CN115693109A - 基站天线 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种基站天线，所述基站天线包括：反射体；多个第一辐射元件，所述多个第一辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第一列，各所述第一辐射元件从反射体向前延伸；多个第二辐射元件，所述多个第二辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第二列，各所述第二辐射元件从反射体向前延伸；和多个寄生元件，各所述寄生元件布置在第一辐射元件和/或第二辐射元件的周围；其中，每个寄生元件构成为杆状金属件或者包括杆状金属主体，所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线相对于由反射体限定的平面以70至110°之间的角度延伸，并且各所述寄生元件位于反射体的前方并且相对于反射体电悬置。

Description

基站天线

技术领域

本公开一般涉及无线电通信，更具体地说，涉及一种基站天线。

背景技术

在一些基站天线、例如波束成形基站天线中安装有阵列，所述阵列包括多个紧密间距的辐射元件列、例如构造用于波束成形的+/-45°交叉偶极子辐射元件列。这样的阵列在小的水平(即，方位角平面)扫描角、例如处于0°附近的水平扫描角下倾向于具有良好的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率，然而在较大的水平扫描角、例如处于47°附近的水平扫描角下则具有相对较差的交叉极化性能参数。

为了改善基站天线在大的水平扫描角下的交叉极化性能参数，在现有的解决方案中，如图1所示，通常使用沿竖直方向V延伸的寄生元件230′。在此，水平方向H对应于阵列中辐射单元的行方向，竖直方向V对应于阵列中辐射单元的列方向。如果基站天线安装使用时在仰角面中没有任何下倾，则水平方向将平行于由地平线定义的平面，竖直方向将与由地平线定义的平面成直角相交。然而，这样的寄生元件230′对基站天线200′在大和小的水平扫描角下的交叉极化性能参数均产生影响，如在下文中将借助于图1和图2更详细地阐明那样。由此，虽然基站天线200′在大的水平扫描角下的交叉极化性能参数能够得到改善，但是寄生元件230'的加入可能会降低基站天线200′在小的水平扫描角下的原本良好的交叉极化性能参数。这是不希望的。

发明内容

因此，本公开的目的在于提供一种能够克服现有技术中至少一个缺陷的基站天线。

按照本公开的第一方面，提供一种基站天线，所述基站天线包括：反射体；多个第一辐射元件，所述多个第一辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第一列，各所述第一辐射元件从反射体向前延伸；多个第二辐射元件，所述多个第二辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第二列，各所述第二辐射元件从反射体向前延伸；和多个寄生元件，各所述寄生元件布置在第一辐射元件和/或第二辐射元件的周围；其中，每个寄生元件构成为杆状金属件或者包括杆状金属主体，所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线相对于由反射体限定的平面以70至110°之间的角度延伸，并且各所述寄生元件位于反射体的前方并且相对于反射体电悬置。

在一些实施例中，各所述寄生元件构成为杆状金属件或者包括杆状金属主体，所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线基本上垂直于由反射体限定的平面延伸。

按照本公开的第二方面，提供一种基站天线，所述基站天线包括：反射体；多个第一辐射元件，所述多个第一辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第一列，第一辐射元件从反射体向前延伸；多个第二辐射元件，所述多个第二辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第二列，第二辐射元件从反射体向前延伸，第一列中的第一辐射元件和第二列中的第二辐射元件限定了多对水平对齐的辐射元件；和多个寄生元件，每个寄生元件位于所述多对水平对齐的辐射元件中的相应一对水平对齐的辐射元件之间；其中，每个寄生元件构成为杆状金属件或者包括杆状金属主体，所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线相对于由反射体限定的平面以70至110°之间的角度延伸；并且所述寄生元件被定位成，在大于第一角度的水平扫描角下将峰值交叉极化鉴别率改善至少2dB，而不会在小于第二角度的水平扫描角下将峰值交叉极化鉴别率恶化超过1dB。

根据本公开的一些实施例的基站天线不仅能够改善在大的水平扫描角下的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率，而且能够保持在小的水平扫描角下原本良好的交叉极化性能参数，或者能够有针对性地改善在小的水平扫描角下的交叉极化鉴别率。此外，根据本公开的一些实施例的基站天线的寄生元件以相对于反射体电悬置的形式位于反射体的前方，对基站天线中的电流分布的影响是有限的。

附图说明

下面参照附图借助具体实施方式来更详细地说明本公开。示意性的附图简要说明如下：

图1是根据现有技术的基站天线的示意图，从所述基站天线的反射体向前地安装有沿竖直方向V延伸的寄生元件；

图2是图1中的基站天线的寄生元件分别在小的水平扫描角和大的水平扫描角下的等效作用长度的示意图；

图3是根据本公开的一些实施例的基站天线的示意图，从所述基站天线的反射体向前地安装有沿前向方向Z延伸的寄生元件；

图4是图3中的基站天线的示意性侧视图；

图5是根据本公开的一些实施例的基站天线的寄生元件分别在小的水平扫描角和大的水平扫描角下的等效作用长度的示意图；

图6是根据本公开的一些实施例的基站天线的示意图，在所述基站天线中安装有沿竖直方向V延伸的隔栏元件以及安装在所述隔栏元件上的沿前向方向Z延伸的寄生元件；

图7是描绘在设置寄生元件之前和之后的基站天线分别在6°和47°水平扫描角下的方位角平面辐射方向图的一系列曲线图。

具体实施方式

图1是根据现有技术的基站天线200′的示意图。图2是图1的基站天线的寄生元件分别在小的水平扫描角和大的水平扫描角下的等效作用长度的示意图。

如图1所示，基站天线200′可以包括反射体210′和多列220′辐射元件222′。辐射元件222'被安装为在反射体210′的前方延伸。辐射元件222′例如可以构成为如图1所示的+/-45°交叉偶极子辐射元件。这样的辐射元件222′在小的水平扫描角AZ、例如0°水平扫描角AZ下具有基本上相等的水平辐射分量和竖直辐射分量，也就是说，具有基本上平衡的水平辐射分量和竖直辐射分量。因此，基站天线200′在小的水平扫描角AZ下具有良好的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率。然而，在大的水平扫描角AZ、例如47°水平扫描角AZ下，辐射元件222′的水平辐射分量和竖直辐射分量会发生改变，并且不再具有平衡的辐射分量。因此，与在小的水平扫描角AZ下相比，基站天线200在大的水平扫描角AZ下具有相对较差的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率。

为了平衡辐射元件222′在大的水平扫描角AZ下的辐射分量并且因此改善交叉极化性能参数，如图1所示，基站天线200′包括通常在辐射元件222′周围设置的沿竖直方向V延伸的金属的杆状的寄生元件230′。这种金属的杆状的寄生元件在此也可以称为寄生针(parastic pin)。寄生元件230′的工作原理借助于图2更详细地阐明。如图2所示，在大的水平扫描角AZ(在此示例性地AZ＝47°)下，寄生元件230′在竖直方向上具有第一等效作用长度L1。第一等效作用长度L1可以理解为在大的水平扫描角AZ下寄生元件230′在基准面(例如反射体)上的第一投影231的长度。与此类似地，在小的水平扫描角AZ(在此示例性地AZ＝0°)下，寄生元件230′在竖直方向V上具有第二等效作用长度L2。这样的寄生元件230′在大的水平扫描角AZ下能够改变辐射元件222的辐射分量，使得辐射元件222的辐射分量更加平衡，从而能够改善基站天线200′在大的水平扫描角AZ下的交叉极化性能参数。然而，在小的水平扫描角AZ下，寄生元件230′基于自身的第一等效作用长度L1以基本上相同的方式也改变辐射元件222′的辐射分量。这导致辐射元件222′在小的水平扫描角AZ下的原本平衡的辐射分量可能会失去平衡，并且可能导致基站天线200′在小的水平扫描角AZ下的原本良好的交叉极化鉴别率被恶化。换句话说，这样的基站天线200′无法在大的水平扫描角AZ下和在小的水平扫描角AZ下均获得良好的交叉极化鉴别率。

为了克服现有技术中的上述缺陷，本公开提出了一种新的基站天线200。在按照本公开的基站天线200中设置有多个寄生元件240，各所述寄生元件可以构成为杆状金属件或者说细长形延伸的金属件。可选地，各所述寄生元件可以包括杆状金属主体或者说细长形延伸的金属主体。在本公开中，“杆状”或者说“细长形”应理解为杆状金属件或杆状金属主体的纵轴线上的延伸尺寸远大于、例如5倍、甚至10倍大于其横向延伸尺寸、例如横向直径。所述杆状金属件的纵轴线或者杆状金属主体的纵轴线基本上垂直于由反射体210限定的平面并沿着前向方向Z延伸。

以这种方式，不仅能够改善基站天线200在大的水平扫描角AZ下的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率，而且能够保持基站天线200在小的水平扫描角AZ下的原本良好的交叉极化性能参数。这将在下文中借助于图3至图5更详细地描述。

图3是根据本公开的一些实施例的基站天线的示意图。图4是图3中的基站天线的示意性侧视图。图5是根据本公开的一些实施例的基站天线的寄生元件分别在小的水平扫描角和大的水平扫描角下的等效作用长度的示意图。

根据本公开各实施例的基站天线200例如可以是波束成形天线。如图3所示，基站天线200可以包括反射体210和安装在反射体210上的阵列，所述阵列包括多个辐射元件222列220。反射体210可以用作用于辐射元件222的接地平面。辐射元件222被安装成从反射体210沿着前向方向Z延伸。每个辐射元件222可以是高频带辐射元件、中频带辐射元件、或低频辐射元件。低频带辐射元件可以构造为在例如617MHz至960MHz的频率范围中或者在其中的一个或多个部分范围中工作。中频带辐射元件可以构造为在例如1427MHz至2690MHz的频率范围中或者在其中的一个或多个部分范围中工作。高频带辐射元件可以构造为在例如3GHz至5GHz中或者在其中的一个或多个部分范围中工作。

在图3的实施例中，基站天线200可以包括多个(在此示例性地为三个)竖直延伸的辐射元件222列220。第一辐射元件列2201包括多个(在此示例性地为四个)在竖直方向上排布的第一辐射元件；第二辐射元件列2202包括多个(在此示例性地为四个)在竖直方向上排布的第二辐射元件；第三辐射元件列2203包括多个(在此示例性地为四个)在竖直方向上排布的第三辐射元件。第一辐射元件列2201、第二辐射元件列2202和第三辐射元件列2203中的辐射元件222限定了多对水平对齐的辐射元件222。在此，应当理解的是，天线组件200可以包括任意数量的在竖直方向上排布的辐射元件222列220，各辐射元件222列220可以包括任意数量的沿竖直方向排布的辐射元件222。辐射元件222例如可以构成为如图3所示的+/-45°交叉偶极子辐射元件，或者可以构成为未示出的具有矩形或正方形轮廓的辐射元件。

如图3所示，根据本公开的基站天线200具有多个寄生元件240。每个寄生元件240可以构成为杆状金属件，或者可以包括杆状金属主体。寄生元件240的沿着寄生元件240的纵轴线a的长度L例如可以设定为各辐射元件222的操作频带的中心频率对应的波长的四分之一的正整数倍。也就是说，杆状金属件或杆状金属主体可以从靠近反射体的端部起向前延伸预定长度，所述预定长度可以处于0.1至0.5波长长度的范围内、0.15至0.4波长长度的范围内、或者处于0.25波长长度附近。也就是说，每个寄生元件的长度可以处于0.1至0.5波长长度的范围内、0.15至0.4波长长度的范围内、或者处于0.25波长长度附近。在一些实施例中，如图5所示，寄生元件240可以比辐射元件222从反射体210向前延伸得更远。在一些实施例中，所述寄生元件240与反射体210间隔开距离，使得所述寄生元件240与辐射元件222的相应的辐射臂相邻。

继续参照图3，寄生元件240可以布置在每个辐射元件222的周围。寄生元件240例如可以布置在水平方向H上相邻的辐射元件222之间。在一些实施例中，寄生元件240也可以被布置在基站天线200中的其他位置，例如可以布置在竖直方向V上相邻的辐射元件222之间和/或布置辐射元件222列的外周围。

在图5中可以清楚地看出，寄生元件240可以构成为杆状金属件，所述杆状金属件的纵轴线a基本上垂直于由反射体210限定的平面延伸。在本公开中，“基本上垂直于”可以理解为寄生元件240的纵轴线a相对于由反射体210限定的平面以70至110°之间(在此为90°)的角度延伸。在这种情况下，如图5所示，在大的水平扫描角AZ(在此示例性地AZ＝47°)下，寄生元件240在竖直方向V上具有第三等效作用长度L3。因此，根据本公开的寄生元件240在大的水平扫描角AZ下同样能够改善基站天线200的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率。然而，在小的水平扫描角AZ(在此示例性地AZ＝0°)下，根据本公开的寄生元件240在竖直方向V上具有第四等效作用长度L4。相比于寄生元件的实际长度L而言，第四等效作用长度L4被缩短。如图5所示，当AZ＝0°时，第四等效作用长度L4被缩短成点。在此，所述“点”可以理解为图5中的寄生元件的横截面。相比于寄生元件的长度L或者说第三等效作用长度L3而言，第四等效作用长度L4很小(在此可以理解为约等于零)。因此，这样的寄生元件240在小的水平扫描角AZ下对辐射元件222的辐射分量的影响是非常有限、甚至几乎无影响。由此，与现有技术中的寄生元件230′不同地，根据本公开的寄生元件240能够较好地保持辐射元件222在小的水平扫描角AZ下原本平衡的辐射分量，从而能够保持原本良好的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率。因此，根据本公开的基站天线200，不仅在大的水平扫描角AZ下，而且在小的水平扫描角AZ下，均能够实现良好的交叉极化性能参数。

在一些情况下、例如在辐射元件222在小的水平扫描角AZ下具有略微不平衡的辐射分量时，为了改变辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的辐射分量并且平衡所述辐射分量，寄生元件240的纵轴线a可以相对于由反射体210限定的平面成倾斜角度地延伸。所述倾斜角度例如可以选自70至110°的角度范围，然而这不能理解为对本公开的限制。在这种情况下，在小的水平扫描角AZ下，寄生元件240可以具有第五等效作用长度。第五等效作用长度可以介于第二等效作用长度L2与第四等效作用长度L4之间，并且可以根据实际需要通过调整上述倾斜角度来改变。以这种方式，按照本公开的寄生元件240能够根据实际需要有针对性地改变辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的辐射分量，从而改善辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的交叉极化性能参数。

在一些替代的实施例中，寄生元件240也可以构造成L形或T形的纯金属构件，所述L形或T形的纯金属构件包括杆状金属主体和与所述杆状金属主体基本上垂直相连的接合区段，所述接合区段可以借助于电介质元件与反射体间接连接。所述接合区段在小的水平扫描角AZ下可以具有第六等效作用长度。第六等效作用长度能够根据实际需要通过改变接合区段的长度来调整。因此，所述L形或T形的寄生元件240同样能够有针对性地改变辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的辐射分量，并且能够改善辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的交叉极化性能参数。

此外，为了尽可能少地被反射体上的电流分布影响，寄生元件240位于反射体210的前方并且相对于反射体电悬置。在本公开中，“电悬置”可以理解为“寄生元件240与反射体之间不存在电流连接(galvanic connection)”。由此，寄生元件240基本上可以作为单独的电场部件起作用，寄生元件240自身的电流分布可以因此变得更纯。

为了实现寄生元件240以相对于反射体的电悬置的方式安装于反射体210的前方，如图4所示，所述寄生元件240可以与反射体210间隔开距离地布置。为此，寄生元件240可以借助于电介质元件被固定在反射体210上，由此能够防止在寄生元件240与反射体210之间出现电流连接。当寄生元件240构造成单独的杆状金属件的情况下，所述杆状金属件的朝向反射体的端部可以借助于电介质元件与反射体210间接连接。当寄生元件240构造成上述L形或T形的纯金属构件时，所述L形或T形的纯金属构件的接合区段可以借助于电介质元件与反射体210间接连接。电介质元件可以通过各种适宜的接合方式、以例如粘接、插接、卡接、焊接或铆钉连接的方式分别与寄生元件240和反射体210连接。此外，电介质元件也可以构造成容纳在反射体210上的插槽内的插接介质，寄生元件240直接可以以形状配合的方式插接在所述插接介质内。

图6是根据本公开的一些实施例的基站天线200的示意性立体图。为了降低相邻的辐射元件222之间的耦合干扰，在本公开的一些实施例中，除了寄生元件240′之外，在反射体210上还可以附加地安装有多个竖直延伸的隔栏元件250(fence element)。每个隔栏元件250可以是从反射体210向前延伸地安装在反射体210上的金属元件。通过在辐射元件222周围布置隔栏元件250，能够降低对相应的辐射元件222的耦合干扰作用，从而能够进一步改善基站天线200的辐射方向图，并且能够进一步改善基站天线200的交叉极化性能参数。在图6中示出的隔栏元件250布置在水平方向H上相邻的辐射元件222之间。应理解的是，隔栏元件250的数量和布置方式也可以根据实际需要进行改变。例如，天线组件200还可以包括多个在水平方向H上延伸的隔栏元件250，所述隔栏元件250分别布置在竖直方向上相邻的辐射元件222之间。

在图6所示的实施例中，为了实现寄生元件240′安装于反射体210的前方从而使得所述寄生元件相对于反射体电悬置，寄生元件240′可以借助于电介质元件、例如PCB基板被安装在隔栏元件250上而间接固定在反射体210上。PCB基板可以以例如铆钉连接的方式被固定在隔栏元件250上。然而，也可设想的是，图6中的PCB基板不是固定在隔栏元件250上，而是直接安装在反射体上并从反射体向前延伸。在此，PCB基板可以插接在反射体210的相应凹槽内。此外，PCB基板也可以被安装在L形塑料接片上而间接固定在反射体210上。

在图6的实施例中，寄生元件240′可以作为印制迹线印制在PCB基板上、例如PCB基板的第一主表面上和/或第二主表面上。作为寄生元件起作用的印制迹线可以居中地印制在所述PCB基板上并且从靠近反射体的端部起向前延伸预定长度、例如各辐射元件222的操作频带的中心频率对应的波长的四分之一。

图7示出在设置寄生元件240之前和之后的基站天线200分别在6°和47°水平扫描角AZ下的辐射方向图，其中，图7中的a示出在设置寄生元件240之前的基站天线200在6°水平扫描角AZ下的辐射方向图；图7中的b示出在设置寄生元件240之后的基站天线200在6°水平扫描角AZ下的辐射方向图；图7中的c示出在设置寄生元件240之前的基站天线200在47°水平扫描角AZ下的辐射方向图；图7中的d示出在设置寄生元件240之后的基站天线200在47°水平扫描角AZ下的辐射方向图。从图7中的a至d中可以清楚地看出，根据本公开的基站天线200在大的水平扫描角AZ(在此AZ＝47°)下能够将峰值交叉极化鉴别率改善至少2dB(在此例如为3dB)，而不会在小的水平扫描角AZ(在此AZ＝6°)下将峰值交叉极化鉴别率恶化超过1dB(在此基本上保持不变)。由此，可以表明，根据本公开的基站天线200不仅能够改善在大的水平扫描角AZ下的交叉极化鉴别率，而且能够保持在小的水平扫描角AZ下原本良好的交叉极化鉴别率。

按照本公开的基站天线200能够带来一项或多项以下优点：第一，根据本公开的基站天线200不仅能够改善在大的水平扫描角AZ下的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率，而且能够较好地保持在小的水平扫描角AZ下原本良好的交叉极化性能参数、例如交叉极化鉴别率；第二，寄生元件240位于反射体的前方从而使所述寄生元件相对于反射体电悬置，并且因此几乎不会影响反射体中的电流分布或者受到反射体的影响；第三，寄生元件240能够根据实际需要而有针对性地改变辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的辐射分量，从而能够改善辐射元件222在小的水平扫描角AZ下的交叉极化性能参数。

虽然已经描述了本公开的示例性实施例，但是本领域技术人员应当理解的是，在本质上不脱离本公开的精神和范围的情况下能够对本公开的示范实施例进行多种变化和改变。因此，所有变化和改变均包含在权利要求所限定的本公开的保护范围内。本公开由附加的权利要求限定，并且这些权利要求的等同物也包含在内。

Claims (10)

1.一种基站天线，包括：

反射体；

多个第一辐射元件，所述多个第一辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第一列，各所述第一辐射元件从反射体向前延伸；

多个第二辐射元件，所述多个第二辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第二列，各所述第二辐射元件从反射体向前延伸；和

多个寄生元件，各所述寄生元件布置在第一辐射元件和/或第二辐射元件的周围；

其中，每个寄生元件构成为杆状金属件或者包括杆状金属主体，所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线相对于由反射体限定的平面以70至110°之间的角度延伸，并且各所述寄生元件位于反射体的前方并且相对于反射体电悬置。

2.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，各所述寄生元件与反射体间隔开距离；和/或

所述寄生元件中的至少一部分布置在相应一对水平相邻的第一辐射元件和第二辐射元件之间；和/或

所述寄生元件中的至少一部分借助于相应的电介质元件被固定在反射体上；和/或

所述电介质元件是印刷电路板基板，所述寄生元件作为相应的印制迹线印制在相应的印刷电路板基板上；和/或

所述印制迹线沿前向方向居中地印制在相应的印刷电路板基板上。

3.根据权利要求1或2所述的基站天线，其特征在于，所述印刷电路板基板直接安装在反射体上并从反射体向前延伸；和/或

所述基站天线包括多个沿竖直方向延伸的隔栏元件，各隔栏元件从反射体向前延伸地安装在所述反射体上，其中，各所述隔栏元件布置在第一辐射元件和/或第二辐射元件的周围；和/或

在水平相邻的第一辐射元件和第二辐射元件之间布置有所述隔栏元件；和/或

所述寄生元件借助于电介质元件安装在相应一个所述隔栏元件上而间接固定在反射体上。

4.根据权利要求1至3之一所述的基站天线，其特征在于，所述寄生元件比第一辐射元件和第二辐射元件从反射体向前延伸得更远；和/或

每个寄生元件的长度处于0.1至0.5波长长度的范围内，所述波长是第一辐射元件或第二辐射元件的操作频带的中心频率波长对应的波长；和/或

每个寄生元件的长度处于0.15至0.4波长长度的范围内；和/或

每个寄生元件的长度为0.25波长长度。

5.根据权利要求1至4之一所述的基站天线，其特征在于，各所述寄生元件构造成单独的杆状金属件，所述杆状金属件的朝向反射体的端部借助于电介质元件与反射体间接连接。

6.根据权利要求1至5之一所述的基站天线，其特征在于，所述寄生元件还包括与杆状金属主体垂直相连的接合区段，所述接合区段借助于电介质元件与反射体间接连接。

7.根据权利要求1至6之一所述的基站天线，其特征在于，所述寄生元件包括铜或铝；和/或

所述寄生元件与反射体间隔开距离地，使得所述寄生元件与第一辐射元件和第二辐射元件的相应的辐射臂相邻。

8.一种基站天线，包括：

反射体；

多个第一辐射元件，所述多个第一辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第一列，第一辐射元件从反射体向前延伸；

多个第二辐射元件，所述多个第二辐射元件排布成在竖直方向上延伸的第二列，第二辐射元件从反射体向前延伸，第一列中的第一辐射元件和第二列中的第二辐射元件限定了多对水平对齐的辐射元件；和

多个寄生元件，每个寄生元件位于所述多对水平对齐的辐射元件中的相应一对水平对齐的辐射元件之间；

其中，每个寄生元件构成为杆状金属件或者包括杆状金属主体，所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线相对于由反射体限定的平面以70至110°之间的角度延伸；并且

其中，所述寄生元件被定位成，在大于第一角度的水平扫描角下将峰值交叉极化鉴别率改善至少2dB，而不会在小于第二角度的水平扫描角下将峰值交叉极化鉴别率恶化超过1dB。

9.根据权利要求8所述的基站天线，其特征在于，在大于第一角度的水平扫描角下，所述峰值交叉极化鉴别率被改善至少3dB；和/或

在小于第二角度的水平扫描角下，所述峰值交叉极化鉴别率基本上保持不变；和/或

所述第一角度在41°至53°之间，所述第二角度在0°至12°之间；和/或

所述杆状金属件的纵轴线或杆状金属主体的纵轴线基本上垂直于由反射体限定的平面延伸；和/或

在第二角度的水平扫描角下，所述寄生元件在竖直方向上的等效作用长度相比于寄生元件的实际长度而言被缩短。

10.根据权利要求8或9所述的基站天线，其特征在于，在所述第二角度为0°时，所述寄生元件的等效作用长度被缩短成点。

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