CN115602768A - 一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法，其中所述发光二极管器件，包括：衬底基板；发光功能层，设置在衬底基板的一侧；发光功能层包括阵列分布的多个发光单元，相邻两个发光单元之间设置有的隔离槽，隔离槽的侧壁与衬底基板的夹角角度小于90°；N型电极，设置在隔离槽的侧壁，并位于侧壁的靠近衬底基板的一端；P型电极，设置在发光功能层远离衬底基板的一侧。本发明能够有效削弱器件内部的全反射，提高出光率；可通过刻蚀工艺完成，有效控制设备和工艺成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法。
背景技术
目前的(Al)GaN基紫外发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因为其在空气净化、水净化、杀菌消毒、紫外光疗、生化检测、保密通信等领域的广泛应用前景而受到持续关注。紫外发光二极管的量子阱发出的光子由于(Al)GaN独特的TM偏振与器件内部的全反射效应，只有极小部分的光子从蓝宝石背面与划片道侧壁被提取，光萃取效率极低。目前普遍通过外延结构设计、高反射的n电极结构、光子晶体等技术对紫外LED的光子进行提取。但是该种方案需要对于削弱芯片全反射效应不明显，且设备成本、工艺成本均较高，良率较低。
由此可见，现有技术在解决紫外发光二极管全反射效应时存在成本高，全反射效应削弱不明显的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提出了一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法，可有效削弱紫外发光二极管全反射效应，且成本低。
第一方面，本申请通过一实施例提供如下技术方案：
一种发光二极管器件，包括：
衬底基板；发光功能层，设置在所述衬底基板的一侧；所述发光功能层包括阵列分布的多个发光单元，相邻两个所述发光单元之间设置有的隔离槽，所述隔离槽的侧壁与所述衬底基板的夹角角度小于90°；N型电极，设置在隔离槽的侧壁，并位于所述侧壁的靠近所述衬底基板的一端；P型电极，设置在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述夹角角度为30°～60°。
可选的，所述发光二极管器件还包括：
N型电极连接层，覆盖在所述隔离槽的侧壁与所述隔离槽底部，并导电接触相邻两个所述发光单元的N型电极。
可选的，所述发光二极管器件还包括：
反射层，设置在所述隔离槽的侧壁与所述N型电极连接层之间。
可选的，所述发光二极管器件还包括：
缓冲层，设置在所述衬底基板与所述发光功能层之间；其中，所述隔离槽穿透所述缓冲层。
可选的，所述发光功能层包括：
N型半导体层，设置在所述衬底基板的一侧；量子阱层，设置在所述N型半导体层的远离所述衬底基板的一侧；电子阻挡层，设置在所述量子阱层的远离所述衬底基板的一侧；P型半导体层，设置在所述电子阻挡层的远离所述衬底基板的一侧；所述隔离槽的侧壁包括第一侧壁、第二侧壁和平台部，所述第一侧壁对应于所述N型半导体层、所述量子阱层和所述电子阻挡层，所述第二侧壁对应于所述P型半导体层，所述平台部设置在所述N型半导体层，且所述第一侧壁和所述第二侧壁通过所述平台部连接；所述N型电极设置在所述平台部。
可选的，所述N型半导体层的材料为N型(Al)GaN半导体材料，所述P型半导体层的材料为P型(Al)GaN半导体材料。
可选的，所述发光二极管器件还包括：
P型电极连接层，设置覆盖在所述P型电极远离所述衬底基板的一侧，并导电接触相邻两个所述发光单元的P型电极。
第二方面，基于同一发明构思，本申请通过一实施例提供如下技术方案：
一种紫外发光设备，包括前述第一方面中任一所述的发光二极管器件。
第三方面，基于同一发明构思，本申请通过一实施例提供如下技术方案：
一种发光二极管器件的制造方法，包括：
提供衬底基板；在所述衬底基板的一侧形成发光功能层；在所述发光功能层上形成隔离槽，以得到阵列分布的多个发光单元；所述隔离槽的侧壁与所述衬底基板的夹角角度小于90°；在隔离槽的侧壁形成N型电极，所述N型电极位于所述侧壁的靠近所述衬底基板的一端；在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成P型电极。
本发明实施例中提供的一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法，其中发光二极管器件中，设置隔离槽将发光二极管器件的发光功能层分割为多个独立的发光单元，也即形成像素阵列。从而可将器件内膜层切断，并且隔离槽的侧壁与衬底基板之间的夹角角度小于90°，能够有效的将光线反射向出光方向。因此，本发明实施例中提供的发光二极管器件能够有效削弱器件内部的全反射效应，并且提高出光率；可通过刻蚀工艺完成，可有效控制设备和工艺成本。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了光线在紫外LED器件内部的波导区传播的光路示意图；
图2为本发明实施例中的发光二极管器件的第一种实施的隔离槽结构示意图；
图3为本发明实施例中的发光二极管器件的第一种实施的结构示意图；
图4为本发明实施例中的发光二极管器件的第二种实施的隔离槽结构示意图；
图5为本发明实施例中的发光二极管器件的第二种实施的结构示意图；
图6为本发明实施例中的一发光二极管器件的制造方法的流程图；
图7为本发明实施例中的又一发光二极管器件的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
经研究发现，在本实施例中提供的一种紫外LED器件，其产生的紫外光会因为器件内部的全反射效应产生损耗，最终导致出光效果差。紫外光会在器件内部形成的波导区内传播产生严重损耗。如图1所示，其中示出了光线在紫外LED器件内部的波导区传播的光路示意图，紫外LED器件包括衬底基板1、设置在衬底基板1上的缓冲层2、设置在缓冲层2上的N型半导体层3、设置在N型半导体层3上的量子阱层4、设置在量子阱层4上的电子阻挡层5，和设置在电子阻挡层5上的P型半导体层6，其中，光线在N型半导体层3和缓冲层2各自形成的波导区内传播产生损耗，导致器件出光率低。因此在发明实施例中提供了一种发光二极管器件，设置隔离槽将发光二极管器件的发光功能层分割为多个独立的发光单元，也即形成像素阵列。从而可将器件内膜层形成的波导区切断，并且隔离槽的侧壁与衬底基板1之间的夹角角度小于90°，能够有效的将光线反射向出光方向。因此，本发明实施例中提供的发光二极管器件能够有效削弱器件内部的波导效应，并且提高出光率；可通过刻蚀工艺完成，可有效控制设备和工艺成本。该方案可尤其适用于UVA～UVC波段的(Al)GaN基紫外LED器件。下面通过具体实施例对本发明的发光二级管器件的各个实施细节进行详细的阐述和说明。
请参阅图2，在本发明的一实施例中提供了一种发光二极管器件100可包括衬底基板1、发光功能层20、N型电极7和P型电极8。
衬底基板1，可为C面衬底蓝宝石衬底。
发光功能层20，用于发光的主要结构层。该发光功能层20设置在衬底基板1的一侧。发光功能层20为图形化结构。发光功能层20包括阵列分布的多个发光单元21(像素阵列)，相邻两个发光单元21之间设置有的隔离槽，也即每相邻的两个发光单元21之间均被该隔离槽隔开，形成独立的多个发光单元21，避免光线在发光功能层中发生全反射。进一步的，隔离槽的侧壁与衬底基板1的夹角角度小于90°，也即0～90°，在发光功能层20产生光线时，光线可在隔离槽的侧壁发生反射，提高器件的出光率。
在一些实现方式中，单个发光单元21的尺寸范围在10nm-1200um，每个单元尺寸的特征为刻蚀深度与角度，可以理解的，发光单元21的刻蚀深度和刻蚀角度可通过刻蚀工艺进行控制和调整，在后文进行说明。多个发光单元21形成的阵列可以是均匀排布，也可以是非均匀排布；可以是周期性排布，也可以是非周期性排布，不做限制。进一步的，单个发光单元21的图形形貌包括但不限于单个或者多个倒梯形、正梯形、圆柱形、毛刺形等；也可包括但不限于单个或者多个不同形状或者不同深度的组合。
在一些实现方式中，还可在发光功能层20和衬底基板1之间设置缓冲层2，隔离槽的槽底可位于该缓冲层2之上，即缓冲层2的远离衬底基板1的一侧，如图3所示；也可位于该缓冲层2中(未图示)。另外，隔离槽还可穿透该缓冲层2，如图4所示；也就是说，制造该器件时，刻蚀隔离槽的深度还可以是发光功能层20的厚度和缓冲层2的厚度之和。当隔离槽穿透该缓冲层2时，可进一步的增加隔离槽侧壁对光线的反射能力，提高器件的出光率。
在一些实现方式中，该发光功能层20可包括N型半导体层3、量子阱层4、电子阻挡层5和P型半导体层6。其中，N型半导体层3设置在衬底基板1的一侧；量子阱层4设置在N型半导体层3的远离衬底基板1的一侧；电子阻挡层5设置在量子阱层4的远离衬底基板1的一侧；P型半导体层6设置在电子阻挡层5的远离衬底基板1的一侧。其中，N型半导体层3的材料可为N型(Al)GaN半导体材料，P型半导体层6的材料可为P型(Al)GaN半导体材料。
另外，由于隔离槽穿透了N型半导体层3，可减少N型电极7的面积，可在保证N型电极7的电学性能的前提下，尽可能的增加发光单元21之间的间距，增加对光子的反射面积，从而进一步的提高器件出光率。
在一些实现方式中，隔离槽的侧壁包括第一侧壁、第二侧壁和平台部，第一侧壁对应于P型半导体层6、量子阱层4和电子阻挡层5，也就是说，P型半导体层6、量子阱层4以及电子阻挡层5三者的侧壁共同形成了第一侧壁或第一侧壁的一部分；第二侧壁对应于N型半导体层3，也即N型半导体层3的侧壁形成第二侧壁或第二侧壁的一部分。平台部设置在N型半导体层3，且第一侧壁和第二侧壁通过平台部连接；该结构下，可将N型电极7设置在平台部，从而保证N型电极7良好的电学性能和稳定性。
在一些实现方式中，隔离槽的侧壁与衬底基板1的夹角角度可设置为30°～60°。在形成隔离槽的过程中，可通过掩膜工艺完成，使用材料包括但不限于光刻胶、二氧化硅等。还可通过ICP(Inductively Coupled Plasma，感应耦合等离子体)工艺对隔离槽的刻蚀的深度和角度进行调整；其中，刻蚀深度可通过ICP气体氛围、功率和时间等参数进行调试，此处，刻蚀深度可为2um(对应于第二侧壁在垂直于衬底基板1方向上的深度)，该刻蚀深度为N型半导体层3上的平台部与衬底基板1之间的宽度。刻蚀角度可调节掩膜材料的角度、ICP气体氛围与功率等参数进行调试。考虑到工艺线宽与该发光二极管器件100结构的尺寸大小，在本实施例中制造大于55°的侧壁结构时可优先采用二氧化硅作为掩膜材料进行ICP刻蚀，对于小于等于55°的侧壁结构时可优先采用光刻胶作为掩膜材料进行ICP刻蚀。在紫外LED的尺寸量级下，光刻胶作为掩膜材料在刻蚀形成大角度侧壁时会产生损耗和斜角，导致刻蚀的侧壁角度精度下降。因此，本实施例中在制造大于55°的侧壁结构时可优先采用二氧化硅作为掩膜材料。二氧化硅作为掩膜材料时，难以实现小角度的刻蚀。因此，在制造小于等于55°的侧壁结构时可优先采用光刻胶作为掩膜材料。通过上述方式，可保证刻蚀角度的准确。
在一些实现方式中，隔离槽的侧壁与衬底基板1的夹角角度过大会导致反射效果变差，当夹角角度过小会导致N型电极7的面积太小，影响其电学性能。因此，可将夹角角度设置为30°～55°，例如可为35°、40°、45°、48°、50°、52°等等。
P型电极8，设置在发光功能层20远离衬底基板1的一侧，该P型电极8可为Ni、Au、ITO、Rh等材料形成。可以理解的，每个发光单元21均对应有一P型电极8。该P型电极8的远离衬底基板1的一侧还可设置P型电极连接层10，也即P型电极连接层10覆盖在P型电极8远离衬底基板1的一侧。从而可实现相邻两个P型电极8之间的连接作用，还可对P型电极8起到加厚的效果，提高其电学性能。在P型电极连接层10远离衬底基板1的一侧还可设置第一焊盘金属层12a，通过该第一焊盘金属层12a可将P型电极8引出，以便于焊接至电路中。该第一焊盘金属层12a可为AuSn材料。
N型电极7，设置在隔离槽的侧壁，并位于侧壁的靠近衬底基板1的一端，即可设置在平台部并于N型半导体材料连接。可以理解的，每个发光单元21均对应有一N型电极7。该N型电极7的材料可选用Cr、Al、Ti、Au等导电材料中的一种或多种。同样的，还可设置覆盖隔离槽的侧壁和隔离槽底部的N型电极连接层9，从而导电接触相邻两个发光单元21的N型电极7。还可对该N型电极7起到加厚的效果，提高其电学性能。另外，由于N型电极连接层9覆盖在隔离槽的侧壁，配合隔离槽的侧壁角度，可对光线起到良好的反射作用，提高器件出光率。进一步的，在N型电极连接层9远离衬底基板1的一侧还可设置第二焊盘金属层12b，通过该第二焊盘金属层12b可将N型电极7引出，以便于焊接至电路中。该第二焊盘金属层12b同样可为AuSn材料。
例如，此处N型电极连接层9和P型电极连接层10的材料可选用Cr、Pt、Au、Al、Ni、Rh等导电材料中的一种或多种。例如，可采用电子束蒸发蒸镀Cr/Al基反射结构膜层作为N型电极连接层9和P型电极连接层10，可控制Al的厚度大于200nm。该实现方式下的电极连接层不仅可起到ODR(omni-directional reflector，全方向反射)反射作用，同时也可对N型电极7与P型电极8进行加厚，使其均有更均匀的电流扩展。
请继续参阅图2，在一些实现方式中，该发光二极管器件100还包括钝化层11。该钝化层11覆盖在N型电极连接层9的远离衬底基板1的一侧。该钝化层11可用于对N型电极7、P型电极8、N型电极连接层9以及P型电极连接层10等结构形成保护，提高器件的信赖性。在钝化层11上对应于N型电极7和P型电极8的位置设置由开口区，该设置的开口区可暴漏N型电极7和P型电极8。第一焊盘金属层12a和第二焊盘金属层12b通过开口区穿透该钝化层11，以引出电极。
请参阅图5，在一些实现方式中，该发光二极管器件100还包括反射层13。该反射层13可设置在隔离槽的侧壁与N型电极连接层9之间。也就是说，在制造N型电极7之前可沉积一层ODR膜层材料作为ODR膜系的增透膜层，即反射层13；例如，该反射层13可为SiO2作为ODR膜系的增透膜层。需要说明的是，若N型电极连接层9的材料为Al、Ni、Rh等材料时，可不设置该反射层13，器件可实现较好的反射效果。在反射层13上对应于平台部的位置设置有开口区，N型电极7通过反射层13上的开口区穿透该反射层13与N型半导体层3形成接触。反射层13和N型电极连接层9可充分的将光线进行反射，提高器件出光率。
需要说明的是，上述所阐述的结构可以是本实施例中的发光二极管的部分结构，在此未作说明的结构可参照现有的实现方案，在此不再赘述。
综上所述，本实施例中提供的一种发光二极管器件100，通过在发光结构层设置隔离槽以将发光结构层完全隔断，形成阵列分布的独立发光单元21。每个发光单元21在发光后，光线可通过隔离槽的侧壁反射后从器件内部出射，提高了器件出光率；且隔离槽的设置可通过刻蚀工艺实现，可有效的控制设备成本和工艺成本。
基于同一发明构思，在本发明的又一实施例中还提供了一种紫外发光设备，该紫外发光设备包括前述实施例中任一所述的发光二极管器件。其中，发光二极管器件中的半导体材料可以是产生UVA～UVC波段的(Al)GaN材料。
请参阅图6，基于同一发明构思，在本发明的又一实施例中还提供了一种发光二极管器件的制造方法，该方法包括步骤如下：
步骤S10：提供衬底基板；
步骤S20：在所述衬底基板的一侧形成发光功能层；
步骤S30：在所述发光功能层上形成隔离槽，以得到阵列分布的多个发光单元；所述隔离槽的侧壁与所述衬底基板的夹角角度小于90°；
步骤S40：在隔离槽的侧壁形成N型电极，所述N型电极位于所述侧壁的靠近所述衬底基板的一端；在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成P型电极。
请参阅图7，在上述步骤S10-S50的工艺中，还可具体为：通过衬底基板形成外延片，进行外延片表面清洗，对外延片进行Mesa台面刻蚀，制造阵列分布的发光单元，划片道刻蚀，制造N型电极，制造P型电极，制造N型电极连接层，制造P型电极连接层，制造钝化层，制造第一焊盘金属层和第二焊盘金属层。
需要说明的是，在本实施例的方法中各个结构的制造流程可参照前述结构实施例中的说明进行理解，并且在制造某一结构时，其制造顺序可适应性调整，以最终能够获得前述实施例中的各个结构为准。下面通过以具体示例对本实施例中的制造方法进行说明。
以制造的发光二极管为UVA～UVC波段的LED为例，其中，像素阵列的设计包括刻蚀深度与角度，是否有反射结构，反射结构体系等。在此以UVC波段，像素阵列刻蚀深度为2um，刻蚀角度为52°，以及带有反射结构的像素阵列为例来进行示例化说明。
1、对由衬底基板形成的外延片进行表面清洗。具体的，将UVC波段的外延片，使用丙酮和异丙醇分别超声清洗5min，去除片子表面的有机物，再用去离子水冲洗5min，甩干机甩干。
2、对外延片进行MESA台面刻蚀。通过正性光刻胶作为掩膜，使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀台面结构，刻蚀比为3:1，刻蚀深度为670nm-850nm，将刻蚀后的外延片依次放在85℃去胶液中超声10min，放在丙酮中超声5min，放在异丙醇各超声5min。接着进行去离子水冲洗5min，去除表面正性光刻胶。
3、制备对应的发光结构层，并形成像素阵列。制造发光结构层可参照现有技术实现。在制造好发光结构层之后，通过与前述第2步类似的光刻胶作为掩膜的方法，进一步调节掩膜版与样品的距离，使得光刻胶在台面具有一定的角度，光刻胶厚为5um-6um，并使用BCl3和Cl2的混合气氛中的等离子体蚀刻台面结构，其刻蚀深度为2um，最优台面角度大概为52°附近，可为52°，保证形成的隔离槽侧壁的反射效果和制造的电极电学性能。
4、划片道刻蚀。通过与前述第2步中类似的方法刻蚀切割跑道，刻蚀深度大约为3um-4um，以便于后续的切割。
5、N型电极的制备。在N型电极制备之前可使用PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)沉积一层47nm的二氧化硅，作为ODR膜系的增透膜层(即反射层)。对于N型电极连接层材料为Al、Ni、Rh等金属时，可无此二氧化硅沉积步骤。接着，使用负性光刻胶作为掩膜，BOE(Buffered Oxide Etch，缓冲氧化物刻蚀液)腐蚀400s去除N型电极位置对应的二氧化硅。再接着，通过电子束蒸发蒸镀N型电极，例如，N型电极可为Cr、Al、Ti、Au等材料中的一种或多种。再接着，使用前述第2步中的方法去除光刻胶，然后采用快速退火炉氮气氛围850℃退火45s进行合金。
6、P型电极的制备。使用与前述第5步类似的方法制备P型电极。本示例中可采用的P型电极材料包括但不限于NiAu、ITO、Rh等。例如，此处可采用ITO材料，厚度可为10nm～70nm，退火条件为氧气氛围500℃快速退火5min，从而实现较优的电极性能。
7、N型电极连接层的制备。使用负性光刻胶作为掩膜，电子束蒸发蒸镀Cr/Al基反射结构，即N型电极连接层，不仅起到ODR反射作用，同时也是对N型与P型电极进行了加厚，使其均有更均匀的电流扩展，其中Al的厚度可大于200nm，保证较好的反射效果，最后使用剥离液进行剥离。
8、P型电极连接层的制备，在制备P型电极连接层之前，可使用PECVD沉积一层钝化层，如二氧化硅，实现对N型电极所在区域进行保护；然后，将P型电极对应区域的二氧化硅进行腐蚀，蒸镀Cr、Al、Ti、Pt、Au等导电材料中的一种或多种，总厚度为300nm，制作的P型电极连接层在起到对P型电极连接的同时，也起到对P型电极加厚的作用，提高了P型电极的电学性能。
9、钝化层的制备。通过在上述步骤形成的结构上蒸镀二氧化硅材料。其中，蒸镀厚度约1um，蒸镀温度约220℃，以避免保护电极被腐蚀，同时起到钝化的作用。然后通过光刻掩膜与ICP刻蚀工艺，将部分N型电极与P型电极对应位置的二氧化硅刻蚀掉。
10、第一焊盘金属层和第二焊盘金属层的制备。制作步骤同可参照前述的第7步实现。蒸镀金属体系为AuSn电极，总厚度可为1.9um。
通过上述步骤可制作得到前述实施例中的发光二极管器件。
需要说明的是，本实施例提供的一种发光二极管器件的制造方法，其中各个步骤的所形成的结构可参照前述结构实施例，所产生的有益效果已在前述关于发光二极管器件的实施例中进行阐述，具体可参见前述关于发光二极管器件的实施例，本实施例中不再赘述。每个结构被制作时的具体工艺实现可采用现有的工艺技术，本实施例中不作限制。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括：
衬底基板；
发光功能层，设置在所述衬底基板的一侧；所述发光功能层包括阵列分布的多个发光单元，相邻两个所述发光单元之间设置有的隔离槽，所述隔离槽的侧壁与所述衬底基板的夹角角度小于90°；
N型电极，设置在隔离槽的侧壁，并位于所述侧壁的靠近所述衬底基板的一端；
P型电极，设置在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述夹角角度为30°～60°。
3.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，还包括：
N型电极连接层，覆盖在所述隔离槽的侧壁与所述隔离槽底部，并导电接触相邻两个所述发光单元的N型电极。
4.根据权利要求3所述的发光二极管器件，其特征在于，还包括：
反射层，设置在所述隔离槽的侧壁与所述N型电极连接层之间。
5.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，还包括：
缓冲层，设置在所述衬底基板与所述发光功能层之间；其中，所述隔离槽穿透所述缓冲层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述发光功能层包括：
N型半导体层，设置在所述衬底基板的一侧；
量子阱层，设置在所述N型半导体层的远离所述衬底基板的一侧；
电子阻挡层，设置在所述量子阱层的远离所述衬底基板的一侧；
P型半导体层，设置在所述电子阻挡层的远离所述衬底基板的一侧；
所述隔离槽的侧壁包括第一侧壁、第二侧壁和平台部，所述第一侧壁对应于所述N型半导体层、所述量子阱层和所述电子阻挡层，所述第二侧壁对应于所述P型半导体层，所述平台部设置在所述N型半导体层，且所述第一侧壁和所述第二侧壁通过所述平台部连接；所述N型电极设置在所述平台部。
7.根据权利要求6所述的发光二极管器件，其特征在于，所述N型半导体层的材料为N型(Al)GaN半导体材料，所述P型半导体层的材料为P型(Al)GaN半导体材料。
8.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，还包括：
P型电极连接层，设置覆盖在所述P型电极远离所述衬底基板的一侧，并导电接触相邻两个所述发光单元的P型电极。
9.一种紫外发光设备，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的发光二极管器件。
10.一种发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层上形成隔离槽，以得到阵列分布的多个发光单元；所述隔离槽的侧壁与所述衬底基板的夹角角度小于90°；
在隔离槽的侧壁形成N型电极，所述N型电极位于所述侧壁的靠近所述衬底基板的一端；在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成P型电极。
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