CN115682905A - 薄膜厚度确定方法、装置和计算机设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述薄膜厚度确定方法包括：获取待检测芯片的薄膜材料信息；根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度，通过该种设置，能够省去繁琐的人工计算工作，并同时加快了薄膜厚度的计算速度、提升了薄膜厚度的计算准确性。
Description
技术领域
本申请涉及半导体量测技术领域，特别是涉及一种薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
在半导体集成电路制造工艺中，经常需要对薄膜的厚度进行量测，而目前薄膜的量测方法主要包括以下几种：直接量测：对薄膜进行断面制样，通过电子显微镜将断面切片放大，直接读出薄膜厚度，但是这种测量方法存在测量误差大，测量结果随机的缺点；光学量测：利用椭偏仪等光学原理，通过复杂的光路和公式计算得出膜厚，但是这种测量方法的光路设计和结果推导过程复杂；成分测量换算：利用X射线荧光光谱仪测出薄膜中原子的特征X射线，通过计算原子的数量换算成膜厚，但是这种测量方法这需要通过原子显微镜等其它量测方法进行标定。
综上所述，常见的测量薄膜的方法不仅测量结果误差大，且参考的因素较少，实际得出的薄膜厚度不够准确。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够准确测量薄膜厚度的薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
第一方面，本申请提供了一种薄膜厚度确定方法，包括：
获取待检测芯片的薄膜材料信息；
根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；
根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
在其中一个实施例中，所述确定所述待检测芯片对应的电阻率信息之前，还包括：
采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成所述电阻率数据库。
在其中一个实施例中，所述电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；
所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，包括：
获取所述待检测芯片的量测电阻值；
根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值；
所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：
根据所述量测电阻值和所述电阻率值，确定所述薄膜厚度。
在其中一个实施例中，所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：
当根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，无法从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和所述量测电阻值，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
在其中一个实施例中，所述方法还包括：
将所述薄膜材料信息、实时温度信息和所述补充电阻率值添加至所述电阻率数据库中。
在其中一个实施例中，所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，还包括：
当确定所述实时温度信息所表示的实时温度值不符合所述预设温度范围时，发出告警。
第二方面，本申请还提供了一种薄膜厚度确定装置，包括：
获取模块，用于获取待检测芯片的薄膜材料信息；
第一确定模块，用于根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；
第二确定模块，用于根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一实施例所述的薄膜厚度确定方法。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的薄膜厚度确定方法。
上述薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质，能够根据待检测芯片的薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库包含的薄膜材料、温度值和电阻率值之间的对应关系中匹配到对应的电阻率值，并根据电阻率值确定电阻率信息，随后自动根据电阻率信息计算出待检测芯片的薄膜厚度，从而省去繁琐的人工计算工作，并同时加快了薄膜厚度的计算速度、提升了薄膜厚度的计算准确性。
附图说明
图1为一个实施例中薄膜厚度确定方法的应用环境图；
图2为一个实施例中薄膜厚度确定方法的流程示意图；
图3为一个实施例中薄膜厚度确定方法的流程示意图；
图4为一个实施例中薄膜厚度确定方法中确定电阻率信息的流程示意图；
图5为一个实施例中薄膜厚度确定装置的结构框图；
图6为一个实施例中薄膜厚度确定装置的结构框图；
图7为一个实施例中薄膜厚度确定装置中第一确定模块的结构框图；
图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例提供的薄膜厚度确定方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。
例如，薄膜厚度确定方法应用于终端102，终端102通过人机交互界面获取待检测芯片的薄膜材料信息；随后终端102根据薄膜材料信息、实时温度信息和服务器104存储的预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；终端102根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。其中，终端102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备和便携式可穿戴设备。服务器104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。终端102和服务器104可以通过有线或无线通信方式进行直接或间接的连接，例如通过网络连接。
又例如，薄膜厚度确定方法应用于服务器104，终端102通过人机交互界面获取待检测芯片的薄膜材料信息，随后终端102将薄膜材料信息发送给服务器104，服务器104根据薄膜材料信息、实时温度信息和存储的预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；服务器104根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。可以理解的是，数据存储系统可为独立的存储设备，或者该数据存储系统位于服务器上，或者该数据存储系统位于另一终端上。
在一个实施例中，提供了一种薄膜厚度确定方法，本实施例以该薄膜厚度确定方法应用于处理器进行举例说明，可以理解的是，该处理器可位于终端或服务器上。如图2所示，该薄膜厚度确定方法包括：
步骤202、获取待检测芯片的薄膜材料信息。
待检测芯片指的是半导体芯片。
薄膜材料信息指的是半导体芯片上的导电膜的材料成分，半导体芯片的导电膜包括外延膜，多晶硅薄膜，离子注入膜，金属膜等。
处理器可以预先存储半导体芯片的芯片信息和薄膜材料信息的一一对应关系，处理器根据待检测芯片的芯片信息，从导体芯片的芯片信息和薄膜材料信息的一一对应关系中匹配到对应的薄膜材料信息作为待检测芯片的薄膜材料信息。芯片信息可以是芯片名称、芯片型号等。
作为示例，处理器可以根据用户通过终端发出的指令，从导体芯片的芯片信息和薄膜材料信息的一一对应关系中匹配到对应的薄膜材料信息作为待检测芯片的薄膜材料信息。
处理器还可以将用户通过终端的人机交互界面输入的薄膜材料信息作为待检测芯片的薄膜材料信息。
本实施例中，处理器在接收到用户通过终端发出的指令后，获取待检测芯片的导电膜的材料成分。
步骤204、根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系。
实时温度信息指的是确定电阻率信息时的温度。实时温度信息可以是用户通过终端的人机交互界面设置的，也可以是通过传感器实时采集的，传感器采集实时温度信息的时刻例如可以是处理器接收到用户通过终端发出的指令时。
电阻率数据库中记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系，电阻率数据库中记载的电阻率值反映了导电膜在材料成分和温度影响下的实际电阻率值。
电阻率信息指的是待检测芯片的导电膜的电阻率相关信息。
本实施例中，处理器根据待检测芯片的导电膜的材料成分、处理器接收到用户通过终端发出的指令时的实时温度信息，以及电阻率数据库包含的薄膜材料、温度值和电阻率值的三者对应关系，确定出待检测芯片的导电膜的电阻相关信息。
步骤206、根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。
上述薄膜厚度确定方法中，处理器能够根据待检测芯片的薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库包含的薄膜材料、温度值和电阻率值之间的对应关系中匹配到对应的电阻率值，并根据电阻率值确定电阻率信息，随后自动根据电阻率信息计算出待检测芯片的薄膜厚度，从而省去繁琐的人工计算工作，并同时加快了薄膜厚度的计算速度、提升了薄膜厚度的计算准确性。
如图3所示，在一些可选的实施例中，步骤204之前，还包括：步骤201、采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成电阻率数据库。
薄膜材料指的是半导体芯片上的导电膜的材料。
预设温度范围可以根据进行薄膜电阻值量测的机台的运行环境温度制定的，例如，机台在环境温度大于25℃或者小于20℃时，均会因为温度异常而影响正常运行，则处理器可以将预设温度范围设置为[20℃,25℃]。
本实施例中，处理器将目前半导体行业成熟技术下所运用的导电膜的材料在20℃~25℃间的温度及对应的电阻率值整合起来，得到薄膜材料-温度值-电阻率值的三者映射关系表作为电阻率数据库。
如图4所示，在一些可选的实施例中，电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；步骤204包括：步骤2041、获取待检测芯片的量测电阻值；步骤2042、根据薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值；步骤206包括：根据量测电阻值和电阻率值，确定薄膜厚度。
量测电阻值指的是采用四探针技术测量薄层电阻方块电阻得到的电阻率值。
量测电阻值的测量过程忽略了温度对电阻率值的影响，因此量测结果存在一定误差，本实施例中的薄膜厚度确定方法中将量测电阻值和电阻率数据库中根据实时温度信息确定的电阻率值结合考虑，将温度变化所带来的影响考虑在内，使得最终计算得到的薄膜厚度更准确。
在一些可选的实施例中，步骤206包括：当根据薄膜材料信息和实时温度信息，无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和量测电阻值，确定待检测芯片的薄膜厚度。
作为示例，电阻率数据库中存储有材料A在温度20℃-25℃范围内每一温度值对应的电阻率值，当薄膜材料信息对应材料A，实时温度信息对应19℃时，电阻率数据库中不存在材料A在温度19℃时对应的电阻率值，因此处理器无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值，又或者，当薄膜材料信息对应材料B，电阻率数据库中不存在材料B在任意温度值对应的电阻率值，因此处理器也无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值。
处理器可以在根据薄膜材料信息和实时温度信息，无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值时，通过终端的人机交互界面发出提示，用户根据提示可以选择是否手动输入补充电阻率值，若用户不输入补充电阻率值，则处理器采用四探针技术测量模式（RS量测模式），此时处理器只能输出量测电阻值；若用户输入补充电阻率值，则处理器采用膜厚量测模式，此时处理器采用用户输入的补充电阻率值替换从电阻率数据库中匹配到的电阻率值，并进一步确定待检测芯片的薄膜厚度。又例如，处理器若通过终端的人机交互界面发出提示，且在预设时间内未接收到用户通过人机交互界面做出的选择，则自动选择RS量测模式进行量测电阻值的输出。
作为示例，在RS量测模式下，处理器直接输出量测电阻值，此时处理器仅能输出量测电阻值。
作为示例，在膜厚量测模式下，采用如下公式，根据补充电阻率值和量测电阻值，确定待检测芯片的薄膜厚度：
Y=(S1/S2)*[A+BX^(-1)]
S1/S2表示校正系数，默认为1；A表示offset，用于补偿实际量测导致的差异，默认为0；B表示补充电阻率值，X表示量测电阻值。
本实施例中，处理器可以在电阻率数据库中不存在薄膜材料信息和实时温度信息对应的电阻率值时，直接输出量测电阻值，或是根据用户输入的补充电阻率值和量测电阻值计算薄膜厚度，以防止因为电阻率数据库中的数据缺失造成薄膜厚度的自动计算过程无法继续进行。
在一些可选的实施例中，薄膜厚度确定方法还包括：将薄膜材料信息、实时温度信息和补充电阻率值添加至电阻率数据库中。
本实施例中，当电阻率数据库中不存在待检测芯片的薄膜材料信息、实时温度信息对应的电阻率值、且用户通过终端的人机交互界面输入了补充电阻率值时，处理器可以自动将待检测芯片的薄膜材料信息、实时温度信息和补充电阻率值三者之间的对应关系存入电阻率数据库中，以实现电阻率数据库的更新，通过该种方式，电阻率数据库中存储的薄膜材料、温度值和电阻率值三者之间的映射关系越来越多，电阻率数据库存储的数据能够更加丰富准确。
在一些可选的实施例中，步骤204还包括：当确定实时温度信息所表示的实时温度值不符合预设温度范围时，发出告警。
作为示例，当预设温度范围为[20℃,25℃]，且实时温度信息所表示的实时温度值为19℃时，处理器可以通过终端的人机交互界面发出告警，以提示工作人员当前的环境温度异常。
当实时温度信息所表示的实时温度值超出预设温度范围时，处理器可以发出高温预警，工作人员根据告警可以对机台进行冷却。当实时温度信息所表示的实时温度值低于预设温度范围时，处理器可以发出低温预警，工作人员根据告警可以对机台进行加热。
需要说明的是，发出告警的方式可以包括信号灯告警、声音告警、文字告警、蜂鸣器告警等，该设置旨在通过终端提示工作人员环境温度异常，本申请对提示的方法不做限制，与该设置目的相同的提示方法均应包含在本发明的保护范围内。
本实施例中，处理器可以根据传感器实际采集到的环境温度，确定机台当前的环境温度是否符合预先规定的温度范围，并在环境温度过高或过低时，对机台进行冷却或加热，以保证在计算薄膜厚度时的环境温度不会影响计算结果，使得薄膜厚度的计算结果更准确。
上述薄膜厚度确定方法中，能够根据待检测芯片的制作材料和实时的温度值，从电阻率数据库中匹配到对应的电阻率值，并结合RS量测过程中实际测量得到的量测电阻值，共同计算薄膜厚度，并且，当电阻率数据库中不存在待检测芯片的制作材料和实时的温度值对应的电阻率值时，能够直接输出量测电阻值，或是采用用户输入的补充电阻率值取代本应从电阻率数据库中匹配到的电阻率值，根据补充电阻率值和量测电阻值计算薄膜厚度。通过该种设置，将温度对电阻率值的影响考虑在内，使得最终计算得到的薄膜厚度更加准确，并且在电阻率数据库中存储的数据有缺失时，仍然能够自动计算薄膜厚度，保证了计算过程的全自动性，并且，处理器能够根据用户输入的补充电阻率值，自动对电阻率数据库进行补充更新，使得之后的薄膜厚度计算过程能够更准确。
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的薄膜厚度确定方法的薄膜厚度确定装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个薄膜厚度确定装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于薄膜厚度确定方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种薄膜厚度确定装置500，包括：获取模块502、第一确定模块504和第二确定模块506，其中：
获取模块502用于获取待检测芯片的薄膜材料信息；
第一确定模块504用于根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；
第二确定模块506用于根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。
如图6所示，在一些可选的实施例中，薄膜厚度确定装置500还包括：采集模块501、采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成电阻率数据库。
如图7所示，在一些可选的实施例中，电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；第一确定模块504包括：获取单元5042、用于获取待检测芯片的量测电阻值；匹配单元5044、用于根据薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值；第二确定模块506还被配置为：根据量测电阻值和电阻率值，确定薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，第二确定模块506还被配置为：当根据薄膜材料信息和实时温度信息，无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和量测电阻值，确定待检测芯片的薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，第二确定模块506还被配置为：将薄膜材料信息、实时温度信息和补充电阻率值添加至电阻率数据库中。
在一些可选的实施例中，第一确定模块504还被配置为：当确定实时温度信息所表示的实时温度值不符合预设温度范围时，发出告警。
上述薄膜厚度确定装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口、通信接口、显示单元和输入装置。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接，通信接口、显示单元和输入装置通过输入/输出接口连接到系统总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种薄膜厚度确定方法。该计算机设备的显示单元用于形成视觉可见的画面，可以是显示屏、投影装置或虚拟现实成像装置。显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如下步骤：获取待检测芯片的薄膜材料信息；根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成电阻率数据库。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息，包括：获取待检测芯片的量测电阻值；根据薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值；根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度，包括：根据量测电阻值和电阻率值，确定薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：当根据薄膜材料信息和实时温度信息，无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和量测电阻值，确定待检测芯片的薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：将薄膜材料信息、实时温度信息和补充电阻率值添加至电阻率数据库中。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：当确定实时温度信息所表示的实时温度值不符合预设温度范围时，发出告警。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序产品被处理器执行时实现如下步骤：获取待检测芯片的薄膜材料信息；根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成电阻率数据库。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息，包括：获取待检测芯片的量测电阻值；根据薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值；根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度，包括：根据量测电阻值和电阻率值，确定薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：当根据薄膜材料信息和实时温度信息，无法从电阻率数据库中匹配到待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和量测电阻值，确定待检测芯片的薄膜厚度。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：将薄膜材料信息、实时温度信息和补充电阻率值添加至电阻率数据库中。
在一些可选的实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现如下步骤：当确定实时温度信息所表示的实时温度值不符合预设温度范围时，发出告警。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种薄膜厚度确定方法，其特征在于，包括：
获取待检测芯片的薄膜材料信息；
根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；
根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述待检测芯片对应的电阻率信息之前，还包括：
采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成所述电阻率数据库。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；
所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，包括：
获取所述待检测芯片的量测电阻值；
根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值；
所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：
根据所述量测电阻值和所述电阻率值，确定所述薄膜厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：
当根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，无法从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和所述量测电阻值，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将所述薄膜材料信息、实时温度信息和所述补充电阻率值添加至所述电阻率数据库中。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，还包括：
当确定所述实时温度信息所表示的实时温度值不符合所述预设温度范围时，发出告警。
7.一种薄膜厚度确定装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取待检测芯片的薄膜材料信息；
第一确定模块，用于根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；
第二确定模块，用于根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的薄膜厚度确定方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的薄膜厚度确定方法的步骤。
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