2016-06-14 2017-02-15 武汉宜鹏光电科技有限公司 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺
CN106969842A (zh) * 2017-04-17 2017-07-21 武汉联钧科技有限公司 一种光电传感器及红外测温仪
CN110857889A (zh) * 2018-08-23 2020-03-03 江阴市鼎众新能源材料有限公司 一种温感智能复合光学玻璃
CN111987076A (zh) * 2020-08-31 2020-11-24 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法
CN114745052A (zh) * 2022-04-12 2022-07-12 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN115763577A (zh) 2023-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160306251A1 (en) Driving device for electrochromic device, electrochromic apparatus, optical filter, imaging apparatus, lens unit, and window member including electrochromic device, and method for driving electrochromic device
WO1994011777A1 (en) Electrochromic-photovoltaic film for light-sensitive control of optical transmittance
US8345721B2 (en) Method for driving optical transmitter
CN115763577B (zh) 温控抗过载光组件
CN106848829A (zh) 一种垂直腔面发射同轴封装光电器件及其封装方法
CN201796077U (zh) 一种带apc的激光器偏置电流监视电路
CN212967701U (zh) 一种温控光耦
CN203133636U (zh) 自动温度控制电路及包含其的光收发模块
CN201256288Y (zh) 雪崩光电二极管偏压保护装置及电路
CN202977955U (zh) 具有温度控制功能的万兆光模块
CN104423400A (zh) 一种激光器自动控制温度的方法
CN102646925B (zh) 带光反馈激光模组结构
JP2007525722A (ja) 光制限素子を備える送信機および受信機用光学部品
JP4703312B2 (ja) 非線形半導体光素子駆動装置
KR19980046586A (ko) 공진파장 제어 기능을 구비한 고분자 광검출기
CN203301491U (zh) 一种发射机自动控制功率电路
JP6660338B2 (ja) 光検出器
CN115664321A (zh) 一种调整太阳能热电联供受光面的系统和方法
CN212908511U (zh) 基于激光器的双闭环负反馈控制系统
CN114944590A (zh) 一种适用于工业级工作温度范围的vcsel垂直腔面激光器
CN109634345B (zh) 一种程控式负载自适应变电压恒流源模块
JPH08116127A (ja) 半導体レーザ装置
CN108063638B (zh) 一种带光路保护功能的高灵敏度光接收器及其制作方法
CN210092068U (zh) 一种用于驱动硅基雪崩光电二极管的电路结构
CN219937579U (zh) 发端to封装结构、光模块

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant