CN115621357A - 一种提高成品异质结太阳电池效率的方法 - Google Patents

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陈伟文
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尤宇文
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Abstract

本发明公开了一种提高成品异质结太阳电池效率的方法,所述方法包括如下步骤:首先对电池片进行预热,预热温度为150℃‑220℃,时间为1min‑10min;在预热的同时对电池进行光照处理,光照时间为1min‑10min;光照处理后对电池进行降温,保持温度为100℃‑150℃,然后开始对电池进行通电处理,通电时间为5min‑30min。本发明创造性地将光注入作为激活电子空穴对和缺陷活性的方法,结合电注入,持续地将电子空穴对激发与非晶硅内的氢原子结合形成氢离子,钝化非晶硅与硅片的界面处的缺陷,钝化效果稳定,钝化效果比短时高光强光注入效果好,所需光源和电源的功率要求低,无需高功率光源和电源,综合成本低,适合异质结电池产线生产。

Description

一种提高成品异质结太阳电池效率的方法
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种提高成品异质结太阳电池效率的方法。
背景技术
随着太阳能电池的发展与应用,高效低成本的电池越来越受市场的欢迎。最近几年平价上网的呼声越来越高,领跑者项目的中标电价已经开始触及发电侧平价时,高效电池的开发已受到各大光伏企业的高度重视。采用非晶硅本征层钝化的硅基异质结(HIT)太阳电池,交叉指式背接触(IBC)太阳电池,以及近年较火的隧穿氧化层背钝化(TOPCon)太阳电池三者并列为未来方向的高效太阳电池。其中,硅基异质结(HIT)电池由于其高开路电压,高转换效率,低温度系数,无光致衰减(LID)和电诱导衰减(PID)等优点成为行业中最具开发潜力的一种高效电池。硅基异质结(HIT)电池还具有制备工艺温度低,工艺步骤少,双面发电特性,可使用超薄硅片等降低成本的方法,很可能成为未来独占市场的光伏产品。
现已有一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺,通过短时高光强(最大80000W/m2250s)的方式对电池进行光注入处理,以钝化硅片与非晶硅界面的缺陷,达到提高电池电性能的目的。但是该工艺所钝化的缺陷状态是不稳定的,随着时间的增加钝化效果会逐渐消失,在组件制作中层压热处理下也会在短时间内失去钝化效果。具体表现为电池静置衰减比例大,或者说在热处理后电池效率下降严重,组件功率不及预期。且该技术要求高光强,灯源造价高,寿命低,技术相对应的设备综合成本高。
现生产的硅基异质结(HIT)电池量产效率已经达到23.5%,60版型的双面玻璃组件功率已达335W以上。但是随着制程工艺的不断改进,效率提升已至瓶颈阶段,而且异质结电池的生产成本也居高不下,大大制约了硅基异质结电池的发展。因此,必须在现有制程工艺以外新增工艺,去进一步提升电池效率及组件功率,同时从各方面降低生产成本,做到平价上网甚至上网电价比现有火电价格更低,才能加快硅基异质结太阳电池的大规模产业化进程。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种对照射灯源和电注入电源要求较低,无需高功率灯源和电源,成本低,适合硅基异质结产线生产的提高成品异质结太阳电池效率的方法。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:一种提高成品异质结太阳电池效率的方法,所述方法包括如下步骤:
首先对电池片进行预热,预热温度为150℃-220℃,时间为1min-10min;
在预热的同时对电池进行光照处理,光照时间为1min-10min;
光照处理后对电池进行降温,保持温度为100℃-150℃,然后开始对电池进行通电处理,通电时间为5min-30min。
进一步的,所述电池片进行预热的加热方式包括且不限于热风加热、红外加热、电热板加热。
进一步的,所述光照处理的光照灯源使用且不限于LED灯源、卤素灯源,光照强度为5000W/m2-10000W/m2
进一步的,所述通电处理采用恒流电源,电流恒定为10A-20A。
由上述对本发明结构的描述可知,和现有技术相比,本发明具有如下优点:
1、本发明创造性地将光注入作为激活电子空穴对和缺陷活性的方法,结合电注入,持续地将电子空穴对激发与非晶硅内的氢原子结合形成氢离子,钝化非晶硅与硅片的界面处的缺陷,钝化效果稳定,钝化效果比短时高光强光注入效果好,具体表现为电池效率提升大体相同,电池效率静置衰减小,经过160℃、20min热处理的电池效率下降小。
2、本发明所需光源和电源的功率要求低,无需高功率光源和电源,综合成本低,适合异质结电池产线生产。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明一种提高成品异质结太阳电池效率的方法的流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一
参考图1,本实施例的提高成品硅基异质结电池效率的工艺方法,采用热风预热电池至190℃,开始进行光注入,光注入光强为5000W/m2,光注入时间为6min。然后电池降温至140℃,开始进行电注入,电注入电流为12A,电注入时间为25min。测试电池初始电性能,处理后电性能,黑暗条件下静置一个月的电性能,同步测试处理后再进行热处理后的电性能。
实施例二
本实施例的提高成品硅基异质结电池效率的工艺方法,采用热风预热电池至150℃,开始进行光注入,光注入光强为10000W/m2,光注入时间为3min。然后电池降温至120℃,开始进行电注入,电注入电流为18A,电注入时间为15min。测试电池初始电性能,处理后电性能,黑暗条件下静置一个月的电性能,同步测试处理后再进行热处理后的电性能。
实施例三
本实施例的提高成品硅基异质结电池效率的工艺方法,采用热风预热电池至170℃,开始进行光注入,光注入光强为7000W/m2,光注入时间为5min。然后电池降温至100℃,开始进行电注入,电注入电流为20A,电注入时间为10min。测试电池初始电性能,处理后电性能,黑暗条件下静置一个月的电性能,同步测试处理后再进行热处理后的电性能。
实施对照例:采用现有光注入技术作为对照例,光注入光强为50000W/m2,光注入时间为1min,电池温度控制在220℃。测试电池初始电性能,处理后电性能,黑暗条件下静置一个月的电性能,同步测试处理后再热处理后的电性能。
实施例处理后静置一个月的电性能对照表
Eta增益(相对初始) 初始 处理后 静置一个月
实施例一 0 0.38 0.31
实施例二 0 0.33 0.29
实施例三 0 0.37 0.33
实施对照例 0 0.35 0.14
实施例处理后并热处理的电性能对照表
Eta增益(相对初始) 初始 处理后 热处理
实施例一 0 0.37 0.31
实施例二 0 0.33 0.3
实施例三 0 0.39 0.32
实施对照例 0 0.43 0.19
上述实施例在电池处于一定温度下,通过短时低光强的照射激发电池内电子空穴对和缺陷等的活性,然后通过电注入的方法,将电子空穴对持续地激发与非晶硅内的氢原子结合,形成具有钝化效果的氢离子,从而钝化非晶硅与硅片界面的缺陷。该种方式下钝化效果较好,所钝化的缺陷稳定不易分解,表现为经过该种方式的电池效率有较大提升,且其静置衰减比例小。该发明对照射灯源和电注入电源要求较低,无需高功率灯源和电源,成本低,适合异质结电池产线生产
本发明创造性地将光注入作为激活电子空穴对和缺陷活性的方法,结合电注入,持续地将电子空穴对激发与非晶硅内的氢原子结合形成氢离子,钝化非晶硅与硅片的界面处的缺陷,钝化效果稳定,钝化效果比短时高光强光注入效果好,参考电性能对照表,具体表现为电池效率提升大体相同,电池效率静置衰减小,经过160℃、20min热处理的电池效率下降小,所需光源和电源的功率要求低,无需高功率光源和电源,综合成本低,适合异质结电池产线生产。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种提高成品异质结太阳电池效率的方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:
首先对电池片进行预热,预热温度为150℃-220℃,时间为1min-10min;
在预热的同时对电池进行光照处理,光照时间为1min-10min;
光照处理后对电池进行降温,保持温度为100℃-150℃,然后开始对电池进行通电处理,通电时间为5min-30min。
2.根据权利要求1所述一种提高成品异质结太阳电池效率的方法,其特征在于:所述电池片进行预热的加热方式包括且不限于热风加热、红外加热、电热板加热。
3.根据权利要求1所述一种提高成品异质结太阳电池效率的方法,其特征在于:所述光照处理的光照灯源使用且不限于LED灯源、卤素灯源,光照强度为5000W/m2-10000W/m2
4.根据权利要求1所述一种提高成品异质结太阳电池效率的方法,其特征在于:所述通电处理采用恒流电源,电流恒定为10A-20A。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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