CN115732364A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理方法以及基板处理装置，所述基板处理方法包括：液膜形成工序，在基板的主面上形成含硫酸液体的液膜；含臭氧气体暴露工序，使能够容纳所述基板的处理室内充满含臭氧气体而使所述液膜暴露于含臭氧气体中；以及基板加热工序，在充满了含臭氧气体的所述处理室内配置有所述基板、并且在所述基板的主面形成有所述液膜的状态下，对所述基板进行加热。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
本申请主张基于2021年8月31日提交的日本专利申请2021-141268号的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理方法以及对基板进行处理的基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置和有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在US2014/0045339A1所公开的基板处理装置中，在配管内向硫酸供给臭氧气体而使臭氧溶解于硫酸来形成硫酸臭氧。通过混合硫酸和臭氧，生成过二硫酸(S2O8 2-)作为活性种(蚀刻剂)。
在US2014/0045339A1的基板处理装置中，硫酸臭氧在硫酸臭氧供给配管中流通而流入水混合部并与水混合，从而形成硫酸臭氧/水混合液。硫酸臭氧/水混合液从硫酸臭氧/水喷嘴向基板排出。通过一边使基板旋转一边向基板的表面供给硫酸臭氧/水混合液，从而去除基板表面的抗蚀剂。
发明内容
在US2014/0045339A1所公开的基板处理装置中，通过在硫酸臭氧中混合水而产生的稀释热，硫酸臭氧/水混合液的温度变得比混合前的硫酸臭氧的温度高。因此，即使使用比较低温的硫酸臭氧作为混合前的硫酸臭氧，也能够将抗蚀剂去除所需的温度的硫酸臭氧/水混合液供给到基板的表面。另外，通过使混合前的硫酸臭氧为比较低的温度，能够使臭氧气体大量溶解于混合前的硫酸臭氧。
然而，在US2014/0045339A1的装置中，通过将硫酸臭氧与水混合，具有氧化力的过二硫酸的浓度降低。因此，有可能得不到充分的氧化力。
因此，本发明的一个目的在于提供一种能够从基板迅速且充分地去除抗蚀剂等有机膜的基板处理方法和基板处理装置。
本发明的一实施方式提供一种基板处理方法，其包括：液膜形成工序，在基板的主面上形成含硫酸液体的液膜；含臭氧气体暴露工序，使能够容纳所述基板的处理室内充满含臭氧气体而使所述液膜暴露于含臭氧气体；以及基板加热工序，在充满了含臭氧气体的所述处理室内配置有所述基板，且在所述基板的主面形成有所述液膜的状态下，对所述基板进行加热。
根据该方法，通过使处理室内充满含臭氧气体，从而基板的主面上的含硫酸液体的液膜暴露于含臭氧气体。由此，能够使含臭氧气体中的臭氧溶解于构成基板的主面上的液膜的含硫酸液体中而在液膜中形成过二硫酸。
另外，在基板的主面形成有液膜的状态下，对基板进行加热。即，在构成基板的主面上的液膜的含硫酸液体中形成有过二硫酸的状态下对基板进行加热。因此，能够提高过二硫酸的氧化力。
进而，在处理室内充满含臭氧气体的状态下对基板进行加热。因此，即使因加热而臭氧对含硫酸液体的溶解度降低，也能够维持含有充分浓度的臭氧的含臭氧气体与含硫酸液体接触的状态。因此，能够抑制含硫酸液体中的臭氧的气化。
其结果是，能够从基板迅速且充分地去除抗蚀剂等有机膜。
在含臭氧气体中含有气体状的臭氧(臭氧气体)，在含硫酸液体中含有硫酸。含硫酸液体例如为硫酸水溶液。
在本发明的一实施方式中，所述基板加热工序中的所述基板的加热在所述液膜形成工序和所述含臭氧气体暴露工序之前开始。
根据该方法，在含硫酸液体的液膜的形成以及含臭氧气体对于液膜的暴露之前开始基板的加热。因此，即使在基板的温度上升所需要的时间比液膜的形成所需的时间以及充满含臭氧气体所需的时间长的情况下，也能够使基板的温度迅速地成为期望的温度。
在本发明的一实施方式中，所述含臭氧气体暴露工序包括：以使所述处理室内的压力高于所述处理室外的压力的方式，向所述处理室供给所述含臭氧气体的加压供给工序。
根据该方法，通过含臭氧气体的供给，能够使处理室内的压力高于处理室外的压力。在此，基于亨利定律，溶解于液体的气体的量和与该液体接触的气体的压力成比例。因此，如果向处理室内供给含臭氧气体而提高与基板的主面上的含硫酸液体接触的含臭氧气体的压力，则能够提高含硫酸液体中的臭氧的浓度。由此，能够使液膜中的过二硫酸的浓度上升，因此能够从基板的主面迅速且充分地去除有机膜。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括：在所述基板加热工序之后向所述基板的主面供给冲洗液的冲洗液供给工序。
根据该方法，能够利用冲洗液从基板的主面去除含硫酸液体的液膜。因此，能够抑制在从基板的主面去除有机膜之后硫酸残留于基板的主面。
在本发明的一实施方式中，所述液膜形成工序包括：含硫酸液体供给工序，向所述基板的主面供给含硫酸液体；薄膜化工序，在停止向所述基板的主面供给含硫酸液体后，使所述基板绕通过所述基板的中央部的中心轴线旋转而使所述基板的主面上的含硫酸液体变薄，从而形成所述液膜。
因此，与一边将含硫酸液体的连续流供给至基板的主面一边使含硫酸液体扩展至基板的主面上整体的情况相比，能够缩短将含硫酸液体供给至基板的主面的时间。因此，能够减少含硫酸液体的使用量。
进而，与一边将含硫酸液体的连续流供给至基板的主面一边使含硫酸液体扩展至基板的主面上整体的情况相比，能够使基板的主面上的含硫酸液体的液膜变薄。因此，能够削减含硫酸液体的液膜的加热所需的时间，实现省电化。
从含硫酸液体的液膜的表面溶解于含硫酸液体中的臭氧与硫酸的反应而生成的过二硫酸在液膜中扩散并到达基板的主面，从而与基板的主面的有机膜发生反应。因此，如果使含硫酸液体的液膜变薄，则能够使过二硫酸容易到达基板的主面。因此，能够从基板的主面迅速且充分地去除有机膜。
在本发明的一实施方式中，所述含臭氧气体暴露工序包括：在主面上形成有所述液膜的所述基板被配置于所述处理室的状态下，开始向所述处理室供给含臭氧气体，从而使所述处理室内充满含臭氧气体的工序。
在使含臭氧气体向处理室的供给结束后，形成含硫酸液体的液膜的情况下，由于含臭氧气体从处理室向外部流出，处理室内的气氛中的臭氧浓度有可能降低。因此，有可能减少溶解于液膜中的含硫酸液体中的臭氧的量。因此，如果在含硫酸液体的液膜已经形成的状态下开始含臭氧气体的供给，则能够在处理室内的气氛中的臭氧浓度充分高的状态下，使含硫酸液体的液膜与处理室内的气氛接触。因此，能够增大溶解于基板的主面上的液膜中的含硫酸液体中的臭氧的量。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括：在所述液膜形成工序中的所述液膜的形成开始之前，使所述基板的主面亲水化的亲水化工序。
根据该方法，在基板的主面形成含硫酸液体的液膜之前，基板的主面被亲水化。因此，基板的主面的润湿性提高，含硫酸液体容易在基板的主面上扩展。因此，能够实现含硫酸液体的液膜的薄膜化。进而，通过使液膜变薄，能够使臭氧容易到达基板的主面，能够从基板的主面迅速且充分地去除有机膜。
在本发明的一实施方式中，所述亲水化工序包括：在所述液膜形成工序中的所述液膜的形成开始之前，在所述处理室内配置有所述基板的状态下向所述处理室供给含臭氧气体，从而使所述基板的主面暴露于含臭氧气体的臭氧亲水化工序。
根据该方法，通过含臭氧气体的供给，能够使基板的主面亲水化。因此，能够在基板的主面的亲水化以及从基板的主面去除有机膜这两者中使用含臭氧气体。因此，与在基板的主面的亲水化中使用含臭氧气体的供给以外的方法的情况相比，能够简化基板处理所需的设备。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括：使所述基板保持于配置在腔室内的基板保持构件的基板保持工序。并且，所述含臭氧气体暴露工序包括：基板容纳工序，使所述处理室相对于在所述腔室内保持于所述基板保持构件的所述基板相对移动而将保持于所述基板保持构件的所述基板容纳于所述处理室内；含臭氧气体供给工序，在所述基板容纳于所述处理室的状态下向所述处理室供给含臭氧气体；以及基板脱离工序，在所述含臭氧气体供给工序之后，使所述处理室相对于在所述腔室内保持于所述基板保持构件的所述基板相对移动而使保持于所述基板保持构件的所述基板从所述处理室脱离。
根据该方法，在将基板配置在配置于腔室内的处理室内的状态下，能够向处理室供给含臭氧气体而使处理室充满含臭氧气体。因此，与在腔室内充满含臭氧气体的情况相比，能够迅速地充满含臭氧气体。
本发明的另一实施方式包括：基板保持构件，将基板保持为预定的处理姿势；处理室，能够容纳保持于所述基板保持构件的基板；基板加热构件，对保持于所述基板保持构件的基板进行加热；含臭氧气体供给构件，向所述处理室内供给含臭氧气体；含硫酸液体排出构件，朝向保持于所述基板保持构件的基板的主面排出含硫酸液体；以及控制器，对所述基板加热构件、所述含臭氧气体供给构件以及所述含硫酸液体排出构件进行控制。
并且，所述控制器是在保持于所述基板保持构件的基板被配置在所述处理室内且所述基板被所述基板加热构件加热的状态下，从所述含硫酸液体排出构件向所述基板的主面排出含硫酸液体，在所述基板的主面上形成含硫酸液体的液膜，且从所述含臭氧气体供给构件向所述处理室供给含臭氧气体。
根据该装置，在配置于处理室的基板被加热的状态下，在基板的主面形成含硫酸液体的液膜，且向处理室供给含臭氧气体。因此，在处理室内充满含臭氧气体的状态下，在基板的主面上形成含硫酸液体的液膜。因此，能够使含臭氧气体中的臭氧溶解于构成基板的主面上的液膜的含硫酸液体中而在液膜中形成过二硫酸。
另外，在构成基板的主面上的液膜的含硫酸液体中形成过二硫酸的状态下对基板进行加热。因此，能够提高过二硫酸的氧化力。
另外，在处理室内充满含臭氧气体的状态下对基板进行加热。因此，即使因加热而臭氧对含硫酸液体的溶解度降低，也能够维持含有充分浓度的臭氧的含臭氧气体与含硫酸液体接触的状态。因此，能够抑制含硫酸液体中的臭氧的气化。
其结果是，能够从基板迅速且充分地去除抗蚀剂等有机膜。
在本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还包括对所述基板加热构件的温度进行检测的温度传感器。并且，所述控制器包括：温度判定单元，其判定基于所述温度传感器的检测温度是否处于处理温度范围内的温度；以及第一开始单元，其在所述温度判定单元判定为所述温度传感器的检测温度处于所述处理温度范围内的温度的情况下，使从所述含硫酸液体排出构件的含硫酸液体的排出以及从所述含臭氧气体供给构件的含臭氧气体的供给中的至少一方开始。
根据该装置，在温度传感器的检测温度处于处理温度范围内的温度时，开始从含硫酸液体排出构件的含硫酸液体的排出以及从含臭氧气体供给构件的含臭氧气体的供给中的至少一方。因此，在基板被加热至足够高的温度的状态下，开始从含硫酸液体排出构件的含硫酸液体的排出、以及从含臭氧气体供给构件的含臭氧气体的供给中的至少一方。因此，能够迅速地开始从基板的主面去除有机膜。
在本发明的其他实施方式中，所述第一开始单元在所述温度判定单元判定为所述温度传感器的检测温度处于所述处理温度范围内的温度的情况下，使从所述含硫酸液体排出构件的含硫酸液体的排出开始。而且，所述控制器还包括：时间经过判定单元，其在开始从所述含硫酸液体排出构件排出含硫酸液体后，判定是否经过了液膜形成时间；以及第二开始单元，其在所述时间经过判定单元判定为经过了所述液膜形成时间的情况下，使从所述含臭氧气体供给构件的含臭氧气体的供给开始。
根据该装置，在温度传感器的检测温度处于处理温度范围内时，开始从含硫酸液体排出构件排出含硫酸液体。因此，能够迅速地对供给至基板的主面的含硫酸液体进行加热。另外，在开始排出含硫酸液体之后，若经过液膜形成时间，则开始向处理室供给含臭氧气体。因此，在形成液膜后，迅速开始向处理室供给含臭氧气体。因此，能够高再现性地处理基板，因此能够从基板的主面高再现性地去除有机膜。
在本发明的另一实施方式中，所述基板处理装置还包括：腔室，容纳所述基板保持构件和所述处理室；以及处理室驱动机构，以使保持于所述基板保持构件的基板在所述处理室内与所述处理室外之间相对移动的方式，使所述处理室相对于所述基板保持构件相对移动。
根据该装置，在将基板配置在容纳于腔室内的处理室内的状态下，能够向处理室供给含臭氧气体而使处理室充满含臭氧气体。因此，与使腔室内充满含臭氧气体的情况相比，能够迅速地充满含臭氧气体。
在本发明的其他实施方式中，所述含硫酸液体排出构件包括排出含硫酸液体的含硫酸液体喷嘴。而且，所述基板处理装置还包括喷嘴驱动机构，该喷嘴驱动机构在保持于所述基板保持构件的基板位于所述处理室外的状态下，使所述含硫酸液体喷嘴移动至所述处理室与所述基板的主面之间的处理位置。
根据该装置，在基板位于处理室外时从含硫酸液体喷嘴向基板的主面供给含硫酸液体，在基板的主面上形成含硫酸液体的液膜之后，能够将基板配置在处理室内。由此，在含硫酸液体喷嘴与处理室分开设置的构成中，能够迅速地向基板的主面上的含硫酸液体的液膜供给含臭氧气体。
在本发明的其他实施方式中，所述处理室具有划分所述处理室的内部空间的壳体。而且，所述含臭氧气体供给构件具有从所述壳体露出并与所述内部空间连接的多个含臭氧气体排出口。因此，能够向处理室内(内部空间)的整体迅速地供给含臭氧气体。
在本发明的其他实施方式中，所述基板处理装置还包括：含硫酸液体回收单元，其对从保持于所述基板保持构件的基板的主面排出的含硫酸液体进行回收；含硫酸液体供给单元，其将由所述含硫酸液体回收单元回收的含硫酸液体供给至所述含硫酸液体排出构件。根据该结构，能够从含硫酸液体供给构件回收供给至基板的主面的含硫酸液体，再利用含硫酸液体。由此，能够减少硫酸的废弃量。
参照附图，通过以下描述的实施方式的说明来明确本发明中的上述的或者其他的目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的构成例的俯视图。
图2是用于说明所述基板处理装置所具备的处理单元的构成的示意图。
图3是用于说明所述基板处理装置所具备的含硫酸液体供给单元的构成的示意图。
图4是用于说明所述基板处理装置的电气构成的框图。
图5是用于说明由所述基板处理装置执行的基板处理的一例的流程图。
图6A～图6E是用于说明进行所述基板处理时的基板及其周围的情况的示意图。
图7是用于说明所述基板处理装置所具备的控制器的功能性构成的框图。
图8是用于说明由所述控制器进行的有机膜去除处理的一例的流程图。
图9A是用于说明第一变形例的基板处理的流程图。
图9B是用于说明第二变形例的基板处理的流程图。
图9C是用于说明第三变形例的基板处理的流程图。
图10是用于说明第二实施方式的基板处理装置所具备的含硫酸液体供给单元和含硫酸液体回收单元的构成的示意图。
图11是用于说明第三实施方式的基板处理装置所具备的处理单元的构成的示意图。
图12是用于说明由第三实施方式的基板处理装置执行的基板处理的一例的流程图。
具体实施方式
<第一实施方式的基板处理装置的构成>
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的构成例的俯视图。
基板处理装置1是一张一张地处理基板W的单张式的装置。在该实施方式中，基板W具有圆板状。基板W是硅晶片等基板W，具有一对主面。
基板处理装置1包括：多个处理单元2，其对基板W进行处理；装载口LP(容纳器保持单元)，其载置有容纳由处理单元2处理的多张基板W的载体C(容纳器)；搬运机器人(第一搬运机器人IR和第二搬运机器人CR)，其在装载口LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，其控制基板处理装置1所具备的各构件。
第一搬运机器人IR在载体C与第二搬运机器人CR之间搬运基板W。第二搬运机器人CR在第一搬运机器人IR与处理单元2之间搬运基板W。各搬运机器人例如是多关节臂机器人。
多个处理单元2沿着由第二搬运机器人CR搬运基板W的搬运路径TR而排列在搬运路径TR的两侧，且在上下方向上层叠而排列。多个处理单元2例如具有同样的构成。
多个处理单元2形成有分别配置在水平分离的4个位置的4个处理塔TW。各处理塔TW包括在上下方向上层叠的多个处理单元2。4个处理塔TW在从装载口LP朝向第二搬运机器人CR延伸的搬运路径TR的两侧各配置有2个。
基板处理装置1包括容纳阀、配管等的多个流体箱4、以及容纳含硫酸液体、药液、冲洗液、有机溶剂、或者贮存这些原料的罐的贮存箱5。处理单元2和流体箱4配置在俯视大致四边形状的框架6的内侧。
处理单元2具有在基板处理时容纳基板W的腔室7。腔室7包括：出入口(未图示)，其用于通过第二搬运机器人CR向腔室7内搬入基板W或从腔室7搬出基板W；以及闸门单元(未图示)，其对出入口进行开闭。作为在腔室7内供给至基板W的处理液，详情后述，可列举出含硫酸液体、药液、冲洗液、有机溶剂等。
<第一实施方式所涉及的处理单元的构成>
图2是用于说明处理单元2的构成的示意图。
处理单元2还包括：旋转卡盘8，其一边将基板W保持为预定的处理姿势，一边使基板W围绕旋转轴线A1旋转；多个移动喷嘴(第一移动喷嘴9、第二移动喷嘴10、第三移动喷嘴11)，其朝向基板W排出处理液；以及处理室12，其能够容纳保持于旋转卡盘8的基板W。
处理单元2还包括：含臭氧气体供给构件13，其向处理室12内供给含臭氧气体；基板加热构件14，其对保持于旋转卡盘8的基板W进行加热；以及处理杯15，其接收从保持于旋转卡盘8的基板W飞散的处理液。
旋转卡盘8、多个移动喷嘴、处理室12、含臭氧气体供给构件13、基板加热构件14以及处理杯15被配置在腔室7内。
旋转轴线A1穿过基板W的中心部，与保持为处理姿势的基板W的各主面正交。处理姿势例如是图2所示的基板W的姿势，是基板W的主面成为水平面的水平姿势，但不限于水平姿势。即，与图2不同，处理姿势也可以是基板W的主面相对于水平面倾斜的姿势。在处理姿势为水平姿势的情况下，旋转轴线A1铅垂地延伸。
旋转卡盘8是将基板W保持为处理姿势的基板保持构件(基板保持架)的一例，也是一边将基板W保持为处理姿势一边使基板W绕旋转轴线A1旋转的旋转保持构件的一例。
旋转卡盘8包含：旋转基座21，其具有沿着水平方向的圆板形状；多个把持销20，其在旋转基座21的上方把持基板W，在比旋转基座21靠上方的位置把持基板W的周缘部；旋转轴22，其与旋转基座21连结且在铅垂方向上延伸；以及旋转驱动机构23，其使旋转轴22绕其中心轴线(旋转轴线A1)旋转。旋转基座21是圆板状的基座的一例。
多个把持销20在旋转基座21的周向上隔开间隔地配置于旋转基座21的上表面。旋转驱动机构23例如包括电动马达等致动器。旋转驱动机构23通过使旋转轴22旋转而使旋转基座21和多个把持销20绕旋转轴线A1旋转。由此，基板W与旋转基座21和多个把持销20一起绕旋转轴线A1旋转。
多个把持销20能够在与基板W的周缘部接触而把持基板W的关闭位置与解除对基板W的把持的打开位置之间移动。多个把持销20通过开闭机构(未图示)而移动。
多个把持销20在位于关闭位置时，把持基板W的周缘部而将基板W保持为水平。多个把持销20在位于打开位置时，解除对基板W的把持，另一方面，从下方支承基板W的周缘部。开闭机构例如包含连杆机构和对连杆机构赋予驱动力的致动器。
多个移动喷嘴包含：第一移动喷嘴9，其朝向保持于旋转卡盘8的基板W的上表面(上侧的主面)排出含硫酸液体的连续流；第二移动喷嘴10，其朝向保持于旋转卡盘8的基板W的上表面，选择性地排出药液的连续流和冲洗液的连续流；以及第三移动喷嘴11，其朝向保持于旋转卡盘8的基板W的上表面排出有机溶剂。
第一移动喷嘴9是朝向保持于旋转卡盘8的基板W的主面(上表面)排出含硫酸液体的含硫酸液体排出构件的一例。第二移动喷嘴10是朝向保持于旋转卡盘8的基板W的主面(上表面)排出药液的药液排出构件的一例，是朝向保持于旋转卡盘8的基板W的主面(上表面)排出冲洗液的冲洗液排出构件的一例。第三移动喷嘴11是朝向保持于旋转卡盘8的基板W的主面(上表面)排出有机溶剂的有机溶剂排出构件的一例。
多个移动喷嘴通过多个喷嘴驱动机构(第一喷嘴驱动机构25、第二喷嘴驱动机构26以及第三喷嘴驱动机构27)在水平方向上分别移动。
各喷嘴驱动机构能够使对应的移动喷嘴在中央位置与退避位置之间移动。中央位置是移动喷嘴与基板W的上表面的中央区域对置的位置。基板W的上表面的中央区域是指在基板W的上表面包含旋转中心(中央部)和旋转中心的周围的部分的区域。退避位置是移动喷嘴不与基板W的上表面对置的位置，是处理杯15的外侧的位置。
各喷嘴驱动机构包含：支撑对应的移动喷嘴的臂(第一臂25a、第二臂26a和第三臂27a)、以及使对应的臂在水平方向上移动的臂驱动机构(第一臂驱动机构25b、第二臂驱动机构26b和第三臂驱动机构27b)。各臂驱动机构包含电动马达、气缸等致动器。
移动喷嘴既可以是绕规定的转动轴线转动的转动式喷嘴，也可以是在对应的臂延伸的方向上直线移动的直动式喷嘴。移动喷嘴也可以构成为在铅垂方向上也能够移动。
从第一移动喷嘴9排出的含硫酸液体例如为硫酸水溶液。硫酸水溶液中含有硫酸(H2SO4)和水(H2O)。硫酸水溶液例如为稀硫酸或浓硫酸。在含硫酸液体中也可以含有硫酸和水以外的物质。含硫酸液体也可以通过将硫酸与DIW(去离子水)等水混合而形成。
处理单元2还包括向第一移动喷嘴9供给含硫酸液体的含硫酸液体供给单元16。含硫酸液体供给单元16包括含硫酸液体配管40、含硫酸液体阀50A和含硫酸液体流量调节阀50B。
含硫酸液体配管40与第一移动喷嘴9连接，向第一移动喷嘴9引导含硫酸液体。含硫酸液体阀50A和含硫酸液体流量调节阀50B设置于含硫酸液体配管40。
含硫酸液体阀50A设置于含硫酸液体配管40也可以是指，含硫酸液体阀50A安装于含硫酸液体配管40。在以下说明的其他阀中也是同样的。
含硫酸液体阀50A对含硫酸液体配管40进行开闭。含硫酸液体流量调节阀50B调整含硫酸液体配管40内的含硫酸液体的流量。关于含硫酸液体供给单元16的构成的详细情况在后面叙述。当打开含硫酸液体阀50A时，从第一移动喷嘴9连续地排出含硫酸液体。
虽未图示，但含硫酸液体阀50A包括：阀体，其在内部设有阀座；阀芯，其对阀座进行开闭；以及致动器，其使阀芯在打开位置与关闭位置之间移动。其他阀也具有同样的构成。
从第二移动喷嘴10排出的药液例如含有过氧化氢水(H2O2)、氢氟酸(HF)、稀氢氟酸(DHF)、缓冲氢氟酸(BHF)、盐酸(HCl)、HPM液(hydrochloricacid-hydrogenperoxidemixture：盐酸过氧化氢水混合液)、氨水、TMAH液(Tetramethylammoniumhydroxidesolution：四甲基氢氧化铵溶液)、或APM液(ammonia-hydrogenperoxidemixture：氨过氧化氢混合液)。
从第二移动喷嘴10排出的冲洗液例如为DIW等水。但是，冲洗液不限于DIW。冲洗液也可以是DIW、碳酸水、电解离子水、稀释浓度(例如1ppm以上且100ppm以下)的盐酸水、稀释浓度(例如1ppm以上且100ppm以下)的氨水、或者还原水(氢水)、或者含有它们中的至少2种的混合液。
第二移动喷嘴10与向第二移动喷嘴10引导流体的共用配管41连接。在共用配管41上连接有向共用配管41供给药液的药液配管42和向共用配管41供给冲洗液的冲洗液配管43。共用配管41也可以经由混合阀(未图示)与药液配管42和冲洗液配管43连接。
在共用配管41中设置有对共用配管41进行开闭的共用阀51。在药液配管42中设置有对药液配管42进行开闭的药液阀52A、以及对药液配管42内的药液的流量进行调整的药液流量调节阀52B。在冲洗液配管43中设置有对冲洗液配管43进行开闭的冲洗液阀53A、以及对冲洗液配管43内的冲洗液的流量进行调节的冲洗液流量调节阀53B。
当打开药液阀52A和共用阀51时，从第二移动喷嘴10排出药液的连续流。当打开冲洗液阀53A和共用阀51时，从第二移动喷嘴10排出冲洗液的连续流。
从第三移动喷嘴11排出的有机溶剂含有乙醇(EtOH)、异丙醇(IPA)等醇类、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚等乙二醇单烷基醚类、乙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇单乙基醚乙酸酯等乙二醇单烷基醚乙酸酯类、丙二醇单甲基醚(PGME)、丙二醇单乙基醚(PGEE)等丙二醇单烷基醚类、乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)等乳酸酯类、甲苯、二甲苯等芳香族烃类、甲基乙基酮、2-庚酮、环己酮等酮类中的至少一种。
在第三移动喷嘴11上连接有向第三移动喷嘴11引导有机溶剂的有机溶剂配管44。在有机溶剂配管44中设置有对有机溶剂配管44进行开闭的有机溶剂阀54A和对有机溶剂配管44内的有机溶剂的流量进行调节的有机溶剂流量调节阀54B。
处理杯15包括承接从保持于旋转卡盘8的基板W向外侧飞散的处理液的多个(在图2中为3个)挡板28、分别承接由多个挡板28向下方引导的处理液的多个(在图2中为3个)杯29、以及包围多个挡板28和多个杯29的圆筒状的外壁构件30。
各挡板28具有在俯视时包围旋转卡盘8的筒状的形态。各挡板28的上端部以朝向挡板28的中心侧的方式向内侧倾斜。各杯29具有向上开放的环状槽的形态。多个挡板28和多个杯29配置在同轴上。
多个挡板28可通过挡板升降驱动机构(未图示)单独升降。挡板升降驱动机构例如包括分别对多个挡板28进行升降驱动的多个致动器。多个致动器包括电动马达和气缸中的至少一者。
处理单元2包括从腔室7外向腔室7内输送非活性气体的FFU(风机过滤单元)等送风单元31、以及对腔室7内进行排气的排放配管32。送风单元31配置在腔室7的上壁7a。排放配管32与外壁构件30连接。由送风单元31输送到腔室7的非活性气体例如可以是氮气、稀有气体、或者它们的混合气体。稀有气体例如是氩气。
排放配管32与排气管道(未图示)连接。排气管道内的气氛由抽吸装置(未图示)抽吸。腔室7内的气氛经由排放配管32向排气管道排出。抽吸装置包括对排气管道进行抽吸的抽吸泵等。抽吸装置安装于排气管道，或者与排气管道连结。排气管道和抽吸装置设置在设置有基板处理装置1的洁净室或者洁净室所附带的设备内。排气管道和抽吸装置也可以是基板处理装置1的一部分。
在排放配管32与排气管道之间、或者在排放配管32中设置有臭氧去除装置33(臭氧除害器)。从腔室7排出的气氛中所含的臭氧气体在通过臭氧去除装置33时被分解。
通过送风单元31和排放配管32的作用，在腔室7的内部空间7c形成从上方朝向下方的气流。气流通过处理杯15的内部而流入排放配管32。
供给至基板W的处理液从基板W的周缘部飞散而被任一挡板28接收。由挡板28接收到的处理液被引导至对应的杯29，由与各杯29对应的排液配管(未图示)回收或废弃。
基板加热构件14具有从下方对基板W进行加热的圆板状的加热板的形态。基板加热构件14配置在旋转基座21的上表面与基板W的下表面之间。基板加热构件14具有从下方与基板W的下表面对置的加热面14a。
基板加热构件14包括板主体60和加热器61。在俯视观察时，板主体60比基板W稍小。板主体60的上表面构成加热面14a。加热器61也可以是内置于板主体60的电阻体。通过对加热器61通电，加热面14a被加热。
加热器61构成为能够在常温(例如，5℃以上且25℃以下的温度)以上且400℃以下的温度范围内对基板W进行加热。
处理单元2还包括检测基板加热构件14的温度的温度传感器62。温度传感器62在图2所示的例子中，内置于板主体60，但温度传感器62的配置没有特别限定。温度传感器62例如也可以从外部安装于板主体60。
加热器61经由供电线64连接有通电单元63。通过调整从通电单元63向加热器61供给的电流，来调整加热器61的温度。例如，从通电单元63向加热器61供给的电流基于温度传感器62的检测温度进行调整。
在基板加热构件14的下表面连接有加热器升降轴65。加热器升降轴65插入到形成在旋转基座21的中央部的贯通孔21a和旋转轴22的内部空间。
处理单元2还包括驱动基板加热构件14在上下方向上的移动的加热器驱动机构66。加热器驱动机构66例如包括驱动上下方向上的加热器升降轴65的移动的加热器致动器(未图示)。加热器致动器例如包括电动马达和气缸中的至少一者。加热器驱动机构66经由加热器升降轴65使基板加热构件14在上下方向上移动。基板加热构件14能够在基板W的下表面与旋转基座21的上表面之间在上下方向上移动。
基板加热构件14在上升时能够从位于打开位置的多个把持销20接收基板W。基板加热构件14通过配置于加热面14a与基板W的下表面接触的接触位置、或者非接触地接近基板W的下表面的接近位置，能够对基板W进行加热。将从基板W的下表面充分退避到基板加热构件14对基板W的加热被缓和的程度的位置称为退避位置。可以将对基板W的加热得到充分缓和换言之为对基板W的加热停止。
在将基板加热构件14配置于退避位置时从基板加热构件14向基板W传递的热量小于在将基板加热构件14配置于接近位置时从基板加热构件14向基板W传递的热量。接触位置和接近位置也称为加热位置。退避位置也称为加热缓和位置，也称为加热停止位置。
处理室12具有能够容纳基板W的内部空间70、划分内部空间70的壳体71、以及设置于壳体71并将内部空间70向处理室12外开放的开口70a。壳体71例如具有俯视时直径比基板W大的圆筒状的内周面71a和与内周面71a连接的平坦的底面71b。
处理室12连接有处理室升降轴72。处理单元2还包括驱动处理室12在上下方向上移动的处理室驱动机构73。处理室驱动机构73例如包括驱动处理室升降轴72在上下方向上移动的处理室致动器(未图示)。处理室驱动机构73经由处理室升降轴72使处理室12在上下方向上移动。处理室致动器例如包括电动马达和气缸中的至少一方。
通过使处理室12下降，能够经由开口70a使基板W在处理室12内(内部空间70)相对移动。关于处理室12，将基板W容纳于处理室12内(内部空间70)时的处理室12的位置称为容纳位置。在处理室12位于容纳位置时，壳体71的内周面71a从侧方与基板W对置。通过使配置于容纳位置的处理室12上升，能够使基板W经由开口70a向处理室12外相对移动。将基板W位于处理室12外时的处理室12的位置称为非容纳位置。
这样，处理室驱动机构73能够使处理室12相对于旋转卡盘8移动，以使基板W在处理室12内与处理室12外之间相对移动。另外，在处理室12位于容纳位置时，各喷嘴移动机构无法使对应的移动喷嘴移动到与基板W的上表面对置的位置。在处理室12位于非容纳位置时，各喷嘴移动机构能够使对应的移动喷嘴移动到与基板W的上表面对置的位置。
含臭氧气体供给构件13包括设置于壳体71的内部的含臭氧气体流路75、以及从壳体71露出并与含臭氧气体流路75的一端和内部空间70连接的多个含臭氧气体排出口76。因此，能够向内部空间70的整体迅速地供给含臭氧气体。在图2所示的例子中，多个含臭氧气体排出口76形成于壳体71的底面71b。
含臭氧气体流路75例如可以由形成于处理室升降轴72和壳体71的流通孔构成，也可以由配置于该流通孔内的配管构成。含臭氧气体流路75也可以不形成于处理室升降轴72而仅形成于壳体71。
从含臭氧气体排出口76排出的含臭氧气体可以是臭氧气体，也可以是臭氧气体和臭氧气体以外的气体的混合气体。臭氧气体以外的气体例如为非活性气体。含臭氧气体中所含有的非活性气体例如可以是氮气、稀有气体或它们的混合气体。稀有气体例如是氩气。
含臭氧气体供给构件13的含臭氧气体流路75与向含臭氧气体流路75引导含臭氧气体的含臭氧气体配管45连接。在含臭氧气体配管45中设置有对含臭氧气体配管45进行开闭的含臭氧气体阀55A、以及对含臭氧气体配管45内的含臭氧气体的流量进行调整的含臭氧气体流量调节阀55B。
<含硫酸液体供给单元的构成>
图3是用于说明含硫酸液体供给单元16的构成的示意图。
含硫酸液体供给单元16还包括贮存槽80、供给配管81、循环配管82、送液泵83、循环阀84、配管加热器85以及罐加热器86。
贮存槽80贮存含硫酸液体。供给配管81与贮存槽80和含硫酸液体配管40连接，将贮存槽80内的含硫酸液体向含硫酸液体配管40供给。循环配管82与供给配管81和含硫酸液体配管40的连接位置连接，通过使供给配管81内的含硫酸液体返回到贮存槽80，使贮存槽80内的含硫酸液体循环。送液泵83产生将贮存槽80内的含硫酸液体输送至供给配管81的驱动力。循环阀84设置于循环配管82，对循环配管82进行开闭。
配管加热器85对供给配管81内的含硫酸液体进行加热。罐加热器86对贮存槽80内的含硫酸液体进行加热。对于配管加热器85和罐加热器86的形态没有特别限定。配管加热器85例如通过从外部对供给配管81进行加热，从而对通过供给配管81内的含硫酸液体进行加热。罐加热器86例如是安装于贮存槽80的壁部的外侧面的加热器。
含硫酸液体供给单元16还包括：从含硫酸液体供给源87向贮存槽80补充新的含硫酸液体(新液)的补充配管88、以及对补充配管88进行开闭的补充阀89。通过打开补充阀89，向贮存槽80供给新液。
<第一实施方式的基板处理的电气构成>
图4是用于说明基板处理装置1的电气构成的框图。
控制器3是包含计算机主体3a和与计算机主体3a连接的周边装置3d的计算机。计算机主体3a包括执行各种命令的处理器(CPU)3b和存储信息的存储器3c。
周边装置3d包括：存储程序等信息的辅助存储装置3e、从可移动介质(未图示)读取信息的读取装置3f、以及与主计算机(未图示)等其他装置进行通信的通信装置3g。
控制器3与输入装置3A、显示装置3B和警报装置3C连接。输入装置3A在用户、维护负责人等操作者向基板处理装置1输入信息时被操作。信息显示在显示装置3B的画面上。输入装置3A既可以是键盘、定点设备(pointing device)和触摸面板中的任意一个，也可以是这些以外的装置。也可以将兼作输入装置3A和显示装置3B的触摸面板显示器设置于基板处理装置1。警报装置3C使用光、声音、文字和图形中的1个以上发出警报。在输入装置3A是触摸面板显示器的情况下，输入装置3A也可以兼作警报装置3C。
辅助存储装置3e是即使不供给电力也保持存储的非易失性存储器。辅助存储装置3e例如是硬盘驱动器等磁存储装置。
辅助存储装置3e存储有多个制程。制程是规定基板W的处理内容、处理条件和处理步骤的信息。多个制程在基板W的处理内容、处理条件和处理步骤中的至少一个中互不相同。
控制器3控制基板处理装置1所具备的各构件，以按照由主计算机等外部装置指定的制程处理基板W。
作为控制器3的控制对象，可举出第一搬运机器人IR、第二搬运机器人CR、旋转驱动机构23、第一喷嘴驱动机构25、第二喷嘴驱动机构26、第三喷嘴驱动机构27、处理室驱动机构73、加热器驱动机构66、通电单元63、送风单元31、温度传感器62、送液泵83、配管加热器85、罐加热器86、含硫酸液体阀50A、含硫酸液体流量调节阀50B、共用阀51、药液阀52A、药液流量调节阀52B、冲洗液阀53A、冲洗液流量调节阀53B、有机溶剂阀54A、有机溶剂流量调节阀54B、循环阀84、补充阀89等。
另外，在图4中图示了代表性的构件，但并不意味着不会由控制器3控制未图示的构件，控制器3能够适当地控制基板处理装置1所具备的各构件。在图4中，也一并记载了后述的第二实施方式以及第三实施方式中说明的构件，这些构件也由控制器3控制。
以下的各工序通过控制器3控制基板处理装置1来执行。换言之，控制器3被编程为执行以下的各工序。
<基板处理的一例>
图5是用于说明由基板处理装置1执行的基板处理的一例的流程图。图6A～图6E是用于说明进行基板处理时的基板W及其周边的情况的示意图。在基板处理所使用的基板W的一对主面中的至少一方形成有抗蚀剂等有机膜。
在基板处理装置1的基板处理中，例如，如图5所示，执行基板搬入工序(步骤S1)、基板加热工序(步骤S2)、液膜形成工序(步骤S3)、含臭氧气体暴露工序(步骤S4)、第一冲洗工序(步骤S5)、含臭氧气体去除工序(步骤S6)、药液供给工序(步骤S7)、第二冲洗工序(步骤S8)、有机溶剂供给工序(步骤S9)、旋转干燥工序(步骤S10)和基板搬出工序(步骤S11)。以下，主要参照图2和图5，对基板处理的详细情况进行说明。适当参照图6A～图6E。
首先，未处理的基板W通过第二搬运机器人CR(参照图1)从载体C搬入处理单元2，并传递至旋转卡盘8(基板搬入工序：步骤S1)。由此，基板W被旋转卡盘8保持为水平(基板保持工序)。此时，基板W以形成有有机膜的主面成为上表面的方式保持于旋转卡盘8。基板W持续被旋转卡盘8保持，直至旋转干燥工序(步骤S10)结束。
在基板W被保持于旋转卡盘8的状态下，旋转驱动机构23使基板W的旋转开始(基板旋转工序)。另外，在基板处理的执行中，在腔室7的内部空间7c始终形成有从上方朝向下方的气流，气流通过处理杯15的内部而流入排放配管32。
在第二搬运机器人CR从腔室7退避后，执行对基板W进行加热的基板加热工序(步骤S2)。具体而言，通过通电单元63向加热器61供给电流，开始加热器61的温度上升。然后，加热器驱动机构66使基板加热构件14从退避位置移动到接近位置。如图6A所示，开始加热器61的温度上升，基板加热构件14配置在接近位置，由此开始基板W的加热(基板加热开始工序：步骤S21)。
并且，当温度传感器62的检测温度达到处理温度范围时，执行在基板W的上表面形成含硫酸液体的液膜100(参照图6C)的液膜形成工序(步骤S3)。具体而言，第一喷嘴驱动机构25使第一移动喷嘴9移动到处理位置。处理位置例如是中央位置。
在第一移动喷嘴9位于处理位置的状态下，打开含硫酸液体阀50A。由此，如图6B所示，从第一移动喷嘴9排出含硫酸液体，开始向基板W的上表面供给含硫酸液体(含硫酸液体供给开始工序：步骤S31)。着落于基板W的上表面上的含硫酸液体朝向基板W的上表面的周缘部移动，含硫酸液体扩展至基板W的整个上表面。
在开始供给含硫酸液体之后，若经过规定的期间，则含硫酸液体阀50A被关闭。由此，停止向基板W的上表面供给含硫酸液体(含硫酸液体供给停止工序：步骤S32)。含硫酸液体的排出期间例如为1秒左右。
通过在不向基板W的上表面供给含硫酸液体的情况下利用基板W的旋转的离心力去除基板W的上表面上的含硫酸液体，从而使基板W的上表面上的含硫酸液体变薄(薄膜化工序)。由此，如图6C所示，在基板W的上表面上形成含硫酸液体的较薄的液膜100。液膜100例如具有1μm以上且2mm以下的厚度。
在含硫酸液体的排出停止的时刻，含硫酸液体不需要扩展至基板W的上表面的整体，可以在含硫酸液体的供给停止后扩展到基板W的上表面的周缘部。若在含硫酸液体扩展至基板W的整体之前停止含硫酸液体的排出，则能够进一步削减含硫酸液体的供给量。
在停止了含硫酸液体的排出之后，第一喷嘴驱动机构25使第一移动喷嘴9退避。在停止含硫酸液体的排出后，若经过规定的期间，则执行含臭氧气体暴露工序(步骤S4)。含臭氧气体暴露工序是通过使处理室12内充满含臭氧气体而将基板W的上表面上的液膜100暴露于含臭氧气体的工序。
具体而言，在停止了含硫酸液体的排出之后，在经过了规定的期间的时刻，处理室驱动机构73使处理室12从非容纳位置朝向容纳位置下降。由此，将基板W容纳于处理室12内(基板容纳工序)。在处理室12被配置于容纳位置的状态下，含臭氧气体阀55A被打开。由此，如图6D所示，向处理室12内供给含臭氧气体(含臭氧气体供给开始工序：步骤S41)。通过向处理室12内供给含臭氧气体，从而在处理室12内充满含臭氧气体(含臭氧气体供给工序、含臭氧气体充满工序)。
通过在充满含臭氧气体的处理室12内配置基板W，能够将基板W的上表面上的液膜100暴露于含臭氧气体(含臭氧气体暴露工序)。
通过向处理室12内供给含臭氧气体，能够对处理室12内进行加压(加压供给工序)。由此，处理室12内的压力变得比处理室12外的压力高。在腔室7内，处理室12外的压力例如为大气压，约为0.1MPa。处理室12内的压力例如为0.1MPa以上0.2MPa以下。通过在处理室12内配置基板W而使开口70a变窄，能够使处理室12内的压力容易上升。
在从向处理室12内供给含臭氧气体起经过规定的期间后，关闭含臭氧气体阀55A，并且处理室驱动机构73使处理室12从容纳位置朝向非容纳位置移动。
通过关闭含臭氧气体阀55A，停止向处理室12供给含臭氧气体(含臭氧气体供给停止工序：步骤S42)。处理室驱动机构73使处理室12从容纳位置朝向非容纳位置上升。由此，基板W从处理室12脱离(基板脱离工序)。通过使基板W从处理室12脱离，能够使含臭氧气体对于基板W的上表面上的液膜100的暴露停止。由此，含臭氧气体暴露工序(步骤S4)结束。也可以在含臭氧气体阀55A关闭之前进行基板脱离工序。
严格来说，在腔室7内残留有含臭氧气体。然而，通过将处理室12配置在非容纳位置，能够降低与基板W的上表面上的液膜100接触的气氛中的臭氧气体的浓度。这样，将降低与基板W的上表面上的液膜100接触的气氛中的臭氧气体的浓度称为含臭氧气体的暴露的停止。
在停止含臭氧气体对于基板W的上表面上的液膜100的暴露之后，加热器驱动机构66使基板加热构件14从接近位置移动至退避位置。通过将基板加热构件14配置于退避位置(图6E所示的位置)，基板W的加热停止(基板加热停止工序：步骤S22)。由此，基板加热工序(步骤S2)结束。
通过执行基板加热工序(步骤S2)、液膜形成工序(步骤S3)以及含臭氧气体暴露工序(步骤S4)，从而基板W上的有机膜溶解于含硫酸液体，有机膜从基板W的上表面被去除。有机膜有时不完全溶解于含硫酸液体，而是由于含硫酸液体的液流而从基板W的上表面剥离。
在基板加热工序(步骤S2)、液膜形成工序(步骤S3)以及含臭氧气体暴露工序(步骤S4)之后，执行通过供给基板W的上表面冲洗液来清洗基板W的上表面的第一冲洗工序(步骤S5)。
具体而言，第二喷嘴驱动机构26使第二移动喷嘴10移动到处理位置。处理位置例如是中央位置。在第二移动喷嘴10位于处理位置的状态下，打开共用阀51和冲洗液阀53A。由此，如图6E所示，从第二移动喷嘴10排出冲洗液，开始向基板W的上表面供给冲洗液(冲洗液供给开始工序、冲洗液供给工序)。着落于基板W的上表面上的冲洗液朝向基板W的上表面的周缘部移动，冲洗液扩展至基板W的整个上表面。
在开始供给冲洗液后，若经过规定的期间，则共用阀51和冲洗液阀53A关闭。由此，停止向基板W的上表面供给冲洗液(冲洗液供给停止工序)。由此，第一冲洗工序结束。通过第一冲洗工序，从基板W的上表面排掉含硫酸液体。与含硫酸液体一起，从基板W的上表面排除从基板W的上表面剥离的有机膜。
在停止向基板W的上表面供给冲洗液后，执行从处理室12和腔室7去除含臭氧气体的含臭氧气体去除工序(步骤S6)。具体而言，通过调节利用送风单元31的非活性气体的供给流量以及来自排放配管32的排放流量中的至少一方，从而从处理室12和腔室7去除含臭氧气体。
在含臭氧气体去除工序(步骤S6)之后，执行向基板W的上表面供给药液的药液供给工序(步骤S7)。具体而言，在第二移动喷嘴10位于处理位置的状态下打开共用阀51和药液阀52A。由此，停止冲洗液的排出，进而从第二移动喷嘴10向基板W的上表面排出(供给)药液的连续流(药液排出工序、药液供给工序)。由此，基板W的上表面被药液处理。
在药液供给工序(步骤S7)之后，执行向基板W的上表面供给冲洗液而对基板W的上表面进行清洗的第二冲洗工序(步骤S8)。具体而言，维持第二移动喷嘴10与基板W的上表面对置且共用阀51打开的状态，同时关闭药液阀52A而打开冲洗液阀53A。由此，停止从第二移动喷嘴10排出药液，进而从第二移动喷嘴10向基板W的上表面排出(供给)冲洗液的连续流(冲洗液排出工序、冲洗液供给工序)。由此，基板W的上表面的药液与冲洗液一起向基板W外排掉，基板W的上表面被清洗。
在第二冲洗工序(步骤S8)之后，执行向基板W的上表面供给有机溶剂的有机溶剂供给工序(步骤S9)。具体而言，停止从第二移动喷嘴10排出冲洗液，且使第二移动喷嘴10退避。然后，第三喷嘴驱动机构27使第三移动喷嘴11与基板W的上表面对置而打开有机溶剂阀54A。由此，从第三移动喷嘴11向基板W的上表面排出(供给)有机溶剂的连续流(有机溶剂排出工序、有机溶剂供给工序)。由此，基板W的上表面的冲洗液被有机溶剂置换。
基板处理中使用的有机溶剂优选挥发性比冲洗液的挥发性高。如果是这样，则通过用有机溶剂置换冲洗液，能够在之后的旋转干燥工序(步骤S10)中使基板W良好地干燥。基板处理中使用的有机溶剂优选表面张力比冲洗液的表面张力低。如果是这样，则在基板W的上表面形成有凹凸图案的情况下，能够降低使基板W的上表面干燥时作用于凹凸图案的表面张力，能够抑制凹凸图案的倒塌。
接着，执行使基板W高速旋转而使基板W的上表面干燥的旋转干燥工序(步骤S10)。具体而言，关闭有机溶剂阀54A而停止向基板W的上表面供给有机溶剂。然后，旋转驱动机构23使基板W的旋转加速，使基板W高速旋转(例如1500rpm)。由此，大的离心力作用于附着在基板W的冲洗液，有机溶剂被甩向基板W的周围。
在旋转干燥工序(步骤S10)之后，旋转驱动机构23使基板W的旋转停止。之后，第二搬运机器人CR进入处理单元2，从旋转卡盘8接收处理完毕的基板W，向处理单元2外搬出(基板搬出工序：步骤S11)。该基板W从第二搬运机器人CR向第一搬运机器人IR传递，通过第一搬运机器人IR容纳于载体C。
<控制器的功能构成>
图7是用于说明控制器3的功能性构成的框图。图8是用于说明利用控制器3进行的有机膜去除处理的一例的流程图。
控制器3通过执行存储于存储器3c(参照图4)的程序来进行各种功能处理单元而工作。当控制器3执行程序时，辅助存储装置3e(参照图4)中存储的程序被展开到存储器3c中。
具体而言，控制器3构成为作为温度判定单元90、第一开始单元91、第一时间经过判定单元92、第一停止单元93、第二时间经过判定单元94、第二开始单元95、第三时间经过判定单元96以及第二停止单元97而发挥功能，并且被编程。控制器3作为这些功能处理单元而发挥功能，由此执行从基板W的上表面去除有机膜的有机膜去除处理。
温度判定单元90判定由温度传感器62检测出的检测温度是否为处理温度范围内的温度(步骤S13)。处理温度范围例如为50℃以上270℃以下的范围。处理温度范围优选为50℃以上且270℃以下的范围，更优选为80℃以上且170℃以下的范围。在由温度传感器62检测出的检测温度为处理开始温度范围外的温度的情况下(步骤S13：否)，温度判定单元90返回到步骤S13。
在温度判定单元90判定为温度传感器62的检测温度处于处理温度范围内的温度的情况下(步骤S13：是)，第一开始单元91向第一喷嘴驱动机构25和含硫酸液体阀50A输出含硫酸液体排出开始指令(步骤S14)。由此，第一移动喷嘴9向处理位置移动，且开始从第一移动喷嘴9排出含硫酸液体。因此，能够迅速地对供给至基板W的上表面的含硫酸液体进行加热。
含硫酸液体排出开始指令中例如包括：向第一喷嘴驱动机构25输出且使第一移动喷嘴9移动的处理位置移动指令；以及在输出第一移动指令之后，在第一移动喷嘴9配置于处理位置的状态下，向含硫酸液体阀50A输出且打开含硫酸液体阀50A的第一打开指令。
在输出了含硫酸液体排出开始指令之后，即开始从第一移动喷嘴9排出含硫酸液体之后，第一时间经过判定单元92判定是否经过了供给停止时间(步骤S15)。在未经过供给停止时间的情况下(步骤S15：否)，第一时间经过判定单元92返回到步骤S15。
在第一时间经过判定单元92判定为经过了供给停止时间的情况下(步骤S15：是)，第一停止单元93向第一喷嘴驱动机构25和含硫酸液体阀50A输出含硫酸液体排出停止指令(步骤S16)。由此，停止从第一移动喷嘴9排出含硫酸液体，且使第一移动喷嘴9向退避位置移动。因此，能够高再现性地控制含硫酸液体的排出时间。供给停止时间基于基板W的旋转速度和含硫酸液体的供给流量而预先设定。
含硫酸液体排出停止指令中例如包括：向含硫酸液体阀50A输出且关闭含硫酸液体阀50A的第一关闭指令、以及输出第一关闭指令之后向第一喷嘴驱动机构25输出并使第一移动喷嘴9移动的退避位置移动指令。
在输出了含硫酸液体排出停止指令之后，即停止了来自第一移动喷嘴9的含硫酸液体的排出之后，第二时间经过判定单元94判定是否经过了液膜形成时间(步骤S17)。液膜形成时间例如是从开始从第一移动喷嘴9排出含硫酸液体的时刻起的经过时间。液膜形成时间是比排出时间长的时间。在未经过液膜形成时间的情况下(步骤S17：否)，第二时间经过判定单元94返回步骤S17。
在第二时间经过判定单元94判定为经过了液膜形成时间的情况下(步骤S17：是)，第二开始单元95向处理室驱动机构73和含臭氧气体阀55A输出含臭氧气体暴露开始指令(步骤S18)。由此，处理室12朝向容纳位置移动，且开始从含臭氧气体供给构件13排出含臭氧气体。因此，在形成含硫酸液体的液膜100后，迅速开始向处理室12供给含臭氧气体。第二时间经过判定单元94是时间经过判定单元的一例。
含臭氧气体暴露开始指令中例如包括：向处理室驱动机构73输出且使处理室12朝向容纳位置移动的容纳位置移动指令；以及在输出容纳位置移动指令之后，在处理室12配置于容纳位置时向含臭氧气体阀55A输出并打开含臭氧气体阀55A的第二打开指令。
在输出含臭氧气体暴露开始指令之后，第三时间经过判定单元96判定是否经过了暴露时间(步骤S19)。暴露时间是从含臭氧气体供给构件13开始排出含臭氧气体的时刻起的经过时间。在未经过暴露时间的情况下(步骤S19：否)，第三时间经过判定单元96返回到步骤S19。
在第三时间经过判定单元96判定为经过了暴露时间的情况下(步骤S19：是)，第二停止单元97向处理室驱动机构73和含臭氧气体阀55A输出含臭氧气体暴露停止指令(步骤S20)。由此，处理室12朝向非容纳位置移动，且停止从含臭氧气体供给构件13排出含臭氧气体。因此，能够使适量的臭氧溶解于含硫酸液体的液膜100，从基板W的上表面去除有机膜。
含臭氧气体暴露停止指令中例如包括：向含臭氧气体阀55A输出并关闭含臭氧气体阀55A的第二关闭指令、以及输出第二关闭指令后向处理室驱动机构73输出且使处理室12朝向非容纳位置移动的非容纳位置移动指令。
如上所述，控制器3作为上述的功能处理单元而发挥功能，从而能够高再现性地处理基板。因此，能够从基板W的上表面高再现性地去除有机膜。
<第一实施方式的总结>
根据本发明的第一实施方式，在处理室12内配置有基板W的状态下，通过使处理室12内充满含臭氧气体，基板W上的含硫酸液体的液膜100暴露于含臭氧气体。由此，能够使含臭氧气体中的臭氧溶解于构成基板W上的液膜100的含硫酸液体中而在液膜100中形成过二硫酸。
另外，在基板W的上表面形成有液膜100的状态下，对基板W进行加热。即，在构成基板W的上表面上的液膜100的含硫酸液体中形成过二硫酸的状态下对基板W进行加热。因此，能够提高过二硫酸的氧化力。
进而，在处理室12内充满含臭氧气体的状态下对基板W进行加热。因此，即使因加热而臭氧对含硫酸液体的溶解度降低，也能够维持含有充分浓度的臭氧的含臭氧气体与基板W的上表面上的含硫酸液体接触的状态。因此，能够抑制含硫酸液体中的臭氧的气化。
其结果是，能够从基板W迅速且充分地去除抗蚀剂等有机膜。
根据第一实施方式，基板加热工序(步骤S2)中的基板W的加热在液膜形成工序(步骤S3)和含臭氧气体暴露工序(步骤S4)之前开始。因此，即使在基板W的温度上升所需的时间比液膜100的形成所需的时间和充满含臭氧气体所需的时间长的情况下，也能够使基板W的温度迅速地成为处理温度范围。
根据第一实施方式，含臭氧气体暴露工序(步骤S4)包括：以使处理室12内的压力在基板W的上表面上形成有含硫酸液体的液膜100的状态下高于处理室12外的压力的方式，向处理室12供给含臭氧气体的加压供给工序。在此，基于亨利定律，溶解于液体的气体的量和与该液体接触的气体的压力成比例。因此，如果向处理室12内供给含臭氧气体而提高与基板W的上表面上的含硫酸液体接触的含臭氧气体的压力，则能够提高含硫酸液体中的臭氧的浓度。由此，能够使液膜100中的过二硫酸的浓度上升，因此能够从基板W的上表面迅速且充分地去除有机膜。
根据第一实施方式，在基板加热工序(步骤S2)之后，向基板W的上表面供给冲洗液(冲洗液供给工序)。因此，能够利用冲洗液从基板W的上表面去除含硫酸液体的液膜100。因此，能够抑制在从基板W的上表面去除有机膜之后在基板W的上表面残留硫酸。
根据第一实施方式，在液膜形成工序中，向基板W的上表面供给含硫酸液体(含硫酸液体供给工序)。在停止向基板W的上表面供给含硫酸液体之后，使基板W旋转而使基板W的上表面上的含硫酸液体变薄，从而形成液膜100(薄膜化工序)。
因此，与一边将含硫酸液体的连续流供给至基板W的上表面一边使含硫酸液体扩展至基板W的上表面上的整体的情况相比，能够缩短将含硫酸液体供给至基板W的上表面的时间。如上所述，含硫酸液体的排出期间例如为1秒左右。因此，能够减少含硫酸液体的使用量。
进而，与一边将含硫酸液体的连续流供给至基板W的上表面一边使含硫酸液体扩展至基板W的上表面上的整体的情况相比，能够使基板W的上表面上的含硫酸液体的液膜100变薄。因此，能够削减液膜100的加热所需的时间，实现省电化。
在从液膜100的表面溶解于含硫酸液体中的臭氧与硫酸的反应中生成的过二硫酸在液膜100中扩散并到达基板W的上表面，由此与基板W的上表面的有机膜发生反应。因此，如果使液膜100变薄，则能够使过二硫酸容易到达基板W的上表面。因此，能够从基板W的上表面迅速且充分地去除有机膜。
根据第一实施方式，在形成有液膜100的基板W配置于处理室12内的状态下，通过向处理室12开始含臭氧气体的供给，从而在处理室12内充满含臭氧气体。
与第一实施方式不同，在结束向处理室12的含臭氧气体的供给之后，形成液膜100的情况下，由于含臭氧气体从处理室12向外部流出，处理室12内的气氛中的臭氧浓度有可能降低。因此，有可能减少溶解于液膜100中的含硫酸液体中的臭氧的量。因此，如果在已经形成液膜100的状态下开始含臭氧气体的供给，则能够在处理室12内的气氛中的臭氧浓度充分高的状态下使液膜100与处理室12内的气氛接触。因此，能够增大溶解于基板W的上表面上的液膜100中的含硫酸液体中的臭氧的量。
根据第一实施方式，旋转卡盘8和处理室12容纳于腔室7。处理室12以基板W在处理室12内与处理室12外之间相对移动的方式相对于旋转卡盘8移动。因此，能够在腔室7内使处理室12下降而将基板W容纳于处理室12内(基板容纳工序)，能够在腔室7内使处理室12上升而使基板W从处理室12脱离(基板脱离工序)。
因此，在将基板W配置于在腔室7内升降的处理室12内的状态下，能够向处理室12供给含臭氧气体而使处理室12充满含臭氧气体。因此，与在腔室7内充满含臭氧气体的情况相比，能够迅速地充满含臭氧气体。
根据第一实施方式，在基板W位于处理室12外时，能够在从第一移动喷嘴9向基板W的上表面供给含硫酸液体而将液膜100形成在基板W的上表面上之后，将基板W配置在处理室12内。由此，在第一移动喷嘴9与处理室12分开设置的构成中，能够迅速地向基板W的上表面上的液膜100供给含臭氧气体。
含硫酸液体的液膜100具有1μm以上且2mm以下的厚度，薄至能够迅速加热的程度，因此能够通过基板加热构件14的加热迅速地使液膜100的温度上升。因此，在含硫酸液体供给单元16中，与图3所示的构成不同，也可以不设置罐加热器86和配管加热器85。
<变形例的基板处理>
图9A～图9C是用于说明变形例的基板处理的流程图。
图9A所示的第一变形例的基板处理与图5所示的基板处理的不同点在于，在第一变形例的基板处理中，在基板加热开始工序(步骤S21)之前，执行含硫酸液体排出开始工序(步骤S31)。详细而言，在基板加热构件14到达接近位置之前，开始从第一移动喷嘴9向基板W的上表面排出含硫酸液体。
图9B所示的第二变形例的基板处理与图5所示的基板处理的不同点在于，在含臭氧气体供给开始工序(步骤S41)之后，执行基板加热开始工序(步骤S21)。详细而言，在基板加热构件14到达接近位置之前，形成含硫酸液体的液膜，并且开始向处理室12供给含臭氧气体。
如果处理室12配置于容纳位置，则与图9B所示的基板处理不同，也可以在基板加热开始工序(步骤S21)之前执行含臭氧气体供给停止工序(步骤S42)。详细而言，在基板加热构件14到达接近位置之前，也可以停止向处理室12供给含臭氧气体。
另一方面，基板W的加热不一定需要在处理室12内充满含臭氧气体且在基板W的上表面形成液膜100的状态下开始。即，也可以如图5的基板处理那样，在容纳有基板W的处理室12内充满含臭氧气体，且在基板W的上表面形成液膜100的状态下，进行基板W的加热。即，无论开始基板W的加热的时机如何，只要在容纳有基板W的处理室12内充满含臭氧气体且在基板W的上表面形成有液膜100的状态下对基板W进行加热，则能够从基板W的上表面迅速且充分地去除有机膜。
图9C所示的第三变形例的基板处理与图5所示的基板处理的不同点在于，在基板W的上表面形成含硫酸液体的液膜100之前，执行使基板W的上表面亲水化的亲水化工序(步骤S12)。
具体而言，在开始基板加热构件14对基板W的加热之后，处理室驱动机构73使处理室12从非容纳位置朝向容纳位置移动。然后，打开含臭氧气体阀55A。由此，在基板W配置于处理室12内的状态下，开始向处理室12内供给含臭氧气体(含臭氧气体供给开始工序：步骤S121)。通过向处理室12内供给含臭氧气体，在处理室12内充满含臭氧气体(含臭氧气体供给工序、含臭氧气体充满工序)。通过在处理室12内充满含臭氧气体，基板W的上表面暴露于含臭氧气体(基板上表面暴露工序)。
在规定的期间，基板W的上表面暴露于含臭氧气体后，含臭氧气体阀55A关闭。然后，在含臭氧气体阀55A关闭的状态下，处理室驱动机构73使处理室12从容纳位置朝向非容纳位置移动。由此，停止向处理室12内供给含臭氧气体(含臭氧气体供给停止工序：步骤S122)，停止含臭氧气体对于基板W的上表面的暴露。
在第三变形例的基板处理中，在基板W的上表面形成含硫酸液体的液膜100之前，基板W的上表面被亲水化。详细而言，基板W的上表面被含臭氧气体氧化，由此基板W的上表面的亲水性变高(臭氧亲水化工序)。通过使基板W的上表面亲水化，基板W的上表面的润湿性提高，含硫酸液体容易在基板W的上表面上扩展。因此，能够实现含硫酸液体的液膜100的薄膜化。进而，通过使液膜100变薄，能够使臭氧容易到达基板W的上表面，能够从基板W的上表面迅速且充分地去除有机膜。
在第三变形例的基板处理中，通过含臭氧气体的供给，能够使基板W的上表面亲水化。因此，能够在基板W的上表面的亲水化以及从基板W的上表面的有机膜的去除这两者中使用含臭氧气体。因此，与使用与含臭氧气体的供给不同的方法对基板W的上表面进行亲水化的情况相比，能够简化基板处理所需的设备。
在图9C所示的第三变形例的基板处理中，在基板加热开始工序(步骤S21)之后，执行含臭氧气体供给开始工序(步骤S121)。虽然未图示，但与图9C所示的第三变形例的基板处理不同，也可以在基板开始工序(步骤S21)之前开始臭氧亲水化开始工序(步骤S121)。
<第二实施方式的基板处理装置>
图10是用于说明第二实施方式的基板处理装置1A所具备的含硫酸液体供给单元16和含硫酸液体回收单元17的构成的示意图。在图10中，对于与上述的图1～图9C所示的构成相同的构成，标注与图1等相同的附图标记并省略其说明。
第二实施方式的基板处理装置1A与第一实施方式的基板处理装置1的主要不同点在于，基板处理装置1A还包括对从基板W的上表面排掉的含硫酸液体进行回收的含硫酸液体回收单元17。
含硫酸液体回收单元17包括：回收从处理单元2排掉的含硫酸液体的多个(在图10所示的例子中为2个)回收槽110；连接处理单元2和多个回收槽110的回收配管111；以及从多个回收槽110向贮存槽80输送含硫酸液体的送液配管112。
回收槽110是上部关闭的罐，回收槽110的内部空间SP经由排气配管117与外部相连。回收槽110具有与回收槽110内的含硫酸液体的液面接触的内部空间SP。排气配管117对回收槽110的内部空间SP进行排气。
回收配管111包括：与处理单元2的处理杯15连接的上游回收配管126、以及从上游回收配管126分支并与多个回收槽110分别连接的多个下游回收配管127。
送液配管112包括：与贮存槽80连接的下游送液配管128、以及从下游送液配管128分支并分别与多个回收槽110连接的多个上游送液配管129。
含硫酸液体回收单元17包括：设置于上游回收配管126的上游回收阀113；废弃配管114，其在上游回收配管126连接于上游回收阀113的上游，废弃上游回收配管126内的含硫酸液体；以及设置于废弃配管114的废弃阀115。
含硫酸液体回收单元17还包括：下游回收阀131、臭氧浓度计118、回收槽加热器119、回收温度传感器120、送液过滤器121、送液泵122、上游送液阀123、送液循环配管124和送液循环阀125。这些构件在各回收槽110中各设置有1个。
下游回收阀131对下游回收配管127进行开闭。臭氧浓度计118测定回收槽110的内部空间SP中的臭氧浓度。回收槽加热器119对回收槽110内的含硫酸液体进行加热。回收温度传感器120测定回收槽110内的含硫酸液体的温度。
臭氧浓度计118例如包括：测定器主体；以及气体供给管，其具有位于回收槽110的内部空间SP的前端，将回收槽110的内部空间SP的气体向测定器主体输送。
如图10所示，回收槽加热器119例如是从外侧面安装于回收槽110的壁部的加热器。回收槽加热器119与图10不同，既可以安装于回收槽110的底壁的下侧面，也可以安装于底壁和侧壁这两者。回收槽加热器119也可以是浸渍于回收槽110内的含硫酸液体的加热器。
送液过滤器121从通过上游送液配管129内的含硫酸液体中去除杂质。送液泵122在上游送液配管129中设置在送液过滤器121的下游侧，将上游送液配管129内的含硫酸液体向贮存槽80送出。
上游送液阀123在上游送液配管129中设置在送液泵122的下游侧，对上游送液配管129进行开闭。送液循环配管124在上游送液配管129中连接于比送液泵122靠下游侧且比上游送液阀123靠上游侧的位置。送液循环阀125对送液循环配管124进行开闭。
根据第二实施方式，能够回收从第一移动喷嘴9向基板W的上表面供给的含硫酸液体，再利用含硫酸液体。由此，能够减少硫酸的废弃量。通过对回收于回收槽110的含硫酸液体进行加热，能够使溶解于含硫酸液体的臭氧气化。通过使臭氧从含硫酸液体气化而去除，能够再利用充分去除了臭氧的含硫酸液体。因此，能够抑制形成于基板W的上表面上的含硫酸液体的液膜100中的臭氧浓度的变动。
另外，由于设置有多个回收槽110，因此即使在任一个回收槽110未准备好的情况下，也能够从其他回收槽110向贮存槽80供给含硫酸液体。回收槽110未准备好是指回收槽110内的含硫酸液体的量不充分的情况、或没能从回收槽110内的含硫酸液体中充分去除臭氧的情况。
<第三实施方式的基板处理装置>
图11是用于说明第三实施方式的基板处理装置1B所具备的处理单元2的构成的示意图。在图11中，对于与上述的图1～图10所示的构成相同的构成，标注与图1等相同的附图标记并省略其说明。在后述的图12中也是同样的。
第三实施方式的处理单元2与第一实施方式的处理单元2的主要不同点在于，在第三实施方式的处理单元2中没有设置处理室12。
详细而言，第三实施方式的处理单元2所具备的含臭氧气体供给构件13向腔室7的内部空间7c供给含臭氧气体。含臭氧气体供给构件13例如包括配置在腔室7内的含臭氧气体排出喷嘴130。含臭氧气体喷嘴130与含臭氧气体配管45连接。通过打开含臭氧气体阀55A，能够开始向腔室7的内部空间7c供给含臭氧气体。在第三实施方式中，腔室7作为处理室而发挥功能。
与图11不同，含臭氧气体供给构件13也可以具有在腔室7的侧壁7b开口的排出口。
在第三实施方式中，也能够执行与第一实施方式的基板处理(图5、图9A～图9C)相同的基板处理。
在第三实施方式中，也能够执行图12所示的基板处理。图12是用于说明由基板处理装置1B执行的基板处理的一例的流程图。在图12所示的基板处理中，与图9C所示的基板处理不同，向处理室12的含臭氧气体的供给在液膜形成工序(步骤S3)之前开始，液膜形成工序(步骤S3)结束后停止。
详细而言，通过通电单元63向加热器61供给电流，开始加热器61的温度上升。然后，加热器驱动机构66使基板加热构件14从退避位置移动到接近位置。开始加热器61的温度上升，基板加热构件14配置在接近位置，从而开始基板W的加热(基板加热开始工序：步骤S21)。由此，执行基板加热工序(步骤S2)。
在开始向基板W的上表面排出含硫酸液体之前，打开含臭氧气体阀55A。由此，开始从含臭氧气体供给构件13向腔室7的内部空间7c供给含臭氧气体(含臭氧气体供给开始工序：步骤S121)。通过继续向腔室7的内部空间7c供给含臭氧气体，能够使腔室7内充满含臭氧气体(含臭氧气体供给工序、含臭氧气体充满工序)。
通过使腔室7内充满含臭氧气体，保持于旋转卡盘8的基板W的上表面暴露于含臭氧气体(基板上表面暴露工序)。通过使基板W的上表面暴露于含臭氧气体来使基板W的上表面亲水化(臭氧亲水化工序、亲水化工序：步骤S12)。
之后，执行液膜形成工序(步骤S3)。在基板W的上表面上形成有含硫酸液体的液膜100的状态下，通过向腔室7内供给含臭氧气体，能够对腔室7内进行加压(加压供给工序)。
在液膜形成工序(步骤S3)之后，关闭含臭氧气体阀55A。由此，停止从含臭氧气体供给构件13向腔室7的内部空间7c供给含臭氧气体(含臭氧气体供给停止工序：步骤S41)。通过在停止含臭氧气体的供给的状态下经由排放配管32从腔室7的内部空间7c排放含臭氧气体，能够停止含臭氧气体对于基板W的上表面的暴露。
之后，加热器驱动机构66使基板加热构件14从接近位置移动到退避位置。通过将基板加热构件14配置于退避位置，停止基板W的加热(基板加热停止工序：步骤S22)。由此，基板加热工序(步骤S2)结束。
然后，依次执行第一冲洗工序(步骤S5)～基板搬出工序(步骤S11)。
这样，通过使用第三实施方式的基板处理装置1B，与含硫酸液体的排出相比，能够先开始含臭氧气体的供给。因此，与第一实施方式的基板处理装置1相比，能够执行多种基板处理。根据第三实施方式的基板处理装置1B，起到与第一实施方式的基板处理装置1相同的效果。
在执行图12所示的基板处理的情况下，在先开始含臭氧气体的供给的基板处理中，也可以基于温度传感器62的检测温度，开始含臭氧气体的供给。详细而言，第一开始单元91在温度判定单元90判定为温度传感器62的检测温度处于处理温度范围内的温度的情况下，使从含臭氧气体供给构件13的含臭氧气体的供给开始。因此，在基板W被加热到足够高的温度的状态下，开始从含臭氧气体供给构件13供给含臭氧气体。因此，能够迅速地开始从基板W的上表面去除有机膜。
<其他实施方式>
本发明并不限定于以上说明的实施方式，还能够以其他方式实施。
(1)在上述的各实施方式中，构成为从多个移动喷嘴排出处理液。然而，与上述的实施方式不同，可以构成为从水平方向上的位置被固定的固定喷嘴排出处理液，也可以构成为从单一的喷嘴排出全部的处理液。
例如，与第一实施方式不同，也可以不设置第一移动喷嘴9，而包括具有含硫酸液体供给构件从处理室12的壳体71露出的排出口的含硫酸液体喷嘴。在该情况下，能够执行与第三实施方式相同的基板处理(例如，参照图12)。
(2)在上述的实施方式中，向基板W的上表面供给含硫酸液体的连续流，通过离心力使含硫酸液体扩展，从而形成液膜100。但是，也可以通过涂布含硫酸液体，在基板W的上表面形成液膜100。详细而言，也可以一边使含硫酸液体附着在表面的条状的涂布构件与基板W的上表面接触，一边使其沿着基板W的上表面移动，从而形成液膜100。或者，也可以在向基板W的上表面供给含硫酸液体的连续流之后，利用棒状的涂布构件在基板W的整个上表面涂开而形成液膜100。
(3)作为基板处理的例子，示出了图5、图9A～图9C、图12。但是，作为基板处理的例子，不限于上述的例子。例如，也可以在向处理室12供给含臭氧气体结束后，使处理室12移动到容纳位置，从而使液膜100暴露于含臭氧气体。另外，也可以同时开始含硫酸液体的排出和含臭氧气体的供给。另外，基板加热停止工序(步骤S22)也可以在第一冲洗工序(步骤S5)的执行中停止。另外，可以适当省略药液供给工序(步骤S7)～有机溶剂供给工序(步骤S9)。
在同时开始含硫酸液体的排出和含臭氧气体的供给的情况下，也可以基于温度传感器62的检测温度，开始含硫酸液体的排出和含臭氧气体的供给这两者。详细而言，第一开始单元91在温度判定单元90判定为温度传感器62的检测温度处于处理温度范围内的温度的情况下，也可以开始含臭氧气体的供给和含硫酸液体的排出这两者。
(4)基板W的加热不限于由基板加热构件14进行的加热。具体而言，基板加热构件可以包括与基板W的上表面对置的红外线灯，也可以包括与基板W的上表面对置的加热器。或者，基板加热构件也可以包括向基板W的下表面供给氮气或温水等加热流体的加热流体喷嘴。基板加热构件也可以构成为通过使加热流体在板主体60内流通来加热板主体60。在使用加热流体的情况下，基板W的温度的调整通过控制加热流体的流量的阀的开度的调整来进行。
(5)在基板处理装置1中，也可以设置冷却基板W的冷却板(未图示)。基板W也可以在基板加热停止工序(步骤S22)之后，通过冷却板冷却至常温。
(6)在上述的各实施方式中，旋转卡盘8是由多个把持销20把持基板W的周缘的把持式的旋转卡盘，但旋转卡盘8不限于把持式的旋转卡盘。例如，旋转卡盘8也可以是使基板W吸附于旋转基座21的真空吸附式的旋转卡盘。
(7)处理室12的构成不限于图2所示的构成。例如，也可以在腔室7内设置能够开闭的处理室。
另外，也可以构成为旋转基座21升降。因此，基板容纳工序可以是在腔室7内使基板W上升(移动)而将基板W容纳于处理室12的工序，基板脱离工序可以是在腔室7内使基板W下降(移动)而使基板W从处理室12脱离的工序。总之，基板容纳工序只要是在腔室7内使处理室12相对于基板W相对移动而将基板W容纳于处理室12的工序即可。同样地，基板脱离工序只要是在腔室7内使处理室12相对于基板W相对移动而使基板W脱离至处理室12的工序即可。
(8)基板W的上表面的亲水化也可以通过基于含臭氧气体的氧化以外的方法来进行。例如，也可以通过对基板W的上表面照射紫外线来使基板W的上表面亲水化。
(9)在上述的各实施方式中，控制器3控制基板处理装置1的整体。但是，对基板处理装置1的各构件进行控制的控制器也可以分散于多处。另外，控制器3不需要直接控制各构件，从控制器3输出的信号也可以由控制基板处理装置1的各构件的从控制器接收。
(10)另外，在上述的实施方式中，基板处理装置1、1A、1B具备搬运机器人(第一搬运机器人IR和第二搬运机器人CR)、多个处理单元2以及控制器3。但是，基板处理装置1、1A、1B由单一的处理单元2和控制器3构成，也可以不包括搬运机器人。或者，基板处理装置1、1A、1B也可以仅由单一的处理单元2构成。换言之，处理单元2也可以是基板处理装置的一例。
(11)在上述的实施方式中，使用了“沿着”、“水平”、“铅垂”、“圆筒”这样的表达。但是，这些各表达不需要严格地讲是“沿着”、“水平”、“铅垂”、“圆筒”。即，这些各表达允许制造精度、设置精度等的偏差。
(12)另外，有时以框图示意性地表示各构成，但框图的形状、大小和位置关系并不表示各构成的形状、大小和位置关系。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是为了明确本发明的技术内容而使用的具体例，本发明并不限定于这些具体例进行解释，本发明的范围仅由所附权利要求的范围限定。

Claims (16)

1.一种基板处理方法，其包括：
液膜形成工序，在基板的主面上形成含硫酸液体的液膜；
含臭氧气体暴露工序，使能够容纳所述基板的处理室内充满含臭氧气体而使所述液膜暴露于含臭氧气体；以及
基板加热工序，在充满了含臭氧气体的所述处理室内配置有所述基板、并且在所述基板的主面形成有所述液膜的状态下，对所述基板进行加热。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述基板加热工序中的所述基板的加热在所述液膜形成工序和所述含臭氧气体暴露工序之前开始。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述含臭氧气体暴露工序包括：以使所述处理室内的压力高于所述处理室外的压力的方式，向所述处理室供给所述含臭氧气体的加压供给工序。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其还包括：在所述基板加热工序之后，向所述基板的主面供给冲洗液的冲洗液供给工序。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述液膜形成工序包括：
含硫酸液体供给工序，向所述基板的主面供给含硫酸液体；以及
薄膜化工序，在停止向所述基板的主面供给含硫酸液体后，使所述基板绕通过所述基板的中央部的中心轴线旋转而使所述基板的主面上的含硫酸液体变薄，从而形成所述液膜。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述含臭氧气体暴露工序包括：在主面上形成有所述液膜的所述基板配置于所述处理室的状态下，开始向所述处理室供给含臭氧气体，从而使所述处理室内充满含臭氧气体的工序。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其还包括：在所述液膜形成工序中的所述液膜的形成开始之前，使所述基板的主面亲水化的亲水化工序。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述亲水化工序包括：在开始所述液膜形成工序中的所述液膜的形成之前，在所述基板配置于所述处理室内的状态下向所述处理室供给含臭氧气体，从而使所述基板的主面暴露于含臭氧气体的臭氧亲水化工序。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其还包括：使所述基板保持于配置在腔室内的基板保持构件的基板保持工序，
所述含臭氧气体暴露工序包括：基板容纳工序，使所述处理室相对于在所述腔室内保持于所述基板保持构件的所述基板相对移动而将保持于所述基板保持构件的所述基板容纳于所述处理室内；含臭氧气体供给工序，在所述基板容纳于所述处理室的状态下向所述处理室供给含臭氧气体；以及基板脱离工序，在所述含臭氧气体供给工序之后，使所述处理室相对于在所述腔室内保持于所述基板保持构件的所述基板相对移动而使保持于所述基板保持构件的所述基板从所述处理室脱离。
10.一种基板处理装置，其包括：
基板保持构件，将基板保持为预定的处理姿势；
处理室，能够容纳保持于所述基板保持构件的基板；
基板加热构件，对保持于所述基板保持构件的基板进行加热；
含臭氧气体供给构件，向所述处理室内供给含臭氧气体；
含硫酸液体排出构件，朝向保持于所述基板保持构件的基板的主面排出含硫酸液体；以及
控制器，对所述基板加热构件、所述含臭氧气体供给构件和所述含硫酸液体排出构件进行控制，
所述控制器被编程为：在保持于所述基板保持构件的基板被配置在所述处理室内、并且所述基板被所述基板加热构件加热的状态下，从所述含硫酸液体排出构件向所述基板的主面排出含硫酸液体，在所述基板的主面上形成含硫酸液体的液膜，并且从所述含臭氧气体供给构件向所述处理室供给含臭氧气体。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其还包括检测所述基板加热构件的温度的温度传感器，
所述控制器被编程为执行温度判定单元和第一开始单元的功能，所述温度判定单元判定所述温度传感器的检测温度是否处于处理温度范围内的温度，所述第一开始单元在所述温度判定单元判定为所述温度传感器的检测温度处于所述处理温度范围内的温度的情况下，使从所述含硫酸液体排出构件的含硫酸液体的排出以及从所述含臭氧气体供给构件的含臭氧气体的供给中的至少一方开始。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述第一开始单元在所述温度判定单元判定为所述温度传感器的检测温度处于所述处理温度范围内的温度的情况下，使从所述含硫酸液体排出构件的含硫酸液体的排出开始，
所述控制器被编程为还执行时间经过判定单元和第二开始单元的功能，所述时间经过判定单元在开始从所述含硫酸液体排出构件排出含硫酸液体之后，判定是否经过了液膜形成时间，所述第二开始单元在所述时间经过判定单元判定为经过了所述液膜形成时间的情况下，使从所述含臭氧气体供给构件的含臭氧气体的供给开始。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其还包括：
腔室，容纳所述基板保持构件和所述处理室；以及
处理室驱动机构，以使保持于所述基板保持构件的基板在所述处理室内与所述处理室外之间相对移动的方式，使所述处理室相对于所述基板保持构件相对移动。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述含硫酸液体排出构件包括排出含硫酸液体的含硫酸液体喷嘴，
所述基板处理装置还包括喷嘴驱动机构，该喷嘴驱动机构在保持于所述基板保持构件的基板位于所述处理室外的状态下，使所述含硫酸液体喷嘴移动至所述处理室与所述基板的主面之间的处理位置。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述处理室具有划分所述处理室的内部空间的壳体，
所述含臭氧气体供给构件具有从所述壳体露出并与所述内部空间连接的多个含臭氧气体排出口。
16.根据权利要求10～15中任一项所述的基板处理装置，其还包括：
含硫酸液体回收单元，对从保持于所述基板保持构件的基板的主面排出的含硫酸液体进行回收；以及
含硫酸液体供给单元，将由所述含硫酸液体回收单元回收的含硫酸液体供给至所述含硫酸液体排出构件。
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