CN115720646A - 光刻胶的干式显影工艺 - Google Patents

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Abstract

本文公开的多个实施方式包括用非湿式工艺显影金属侧氧基光刻胶的方法。在一个实施方式中，该方法包括将具有金属侧氧基光刻胶的基板提供到腔室中。在一个实施方式中，金属侧氧基光刻胶包括暴露区域和未暴露区域，并且未暴露区域包括比暴露区域更高的碳浓度。在一个实施方式中，该方法进一步包括使气体流入腔室，其中气体与未曝光区域反应以产生挥发性副产物。

Description

光刻胶的干式显影工艺
相关申请的交叉引用
本申请主张于2021年6月16日提交的美国非临时申请第17/349,534号的优先权，其宣称2020年7月1日提交的美国临时申请第63/047,160号的权益，其全部内容以引用方式并入本文。
技术领域
本公开内容的多个实施方式关于半导体处理的领域，且特定而言关于使用非湿式工艺图案化金属侧氧基光刻胶(metal oxo photoresist)的方法。
背景技术
数十年来，平板印刷术已用于半导体工业以在微电子装置中创建二维和三维图案。平板印刷处理涉及膜(光刻胶)的旋涂沉积，借由能量源照射具有选定图案的膜(暴露)，和借由溶解在溶剂中移除(蚀刻)膜的暴露(正色调)或未暴露(负色调)区域。将进行烘烤以移除残留的溶剂。
光刻胶应该是辐射敏感材料，且在照射时，在膜的暴露部分发生化学转变，此实现暴露与未暴露区域之间的溶解度变化。利用此种溶解度变化，光刻胶的暴露或未暴露区域被移除(显影)。如本文所用，“显影”是指在光刻胶中形成图案的工艺。既然光刻胶被显影，且图案即可借由蚀刻转移到下层的薄膜或基板上。在转移图案之后，移除残留的光刻胶，并且多次反复该工艺即可得到将用于微电子装置的二维和三维结构。
平板印刷处理中有数个重要的特性。这些重要特性包括敏感度、分辨率、较低的线边缘粗糙度(line-edge roughness；LER)、抗蚀刻性和形成较薄层的能力。当灵敏度较高时，改变已沉积膜的溶解度所需的能量较低。此实现了平板印刷处理的更高效率。分辨率和LER决定了平板印刷处理可获得多窄的特征结构。图案转移需要抗蚀刻性更高的材料来形成深结构。抗蚀刻性更高的材料亦实现更薄的膜。更薄的膜提高了平板印刷处理的效率。
发明内容
本文公开的多个实施方式包括利用非湿式工艺显影金属侧氧基光刻胶的方法。在一个实施方式中，该方法包括将具有金属侧氧基光刻胶的基板提供至腔室中。在一个实施方式中，金属侧氧基光刻胶包括暴露区域和未暴露区域，并且未暴露区域包括比暴露区域更高的碳浓度。在一个实施方式中，该方法进一步包括使气体流入腔室，其中气体与未暴露区域反应以产生挥发性副产物。
多个实施方式亦可包括显影金属侧氧基光刻胶的方法，该方法包括在基板表面上提供具有金属侧氧基光刻胶的基板，并且暴露金属侧氧基光刻胶以形成暴露区域和未暴露区域。在一个实施方式中，未暴露区域比暴露区域包含更高的碳浓度。在一个实施方式中，该方法可进一步包括将基板放置在等离子体腔室中，使气体流入等离子体腔室，并在等离子体腔室中轰击等离子体。在一个实施方式中，等离子体与未暴露区域反应产生挥发性副产物。在一个实施方式中，该方法可进一步包括净化等离子体腔室。
多个实施方式亦可包括显影金属侧氧基光刻胶的方法，该方法包括将具有金属侧氧基光刻胶的基板提供至等离子体腔室中，其中金属侧氧基光刻胶包括SnOC。在一个实施方式中，金属侧氧基光刻胶包括暴露区域和未暴露区域，并且未暴露区域包括比暴露区域更高的碳浓度。在一个实施方式中，该方法进一步包括使气体流入等离子体腔室，其中该气体包括Cl2和Ar，并在等离子体腔室中轰击等离子体。在一个实施方式中，等离子体与未暴露区域反应以产生挥发性副产物。该方法可进一步包括净化等离子体腔室。
附图说明
图1是根据本公开内容的一个实施方式，描述使用等离子体工艺显影金属侧氧基光刻胶的工艺的流程图。
图2A至图2D是根据本公开内容的一个实施方式，描绘了图1的流程图的操作的基板和光刻胶的横截面图。
图3是根据本公开内容的一个实施方式，可用于实施图1中的工艺的多个部分的处理工具的横截面图。
图4图示根据本公开内容的一个实施方式的示例性计算机系统的框图。
具体实施方式
本文描述了使用非湿式工艺图案化金属侧氧基光刻胶的方法。在以下描述中，阐述了许多特定细节，诸如用于显影光刻胶的反应性等离子体工艺和材料方法，以便提供对本公开内容的多个实施方式的透彻理解。对于本领域技术人员显而易见的是，可以在无这些具体细节的情况下实施本公开内容的多个实施方式。在其他情况下，没有详细描述众所熟知的方面，如集成电路制造，以免不必要地模糊本公开内容的多个实施方式。此外，应当理解，附图中所示的各种实施方式是说明性呈现，且未必按比例绘制。
提供上下文，用于远紫外(extreme ultraviolet；EUV)平板印刷术的光刻胶系统效率低。换言之，用于EUV平板印刷术的现有光刻胶材料系统需要高剂量，以便提供允许光刻胶材料显影所需的溶解度转换。归因于对EUV辐射的敏感度增加，有机-无机混合材料(例如，金属侧氧基材料系统)已被提出作为EUV平板印刷术的材料系统。此种材料系统通常包含金属(例如锡、铪、锆等)、氧和碳。在一些情况下，金属侧氧基材料系统可进一步包括氮和氢。金属侧氧基有机-无机混合材料亦显示出提供较低的LER和较高的分辨率，此特性是形成窄特征结构所必需的。
在金属侧氧基光刻胶系统中，暴露于EUV辐射会导致碳的移除和金属氧化物网络的交联。暴露区域和未暴露区域之间的碳百分比和键结强度的差异被用作显影期间的溶解度转换。特定而言，具有较高碳含量和较弱键结强度的未暴露区域优先被显影剂溶液蚀刻。
金属侧氧基光刻胶系统目前使用湿式化学显影。换言之，在暴露之后，光刻胶的未暴露区域借由与旋涂干燥工艺一起使用的有机溶剂/碱溶液显影。亦可包括后烘烤退火。然而，由于图案塌陷的风险，湿式方法在处理高深宽比特征结构时会很麻烦(尤其是线型或柱状结构中)。此外，湿式工艺可能无法移除所有应该移除的材料，并且因为机械力被用于移除溶剂和溶解的副产物，膜材料/副产物/溶剂和类似物质可能被截留(trap)在较小特征结构中。此外，对于更小和更复杂的特征结构，溶剂(通常是较大分子)更难渗透未暴露抗蚀剂的所有区域。如此导致光刻胶的部分显影并产生缺陷。旋涂干燥工艺亦可能导致线摆动甚至脱落。此限制了光刻胶的厚度和深宽比。
因此，本公开内容的多个实施方式提供了显影金属侧氧基光刻胶的等离子体蚀刻工艺。特定而言，等离子体蚀刻工艺具有以下优点：1)消除了湿副产物的产生；2)由于经由消减系统处理了干化学物质，因此降低了废物流；3)提供较少的缺陷和杂质；4)改善LER、LWR和源于表面张力、毛细管力和旋涂干燥工艺的任何低频粗糙度；5)提供用于显影光刻胶并将图案转移到底层中的多合一工艺；和6)提供金属侧氧基光刻胶的未暴露区域对暴露区域的高蚀刻选择性。
本文公开的多个实施方式提供了一种等离子体蚀刻工艺，该工艺在用合适的电磁辐射源(例如，EUV源)暴露了金属侧氧基光刻胶的多个部分之后执行。在一个实施方式中，包括暴露的金属侧氧基光刻胶的基板被放置在等离子体腔室中。包含反应性气体和惰性气体的气体流入等离子体腔室，并且轰击等离子体。反应性气体是一种成分与金属侧氧基光刻胶的金属反应以形成挥发性物种的气体。例如，反应性气体包括Cl2、H2、Br2、HBr、HCl、BCl3、CHxCly、CH4、BBr3和CHxBry中的一种或多种。在一个特定实施方式中，反应性气体包括HBr，惰性气体包括Ar。在一些实施方式中，气体流入腔室而不轰击等离子体(即热处理)。在其他多个实施方式中，可轰击等离子体。在一个实施方式中，未暴露的金属侧氧基光刻胶相对暴露的金属侧氧基光刻胶的蚀刻选择性可以是10∶1或更大。在一个特定实施方式中，蚀刻选择性是约12∶1。在一个实施方式中，显影的金属侧氧基光刻胶的图案可转移到下层中，而无需将基板从等离子体腔室移除。
现在参考图1，该图根据本公开内容的一个实施方式，提供了用于在基板表面上显影金属侧氧基光刻胶的工艺120。图2A-图2D是在工艺120中的各个操作之后的基板261和金属侧氧基光刻胶262的横截面图。
在一个实施方式中，工艺120可从操作121开始，操作121包括提供具有金属侧氧基光刻胶的基板。图2A是基板261的横截面图，金属侧氧基光刻胶262设置在基板261的表面之上。在一个实施方式中，基板261可包含半导体制造环境中典型的任何基板材料。例如，基板261可包含半导体材料。基板261可包含半导体装置或半导体装置的部分。此种半导体装置的实例包括但不限于在硅基板中制造并在介电层中封装的存储器装置或互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor；CMOS)晶体管。基板261亦可包含形成在装置或晶体管上方和周围介电层中的多个金属互连件，并且可用于电耦合组件或晶体管以形成集成电路。在一个实施方式中，基板261可以是晶圆。
在一个实施方式中，金属侧氧基光刻胶262(亦简称为“光刻胶262”)可以是任何金属侧氧基材料系统。此种材料系统通常包含金属(例如，Sn、Hf、Zr等)、氧和碳。在一个特定实施方式中，光刻胶262包括SnOC。除SnOC之外，多个实施方式可包括进一步包含氮和氢的金属侧氧基材料系统。
光刻胶262可使用任何合适的沉积工艺设置在基板261的表面之上。在一个实施方式中，使用旋涂工艺，用湿式化学方法将光刻胶设置在基板261的表面上。在一个替代实施方式中，使用气相工艺(即，干式工艺)将光刻胶设置在基板261的表面上。在气相工艺中，金属前驱物和氧化剂可被蒸发至真空腔室，其中金属前驱物和氧化剂反应以在基板261的表面上沉积金属侧氧基光刻胶262。此种干式工艺的可特征在于化学气相沉积(chemicalvapor deposition；CVD)工艺、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺(plasma enhanced CVD；PE-CVD)或等离子体增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layered position；PE-ALD)工艺。
在一个实施方式中，工艺120可继续操作122，操作122包含暴露金属侧氧基光刻胶的部分以产生暴露区域和未暴露区域。图2B是描述暴露工艺的横截面图。如图所示，电磁辐射264穿过掩模263以暴露暴露区域262E。未暴露区域262U被掩模263阻挡而不受电磁辐射影响。在一个实施方式中，电磁辐射是EUV辐射。当使用EUV辐射时，EUV辐射264可被反射离开掩模，而不是穿过掩模。尽管本文具体公开了EUV辐射，但是应当理解，可使用能够在金属侧氧基光刻胶262中引发溶解度转换的任何合适波长的电磁辐射。例如，在一些实施方式中可使用DUV辐射。
在一个实施方式中，溶解度转换由暴露区域中碳损失和金属侧氧基网络的交联来提供。特定而言，暴露于电磁辐射导致碳从暴露区域262E移除。未暴露区域262U中的较高碳含量和更多的较弱键结使得未暴露区域在随后的非湿式显影工艺中更容易形成图案。
在一个实施方式中，工艺120可继续进行操作123，操作123包括将基板放入等离子体腔室中。在一个实施方式中，等离子体腔室可以是用于在亚大气压强的条件下轰击等离子体的任何合适腔室。等离子体腔室亦可包括加热/冷却特征结构，以提供等离子体工艺的热控制。例如，上面放置基板261的卡盘可以是主动加热和/或冷却的卡盘。另外，在一些实施方式中，等离子体腔室的壁可被主动加热和/或冷却。下文参照图7对合适的等离子体腔室进行更详细的描述。
在一个实施方式中，工艺120可继续进行操作124和125，这些操作包括使气体流入等离子体腔室并在等离子体腔室中轰击等离子体。在一个实施方式中，气体包括反应性气体和惰性气体。反应性气体可包括Cl2、Br2、HBr、HCl、H2、BCl3、CHxCly、CH4、BBr3，和CHxBry中的一种或多种。在一个实施方式中，惰性气体可包括Ar、N2或He。在一个特定实施方式中，反应性气体包括HBr，且惰性气体包括Ar。在一个实施方式中，由反应性气体形成的等离子体与金属侧氧基光刻胶的未暴露区域262U反应，以形成挥发性副产物。例如，金属M(例如锡)和Cl将反应形成挥发性MCl4。图2C示出了在未暴露区域262U转化成挥发性副产物之后显影的光刻胶的实例。应当理解，轰击等离子体是可选的。换言之，在一些实施方式中，非湿式工艺可包括在不轰击等离子体的情况下将反应性气体流入腔室。与等离子体工艺相反，这种工艺可被认为是热工艺。在此种情况下，反应性气体可直接与金属侧氧基光刻胶的未暴露区域262U反应，而不需要电离反应性气体。
在一个实施方式中，惰性气体的流动速率与反应性气体的流动速率的比率在0:1与50:1之间。例如，惰性气体的流动速率可以是300sccm，而反应性气体的流动速率可以是50sccm。稀释的化学物质减缓了蚀刻速率并提高了蚀刻均匀性。均匀性得到改善，因为惰性气体有助于将反应性气体均匀地分布在整个等离子体腔室中。此外，通常已经显示，相对于暴露区域262E，反应性气体流动速率的增加提供了未暴露区域262U的蚀刻的增加。在一个实施方式中，压强可在约1毫托与约100毫托之间。在一个特定实施方式中，压强可在约5毫托与约20毫托之间。在又一个实施方式中，压强可在约1毫托与约10托之间。
在一个实施方式中，基板261在操作124与125期间可具有受控的温度。例如，温度可在约0℃与约500℃之间变化。在一个特定实施方式中，温度可在约50℃与约150℃之间变化。通常，较低的温度(例如，小于500℃)是有益的，因为金属侧氧基光刻胶在较低的温度下不会热分解。在又一个实施方式中，温度可小于约200℃。例如，温度可在约40℃与约100℃之间。
在一个实施方式中，可控制等离子体蚀刻工艺的射频功率。通常，较低的射频功率可提高蚀刻选择性。在一个实施方式中，源功率可在约200W与约1200W之间。在一个特定实施方式中，源功率可以是约400W。在一个实施方式中，偏压功率可在约0W与约200W之间。在一个特定实施方式中，偏压功率可以是约50W。已经表明，偏压功率增加到约100瓦提供了未暴露区域262U相对于暴露区域262E的增强的蚀刻选择性
在一个实施方式中，操作125可用脉冲偏压来实现。脉冲的工作周期可在0％与100％之间。在一个特定实施方式中，工作周期是约50％。此种工作周期留有时间移除副产物，并提供较少的离子轰击。因此，未暴露区域262U相对于暴露区域262E的蚀刻选择性得到改善。
在一个实施方式中，操作125可在任何期望的持续时间内实现。较长的时间段允许更多的未暴露区域262U被移除。在一个实施方式中，操作125可具有在约5秒与约120秒之间的持续时间。在一个特定实施方式中，操作125可具有约15秒的持续时间。
借由改变等离子体显影工艺的各种参数，例如上述那些参数，提供了金属侧氧基光刻胶的未暴露区域262U相对金属侧氧基光刻胶的暴露区域262E的高蚀刻选择性。例如，蚀刻选择性可以是约10:1或更大。在一个特定实施方式中，蚀刻选择性可以是约12:1。高蚀刻选择性提供了若干益处。一种益处是光刻胶的厚度可减小。此允许使用较小剂量的电磁辐射即可完全显影光刻胶。
在一个实施方式中，工艺120可继续进行操作126，该操作包括净化等离子体腔室。净化等离子体腔室将来自操作125中反应的副产物从等离子体腔室中移除。在一个实施方式中，在操作125中完成蚀刻之后，可实施单次清洗。在多个替代实施方式中，操作124/125和126可定义包括蚀刻脉冲和随后清洗的循环。在多个这种实施方式中，为了清除光刻胶的未暴露区域262U，可重复多次循环。
本文公开的多个实施方式提供了在等离子体腔室中实现的额外益处。当使用等离子体蚀刻执行基板261的后续图案化时，这是尤其有益的。特定而言，在光刻胶显影工艺之后，不需要从等离子体腔室移除基板261。亦即，提供了用于图案显影和图案转移到下层的多合一(即多合一腔室)解决方案。
在一个实施方式中，工艺120可继续可选操作127，此操作包括蚀刻基板261。图2D是金属侧氧基光刻胶的暴露区域262E的图案转移到基板261中之后的基板261的横截面图。如图所示，图案转移可导致在基板261中形成沟槽265。在一个实施方式中，基板261的蚀刻可使用等离子体蚀刻工艺来实现。等离子体蚀刻工艺可在用于显影金属侧氧基光刻胶的同一个腔室中进行。
图3是根据本公开内容的多个实施方式的等离子体腔室的示意图，该等离子体腔室被构造成执行金属侧氧基光刻胶的基于等离子体的显影。等离子体腔室300包括接地腔室305。基板310被装载通过开口315，并被夹紧到温度受控的卡盘320。
处理气体从气体源344供应，经由各自的质量流量控制器349流向腔室305内部。在某些实施方式中，气体分配板335提供处理气体344的分配，该气体诸如Cl2、Br2、H2、HCl、HBr和/或惰性气体。腔室305借由排气泵355排空。
当在基板310的处理期间中施加射频功率时，等离子体在基板310之上的腔室处理区域中形成。偏压功率射频产生器325耦合到温度受控的卡盘320。若需要，偏压功率射频产生器325提供偏压功率来激发等离子体。偏压功率射频产生器325可具有例如在约2兆赫至60兆赫之间的低频，且在一个特定实施方式中，处于13.56兆赫频带中。在某些实施方式中，等离子体腔室300包括频率在约2兆赫频带的第三偏压功率射频产生器326，第三偏压功率射频产生器326连接到与偏压功率射频产生器325相同的射频匹配器327。源功率射频产生器330经由匹配(未示出)耦合到等离子体产生元件(例如，气体分配板335)，以提供源功率来激发等离子体。源射频产生器330可具有例如在100与180兆赫之间的频率，并且在一个特定实施方式中，处于162兆赫频带中。因为基板直径随着时间的推移而变化，从150毫米、200毫米、300毫米等变化，因此，在本领域中，将等离子体蚀刻系统的电源和偏压功率正规化到基板区域是常见的。
等离子体腔室300由控制器370控制。控制器370可包括中央处理单元372、存储器373和输入/输出接口374。中央处理单元372可根据储存在存储器373中的指令在等离子体腔室300内执行处理操作。例如，控制器370可在等离子体腔室中执行一个或多个工艺，例如上述工艺120的部分。
图4图示了机器在计算机系统400的示例性形式中的图形表示，该计算机系统中可执行一组指令，用于使该机器执行本文描述的任何一种或多种方法。在多个替代实施方式中，该机器可连接(例如，联网)到局域网络(LAN)、内部网络、外部网络或因特网中的其他机器。该机器可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份作业，或者作为同级间(或分布式)网络环境中的同级机器作业。该机器可以是个人计算机(PC)、平板计算机、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂巢式电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或网桥，或者能够执行指定该机器要采取的动作的一组指令(顺序的或其他方式)的任何机器。此外，尽管仅示出了单个机器，但是术语“机器”亦应当被理解为包括单独或联合执行一组(或多组)指令以执行本文描述的任何一种或多种方法的机器(例如，计算机)的任何集合。
示例性计算机系统400包括处理器402、主存储器404(例如，只读存储器(read-only memory；ROM)、闪存、动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)，如同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM；SDRAM)或Rambus动态随机存取存储器(Rambus DRAM；RDRAM)等)，静态存储器406(例如，闪存、静态随机存取存储器(staticrandom access memory；SRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等)和次级存储器418(例如，数据储存装置)，上述各者借由总线430彼此通信。
处理器402代表一个或多个通用处理装置，如微处理器、中央处理单元或类似装置。更特定而言，处理器402可以是复杂指令集计算(complex instruction setcomputing；CISC)微处理器、精简指令集计算(reduced instruction set computing；RISC)微处理器、超长指令字(very long instruction word；VLIW)微处理器、实现其他指令集的处理器或实现指令集组合的处理器。处理器402亦可以是一个或多个专用处理装置，如特殊应用集成电路(application specific integrated circuit；ASIC)、现场可编程门阵列(field programmable gate array；FPGA)、数字信号处理器(digital signalprocessor；DSP)、网络处理器或类似装置。处理器402被构造为执行处理逻辑426，用于执行本文描述的操作。
计算机系统400进一步可包括网络接口装置408。计算机系统400亦可包括视频显示单元410(例如，液晶显示器(LCD)、发光二极管显示器(LED)或阴极射线管(CRT))、字母数字输入装置412(例如，键盘)、光标控制装置414(例如，鼠标)和信号产生装置416(例如，扬声器)。
次级存储器418可包括机器可存取的储存介质(或更具体地，计算机可读储存介质)432，储存介质上储存了实施本文描述的任何一种或多种方法或功能的一组或多组指令(例如，软件422)。软件422亦可在计算机系统400执行期间完全或至少部分地位于主存储器404之内和/或处理器402之内，主存储器404和处理器402亦构成机器可读储存介质。软件422可进一步经由网络接口装置408在网络420上发送或接收。
尽管机器可存取储存介质432在示例性实施方式中被示为单个介质，但是术语“机器可读储存介质”应当被理解为包括储存一组或多组指令的单个介质或多个介质(例如，集中式或分布式数据库，和/或相关联的高速缓存和服务器)。术语“机器可读储存介质”亦应被理解为包括能够储存或编码一组由机器执行的指令并使机器执行本公开内容的任何一种或多种方法的任何介质。因此，术语“机器可读储存介质”应被理解为包括但不限于固态存储器和光学和磁性介质。
根据本公开内容的实施方式，机器可存取的储存介质具有储存在上面的指令，这些指令使得数据处理系统执行利用等离子体工艺在基板上显影金属侧氧基光刻胶的方法。该方法包括暴露金属侧氧基光刻胶以提供暴露和未暴露区域，并将具有暴露光刻胶的基板放置到等离子体腔室中。在一个实施方式中，气体流入等离子体腔室并轰击等离子体。气体可包括反应性气体和惰性气体。在一个实施方式中，等离子体与光刻胶的未暴露区域反应，以将光刻胶的未暴露区域转化为可从等离子体腔室中清除的挥发性副产物。例如，反应性气体可包括Cl2、Br2、HBr、HCl和H2中的一种或多种。
因此，已经公开使用等离子体工艺形成显影金属侧氧基光刻胶的方法。

Claims (20)

1.一种显影金属侧氧基光刻胶的方法，包括以下步骤：
将具有所述金属侧氧基光刻胶的基板提供到腔室中，其中所述金属侧氧基光刻胶包括暴露区域和未暴露区域，并且其中所述未暴露区域包括比所述暴露区域更高的碳浓度；
使气体流入所述腔室，其中所述气体与所述未暴露区域反应以产生挥发性副产物。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
在所述腔室内轰击等离子体。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述气体包括反应性气体，所述反应性气体包括Cl2、Br2、H2、HBr、HCl、BCl3、CHxCly、CH4、BBr3和CHxBry中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述气体进一步包括惰性气体。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述惰性气体的流动速率与所述反应性气体的流动速率的比率在0:1与50:1之间。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述气体与所述未暴露区域的反应是借由无等离子体的热处理来实现的。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的基板温度是200℃或更低。
8.如权利要求1所述的方法，其中源功率是1200W或更低，并且其中偏压功率是200W或更低。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述偏压功率被脉冲化，其中所述脉冲化具有在0％与100％之间的工作周期。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述金属侧氧基光刻胶包括SnOC。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述暴露区域包括交联的金属氧化物网络，并且其中所述未暴露区域包括金属氧化物簇。
12.一种显影金属侧氧基光刻胶的方法，包括以下步骤：
提供基板，所述基板具有在所述基板的表面上的所述金属侧氧基光刻胶；
暴露所述金属侧氧基光刻胶以形成暴露区域和未暴露区域，其中所述未暴露区域包含比所述暴露区域更高的碳浓度；
将所述基板放置在等离子体腔室中；
使气体流入所述等离子体腔室；
在所述等离子体腔室中轰击等离子体，其中所述等离子体与所述未暴露区域反应以产生挥发性副产物；和
净化所述等离子体腔室。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述气体包括反应性气体和惰性气体，其中所述反应性气体包括Cl2、Br2、H2、HBr、HCl、BCl3、CHxCly、CH4、BBr3和CHxBry中的一种或多种。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体的流动速率与所述反应性气体的流动速率的比率在0:1与50:1之间。
15.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：
在从所述等离子体腔室移除所述基板之前蚀刻所述基板。
16.如权利要求12所述的方法，其中所述金属侧氧基光刻胶包括SnOC。
17.如权利要求12所述的方法，其中暴露所述金属侧氧基光刻胶的步骤包括以下步骤：将所述金属侧氧基光刻胶暴露于远紫外(EUV)辐射。
18.一种显影金属侧氧基光刻胶的方法，包括以下步骤：
将具有所述金属侧氧基光刻胶的基板提供到等离子体腔室中，其中所述金属侧氧基光刻胶包括SnOC，其中所述金属侧氧基光刻胶包括暴露区域和未暴露区域，并且其中所述未暴露区域包括比所述暴露区域更高的碳浓度；
使气体流入所述等离子体腔室，其中所述气体包括Cl2和Ar；
在所述等离子体腔室中轰击等离子体，其中所述等离子体与所述未暴露区域反应以产生挥发性副产物；和
净化所述等离子体腔室。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述未暴露区域与所述暴露区域之间的蚀刻选择性是10:1或更大。
20.如权利要求18所述的方法，其中所述Ar的流动速率与所述Cl2的流动速率的比率在0:1与50:1之间。
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