CN106410601A - 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺 - Google Patents

无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN106410601A
CN106410601A CN201610422076.2A CN201610422076A CN106410601A CN 106410601 A CN106410601 A CN 106410601A CN 201610422076 A CN201610422076 A CN 201610422076A CN 106410601 A CN106410601 A CN 106410601A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
laser chip
base
heat sink
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610422076.2A
Other languages
English (en)
Inventor
黄万雄
魏雄健
赵丹
赵一丹
赵玉宝
熊甜
张帅
陈超
郑云生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUHAN YP-OPTEL TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
WUHAN YP-OPTEL TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUHAN YP-OPTEL TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical WUHAN YP-OPTEL TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610422076.2A priority Critical patent/CN106410601A/zh
Publication of CN106410601A publication Critical patent/CN106410601A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0236Fixing laser chips on mounts using an adhesive

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺涉及一种,包括To56管座、半导体激光器芯片、To管脚、半导体激光器芯片垫块、热沉块、电极引线、To52球透镜帽,热沉块与To56管座一体成型,热沉块位于To56管座的上表面,To管脚至少包括两个,To管脚与To56管座绝缘固定连接,半导体激光器芯片固定于半导体激光器芯片垫块表面,半导体激光器芯片垫块固定在热沉块表面,半导体激光器芯片通过电极引线与To管脚连接,本发明的确保半导体激光器的使用性能和质量需求的同时,简化了其结构,降低对生产设施和操作人员技术要求,简化了生产工艺流程,在确保对半导体激光器的功能需求和质量的同时降低了半导体激光器整体的成本,提高了市场竞争优势。

Description

无背光监测的 TO Can LD 器件及其制备工艺
技术领域
本发明涉及激光技术领域,具体涉及一种无背光监测的To Can LD 器件及其制备工艺。
背景技术
日前TO封装半导体激光器(TO Can LD)在光纤通信网中起着重大作用,典型的 TO-CAN 封装半导体激光器包括 TO 管座 、半导体激光器芯片 、背光探测器芯片 、激光芯片垫块 、探测芯片垫块、键合金丝、引脚、TO管帽和透镜光学系统,在实际制作过程中,需要把探测芯片垫块用银胶贴于 TO 管座上,把背光探测器芯片贴于探测芯片垫块上,接着将整体置于烘箱内烘烤以使银胶固化,从而达到固定背光探测器的目的,在此之后把激光芯片垫块和半导体激光器芯片共晶键合于热沉块的侧面,当半导体激光器芯片 和背光探测器芯片固定完成后,需要用金丝进行键合,从而实现芯片的电极引出。具体的背光探测器芯片一般采用光电二极管芯片即 PD 芯片,半导体激光器芯片一般采用激光器二极管芯片即 LD 芯片,多个引脚穿过TO管座,在进行金丝键合时,PD 芯片的两个电极,其中一极需要与引脚 Pin2 键合连接,另一极需要与引脚 Pin3 键合连接,这里引脚Pin2与TO管座贴PD的部位是电隔离的,传统封装中为了实现引脚 Pin2、Pin3 与PD的连接,采用一个探测芯片垫块和两次金丝键合来实现,加大了对高成本金丝的应用,在一定程度上提高了激光器整体的成本,降低了市场竞争优势,虽然该类器件结构复杂,光、电性能好,但生产工艺繁杂,对生产设施和操作人员技术要求高、总和为生产成本高、价格高昂,而光纤到户(HTTX)为光纤通信系统最后一英里的器件需求传输距离短,对TO Can LD光电参数要求低,价格要求家家户户都能用得起。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中存在的上述缺陷,提供一种无背光监测的To Can LD 器件及其制备工艺。
为解决上述问题,本发明提出一种,其包括To56管座、半导体激光器芯片、To管脚、半导体激光器芯片垫块、热沉块、电极引线、To52球透镜帽,热沉块与述To56管座一体成型,热沉块位于To56管座的上表面,To管脚至少包括两个,To管脚与To56管座绝缘固定连接,半导体激光器芯片固定于半导体激光器芯片垫块表面,半导体激光器芯片垫块固定在热沉块表面,半导体激光器芯片通过电极引线与To管脚连接。
在上述方案中,半导体激光器芯片为LD芯片,半导体激光器芯片通过导电银胶固定在半导体激光器芯片垫块表面,半导体激光器芯片的两个电极通过电极引线分别与两个To管脚连接。
在上述方案中,To52球透镜帽包括To52管帽和球形透镜光学系统,球形透镜光学系统安装在To52管帽上,To52管帽固定在To56管座上。
在上述方案中,半导体激光器芯片垫块为氮化铝陶瓷垫块。
在上述方案中,热沉块包括上表面、内表面、外表面以及侧表面,上表面平行于To56管座的上表面,内表面垂直于To56管座的上表面,外表面为圆弧面,侧表面与上表面、内表面以及外表面相连,半导体激光器芯片垫块固定在热沉块的内表面。
一种无背光监测的TO Can激光器的制备工艺,包括以下步骤:
步骤一:制作To56管座,在To56管座上设置多个可容To管脚穿过的圆形通孔,并制作热沉块,将To56管座的上表面与热沉块一体成型;
步骤二:采用LD芯片作为半导体激光器芯片,制作陶瓷材质的半导体激光器芯片垫块和To管脚;
步骤三:将各To管脚穿过To56管座上的To管脚圆孔后采用玻璃烧结的方式绝缘固定于To56管座上,接着对各To管脚、热沉块以及To56管座整体喷镀金锡合金;
步骤四:采用固定工具固定To56管座,然后通过粘接工艺将半导体激光器芯片垫块固定于热沉块的内表面上,再采用导电银胶将 半导体激光器芯片固定在半导体激光器芯片垫块的表面,高温固化;
步骤五:进行电极引线金丝键合操作,分别将半导体激光器芯片的两个电极与其对应引脚通过电极引线连接;
步骤六:在保护气体条件下进行封帽,将To52管帽与To56管座融接在一起,其中To52管帽上安装有球形透镜光学系统,完成 TO-CAN 封装半导体激光器的制作。
本发明的有益效果在于:
与现有技术相比,本发明在结构上减少了背光监测光电二极管(MPD),减小了背光监测光电二极管(MPD)这一部件的成本,同时减少了对高成本金丝的应用,而且并没有降低半导体激光器的使用价值以及质量需求。另外本发明将共晶合金焊接工艺改为简易的导电银胶粘接工艺和全自动化设备生产技术。本发明降低对生产设施和操作人员技术要求,简化了生产工艺流程,在确保对半导体激光器的功能需求和质量的同时降低了半导体激光器整体的成本,提高了市场竞争优势。
附图说明
图1为本发明中无背光监测的To Can LD 器件的结构示意图;
其中:
1、To56管座;2、半导体激光器芯片;3、半导体激光器芯片垫块;4、To管脚;5、热沉块;6、电极引线;7、To52球透镜帽;8、球形透镜光学系统;9、To52管帽。
具体实施方式
为便于更好的理解本发明的目的、结构特征以及功效等,现结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
To-can封装半导体激光器作为当前广泛使用的通信光源器件,其结构在不断的优化发展中,本发明正是基于长期的创新试验研究,提出一种全新结构的To-can封装半导体激光器,在确保To-can封装半导体激光器的性能和质量的同时简化了生产工艺流程以及降低了半导体激光器整体的成本,如图1所示,一种无背光监测的To Can LD 器件,其包括To56管座1、半导体激光器芯片2、To管脚4、半导体激光器芯片垫块3、热沉块5、电极引线6、To52球透镜帽7,热沉块与To56管座1一体成型,热沉块5位于To56管座的上表面,To管脚4至少包括两个,To管脚4与To56管座1绝缘固定连接,半导体激光器芯片2固定于半导体激光器芯片垫块3表面,半导体激光器芯片垫块3固定在所述热沉块5表面,半导体激光器芯片2通过所述电极引线6与To管脚4连接。
为了确保半导体激光器的稳定性以及工作性能,半导体激光器芯片2为LD芯片,半导体激光器芯片2通过导电银胶固定在半导体激光器芯片垫块3表面,半导体激光器芯片2的两个电极通过电极引线6分别与两个To管脚4连接。
To52球透镜帽7包括To52管帽9和球形透镜光学系统8,球形透镜光学系统8安装在To52管帽9上,To52管帽9固定在To56管座1上。
为了保证半导体激光器芯片2与热沉块5之间具有较好的绝缘性以及导热性能,半导体激光器芯片垫块3为氮化铝陶瓷垫块。
热沉块5包括上表面、内表面、外表面以及侧表面,上表面平行于To56管座1的上表面,内表面垂直于所述To56管座1的上表面,外表面为圆弧面,侧表面与上表面、内表面以及外表面相连,热沉块5的高度在1mm~1.2mm,最佳高度为1.1mm,半导体激光器芯片垫块3固定在热沉块5的内表面。
下面进一步给出一种无背光监测的TO Can激光器的制备工艺,包括以下步骤:
步骤一:制作To56管座,在To56管座1上设置多个可容To管脚4穿过的圆形通孔,圆形通孔的最佳直径为1mm,并制作热沉块5,热沉块5一般选择导热性能较好的金属材料,可选用铜,将To56管座1的上表面与热沉块5一体成型,可选择与热沉块5同样的材料直接一体成型;
步骤二:采用LD芯片作为半导体激光器芯片2,制作陶瓷材质的半导体激光器芯片垫块3和To管脚4;
步骤三:将各To管脚4穿过To56管座1上的To管脚4圆孔后采用玻璃烧结的方式绝缘固定于To56管座1上,接着对各To管脚4、热沉块5以及To56管座1整体喷镀金锡合金;
步骤四:采用固定工具固定To56管座1,然后通过粘接工艺将半导体激光器芯片垫块3固定于热沉块5的内表面上,再采用导电银胶将半导体激光器芯片2固定在半导体激光器芯片垫块3的表面,烘烤预定时间,根据使用导电银胶种类的不同,其烘烤的温度和时间略有不同;
步骤五:进行电极引线6金丝键合操作,分别将半导体激光器芯片2的两个电极与其对应To管脚4通过电极引线6连接,;
步骤六:在保护气体条件下进行封帽,将To52管帽9与To56管座1融接在一起,其中To52管帽9上安装有球形透镜光学系统8,完成 TO-CAN 封装半导体激光器的制作,所选用的保护气可选用氮气、氦气以及氩气,一般选择氮气,另外球形透镜光学系统8能较好的抵抗外界冲击,耐磨损。
本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (6)

1.一种无背光监测的TO Can激光器,其特征在于:包括To56管座(1)、半导体激光器芯片(2)、To管脚(4)、半导体激光器芯片垫块(3)、热沉块(5)、电极引线(6)、To52球透镜帽(7),所述热沉块(5)与所述To56管座(1)一体成型,所述热沉块(5)位于所述To56管座(1)的上表面,所述To管脚(4)至少包括两个,所述To管脚(4)与所述To56管座(1)绝缘固定连接,所述半导体激光器芯片(2)固定于所述半导体激光器芯片垫块(3)表面,所述半导体激光器芯片垫块(3)固定在所述热沉块(5)表面,所述半导体激光器芯片(2)通过所述电极引线(6)与所述To管脚(4)连接。
2.根据权利要求1所述,其特征在于:所述半导体激光器芯片(2)为LD芯片,所述半导体激光器芯片(2)通过导电银胶固定在所述半导体激光器芯片垫块(3)表面,所述半导体激光器芯片(2)的两个电极通过所述电极引线(6)分别与两个所述To管脚(4)连接。
3.根据权利要求1所述,其特征在于:所述To52球透镜帽(7)包括To52管帽(9)和球形透镜光学系统(8),所述球形透镜光学系统(8)安装在所述To52管帽(9)上,所述To52管帽(9)固定在所述To56管座(1)上。
4.根据权利要求1所述,其特征在于:所述半导体激光器芯片垫块(3)为氮化铝陶瓷垫块。
5.根据权利要求1所述,其特征在于:所述热沉块(5)为梯台形,所述热沉块(5)包括上表面、内表面、外表面以及侧表面,所述上表面平行于所述To56管座(1)的上表面,所述内表面垂直于所述To56管座(1)的上表面,所述外表面为圆弧面,所述侧表面与所述上表面、所述内表面以及所述外表面相连,所述半导体激光器芯片垫块(3)固定在所述热沉块(5)的内表面。
6.一种无背光监测的TO Can激光器的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:制作所述To56管座(1),在所述To56管座(1)上设置多个可容所述To管脚(4)穿过的圆形通孔,并制作所述热沉块(5),将所述To56管座(1)的上表面与所述热沉块(5)一体成型;
步骤二:采用LD芯片作为所述半导体激光器芯片(2),制作陶瓷材质的所述半导体激光器芯片垫块(3)和所述To管脚(4);
步骤三:将各所述To管脚(4)穿过所述To56管座(1)上的所述To管脚(4)圆孔后采用玻璃烧结的方式绝缘固定于所述To56管座(1)上,接着对各所述To管脚(4)、所述热沉块(5)以及所述To56管座(1)整体镀金;
步骤四:采用固定工具固定所述To56管座(1),然后通过粘接工艺将所述半导体激光器芯片垫块(3)固定于所述热沉块(5)的内表面上,再采用导电银胶将所述半导体激光器芯片(2)固定在所述半导体激光器芯片垫块(3)的表面;
步骤五:进行所述电极引线(6)金丝键合操作,分别将所述半导体激光器芯片(2)的两个电极与其对应所述To管脚(4)通过所述电极引线(6)连接;
步骤六:在保护气体条件下进行封帽,将所述To52管帽(9)与所述To56管座(1)融接在一起,其中所述To52管帽(9)上安装有所述球形透镜光学系统(8),完成TO-CAN封装半导体激光器的制作。
CN201610422076.2A 2016-06-14 2016-06-14 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺 Pending CN106410601A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610422076.2A CN106410601A (zh) 2016-06-14 2016-06-14 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610422076.2A CN106410601A (zh) 2016-06-14 2016-06-14 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106410601A true CN106410601A (zh) 2017-02-15

Family

ID=58006587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610422076.2A Pending CN106410601A (zh) 2016-06-14 2016-06-14 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106410601A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112134626A (zh) * 2020-10-20 2020-12-25 江苏亿通高科技股份有限公司 一种单独采用温度补偿实现光波长和功率控制的激光装置
JP2021068738A (ja) * 2019-10-17 2021-04-30 ウシオ電機株式会社 半導体発光装置
CN112864793A (zh) * 2021-02-19 2021-05-28 苏州苏纳光电有限公司 一种激光器芯片气密封装结构及封装方法
CN115763577A (zh) * 2022-11-29 2023-03-07 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 温控抗过载光组件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110182072A1 (en) * 2007-06-29 2011-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, production method of phosphor, phosphor-containing composition, and light emitting device
KR20110095084A (ko) * 2010-02-16 2011-08-24 주식회사 포벨 파장 안정화 장치 및 이를 이용한 레이저 모듈
CN103529524A (zh) * 2013-10-21 2014-01-22 重庆航伟光电科技有限公司 光信号接收探测器及其制作方法
CN104285344A (zh) * 2013-03-26 2015-01-14 光速株式会社 可制作小型的可变波长激光装置
CN204793609U (zh) * 2015-07-17 2015-11-18 武汉欧普兰光电技术股份有限公司 一种无pd垫块的to-can封装半导体激光器
CN105261929A (zh) * 2015-07-17 2016-01-20 武汉欧普兰光电技术股份有限公司 一种to-can封装的半导体激光器及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110182072A1 (en) * 2007-06-29 2011-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, production method of phosphor, phosphor-containing composition, and light emitting device
KR20110095084A (ko) * 2010-02-16 2011-08-24 주식회사 포벨 파장 안정화 장치 및 이를 이용한 레이저 모듈
CN104285344A (zh) * 2013-03-26 2015-01-14 光速株式会社 可制作小型的可变波长激光装置
CN103529524A (zh) * 2013-10-21 2014-01-22 重庆航伟光电科技有限公司 光信号接收探测器及其制作方法
CN204793609U (zh) * 2015-07-17 2015-11-18 武汉欧普兰光电技术股份有限公司 一种无pd垫块的to-can封装半导体激光器
CN105261929A (zh) * 2015-07-17 2016-01-20 武汉欧普兰光电技术股份有限公司 一种to-can封装的半导体激光器及其制作方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021068738A (ja) * 2019-10-17 2021-04-30 ウシオ電機株式会社 半導体発光装置
JP7467877B2 (ja) 2019-10-17 2024-04-16 ウシオ電機株式会社 半導体発光装置
CN112134626A (zh) * 2020-10-20 2020-12-25 江苏亿通高科技股份有限公司 一种单独采用温度补偿实现光波长和功率控制的激光装置
CN112864793A (zh) * 2021-02-19 2021-05-28 苏州苏纳光电有限公司 一种激光器芯片气密封装结构及封装方法
CN115763577A (zh) * 2022-11-29 2023-03-07 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 温控抗过载光组件
CN115763577B (zh) * 2022-11-29 2023-10-27 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 温控抗过载光组件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106410601A (zh) 无背光监测的TO Can LD器件及其制备工艺
US9991672B2 (en) Method for manufacturing semiconductor laser device including wavelength converting member and light transmissive member
TW571140B (en) Apparatus for coupling a fiber optic cable to an optoelectronic device, a system including the apparatus, and a method of forming the same
CN105261929B (zh) 一种to-can封装的半导体激光器及其制作方法
CN100428591C (zh) 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
KR101114305B1 (ko) 발광 장치 및 조명 장치
CN106449542B (zh) 一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构
US7968980B2 (en) Support member for mounting a semiconductor device, conductive materials, and its manufacturing method
US7755292B1 (en) Ultraminiature broadband light source and method of manufacturing same
TW200923262A (en) High heat dissipation optic module for light emitting diode and its manufacturing method
CN101521194A (zh) 高速光电组件及其芯片倒装结构
CN103633552B (zh) 一种贴片式激光器封装结构及其在光电电路中的封装方法
CN101872760A (zh) 光电转换模块
CN112202046A (zh) 一种新型to封装结构
CN109407226A (zh) 一种高速eml同轴发射组件及其制作方法
JP2002198570A (ja) 固体光素子
KR101534760B1 (ko) 구리 소자의 밀봉 접속을 위한 유리 시스템 및 전자 소자를 위한 하우징
CN211579190U (zh) 一种eml激光器to封装结构
JP3670527B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
CN214798175U (zh) 一种同轴封装的25g高速激光器
CN204179108U (zh) 发光装置以及灯
US20200078132A1 (en) Lighting Element
CN113193475A (zh) 一种同轴封装的25g高速激光器及制作方法
JP4728625B2 (ja) 光半導体装置およびそれを用いた光モジュール
CN100523883C (zh) 精密光纤连接

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170215

RJ01 Rejection of invention patent application after publication