CN115754650A - 一种Diode-IFSM-Tj测试治具 - Google Patents
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Abstract
本发明具体涉及一种Diode‑IFSM‑Tj测试治具，包括电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2；开关控制模块的输出端以及驱动模块的输出端分别与开关管Q2的控制端连接；开关管Q2的开关端与晶体管模组的控制端连接；电容模组的一端通过晶体管模组的开关端与待测二极管的一端连接。本发明通过设置电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2，能够对单体二极管器件施加规定的浪涌电流，并且能够在施加能量后评估晶体的瞬态温度，另外二极管器件在浪涌电流有保证的情况下提高系统可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及二极管测试技术领域，具体涉及一种Diode-IFSM-Tj测试治具。
背景技术
年来，二极管在工业、家用电子行业得到了广泛的应用，且随着技术进步，对二 极管的可靠性要求越来越高。二极管在实际应用中，除了可以通过额定电流外，还可能承受浪涌电流。浪涌电流是指二极管结温为某一温度时，正弦半波浪涌脉冲基波宽度为8.3mS或者10mS条件下，该管所能允许通过的最大不重复正弦半波电流。
虽然当前二极管一般给定了浪涌电流值及时间，但是目前无法验证器件在浪涌电流极限承受能力及施加浪涌电流的实时结温。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种Diode-IFSM-Tj测试治具，能够测量浪涌电流极限承受能力及施加浪涌电流的实时结温。
本发明的目的通过以下技术方案实现：一种Diode-IFSM-Tj测试治具，包括电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2；
所述电源模块用于给脉冲发生模块、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2供电；所述可调直流电源BAT1用于给电容模组充电；
所述脉冲发生模块的输出端分别与驱动模块的输入端以及开关控制模块的输入端连接；所述开关控制模块的输出端以及驱动模块的输出端分别与开关管Q2的控制端连接；所述开关管Q2的开关端与晶体管模组的控制端连接；所述电容模组的一端通过晶体管模组的开关端与待测二极管的一端连接；所述电容模组的另一端与待测二极管的另一端连接；
所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括第一电压测量口以及第二电压测量口；所述第一电压测量口以及第二电压测量口分别设于待测二极管的两端。
本发明进一步设置为，所述电源模块包括隔离变压器T1、整流桥DA1、降压芯片U3以及降压芯片U4；所述隔离变压器T1的原边接交流电；所述隔离变压器T1的副边与整流桥DA1的输入端连接；所述整流桥DA1的输出端分别与降压芯片U3的输入端以及降压芯片U4的输入端连接。
本发明进一步设置为，所述脉冲发生模块包括脉冲发生芯片U1、可调电阻VR2、电容CR4、开关SWF1、电容CR5、开关SWF2、电容CR6以及开关SWF3；
所述脉冲发生芯片U1的第八接口与电源模块的输出端连接；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过可调电阻VR2与电源模块的输出端连接；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR4与开关SWF1接地；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR5与开关SWF2接地；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR6与开关SWF3接地；
所述脉冲发生芯片U1的第三接口分别与开关控制模块以及驱动模块连接。
本发明进一步设置为，所述驱动模块包括运放芯片U2、电阻R1、电阻R2、MOS管Q3、电阻R3、电阻R4、电阻R5、可调电阻VR1以及电阻R9；
所述运放芯片U2的第三接口与可调电阻VR1的调节端连接；所述可调电阻VR1一端接地；所述可调电阻VR1的另一端与MOS管Q3的源极连接；所述MOS管Q3的源极通过电阻R4以及电阻R5接地；所述MOS管Q3的漏极通过电阻R3与电源模块的输出端连接；所述MOS管Q3的栅极通过电阻R2以及电阻R1接地；所述电阻R1与脉冲发生模块的输出端连接；所述运放芯片U2的第六接口通过电阻R9与开关管Q2的基极连接。
本发明进一步设置为，所述开关控制模块包括MOS管Q4以及MOS管Q1；所述MOS管Q4的栅极与脉冲发生模块的输出端连接；所述MOS管Q4的源极接地；所述MOS管Q4的漏极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极接地；所述MOS管Q4的漏极与开关管Q2的基极连接。
本发明进一步设置为，所述晶体管模组包括MOS管QT1、MOS管QT2、MOS管QT3、MOS管QT4、MOS管QT5、MOS管QT6、MOS管QT7、MOS管QT8以及MOS管QT9；
所述MOS管QT1的基极、MOS管QT2的基极、MOS管QT3的基极、MOS管QT4的基极、MOS管QT5的基极、MOS管QT6的基极、MOS管QT7的基极、MOS管QT8的基极以及MOS管QT9的基极分别与开关管Q2的发射极连接；
所述MOS管QT1的漏极、MOS管QT2的漏极、MOS管QT3的漏极、MOS管QT4的漏极、MOS管QT5的漏极、MOS管QT6的漏极、MOS管QT7的漏极、MOS管QT8的漏极以及MOS管QT9的漏极分别与待测二极管的一端连接；
所述MOS管QT1的源极、MOS管QT2的源极、MOS管QT3的源极、MOS管QT4的源极、MOS管QT5的源极、MOS管QT6的源极、MOS管QT7的源极、MOS管QT8的源极以及MOS管QT9的源极分别与电容模组的一端连接。
本发明进一步设置为，所述电容模组包括相互并联的电容CA1-CA40。
本发明进一步设置为，所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括辅助电源BAT2、二极管DD1以及电阻RDT1；所述辅助电源BAT2、二极管DD1以及电阻RDT1连接后与待测二极管并联。
本发明的有益效果：本发明通过设置电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2，能够对单体二极管器件施加规定的浪涌电流，并且能够在施加能量后评估晶体的瞬态温度，另外二极管器件在浪涌电流有保证的情况下提高系统可靠性。
附图说明
利用附图对发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
图1是本发明的电路图。
图2是本发明的测试波形图。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。
由图1至图2可知，本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，包括电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2；
所述电源模块用于给脉冲发生模块、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2供电；所述可调直流电源BAT1用于给电容模组充电；
所述脉冲发生模块的输出端分别与驱动模块的输入端以及开关控制模块的输入端连接；所述开关控制模块的输出端以及驱动模块的输出端分别与开关管Q2的控制端连接；所述开关管Q2的开关端与晶体管模组的控制端连接；所述电容模组的一端通过晶体管模组的开关端与待测二极管的一端连接；所述电容模组的另一端与待测二极管的另一端连接；
所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括第一电压测量口以及第二电压测量口；所述第一电压测量口以及第二电压测量口分别设于待测二极管的两端。
具体地，本实施例所述的Diode-IFSM-Tj测试治具，在使用的时候，交流电源经过电源模块产生+12V和-12V，给线路以及各个芯片提供工作电压，同时可调直流电源BAT1根据需要调节适当电压给电容模组进行充电储能，然后将待测二极管连接在电容模组的正端与晶体管模组之间，通过第一电压测量口以及第二电压测量口测量浪涌电流前待测二极管的电压VF1，然后按下测试开关，脉冲发生模块产生单次脉冲输出至开关控制模块使开关管Q2的基极失效短路状态，同时脉冲发生模块产生单次脉冲输出至驱动模块，驱动模块输出电平至开关管Q2的基极，使开关管Q2的发射极输出电压让晶体管模组导通，通过电流检测电阻反馈到驱动模块调节电流在恒定的预设值，脉冲结束开关管Q2的基极电平为低，晶体管模组停止工作，再次通过第一电压测量口以及第二电压测量口测量浪涌电流后待测二极管的电压VF2，根据电压VF1以及电压VF2的差值评估待测二极管瞬态结温。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述电源模块包括隔离变压器T1、整流桥DA1、降压芯片U3以及降压芯片U4；所述隔离变压器T1的原边接交流电；所述隔离变压器T1的副边与整流桥DA1的输入端连接；所述整流桥DA1的输出端分别与降压芯片U3的输入端以及降压芯片U4的输入端连接。具体地，交流电源经过隔离变压器T1以及整流桥DA1整流后，分别通过降压芯片U3以及降压芯片U4产生+12V和-12V供线路及IC工作电压。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述脉冲发生模块包括脉冲发生芯片U1、可调电阻VR2、电容CR4、开关SWF1、电容CR5、开关SWF2、电容CR6以及开关SWF3；
所述脉冲发生芯片U1的第八接口与电源模块的输出端连接；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过可调电阻VR2与电源模块的输出端连接；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR4与开关SWF1接地；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR5与开关SWF2接地；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR6与开关SWF3接地；
所述脉冲发生芯片U1的第三接口分别与开关控制模块以及驱动模块连接。
具体地，本实施例通过选择SWF1、SWF2 以及SWF3，能够选择不同单次浪涌电流时间大致范围，另外通过调节可调电阻VR2，能够设定需要的浪涌电流时间。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述驱动模块包括运放芯片U2、电阻R1、电阻R2、MOS管Q3、电阻R3、电阻R4、电阻R5、可调电阻VR1以及电阻R9；
所述运放芯片U2的第三接口与可调电阻VR1的调节端连接；所述可调电阻VR1一端接地；所述可调电阻VR1的另一端与MOS管Q3的源极连接；所述MOS管Q3的源极通过电阻R4以及电阻R5接地；所述MOS管Q3的漏极通过电阻R3与电源模块的输出端连接；所述MOS管Q3的栅极通过电阻R2以及电阻R1接地；所述电阻R1与脉冲发生模块的输出端连接；所述运放芯片U2的第六接口通过电阻R9与开关管Q2的基极连接。
具体地，本实施例能够通过调节可调电阻VR1设定运放芯片U2的3脚电压以此设定瞬态浪涌电流值；当按下测试开关，脉冲发生芯片U1产生单次脉冲输出至开关控制模块使开关管Q2的基极失效短路状态。同时脉冲发生芯片U1产生单次脉冲输出至MOS管Q3建立基准电压，运放芯片U2输出电平至开关管Q2基极使其发射极输出电压让MOS管QT1-QT9导通，通过电流检测电阻RDT1反馈到运放芯片U2调节电流在恒定的预设值，脉冲结束开关管Q2的基极电平为低，晶体管QT1-QT9停止工作。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述开关控制模块包括MOS管Q4以及MOS管Q1；所述MOS管Q4的栅极与脉冲发生模块的输出端连接；所述MOS管Q4的源极接地；所述MOS管Q4的漏极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极接地；所述MOS管Q4的漏极与开关管Q2的基极连接。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述晶体管模组包括MOS管QT1、MOS管QT2、MOS管QT3、MOS管QT4、MOS管QT5、MOS管QT6、MOS管QT7、MOS管QT8以及MOS管QT9；
所述MOS管QT1的基极、MOS管QT2的基极、MOS管QT3的基极、MOS管QT4的基极、MOS管QT5的基极、MOS管QT6的基极、MOS管QT7的基极、MOS管QT8的基极以及MOS管QT9的基极分别与开关管Q2的发射极连接；
所述MOS管QT1的漏极、MOS管QT2的漏极、MOS管QT3的漏极、MOS管QT4的漏极、MOS管QT5的漏极、MOS管QT6的漏极、MOS管QT7的漏极、MOS管QT8的漏极以及MOS管QT9的漏极分别与待测二极管的一端连接；
所述MOS管QT1的源极、MOS管QT2的源极、MOS管QT3的源极、MOS管QT4的源极、MOS管QT5的源极、MOS管QT6的源极、MOS管QT7的源极、MOS管QT8的源极以及MOS管QT9的源极分别与电容模组的一端连接。通过上述设置使得测试治具的结构稳定。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述电容模组包括相互并联的电容CA1-CA40。通过上述设置使得测试治具的结构稳定。
本实施例所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括辅助电源BAT2、二极管DD1以及电阻RDT1；所述辅助电源BAT2、二极管DD1以及电阻RDT1连接后与待测二极管并联。通过上述设置便于测量待测二极管的电压以及电流。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (8)
1.一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：包括电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2；
所述电源模块用于给脉冲发生模块、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2供电；所述可调直流电源BAT1用于给电容模组充电；
所述脉冲发生模块的输出端分别与驱动模块的输入端以及开关控制模块的输入端连接；所述开关控制模块的输出端以及驱动模块的输出端分别与开关管Q2的控制端连接；所述开关管Q2的开关端与晶体管模组的控制端连接；所述电容模组的一端通过晶体管模组的开关端与待测二极管的一端连接；所述电容模组的另一端与待测二极管的另一端连接；
所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括第一电压测量口以及第二电压测量口；所述第一电压测量口以及第二电压测量口分别设于待测二极管的两端。
2.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述电源模块包括隔离变压器T1、整流桥DA1、降压芯片U3以及降压芯片U4；所述隔离变压器T1的原边接交流电；所述隔离变压器T1的副边与整流桥DA1的输入端连接；所述整流桥DA1的输出端分别与降压芯片U3的输入端以及降压芯片U4的输入端连接。
3.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述脉冲发生模块包括脉冲发生芯片U1、可调电阻VR2、电容CR4、开关SWF1、电容CR5、开关SWF2、电容CR6以及开关SWF3；
所述脉冲发生芯片U1的第八接口与电源模块的输出端连接；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过可调电阻VR2与电源模块的输出端连接；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR4与开关SWF1接地；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR5与开关SWF2接地；所述脉冲发生芯片U1的第六接口通过电容CR6与开关SWF3接地；
所述脉冲发生芯片U1的第三接口分别与开关控制模块以及驱动模块连接。
4.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述驱动模块包括运放芯片U2、电阻R1、电阻R2、MOS管Q3、电阻R3、电阻R4、电阻R5、可调电阻VR1以及电阻R9；
所述运放芯片U2的第三接口与可调电阻VR1的调节端连接；所述可调电阻VR1一端接地；所述可调电阻VR1的另一端与MOS管Q3的源极连接；所述MOS管Q3的源极通过电阻R4以及电阻R5接地；所述MOS管Q3的漏极通过电阻R3与电源模块的输出端连接；所述MOS管Q3的栅极通过电阻R2以及电阻R1接地；所述电阻R1与脉冲发生模块的输出端连接；所述运放芯片U2的第六接口通过电阻R9与开关管Q2的基极连接。
5.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述开关控制模块包括MOS管Q4以及MOS管Q1；所述MOS管Q4的栅极与脉冲发生模块的输出端连接；所述MOS管Q4的源极接地；所述MOS管Q4的漏极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极接地；所述MOS管Q4的漏极与开关管Q2的基极连接。
6.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述晶体管模组包括MOS管QT1、MOS管QT2、MOS管QT3、MOS管QT4、MOS管QT5、MOS管QT6、MOS管QT7、MOS管QT8以及MOS管QT9；
所述MOS管QT1的基极、MOS管QT2的基极、MOS管QT3的基极、MOS管QT4的基极、MOS管QT5的基极、MOS管QT6的基极、MOS管QT7的基极、MOS管QT8的基极以及MOS管QT9的基极分别与开关管Q2的发射极连接；
所述MOS管QT1的漏极、MOS管QT2的漏极、MOS管QT3的漏极、MOS管QT4的漏极、MOS管QT5的漏极、MOS管QT6的漏极、MOS管QT7的漏极、MOS管QT8的漏极以及MOS管QT9的漏极分别与待测二极管的一端连接；
所述MOS管QT1的源极、MOS管QT2的源极、MOS管QT3的源极、MOS管QT4的源极、MOS管QT5的源极、MOS管QT6的源极、MOS管QT7的源极、MOS管QT8的源极以及MOS管QT9的源极分别与电容模组的一端连接。
7.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述电容模组包括相互并联的电容CA1-CA40。
8.根据权利要求1所述的一种Diode-IFSM-Tj测试治具，其特征在于：所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括辅助电源BAT2、二极管DD1以及电阻RDT1；所述辅助电源BAT2、二极管DD1以及电阻RDT1连接后与待测二极管并联。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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