CN115708042A - 储存装置、存储器装置及其操作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及储存装置、存储器装置及其操作方法。储存装置及操作储存装置的方法，其包括被配置为存储峰值功率信息的多个存储器装置，峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。储存装置还包括存储器控制器，其被配置为向多个存储器装置中的每一个指配ID并控制存储器装置以使得具有与多个峰值功率时段当中的目标时段相对应的相同ID的一个或更多个存储器装置以峰值功率执行存储器操作。

Description

储存装置、存储器装置及其操作方法
技术领域
本公开的各个实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及储存装置及该储存装置的功率管理方法。
背景技术
储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。这样的存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
易失性存储器装置是仅在供电时存储数据并且在供电中断时所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置使用例如静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。
非易失性存储器装置是即使在供电中断时也保存所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置使用例如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)和闪存。
发明内容
本公开的各种实施方式涉及具有高效功率管理性能的储存装置以及操作该储存装置的方法。
本公开的实施方式可以提供一种储存装置。该储存装置可以包括多个存储器装置，其被配置为存储峰值功率信息，峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。储存装置可以还包括存储器控制器，其被配置为向多个存储器装置中的每一个指配ID并控制存储器装置以使得具有与多个峰值功率时段当中的目标时段相对应的相同ID的一个或更多个存储器装置以峰值功率执行存储器操作。
本公开的实施方式可以提供一种存储器装置，其包括多个存储器单元以及外围电路，外围电路被配置为对多个存储器单元执行存储器操作。存储器装置还包括功率管理信息储存器，其被配置为存储峰值功率信息，峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。存储器装置还包括操作处理器，其被配置为控制外围电路以使得在多个峰值功率时段当中的与指配给存储器装置的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
本公开的实施方式可以提供一种操作存储器装置的方法。该方法可以包括从存储器控制器接收用于设置峰值功率信息的峰值功率设置命令，其中峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。该方法还可以包括存储峰值功率信息；响应于从存储器控制器接收到的ID指配命令而存储ID信息；以及从存储器控制器接收存储器操作命令。该方法还可以包括响应于存储器操作命令而在多个峰值功率时段当中的与由ID信息指示的所指配的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
附图说明
图1是例示根据本公开的实施方式的储存装置的图。
图2是例示图1的存储器装置的结构的图。
图3是例示存储器控制器与多个存储器装置之间的连接关系的图。
图4A是例示当在此期间多个存储器装置以峰值功率操作的时段彼此交叠时总功耗超过功率预算的情况的图。
图4B是例示根据本公开的实施方式的多个存储器装置以峰值功率操作的情况的图。
图4C是例示根据本公开的实施方式的多个存储器装置以峰值功率操作的情况的图。
图4D是例示根据本公开的实施方式的当将相同ID指配给至少两个存储器装置时多个存储器装置以峰值功率操作的情况的图。
图5A是例示根据本公开的实施方式的峰值功率信息和ID信息的图。
图5B是例示根据本公开的实施方式的峰值功率信息和ID信息的图。
图5C是例示根据本公开的实施方式的峰值功率信息和ID信息的图。
图6是例示根据本公开的实施方式的每个时段中每个ID的功耗的图。
图7是例示根据本公开的实施方式的存储器控制器的操作的流程图。
图8是例示根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的流程图。
图9是例示根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的流程图。
图10是例示图1的存储器控制器的实施方式的图。
图11是例示应用根据本公开的实施方式的储存装置的存储卡系统的框图。
图12是例示应用根据本公开的实施方式的储存装置的固态驱动器(SSD)系统的框图。
图13是例示应用根据本公开的实施方式的储存装置的用户系统的框图。
具体实施方式
在本说明书或申请中介绍的本公开的实施方式中的具体结构性描述或功能性描述是为了描述根据本公开的构思的实施方式而例示的。根据本公开的构思的实施方式可以以各种形式实施，并且不应被解释为限于本说明书或申请中描述的实施方式。
在下文中，将参照附图基于本公开的实施方式详细描述本公开。下面，将参照附图详细描述本公开的实施方式。
图1是例示根据本公开的实施方式的储存装置的图。
参照图1，储存装置50可以包括存储器装置100和控制存储器装置100的操作的存储器控制器200。储存装置50可以是在诸如移动电话，智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、电视(TV)、平板个人计算机(PC)或车载信息娱乐系统之类的主机的控制下存储数据的装置。
储存装置50可以依据作为用于与主机通信的方案的主机接口而被制造为各种类型的储存装置中的任何一种。例如，储存装置50可以实现为例如固态驱动器(SSD)；诸如MMC、嵌入式MMC(eMMC)、缩减尺寸的MMC(RS-MMC)或微型MMC之类的多媒体卡；诸如SD、迷你SD或微型SD之类的安全数字卡；通用串行总线(USB)储存装置；通用闪存(UFS)装置；个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡型储存装置；外围组件互连(PCI)卡型储存装置；PCI快速(PCI-E)卡型储存装置；紧凑型闪存(CF)卡；智能媒体卡和记忆棒的各种类型的储存装置中的任何一种。
储存装置50可以被制造成各种类型的封装形式中的任何一种。例如，储存装置50可以被制造为诸如层叠式封装(POP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)和晶圆级层叠封装(WSP)之类的各种类型的封装形式中的任何一种。
每个存储器装置100可以存储数据。存储器装置100响应于存储器控制器200的控制而操作。存储器装置100可以包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括存储数据的多个存储器单元。存储器单元阵列可以包括多个存储块。每个存储块可以包括多个存储器单元。一个存储块可以包括多个页。在实施方式中，每个页可以是在存储器装置100中存储数据或读取存储器装置100中所存储的数据的单位。存储块可以是擦除数据的单位。在实施方式中，存储器装置100可以采用许多另选形式并且可以包括例如双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)、低功率双倍数据速率4(LPDDR4)SDRAM、图形双倍数据速率(GDDR)SDRAM、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(RDRAM)、NAND闪存、垂直NAND闪存、NOR闪存装置、电阻式RAM(RRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、铁电式RAM(FRAM)或自旋转移力矩RAM(STT-RAM)。在本说明书中，为了便于描述，将在存储器装置100使用NAND闪存的假设下进行描述。
存储器装置100可以从存储器控制器200接收命令和地址，并且可以访问存储器单元阵列中的由地址所选择的区域。也就是说，存储器装置100可以对由地址选择的区域执行由命令指示的操作。例如，存储器装置100可以执行写入操作(即，编程操作)、读取操作和擦除操作。在编程操作期间，存储器装置100可以将数据编程到由地址所选择的区域。在读取操作期间，存储器装置100可以从由地址选择的区域中读取数据。在擦除操作期间，存储器装置100可以擦除由地址选择的区域中存储的数据。
存储器控制器200控制储存装置50的整体操作。
当向储存装置50供电时，存储器控制器200可以运行固件(FW)。当存储器装置100是闪存装置时，存储器控制器200可以运行诸如闪存转换层(FTL)之类的固件以用于控制主机和存储器装置100之间通信。
在实施方式中，存储器控制器200可以从主机接收数据和逻辑块地址(LBA)，并且可以将逻辑块地址(LBA)转换成指示存储器装置100中所包括的并且要在其中存储数据的存储器单元的地址的物理块地址(PBA)。
存储器控制器200可以控制存储器装置100，使得响应于从主机接收到的请求而执行编程操作、读取操作或擦除操作。在编程操作期间，存储器控制器200可以向存储器装置100提供编程命令、物理块地址(PBA)和数据。在读取操作期间，存储器控制器200可以向存储器装置100提供读取命令和物理块地址(PBA)。在擦除操作期间，存储器控制器200可以向存储器装置100提供擦除命令和物理块地址(PBA)。
在实施方式中，存储器控制器200可以与来自主机的请求无关地内部生成编程命令、地址和数据，并且可以将它们发送给存储器装置100。例如，存储器控制器200可以向存储器装置100提供命令、地址和数据，从而执行诸如用于损耗均衡的编程操作和用于垃圾收集的编程操作之类的后台操作。
在实施方式中，存储器控制器200可以控制至少两个存储器装置100。在这种情况下，存储器控制器200可以依据交错方案控制存储器装置100以提高操作性能。
主机可以使用诸如通用串行总线(USB)、串行AT附件(SATA)、串行附接SCSI(SAS)、高速芯片间(HSIC)、小型计算机系统接口(SCSI)、外围组件互连(PCI)、PCI快速(PCIe)、快速非易失性存储器(NVMe)、通用闪存(UFS)、安全数字(SD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、双列直插式存储器模块(DIMM)、带寄存器的DIMM(RDIMM)和轻载DIMM(LRDIMM)通信方法之类的各种通信方法中的至少一种与储存装置50通信。
在本公开的实施方式中，存储器控制器200可以包括操作控制器210和功率控制器220。
操作控制器210可以向操作处理器131提供用于指示存储器操作的存储器操作命令OP CMD。存储器操作命令OP CMD可以包括读取命令、写入命令和擦除命令中的任何一种。
功率控制器220可以向功率管理信息储存器132提供用于设置多个峰值功率时段和分别与多个峰值功率时段相对应的标识(ID)的峰值功率设置命令(功率设置CMD)。功率控制器220可以向功率管理信息储存器132提供峰值功率操作命令(峰值功率OP模式CMD)。峰值功率操作命令(峰值功率OP模式CMD)可以是用于确定每个存储器装置100是否要基于峰值功率信息和所指配的ID信息在峰值功率时段期间操作的命令。功率控制器220可以向功率管理信息储存器132提供用于指配每个存储器装置100的ID的ID指配命令。
每个存储器装置100可以包括操作处理器131和功率管理信息储存器132。功率管理信息储存器132可以包括ID信息储存器132a和峰值时段信息储存器132b。
操作处理器131可以响应于存储器操作命令OP CMD而控制对应的存储器装置100以执行存储器操作。当接收到存储器操作命令OP CMD时，操作处理器131可以从功率管理信息储存器132请求峰值功率信息。操作处理器131可以基于从功率管理信息储存器132接收的峰值功率信息，控制对应的存储器装置100以在与所指配的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
功率管理信息储存器132可以响应于峰值功率设置命令(功率设置CMD)而将峰值功率信息存储在峰值时段信息储存器132b中。功率管理信息储存器132可以将响应于ID指配命令而指配的ID信息存储在ID信息储存器132a中。功率管理信息储存器132可以响应于从操作处理器131接收到的峰值功率信息请求而将峰值功率信息提供给操作处理器131。
图2是例示图1的存储器装置的结构的图。
参照图2，存储器装置100可以包括存储器单元阵列110、外围电路120和控制逻辑130。
存储器单元阵列110可以包括可以多个存储块BLK1至BLKz。多个存储块BLK1至BLKz可以通过行线RL联接至地址解码器121。存储块BLK1至BLKz可以通过位线BL1至BLm联接至读写电路123。存储块BLK1至BLKz中的每一个可以包括多个存储器单元。在实施方式中，多个存储器单元可以是非易失性存储器单元。在多个存储器单元当中联接至相同字线的存储器单元可以被定义为一个物理页。换句话说，存储器单元阵列110可以包括多个物理页。
存储器装置100的每个存储器单元可以实现为能够存储一个数据位的单级单元(SLC)、能够存储两个数据位的多级单元(MLC)、能够存储三个数据位的三级单元(TLC)、或能够存储四个数据位的四级单元(QLC)。
外围电路120可以包括地址解码器121、电压发生器122、读写电路123、数据输入/输出电路124和感测电路125。
外围电路120可以驱动存储器单元阵列110。例如，外围电路120可以驱动存储器单元阵列110从而执行编程操作、读取操作和擦除操作。
地址解码器121通过行线RL联接至存储器单元阵列110。行线RL可以包括漏极选择线、字线、源极选择线和公共源极线。根据本公开的实施方式，字线可以包括正常字线和虚设字线。根据本公开的实施方式，行线RL还可以包括管道选择线。
地址解码器121可以在控制逻辑130的控制下操作。地址解码器121从控制逻辑130接收地址ADDR。
地址解码器121可以对接收的地址ADDR当中的块地址进行解码。地址解码器121可以根据经解码的块地址选择存储块BLK1至BLKz中的至少一个。地址解码器121可以对接收到的地址ADDR当中的行地址进行解码。地址解码器121可以根据经解码的行地址通过向至少一条字线施加从电压发生器122提供的电压而选择被选存储块的至少一条字线。
在编程操作期间，地址解码器121可以向被选字线施加编程电压，并且向未选字线施加比编程电压更低的通过电压。在编程验证操作期间，地址解码器121可以向被选字线施加验证电压，并且向未选字线施加比验证电压更高的验证通过电压。
在读取操作期间，地址解码器121可以向被选字线施加读取电压，并且向未选字线施加比读取电压更高的读取通过电压。
根据本公开的实施方式，以存储块为基础执行存储器装置100的擦除操作。在擦除操作期间，输入到存储器装置100的地址ADDR可以包括块地址。地址解码器121可以对块地址进行解码并且根据经解码的块地址选择至少一个存储块。在擦除操作期间，地址解码器121可以向联接至被选存储块的字线施加接地电压。
根据本公开的实施方式，地址解码器121可以对接收的地址ADDR当中的列地址进行解码。经解码的列地址可以被传送给读写电路123。在实施方式中，地址解码器121可以包括诸如行解码器、列解码器和地址缓冲器之类的组件。
电压发生器122可以使用提供给存储器装置100的外部电源电压来生成多个电压。电压发生器122可以在控制逻辑130的控制下操作。
在实施方式中，电压发生器122可以通过调整外部电源电压来生成内部电源电压。由电压发生器122生成的内部电源电压用作存储器装置100的操作电压。
在实施方式中，电压发生器122可以使用外部电源电压或内部电源电压来生成多个电压。电压发生器122可以生成存储器装置100所需的各种电压。例如，电压发生器122可以生成多个擦除电压、多个编程电压、多个通过电压、多个选择读取电压和多个未选读取电压。
电压发生器122可以包括多个泵送电容器以用于接收内部电源电压从而生成具有各种电压电平的多个电压，并且可以通过在控制逻辑130的控制下选择性地使能多个泵送电容器来生成多个电压。
所生成的电压可以由地址解码器121提供给存储器单元阵列110。
读写电路123可以包括第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm。第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm分别通过第一位线BL1至第m位线BLm联接至存储器单元阵列110。第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm在控制逻辑130的控制下操作。
第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm执行与数据输入/输出电路124的数据通信。在编程操作期间，第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm通过数据输入/输出电路124和数据线DL接收要存储的数据DATA。
在编程操作期间，当向被选字线施加编程电压时，第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm可以通过位线BL1至BLm向被选存储器单元传送通过数据输入/输出电路124接收的要存储的数据DATA。被选页中的存储器单元基于接收到的数据DATA被编程。联接至被施加以编程许可电压(例如，接地电压)的位线的存储器单元可以具有增加的阈值电压。可以保持联接至被施加以编程禁止电压(例如，电源电压)的位线的存储器单元的阈值电压。在编程验证操作期间，第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm通过位线BL1至BLm从被选存储器单元读取被选存储器单元中存储的数据DATA。
在读取操作期间，读写电路123可以通过位线BL1至BLm从被选页中的存储器单元读取数据DATA，并且可以将读取的数据DATA存储在第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm中。
在擦除操作期间，读写电路123可以允许位线BL1至BLm浮置。在实施方式中，读写电路123可以包括列选择电路。
数据输入/输出电路124可以通过数据线DL联接至第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm。数据输入/输出电路124可以响应于控制逻辑130的控制而操作。
数据输入/输出电路124可以包括接收输入数据DATA的多个输入/输出缓冲器(未示出)。在编程操作期间，数据输入/输出电路124从外部控制器(未示出)接收要存储的数据DATA。在读取操作期间，数据输入/输出电路124向外部控制器输出从读写电路123中包括的第一页缓冲器PB1至第m页缓冲器PBm接收的数据DATA。
在读取操作或验证操作期间，感测电路125可以响应于由控制逻辑130生成的允许位信号VRYBIT而生成参考电流，并且可以通过将从读写电路123接收的电压VPB与通过参考电流生成的参考电压进行比较来向控制逻辑130输出通过或失败信号PASS/FAIL。
控制逻辑130可以联接至地址解码器121、电压发生器122、读写电路123、数据输入/输出电路124和感测电路125。控制逻辑130可以控制存储器装置100的整体操作。控制逻辑130可以响应于从外部装置发送的命令CMD而操作。
控制逻辑130可以通过响应于命令CMD和地址ADDR而生成各种类型的信号来控制外围电路120。例如，控制逻辑130可以响应于命令CMD和地址ADDR而生成操作信号OPSIG、行地址RADD、读写电路控制信号PBSIGNALS以及允许位VRYBIT。控制逻辑130可以向电压发生器122输出操作信号OPSIG，向地址解码器121输出行地址RADD，向读写电路123输出读写电路控制信号PBSIGNALS，并且向感测电路125输出允许位VRYBIT。另外，控制逻辑130可以响应于从感测电路125输出的通过或失败信号PASS/FAIL而确定验证操作是通过还是失败。
控制逻辑130可以被实现为硬件、软件、或者硬件和软件的组合。例如，控制逻辑130可以是根据算法操作的控制逻辑电路和/或执行控制逻辑代码的处理器。在实施方式中，控制逻辑130可以包括操作处理器131和功率管理信息储存器132。如本文所使用的，“储存器”可以指储存装置或电路。功率管理信息储存器132可以包括ID信息储存器132a和峰值时段信息储存器132b。
操作处理器131可以控制外围电路120以使得存储器装置100响应于从存储器控制器接收到的命令CMD而执行存储器操作。当接收到存储器操作命令CMD和地址ADDR时，操作处理器131可以从功率管理信息储存器132请求峰值功率信息。操作处理器131可以接收峰值功率信息中包括的关于与所指配的ID相对应的目标时段的信息。操作处理器131可以控制外围电路120以使得存储器装置100在目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
当从存储器控制器接收到峰值功率设置命令时，功率管理信息储存器132可以将峰值功率信息存储在峰值时段信息储存器132b中。峰值功率信息可以包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。当从存储器控制器接收到ID指配命令时，功率管理信息储存器132可以将关于所指配的ID的信息存储在ID信息储存器132a中。功率管理信息储存器132可以响应于从操作处理器131接收到的峰值功率信息请求而将峰值功率信息提供给操作处理器131。详细地，功率管理信息储存器132可以将峰值功率信息中包括的关于与所指配的ID相对应的目标时段的信息提供给操作处理器131。
图3是例示存储器控制器与多个存储器装置之间的连接关系的图。
存储器控制器可以通过一个通道联接至多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)。联接至存储器控制器的通道的数量和联接至每个通道的存储器装置的数量不限于本公开的实施方式。
存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)可以共同联接至通道。存储器装置可以通过通道与存储器控制器通信。
由于存储器装置共同联接至一个通道，因此一次只有一个存储器装置可以与存储器控制器通信。然而，在相应存储器装置中内部执行的操作可以并行地执行。
例如，存储器控制器可以通过通道向存储器装置1发送包括命令和地址的控制信号以及数据。在存储器装置1将接收到的数据编程到其内所包括的存储器单元的同时，存储器控制器可以向存储器装置2发送包括命令和地址的控制信号以及数据。
参照图1和图3，联接至一个通道的多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)中的每一个可以包括功率管理信息储存器132。
存储器控制器可以通过通道向多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)提供用于设置多个峰值功率时段和分别与峰值功率时段相对应的ID的峰值功率设置命令(功率设置CMD)。多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)中的每一个可以响应于峰值功率设置命令(功率设置CMD)而将包括关于多个峰值功率时段和分别与峰值功率时段相对应的ID的信息的峰值功率信息存储在对应的峰值时段信息储存器132b中。
存储器控制器可以通过通道向多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)中的每一个提供ID指配命令。多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)的每一个中所包括的功率管理信息储存器132可以存储关于响应于ID指配命令而指配的ID的信息。不同的ID可以分别指配给多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)。在其他实施方式中，相同的ID可以指配给多个存储器装置中的两个或更多个。
存储器控制器可以通过通道分别向多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)提供用于指示存储器操作的存储器操作命令OP CMD。操作命令可以包括读取命令、写入命令和擦除命令中的至少一种。每个存储器装置可以响应于存储器操作命令OP CMD而执行存储器操作。可以分别在多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)中并行地执行存储器操作。
存储器控制器可以向从多个存储器装置当中选择的存储器装置提供用于指示激活或停用峰值功率操作模式的峰值功率操作命令。响应于峰值功率操作命令，可以激活被选存储器装置的峰值功率操作模式。当峰值功率操作模式被激活时，被选存储器装置可以在执行存储器操作时基于峰值功率信息在目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
联接至一个通道的多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)并行地执行存储器操作，因此提高了存储器操作的效率。然而，在这种情况下，在此期间多个存储器装置(存储器装置1至存储器装置4)以峰值功率执行存储器操作的时段可以彼此交叠。
图4A是例示当在此期间多个存储器装置以峰值功率操作的时段彼此交叠时总功耗超过功率预算的情况的图。
在图4A中，峰值时段可以是在此期间对应的存储器装置以峰值功率执行存储器操作的时段。
非峰值时段可以是在此期间对应的存储器装置以低于峰值功率的功率执行存储器操作的时段。
参照图4A，由多个存储器装置中的每一个执行的存储器操作可以包括在此期间存储器装置以峰值功率操作的一个或更多个时段。
例如，在写入操作的情况下，当在位线预充电电压施加时段期间向字线施加通过电压或编程电压时，存储器装置可以以峰值功率操作。
在读取操作的情况下，当在位线预充电电压施加时段期间向字线施加通过电压或读取电压时，存储器装置可以以峰值功率操作。
在擦除操作的情况下，当向位线施加预充电电压时或当向字线施加擦除电压时，存储器装置可以以峰值功率操作。
参照图1、图3和图4A，存储器装置1至存储器装置4可以从存储器控制器的操作控制器210接收相应的存储器操作命令OP CMD，然后执行存储器操作。因为存储器装置1至存储器装置4可以并行地执行存储器操作，所以在此期间存储器装置1至存储器装置4以峰值功率操作的时段(即，峰值功率操作时段)可以彼此交叠。在此期间存储器装置1至存储器装置4以峰值功率操作的时段彼此交叠，因此储存装置的总功耗在时段texceed期间可能超过储存装置的功率预算。
图4B是例示根据本公开的实施方式的多个存储器装置以峰值功率操作的情况的图。
参照图3和图4B，多个存储器装置可以在针对相应指配的ID的相同峰值功率时段期间以峰值功率执行存储器操作。
从t2到t3的时段可以设置为时段P1。从t3到t4的时段可以设置为时段P2。从t4到t5的时段可以设置为时段P3。从t5到t6的时段可以设置为时段P4。存储器控制器可以针对时段P1设置ID1，可以针对时段P2设置ID2，可以针对时段P3设置ID3，并且针对时段P4设置ID4。ID1可以指配给存储器装置1，ID2可以指配给存储器装置2，ID3可以指配给存储器装置3，并且ID4可以指配给存储器装置4。多个存储器装置中的每一个可以基于功率管理信息储存器中存储的峰值功率信息，在与指配给其的其自身ID相对应的峰值功率时段期间以峰值功率执行存储器操作。
例如，从时间t2到t3的时段可以是存储器装置1的峰值时段。当存储器装置1的峰值时段在时间t3终止时，存储器装置2可以以峰值功率执行存储器操作。
从t3到t4的时段可以是存储器装置2的峰值时段。当存储器装置2的峰值时段在时间t4终止时，存储器装置3可以以峰值功率执行存储器操作。
从t4到t5的时段可以是存储器装置3的峰值时段。当存储器装置3的峰值时段在时间t5终止时，存储器装置4可以以峰值功率执行存储器操作。
从t5到t6的时段可以是存储器装置4的峰值时段。
根据图4B的实施方式，多个存储器装置被管理为使得其峰值时段彼此不交叠，因此防止多个存储器装置的总功耗超过功率预算。
图4C是例示根据本公开的实施方式的多个存储器装置以峰值功率操作的情况的图。
参照图3和图4C，从tc2到tc3的时段可以设置为时段P1。从tc3到tc4的时段可以设置为时段P2。从tc4到tc5的时段可以设置为时段P3。从tc5到tc6的时段可以设置为时段P4。存储器控制器可以针对时段P1设置ID1，可以针对时段P2设置ID2，针对时段P3设置ID4，并且针对时段P4设置ID3。ID1可以指配给存储器装置1，ID2可以指配给存储器装置2，ID3可以指配给存储器装置3，并且ID4可以指配给存储器装置4。多个存储器装置中的每一个可以基于功率管理信息储存器中存储的峰值功率信息，在与所指配给其的其自身ID相对应的峰值功率时段期间以峰值功率执行存储器操作。
例如，从时间tc2到tc3的时段可以是存储器装置1的峰值时段。当存储器装置1的峰值时段在时间tc3终止时，存储器装置2可以以峰值功率执行存储器操作。
从tc3到tc4的时段可以是存储器装置2的峰值时段。当存储器装置2的峰值时段在时间tc4终止时，存储器装置4可以以峰值功率执行存储器操作。
从tc4到tc5的时段可以是存储器装置4的峰值时段。当存储器装置4的峰值时段在时间tc5终止时，存储器装置3可以以峰值功率执行存储器操作。
从tc5到tc6的时段可以是存储器装置3的峰值时段。
图4D是例示根据本公开的实施方式的当将相同ID指配给存储器装置中的至少两个时多个存储器装置以峰值功率操作的情况的图。
参照图3和图4D，多个存储器装置可以在针对相应指配的ID的相同峰值功率时段期间以峰值功率执行存储器操作。
从t3'到t6'的时段可以设置为时段P1。从t6'到t8'的时段可以设置为时段P2。存储器控制器可以针对时段P1设置ID1，并且可以针对时段P2设置ID2。ID1可以指配给存储器装置1和存储器装置2，并且ID2可以指配给存储器装置3和存储器装置4。多个存储器装置中的每一个可以基于功率管理信息储存器中存储的峰值功率信息，在与指配给其的其自身ID相对应的峰值功率时段期间以峰值功率执行存储器操作。
由于ID1指配给存储器装置1和存储器装置2，因此存储器装置1和存储器装置2可以在时段P1期间以峰值功率执行存储器操作。由于ID2指配给存储器装置3和存储器装置4，所以存储器装置3和存储器装置4可以在时段P2期间以峰值功率执行存储器操作。
例如，从t3'到t5'的时段可以是存储器装置1的峰值时段。存储器装置2可以在时间t4'以峰值功率执行存储器操作。
从t4'到t6'的时段可以是存储器装置2的峰值时段。当存储器装置2的峰值时段在时间t6'终止时，存储器装置3和存储器装置4可以以峰值功率执行存储器操作。
t6'到t8'的时段可以是存储器装置3和存储器装置4的峰值时段。
多个存储器装置的数量、所指配的ID的数量和峰值功率时段的数量不限于本公开的实施方式。可以基于系统所允许的功率预算、存储器操作数量等，将多个存储器装置的数量、所指配的ID的数量和峰值功率时段的数量设置为各种值。
根据图4B、图4C和图4D的实施方式，多个存储器装置中的每一个基于峰值功率信息在与所指配的ID相对应的时段期间执行存储器操作，因此在功率预算范围内高效地执行存储器操作。
图5A是例示根据本公开的实施方式的峰值功率信息和ID信息的图。
存储器控制器可以基于关于储存装置的可允许的功率预算、通过通道联接至存储器控制器的存储器装置的数量、以及由相应存储器装置执行的存储器操作的信息，调度峰值功率时段和存储器装置在相应峰值功率时段期间的操作。存储器控制器可以基于调度的结果向联接至存储器控制器的每个存储器装置提供峰值功率设置命令和ID指配命令。
ID信息可以表示关于指配给多个存储器装置的ID的信息。ID可以分别指配给多个存储器装置。ID1可以指配给存储器装置1。ID2可以指配给存储器装置2。ID3可以指配给存储器装置3。ID4可以指配给存储器装置4。
峰值功率信息可以包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。
在本公开的实施方式中，多个操作时段可以包括峰值操作时段(即，峰值功率操作时段)P1至P8。ID1可以对应于时段P1和P5。ID2可以对应于时段P2和时段P6。ID3可以对应于时段P3和P7。ID4可以对应于时段P4和P8。
根据本公开的实施方式，指配有ID1的存储器装置1可以在时段P1和P5期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID2的存储器装置2可以在时段P2和P6期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID3的存储器装置3可以在时段P3和P7期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID4的存储器装置4可以在时段P4和P8期间以峰值功率执行存储器操作。
图5B是例示根据本公开的实施方式的峰值功率信息和ID信息的图。
在本公开的实施方式中，ID1可以指配给存储器装置1。ID2可以指配给存储器装置2。ID3可以指配给存储器装置3。ID4可以指配存储器装置4。
多个操作时段可以包括峰值操作时段P1至P8。ID1可以对应于时段P1和P8。ID2可以对应于时段P2和P7。ID3可以对应于时段P3和P6。ID4可以对应于时段P4和P5。
根据本公开的实施方式，指配有ID1的存储器装置1可以在时段P1和P8期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID2的存储器装置2可以在时段P2和P7期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID3的存储器装置3可以在时段P3和P6期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID4的存储器装置4可以在时段P4和P5期间以峰值功率执行存储器操作。
图5C是例示根据本公开的实施方式的峰值功率信息和ID信息的图。
在本公开的实施方式中，ID1可以指配给存储器装置1和存储器装置2。ID2可以指配给存储器装置3和存储器装置4。
多个操作时段可以包括峰值操作时段P1至P6。ID1可以对应于时段P1、P3和P4。ID2可以对应于时段P2、P5和P6。
根据本公开的实施方式，指配有ID1的存储器装置1和存储器装置2可以在时段P1、P3和P4期间以峰值功率执行存储器操作。指配有ID2的存储器装置3和存储器装置4可以在时段P2、P5和P6期间以峰值功率执行存储器操作。
如以上参考本公开的实施方式所描述的，相同ID可以指配给多个存储器装置中的两个或更多个。指配有相同ID的两个或更多个存储器装置可以在与所指配的ID相对应的峰值功率时段期间以峰值功率执行存储器操作。
根据本公开的峰值功率时段的数量、ID的数量和存储器装置的数量不限于本公开的实施方式。
图6是例示根据本公开的实施方式的每个时间段中针对每个ID的功耗的图。
参照图6，存储器装置可以设置为使得指配有ID1的存储器装置在时段P1期间以峰值功率操作，指配有ID2的存储器装置在时段P2期间以峰值功率操作，并且指配有ID3的存储器装置在时段P3期间以峰值功率操作。指配有相同ID的多个存储器装置所消耗的功率可以随着存储器装置的数量、由多个存储器装置分别执行的存储器操作的类型、或在此期间执行存储器操作的时间而变化。在本公开的实施方式中，时段P1的长度可以是K1，时段P2的长度可以是K2，时段P3的长度可以是K3。存储器控制器可以考虑由指配有相同ID的多个存储器装置所消耗的功率和储存装置的功率预算来将峰值功率时段的长度设置为各种值。K1至K3可以设置为不同的值。
图7是例示根据本公开的实施方式的存储器控制器的操作的流程图。
在步骤S701，存储器控制器可以分别向多个存储器装置提供用于设置峰值功率信息的峰值功率设置命令。峰值功率信息可以包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与多个峰值功率时段相对应的ID的信息。
在步骤S703，存储器控制器可以分别为多个存储器装置指配ID。相应的存储器装置可以被指配有不同的ID，并且两个或更多个存储器装置可以被指配有相同的ID。
在步骤S705，可以向从多个存储器装置当中选择的存储器装置提供用于指示激活或停用峰值功率操作模式的峰值功率操作命令。峰值功率操作命令可以是指示被选存储器装置基于相应的功率管理信息储存器中存储的信息在对应的目标时段期间执行存储器操作的命令。
在步骤S707，存储器控制器可以向多个存储器装置提供存储器操作命令。
图8是例示根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的流程图。
在步骤S801，存储器装置可以从存储器控制器接收包括峰值功率信息的峰值功率设置命令。
在步骤S803，存储器装置可以存储从存储器控制器接收的峰值功率信息，峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段和分别与峰值功率时段相对应的ID的信息。
在步骤S805，存储器装置可以响应于从存储器控制器接收到的ID指配命令而存储ID信息。
在步骤S807，存储器装置可以从存储器控制器接收存储器操作命令。
在步骤S809，存储器装置可以在多个峰值功率时段当中的与所指配的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
图9是例示根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的流程图。
在步骤S901，存储器装置可以从存储器控制器接收包括峰值功率信息的峰值功率设置命令。
在步骤S903，存储器装置可以存储从存储器控制器接收的峰值功率信息，峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段和分别与峰值功率时段相对应的ID的信息。
在步骤S905，存储器装置可以响应于从存储器控制器接收到的ID指配命令而存储ID信息。
在步骤S907，存储器装置可以从存储器控制器接收存储器操作命令。
在步骤S909，存储器装置可以确定是否已经激活峰值功率操作模式。
在步骤S911，当确定已经激活峰值功率操作模式时，存储器装置可以在多个峰值功率时段当中的与所指配的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
在步骤S913，当确定没有激活峰值功率操作模式时，存储器装置可以独立于功率管理信息储存器中存储的功率管理信息地执行存储器操作。
图10是例示图1的存储器控制器200的实施方式的图。
参照图10，存储器控制器1000联接至主机和存储器装置。响应于从主机接收到的请求，存储器控制器1000可以访问存储器装置。例如，存储器控制器1000可以被配置为控制存储器装置的写入操作、读取操作、擦除操作和后台操作。存储器控制器1000可以提供存储器装置和主机之间的接口。存储器控制器1000可以运行用于控制存储器装置的固件。
存储器控制器1000可以包括处理器1010、存储器缓冲器1020、纠错电路(ErrorCorrection Code：ECC电路)1030、主机接口1040、缓冲器控制电路1050、存储器接口1060和总线1070。
总线1070可以提供存储器控制器1000的组件之间的通道。
处理器1010可以控制存储器控制器1000的整体操作并且可以执行逻辑运算。处理器1010可以通过主机接口1040与外部主机通信，并且也可以通过存储器接口1060与存储器装置通信。此外，处理器1010可以通过缓冲器控制电路1050与存储器缓冲器1020通信。处理器1010可以使用存储器缓冲器1020作为工作存储器、缓存存储器或缓冲存储器来控制储存装置的操作。
处理器1010可以执行闪存转换层(FTL)的功能。处理器1010可以通过FTL将由主机提供的逻辑块地址(LBA)转换成物理块地址(PBA)。FTL可以接收LBA并使用映射表将LBA转换为PBA。通过FTL执行的地址映射方法的示例可以包括根据映射单元的各种方法。代表性的地址映射方法包括页映射方法、块映射方法和混合映射方法。
处理器1010可以将从主机接收的数据随机化。例如，处理器1010可以使用随机化种子将从主机接收的数据随机化。随机化的数据可以作为要存储的数据提供给存储器装置并且可以被编程在存储器单元阵列中。
处理器1010可以在读取操作期间对从存储器装置接收的数据进行去随机化。例如，处理器1010可以使用去随机化种子对从存储器装置接收的数据进行去随机化。可以向主机输出去随机化的数据。
在实施方式中，处理器1010可以运行软件或固件以执行随机化和去随机化操作。
存储器缓冲器1020可以用作处理器1010的工作存储器、缓存存储器或缓冲存储器。存储器缓冲器1020可以存储由处理器1010执行的命令和代码。存储器缓冲器1020可以存储由处理器1010处理的数据。存储器缓冲器1020可以包括静态RAM(SRAM)或动态RAM(DRAM)。
ECC电路1030可以执行纠错。ECC电路1030可以基于要通过存储器接口1060写入到存储器装置的数据来执行纠错码(ECC)编码。经ECC编码的数据可以通过存储器接口1060传送给存储器装置。ECC电路1030可以基于通过存储器接口1060从存储器装置接收的数据来执行ECC解码。在示例中，ECC电路1030可以作为存储器接口1060的组件而包括在存储器接口1060中。
主机接口1040可以在处理器1010的控制下与外部主机通信。主机接口1040可以使用诸如通用串行总线(USB)、串行AT附件(SATA)、串行附接SCSI(SAS)、高速芯片间(HSIC)、小型计算机系统接口(SCSI)、外围组件互连(PCI)、PCI快速(PCIe)、快速非易失性存储器(NVMe)、通用闪存(UFS)、安全数字(SD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、双列直插式存储器模块(DIMM)、带寄存器的DIMM(RDIMM)和轻载DIMM(LRDIMM)通信方法之类的各种通信方法中的至少一种执行通信。
缓冲器控制电路1050可以在处理器1010的控制下控制存储器缓冲器1020。
存储器接口1060可以在处理器1010的控制下与存储器装置通信。存储器接口1060可以通过通道向/从存储器装置发送/接收命令、地址和数据。
在实施方式中，存储器控制器1000可以不包括存储器缓冲器1020和缓冲器控制电路1050。
在实施方式中，处理器1010可以使用代码来控制存储器控制器1000的操作。处理器1010可以从设置在存储器控制器1000中的非易失性存储器装置(例如，ROM)加载代码。在实施方式中，处理器1010可以通过存储器接口1060从存储器装置加载代码。
在实施方式中，存储器控制器1000的总线1070可以被划分为控制总线和数据总线。数据总线可以被配置为在存储器控制器1000中发送数据，而控制总线可以被配置为在存储器控制器1000中发送诸如命令或地址之类的控制信息。数据总线和控制总线可以彼此隔离，并且既不彼此干扰，也不彼此影响。数据总线可以联接至主机接口1040、缓冲器控制电路1050、ECC电路1030和存储器接口1060。控制总线可以联接至主机接口1040、处理器1010、缓冲器控制电路1050、存储器缓冲器1020和存储器接口1060。
图11是例示应用根据本公开的实施方式的储存装置的存储卡系统的框图。
参照图11，存储卡系统2000可以包括存储器控制器2100、存储器装置2200和连接器2300。
存储器控制器2100联接至存储器装置2200。存储器控制器2100可以访问存储器装置2200。例如，存储器控制器2100可以控制存储器装置2200的读取操作、写入操作、擦除操作和后台操作。存储器控制器2100可以提供存储器装置2200和主机之间的接口。存储器控制器2100可以运行用于控制存储器装置2200的固件。存储器控制器2100可以与上面参照图1所描述的存储器控制器200以相同方式实现。
在实施方式中，存储器控制器2100可以包括诸如RAM、处理器、主机接口、存储器接口和ECC电路之类的组件。
存储器控制器2100可以通过连接器2300与外部装置通信。存储器控制器2100可以基于特定通信协议与外部装置(例如，主机)通信。在实施方式中，存储器控制器2100可以通过诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、外围组件互连(PCI)、PCI-快速(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、增强型小型磁盘接口(ESDI)、集成驱动电子设备(IDE)、Firewire(火线)、通用闪存(UFS)、Wi-Fi、Bluetooth(蓝牙)和快速非易失性存储器(NVMe)协议之类的各种通信协议中的至少一种与外部装置通信。在实施方式中，连接器2300可以由上述各种通信协议中的至少一种来定义。
在实施方式中，存储器装置2200可以被实现为使用电可擦除可编程ROM(EEPROM)、NAND闪存、NOR闪存、相变RAM(PRAM)、电阻式RAM(ReRAM)、铁电式RAM(FRAM)或自旋转移力矩磁RAM(STT-MRAM)的各种非易失性存储器装置中的任何一种。
存储器控制器2100和存储器装置2200可以集成到单个半导体装置中以配置存储卡。例如，存储器控制器2100和存储器装置2200可以集成到单个半导体装置中以配置诸如PC卡(个人计算机存储卡国际协会：PCMCIA)、紧凑型闪存卡(CF)、智能媒体卡(SM或SMC)、记忆棒、多媒体卡(MMC、RS-MMC、微型MMC或eMMC)、SD卡(SD、迷你SD、微型SD或SDHC)或通用闪存(UFS)之类的存储卡。
图12是例示应用根据本公开的实施方式的储存装置的固态驱动器(SSD)系统的框图。
参照图12，SSD系统3000可以包括主机3100和SSD 3200。SSD 3200可以通过信号连接器3001与主机3100交换信号并且可以通过电源连接器3002接收电力PWR。SSD 3200可以包括SSD控制器3210、多个闪存3221至322n、辅助电源3230和缓冲存储器3240。
根据本公开的实施方式，SSD控制器3210可以执行以上参照图1描述的存储器控制器200的功能。
SSD控制器3210可以响应于从主机3100接收到的信号而控制多个闪存3221至322n。在实施方式中，这些信号可以是基于主机3100和SSD 3200的接口的信号。例如，信号可以是由诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、外围组件互连(PCI)、PCI-快速(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、增强型小型磁盘接口(ESDI)、集成驱动电子设备(IDE)、Firewire(火线)、通用闪存(UFS)、Wi-Fi、Bluetooth(蓝牙)和快速非易失性存储器(NVMe)接口之类的各种接口中的至少一种定义的信号。
辅助电源3230可以通过电源连接器3002联接至主机3100。辅助电源3230可以被提供有来自主机3100的电力PWR并且可以被充电。当无法平滑地执行来自主机3100的电力供应时，辅助电源3230可以供应SSD 3200的电力。在实施方式中，辅助电源3230可以位于SSD3200内部或位于SSD 3200外部。例如，辅助电源3230可以设置在主板中并且可以向SSD3200提供辅助电力。
缓冲存储器3240用作SSD 3200的缓冲存储器。例如，缓冲存储器3240可以临时存储从主机3100接收的数据或从多个闪存3221至322n接收的数据，或者可以临时存储闪存3221至322n的元数据(例如，映射表)。缓冲存储器3240可以包括诸如DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、LPDDR SDRAM和GRAM之类的易失性存储器或者诸如FRAM、ReRAM、STT-MRAM和PRAM之类的非易失性存储器。
图13是例示应用根据本公开的实施方式的储存装置的用户系统的框图。
参照图13，用户系统4000可以包括应用处理器4100、存储器模块4200、网络模块4300、储存模块4400和用户接口4500。
应用处理器4100可以运行用户系统4000中所包括的组件、操作系统(OS)或用户程序。在实施方式中，应用处理器4100可以包括用于控制用户系统4000中所包括的组件的控制器、接口、图形引擎等。应用处理器4100可以被提供为片上系统(SoC)。
存储器模块4200可以用作用户系统4000的主存储器、工作存储器、缓冲存储器或缓存存储器。存储器模块4200可以包括诸如DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3SDRAM、LPDDR SDRAM、LPDDR2 SDRAM和LPDDR3SDRAM之类的易失性RAM，或者诸如PRAM、ReRAM、MRAM和FRAM之类的非易失性RAM。在实施方式中，应用处理器4100和存储器模块4200可以基于层叠式封装(POP)而被封装，然后可以被提供为单个半导体封装件。
网络模块4300可以与外部装置通信。例如，网络模块4300可以支持诸如码分多址(CDMA)、全球移动通信系统(GSM)、宽带CDMA(WCDMA)、CDMA-2000、时分多址(TDMA)、长期演进(LTE)、WiMAX、WLAN、UWB、Bluetooth(蓝牙)或Wi-Fi通信之类的无线通信。在实施方式中，网络模块4300可以包括在应用处理器4100中。
储存模块4400可以存储数据。例如，储存模块4400可以存储从应用处理器4100接收的数据。另选地，储存模块4400可以将储存模块4400中存储的数据发送给应用处理器4100。在实施方式中，储存模块4400可以实现为诸如相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、NAND闪存、NOR闪存或具有三维(3D)结构的NAND闪存之类的非易失性半导体存储器装置。在实施方式中，储存模块4400可以被提供为诸如用户系统4000的外部驱动器或存储卡之类的可拆除存储介质(即，可拆除驱动器)。
在实施方式中，储存模块4400可以包括多个非易失性存储器装置，每个非易失性存储器装置可以与以上参照图1描述的存储器装置100以相同方式操作。储存模块4400可以与以上参照图1描述的储存装置50以相同方式操作。
用户接口4500可以包括向应用处理器4100输入数据或指令或者向外部装置输出数据的接口。在实施方式中，用户接口4500可以包括诸如键盘、小键盘、按钮、触摸面板、触摸屏、触摸板、触摸球、相机、麦克风、陀螺仪传感器、振动传感器和压电装置之类的用户输入接口。用户接口4500还可以包括诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示装置、有源矩阵OLED(AMOLED)显示装置、LED、扬声器和监视器之类的用户输出接口。
根据本公开的实施方式，提供了具有高效功率管理性能的储存装置及操作该储存装置的方法。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0109094的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文中。

Claims (18)

1.一种储存装置，该储存装置包括：
多个存储器装置，所述多个存储器装置存储峰值功率信息，所述峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与所述多个峰值功率时段相对应的标识ID的信息；以及
存储器控制器，所述存储器控制器为所述多个存储器装置中的每一个指配ID并控制所述存储器装置以使得具有与所述多个峰值功率时段当中的目标时段相对应的相同ID的一个或更多个存储器装置以峰值功率执行存储器操作。
2.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述存储器控制器包括：
操作控制器，所述操作控制器向所述多个存储器装置中的每一个提供用于指示所述存储器操作的存储器操作命令；以及
功率控制器，所述功率控制器向所述多个存储器装置中的每一个提供用于设置所述多个峰值功率时段和分别与所述多个峰值功率时段相对应的ID的峰值功率设置命令。
3.根据权利要求2所述的储存装置，其中，所述功率控制器向从所述多个存储器装置当中选择的存储器装置提供用于指示激活或停用峰值功率操作模式的峰值功率操作命令。
4.根据权利要求3所述的储存装置，其中，所述多个存储器装置中的每一个响应于所述峰值功率设置命令而存储所述峰值功率信息。
5.根据权利要求4所述的储存装置，其中，所述多个存储器装置中的每一个在所述峰值功率操作模式响应于所述峰值功率操作命令而被激活时，响应于所述存储器操作命令而基于目标时段信息在所述目标时段期间以所述峰值功率执行所述存储器操作，所述目标时段信息指示所述目标时段并且被包括在所述峰值功率信息中。
6.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述存储器控制器向所述多个存储器装置当中的至少两个存储器装置指配相同的ID。
7.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述多个存储器装置仅通过一个通道联接至所述存储器控制器。
8.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述存储器操作包括读取操作、写入操作和擦除操作中的至少一种。
9.一种存储器装置，该存储器装置包括：
多个存储器单元；
外围电路，所述外围电路对所述多个存储器单元执行存储器操作；
功率管理信息储存器，所述功率管理信息储存器存储峰值功率信息，所述峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与所述多个峰值功率时段相对应的标识ID的信息；以及
操作处理器，所述操作处理器控制所述外围电路以使得在所述多个峰值功率时段当中的与指配给所述存储器装置的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行所述存储器操作。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述功率管理信息储存器包括：
峰值时段信息储存器，所述峰值时段信息储存器响应于峰值功率设置命令而存储所述峰值功率信息，所述峰值功率设置命令设置所述峰值功率信息并且是从存储器控制器接收的；以及
ID信息储存器，所述ID信息储存器存储指示从所述存储器控制器接收的所指配的ID的ID信息。
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述功率管理信息储存器向所述操作处理器提供目标时段信息，所述目标时段信息指示所述目标时段并且被包括在所述峰值功率信息中。
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述操作处理器响应于指示所述存储器操作并且从所述存储器控制器接收的存储器操作命令而控制所述外围电路以使得基于所述目标时段信息在所述目标时段期间以峰值功率执行所述存储器操作。
13.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述功率管理信息储存器在从存储器控制器接收到用于激活峰值功率操作模式的命令时被激活。
14.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述存储器操作包括读取操作、写入操作和擦除操作中的至少一种。
15.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
从存储器控制器接收用于设置峰值功率信息的峰值功率设置命令，其中，所述峰值功率信息包括关于多个峰值功率时段的信息和关于分别与所述多个峰值功率时段相对应的标识ID的信息；
存储所述峰值功率信息；
响应于从所述存储器控制器接收的ID指配命令而存储ID信息；
从所述存储器控制器接收存储器操作命令；以及
响应于所述存储器操作命令而在所述多个峰值功率时段当中的与由所述ID信息指示的所指配的ID相对应的目标时段期间以峰值功率执行存储器操作。
16.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：
从所述存储器控制器接收用于指示激活或停用峰值功率操作模式的峰值功率操作命令。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，以所述峰值功率执行所述存储器操作的步骤包括以下步骤：
响应于所述峰值功率操作命令而基于所述峰值功率信息在所述目标时段期间以所述峰值功率执行所述存储器操作。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述存储器操作包括读取操作、写入操作和擦除操作中的至少一种。
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