CN115637432B - 一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件 - Google Patents
一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115637432B CN115637432B CN202211213707.1A CN202211213707A CN115637432B CN 115637432 B CN115637432 B CN 115637432B CN 202211213707 A CN202211213707 A CN 202211213707A CN 115637432 B CN115637432 B CN 115637432B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal workpiece
- workpiece
- metal
- groove
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002761 deinking Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明涉及散热金属工件技术领域，尤其是指一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及通过该方法制得的金属工件，该方法包括以下步骤：A.对金属工件进行清洁，然后对金属工件进行掩膜；B.对金属工件喷淋蚀刻液，通过蚀刻液对金属工件未掩膜位置进行蚀刻以形成预设槽；C.对金属工件进行清洗；D.通过离子束撞击金属工件的预设槽而形成沟槽；沟槽的侧壁因金属颗粒附着而形成孔隙结构；E.对金属工件进行清洗。本发明通过对蚀刻形成的预设槽进行离子束加工，通过离子束撞击而让预设槽形成深度更大的沟槽，且因离子束撞击而溅射的金属颗粒会附着在沟槽两侧以填补被侧蚀产生的凹陷，并在沟槽两侧形成孔隙结构，使得所制得的产品毛细性能更佳。
Description
技术领域
本发明涉及散热金属工件技术领域，尤其是指一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法。
背景技术
随着微电子制造技术的快速发展，推动了微尺度散热器件的快速发展，尤其是热管以及平板型热管（均热板）的发展，热管体形的微尺度化使得市场对其内部结构提出了更高的要求。以往常用金属蚀刻工艺来制作平板热管内部沟槽，以得到毛细力。热管性能主要由内部毛细性能决定，而毛细性能又受到热管壳体上沟槽深宽比的影响，深宽比越大，则毛细性能越好，则热管的性能越好。
但目前金属蚀刻加工技术难以突破高深宽比的瓶颈：基于在蚀刻时，蚀刻液在形成的槽内向下蚀刻金属工件的过程中，也会向着槽的两侧进行蚀刻，导致槽的深宽比通常到达一定数值后就难以提成，从而让金属工件的毛细性能无法进一步提升。
发明内容
本发明针对现有技术的问题提供一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
本发明提供的一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法，包括以下步骤：
A.对金属工件进行清洁，然后对金属工件进行掩膜；
B.对金属工件喷淋蚀刻液，通过蚀刻液对金属工件未掩膜位置进行蚀刻以形成预设槽；
C.对金属工件进行清洗；
D.通过离子束撞击金属工件预设槽，使得预设槽底部凹陷，且因撞击而溅射出的金属颗粒附着在预设槽侧壁以填补侧蚀产生的凹陷部位，以使得预设槽变为沟槽；沟槽的侧壁因金属颗粒附着而形成孔隙结构；
E.对金属工件进行清洗，以去除膜层。
进一步的，步骤D在气压值为2Pa的环境下，采用能量为0.1-5keV、离子直径为0.1-0.9nm的氩离子束进行撞击。
进一步的，所述预设槽的宽度为0.3-0.4mm、深度为0.3-0.4mm，沟槽宽度为0.3-0.5mm、深度为0.85-0.95mm。
进一步的，步骤A具体包括：
A1.在PH值为12-13.2、环境温度为48-52℃下，采用除油粉含量为1-1.5%的水溶液对金属工件进行除油；
A2.通过清水清洗金属工件；
A3.采用浓度为5%的盐酸溶液酸洗金属工件；
A4.采用清水清洗金属工件；
A5.烘干金属工件；
A6.对金属工件进行掩膜处理。
进一步的，步骤A6具体包括：
A61.在金属工件表面涂布一层感光膜层，感光膜层的厚度为0.18-0.21mm；
A62.把金属工件不需要蚀刻的位置采用菲林片进行遮盖，随后用紫外线对感光膜层进行曝光处理；
A63.使用显影液对金属工件进行显影处理，以使得需要蚀刻位置的感光膜层被碱性溶液溶解；其中显影液为浓度是0.5%的碳酸钠水溶液，显影处理在PH值为9.9-10.1、温度为38-42℃、气压值为3±0.3Kg/cm2的环境下进行；
A64.对金属工件进行烘干。
进一步的，在PH值为1.35±0.3、浓度为1.2%、温度为48-51℃、压力为3±0.3Kg/cm2的环境下执行步骤B，且蚀刻时金属工件的蚀刻位置处电位为700-900mV。
进一步的，在步骤C中，对蚀刻后的金属工件依此进行水洗、烘干、采用浓度为5%的盐酸水溶液酸洗、水洗、烘干，以去除金属工件表面的氧化膜。
进一步的，步骤E中具体包括：
E1.采用脱墨液与除油液在碱性环境下洗去金属工件表面的感光膜层；
E2.对金属工件进行水洗。
本发明还提供了一种金属工件，通过上述的方法制备而成。
本发明的有益效果：本发明通过对蚀刻形成的预设槽进行离子束加工，通过离子束撞击而让预设槽形成深度更大的沟槽，且因离子束撞击而溅射的金属颗粒会附着在沟槽两侧以填补被侧蚀产生的凹陷，并在沟槽两侧形成孔隙结构，以使得所制得的产品毛细性能更佳。
附图说明
图1为本发明的流程图。
图2为本发明的原理图解。
图3为图2的A处放大图。
图4为图2的B处放大图。
附图标记：1—金属工件，2—感光膜层，3—预设槽，4—凹陷部位，5—沟槽。
实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。以下结合附图对本发明进行详细的描述。
如图1至图4所示，本发明提供的一种基于具有孔隙的高深宽比金属表面沟槽制作方法，包括以下步骤：
A.对金属工件1进行清洁，然后对金属工件1进行掩膜；
B.对金属工件1喷淋蚀刻液，通过蚀刻液对金属工件1未掩膜位置进行蚀刻以形成预设槽3；
C.对金属工件1进行清洗；
D.通过离子束撞击金属工件1预设槽3，使得预设槽3底部凹陷，且因撞击而溅射出的金属颗粒附着在预设槽3侧壁以填补侧蚀产生的凹陷部位4，以使得预设槽3变为沟槽5；沟槽5的侧壁因金属颗粒附着而形成孔隙结构；
E.对金属工件1进行清洗，以去除膜层。
本发明操作简单，即先通过蚀刻形成预设槽3后，该预设槽3通常为倒置的梯形，且该梯形的深度与底部宽度之比接近1:1；随后通过离子束撞击预设槽3底部而使得预设槽3变深，并让因离子束撞击而形成的金属颗粒进行溅射；由于预设槽3为顶部开口的结构，因此金属颗粒大部分会溅射到预设槽3的两侧，从而起到填补因侧蚀而导致的凹陷结构，使得所制得的成型槽截面形状大致为矩形、且两侧均因金属颗粒附着而形成纳米级的孔隙结构，使得因本发明所制得的工件具有高深宽比的沟槽5之余，还具有了两种级别（分别是由蚀刻形成的微米级以及金属颗粒附着形成的纳米级）的孔隙结构，从而提升了毛细性能。
在本实施例中，所述预设槽3的宽度为0.3-0.4mm、深度为0.3-0.4mm。
步骤D在气压值为2Pa的环境下，采用能量为0.1-5keV、离子直径为0.1-0.9nm的氩离子束进行撞击，因高能氩离子所传递的能量超过工件表面金属原子的间键合力时，材料表面的原子被逐个溅射出来，在沟槽5侧壁沉积形成孔隙结构，以达到离子束加工目的，形成宽度为0.3-0.5mm、深度为0.85-0.95mm的具有高效毛细性能的沟槽5结构。
在本实施例中，步骤A具体包括：
A0.于原料中裁切出金属工件1，该金属工件1的尺寸为80*20*1mm，长宽的尺寸公差分别为±1mm；
A1.在PH值为12-13.2、环境温度为48-52℃下，采用除油粉含量为1-1.5%的水溶液对金属工件1进行除油；
A2.通过清水清洗金属工件1；
A3.采用浓度为5%的盐酸溶液酸洗金属工件1；
A4.采用清水清洗金属工件1；
A5.烘干金属工件1；通过步骤A1-A5的执行，彻底清除基材表面的油污及氧化膜，目的是保证油墨与基材表面有良好的附着力；
A6.对金属工件1进行掩膜处理。
具体的，步骤A6具体包括：
A61.在金属工件1表面涂布一层感光膜层2，感光膜层2的厚度为0.18-0.21mm；
A62.把金属工件1不需要蚀刻的位置采用菲林片进行遮盖，随后用紫外线对感光膜层2进行曝光处理；
A63.使用显影液对金属工件1进行显影处理，以使得需要蚀刻位置的感光膜层2被碱性溶液溶解；其中显影液为浓度是0.5%的碳酸钠水溶液，显影处理在PH值为9.9-10.1、温度为38-42℃、气压值为3±0.3Kg/cm2的环境下进行；
A64.对金属工件1进行烘干。
在本实施例中，在PH值为1.35±0.3、浓度为1.2%、温度为48-51℃、压力为3±0.3Kg/cm2的环境下执行步骤B，且蚀刻时金属工件1的蚀刻位置处电位为700-900mV。由于金属表面有保护层（即感光膜层2经显影后所形成的膜层）存在，仅有被曝光区域受到刻蚀，刻蚀形成宽度为0.4 mm深度为0.4 mm的预设槽3。
在本实施例中，在步骤C中，对蚀刻后的金属工件1依此进行水洗、烘干、采用浓度为5%的盐酸水溶液酸洗、水洗、烘干，以去除金属工件1表面的氧化膜，从而减小氧化膜对离子束的影响。
在本实施例中，步骤E中具体包括：
E1.采用脱墨液与除油液在碱性环境下洗去金属工件1表面的感光膜层2；
E2.对金属工件1进行水洗，从而实现了彻底取出金属工件1表面的感光膜层2的效果。
以上所述，仅是本发明较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明以较佳实施例公开如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当利用上述揭示的技术内容作出些许变更或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明技术是指对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。
Claims (6)
1.一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
A.对金属工件进行清洁，然后对金属工件进行掩膜；
B.对金属工件喷淋蚀刻液，通过蚀刻液对金属工件未掩膜位置进行蚀刻以形成预设槽；
C.对金属工件进行清洗；
D.通过离子束撞击金属工件预设槽，使得预设槽底部凹陷，且因撞击而溅射出的金属颗粒附着在预设槽侧壁以填补侧蚀产生的凹陷部位，以使得预设槽变为沟槽；沟槽的侧壁因金属颗粒附着而形成孔隙结构；
E.对金属工件进行清洗，以去除膜层；
步骤D在气压值为2Pa的环境下，采用能量为0.1-5keV、离子直径为0.1-0.9nm的氩离子束进行撞击；
所述预设槽的宽度为0.3-0.4mm、深度为0.3-0.4mm，沟槽宽度为0.3-0.5mm、深度为0.85-0.95mm；
在PH值为1.35±0.3、浓度为1.2%、温度为48-51℃、压力为3±0.3Kg/cm2的环境下执行步骤B，且蚀刻时金属工件的蚀刻位置处电位为700-900mV。
2.根据权利要求1所述的具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法，其特征在于：步骤A具体包括：
A1.在PH值为12-13.2、环境温度为48-52℃下，采用除油粉含量为1-1.5%的水溶液对金属工件进行除油；
A2.通过清水清洗金属工件；
A3.采用浓度为5%的盐酸溶液酸洗金属工件；
A4.采用清水清洗金属工件；
A5.烘干金属工件；
A6.对金属工件进行掩膜处理。
3.根据权利要求2所述的具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法，其特征在于：步骤A6具体包括：
A61.在金属工件表面涂布一层感光膜层，感光膜层的厚度为0.18-0.21mm；
A62.把金属工件不需要蚀刻的位置采用菲林片进行遮盖，随后用紫外线对感光膜层进行曝光处理；
A63.使用显影液对金属工件进行显影处理，以使得需要蚀刻位置的感光膜层被碱性溶液溶解；其中显影液为浓度是0.5%的碳酸钠水溶液，显影处理在PH值为9.9-10.1、温度为38-42℃、气压值为3±0.3Kg/cm2的环境下进行；
A64.对金属工件进行烘干。
4.根据权利要求1所述的具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法，其特征在于：在步骤C中，对蚀刻后的金属工件依此进行水洗、烘干、采用浓度为5%的盐酸水溶液酸洗、水洗、烘干，以去除金属工件表面的氧化膜。
5.根据权利要求1所述的具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法，其特征在于：步骤E中具体包括：
E1.采用脱墨液与除油液在碱性环境下洗去金属工件表面的感光膜层；
E2.对金属工件进行水洗。
6.一种金属工件，其特征在于：通过权利要求1-5任意一项所述的方法制备而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211213707.1A CN115637432B (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211213707.1A CN115637432B (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115637432A CN115637432A (zh) | 2023-01-24 |
| CN115637432B true CN115637432B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=84941174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211213707.1A Active CN115637432B (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115637432B (zh) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1224077A (zh) * | 1998-12-17 | 1999-07-28 | 中国科学院上海冶金研究所 | 反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺 |
| KR100608378B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2006-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 리세스 게이트 형성방법 |
| CN101036218A (zh) * | 2004-10-08 | 2007-09-12 | 西尔弗布鲁克研究有限公司 | 从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法 |
| WO2008153674A1 (en) * | 2007-06-09 | 2008-12-18 | Boris Kobrin | Method and apparatus for anisotropic etching |
| CN101798675A (zh) * | 2010-04-07 | 2010-08-11 | 苏州羿日新能源有限公司 | 电场约束等离子体线性反应溅射镀膜阴极装置 |
| JP2010209406A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Sharp Corp | 金属のエッチング方法および金属板と半導体素子実装用支持基板 |
| CN103915330A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 基片刻蚀方法 |
| CN111465277A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司 | 一种蚀刻不同厚度制备散热片的方法 |
| CN112490121A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-12 | 璨隆科技发展有限公司 | 一种金属辅助电化学的p型/绝缘型碳化硅蚀刻方法 |
| CN113969403A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-25 | 湖南工程学院 | 一种镍、钛高温合金的蚀刻液及方法 |
| CN114016030A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-02-08 | 深圳市腾鑫精密电子芯材科技有限公司 | 一种5g手机用超薄型vc铜片散热板的加工工艺 |
| CN114864413A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 扬州赛诺高德电子科技有限公司 | 一种超薄金属散热片的蚀刻工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050029221A1 (en) * | 2003-08-09 | 2005-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Deep trench etching using HDP chamber |
-
2022
- 2022-09-30 CN CN202211213707.1A patent/CN115637432B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1224077A (zh) * | 1998-12-17 | 1999-07-28 | 中国科学院上海冶金研究所 | 反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺 |
| CN101036218A (zh) * | 2004-10-08 | 2007-09-12 | 西尔弗布鲁克研究有限公司 | 从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法 |
| KR100608378B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2006-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 리세스 게이트 형성방법 |
| WO2008153674A1 (en) * | 2007-06-09 | 2008-12-18 | Boris Kobrin | Method and apparatus for anisotropic etching |
| JP2010209406A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Sharp Corp | 金属のエッチング方法および金属板と半導体素子実装用支持基板 |
| CN101798675A (zh) * | 2010-04-07 | 2010-08-11 | 苏州羿日新能源有限公司 | 电场约束等离子体线性反应溅射镀膜阴极装置 |
| CN103915330A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 基片刻蚀方法 |
| CN111465277A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司 | 一种蚀刻不同厚度制备散热片的方法 |
| CN112490121A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-12 | 璨隆科技发展有限公司 | 一种金属辅助电化学的p型/绝缘型碳化硅蚀刻方法 |
| CN114016030A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-02-08 | 深圳市腾鑫精密电子芯材科技有限公司 | 一种5g手机用超薄型vc铜片散热板的加工工艺 |
| CN113969403A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-25 | 湖南工程学院 | 一种镍、钛高温合金的蚀刻液及方法 |
| CN114864413A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 扬州赛诺高德电子科技有限公司 | 一种超薄金属散热片的蚀刻工艺 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 模具钢喷淋微细蚀刻的侧蚀研究;宋卿;于兆勤;王冠;郭钟宁;黄红光;腐蚀科学与防护技术(第003期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115637432A (zh) | 2023-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2004065660A1 (ja) | 金属フォトエッチング製品及びその製造方法 | |
| US20100068453A1 (en) | Method for producing processed glass substrate | |
| CN105000530B (zh) | 制造强化的钟表组件的方法和相应的钟表组件和钟表 | |
| JP2017015815A (ja) | 遮光部材及びその製造方法 | |
| US5178725A (en) | Method for working ceramic material | |
| CN112034540B (zh) | 微凸透镜阵列结构的加工方法 | |
| CN115637432B (zh) | 一种具有孔隙和高深宽比沟槽的工件制作方法及金属工件 | |
| JP2007145656A (ja) | 縦穴を有するガラス基板およびその製造方法 | |
| CN108048841A (zh) | 一种铭牌加工方法 | |
| KR100750314B1 (ko) | 정밀 전주를 위한 메쉬형 음극드럼 및 이의 제조방법 | |
| WO2002041351A2 (en) | Method of fabricating capillary discharge plasma display panel using combination of laser and wet etchings | |
| JP2010070415A (ja) | 加工ガラス基板の製造方法 | |
| CN103203955B (zh) | 一种台阶模板的混合制作工艺 | |
| CN111465277A (zh) | 一种蚀刻不同厚度制备散热片的方法 | |
| JP4994719B2 (ja) | 陽極酸化被膜剥離液及び陽極酸化被膜の剥離方法 | |
| JP3804534B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| US3668029A (en) | Chemical machining process | |
| JP2007111942A (ja) | メタルマスク及びその製造方法 | |
| JP2013147404A (ja) | 貫通穴付きガラス基板の製造方法 | |
| US4401508A (en) | Method for removing insolubilized PVA from the surface of a body | |
| CN116288374A (zh) | 一种基于蚀刻及电沉积的金属表面二次加工方法 | |
| JP2004218033A (ja) | エッチング製品及びエッチング方法 | |
| JP2004071354A (ja) | 有機ｅｌディスプレイのガラスキャップの製造方法及び前記ガラスキャップ | |
| CN218270326U (zh) | 一种具有孔隙的金属表面异形截面沟槽结构 | |
| CN111163597A (zh) | 一种PCB cavity结构的制作工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: Room 101, Building 5, No. 788 Xiecao Road, Xiegang Town, Dongguan City, Guangdong Province, 523000 Patentee after: Dongguan sanuogaode Etching Technology Co.,Ltd. Address before: 523000 Room 101, building 1, No. 22, Jinlang Third Street, Diao Lang, Huangjiang Town, Dongguan City, Guangdong Province Patentee before: Dongguan sanuogaode Etching Technology Co.,Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |