CN115599739A - 一种可调整存储结构的芯片及调整方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种可调整存储结构的芯片，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。本申请通过基于配置参数对数据区和代码区各自占用的存储空间进行动态调整，这样在实际使用过程中可根据项目需要来自由分配代码区和数据区的大小，实现Flash和Sram的双向互补，使得在不更换芯片型号的情况下，实现存储器大小的重新配置，使得项目开发更加灵活，减少由于更换芯片带来的软件和硬件开发工作，节约了用户的使用成本。

Description

一种可调整存储结构的芯片及调整方法

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，特别涉及一种可调整存储结构的芯片及调整方法。

背景技术

现有芯片通常配置有代码区和数据区，其中，代码区用于存储code，ro-data、和rw-data，代码区内容通常存储在Flash中；数据区用于存储rw-data，zi-data，数据区内容通常存储在Sram中。然而，芯片在使用过程中经过会出现代码占用空间多，数据占用空间少，或者代码占用空间少，数据占用空间多的问题，这样会导致芯片的Flash空间不够，Sram空间多余，或者Flash空间多余，Sram空间不够的情况，使得用户在存储空间还有剩余的情况更换大存储容量的芯片，提高了用户的使用成本。

因而现有技术还有待改进和提高。

发明内容

本申请要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种可调整存储结构的芯片及调整方法。

为了解决上述技术问题，本申请实施例第一方面提供了一种可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。

所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述可读存储模块为芯片自带的可读存储模块，或者为外扩的可读存储模块

所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述可读存储模块采用FRAM存储器或者MRAM存储器。

所述的可调整存储结构的芯片，其中，当所述可读存储模块为外扩的可读存储模块，所述代码区用于补偿所述芯片自带的Flash存储空间，所述数据区用于补偿所述芯片自带的Sram存储空间。

所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和等于所述可读存储模块的存储空间。

所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。

所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述配置模块通过选项字获取配置参数，并基于配置参数调整代码区的存储空间和数据区的存储空间。

本申请实施例第二方面提供了一种芯片存储结构的调整方法，所述的调整方法应用于如上所述的可调整存储结构的芯片，所述方法包括：

当芯片上电时，获取用于配置所述可读存储模块的配置参数；

基于所述配置参数将所述可读存储模块配置为代码区和数据区，其中，所述代码区用于存储代码，所述数据区用于存储数据；

运行所述可读存储模块，以将代码存储至代码区，将数据存储至数据区。

所述的芯片存储结构的调整方法，其中，所述方法还包括：

当配置参数发生变化时，获取变化后的配置参数并控制芯片重新上电，以基于所述变化后的配置参数重新将所述可读存储模块配置为代码区和数据区。

所述芯片存储结构的调整方法，其中，所述获取用于配置所述可读存储模块的配置参数具体为：

通过选项字获取用于配置所述可读存储模块的配置参数，其中，所述所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。

有益效果：与现有技术相比，本申请提供了一种可调整存储结构的芯片，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。本申请通过基于配置参数对数据区和代码区各自占用的存储空间进行动态调整，这样在实际使用过程中可根据项目需要来自由分配代码区和数据区的大小，实现Flash和Sram的双向互补，提高了芯片存储空间的利用率，节约了用户的使用成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不符创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的可调整存储结构的芯片的结构原理图。

图2为本申请提供的可调整存储结构的芯片的中可读存储模块的划分示意图。

图3为本申请提供的可调整存储结构的芯片的可读存储模块的存储空间分配实例示意图。

图4为当可读存储模块为外扩的可读存储模块时，Flash和Sram的存储容量示意图。

图5为本申请提供的芯片存储结构的调整方法的流程图。

具体实施方式

本申请提供一种可调整存储结构的芯片及调整方法，为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

应理解，本实施例中各步骤的序号和大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

发明人经过研究发现，现有芯片通常配置有代码区和数据区，其中，代码区用于存储code，ro-data、和rw-data，代码区内容通常存储在Flash中；数据区用于存储rw-data，zi-data，数据区内容通常存储在Sram中。然而，芯片在使用过程中经过会出现代码占用空间多，数据占用空间少，或者代码占用空间少，数据占用空间多的问题，这样会导致芯片的Flash空间不够，Sram空间多余，或者Flash空间多余，Sram空间不够的情况，使得用户在存储空间还有剩余的情况更换大存储容量的芯片，提高了用户的使用成本。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种可调整存储结构的芯片，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。本申请通过基于配置参数对数据区和代码区各自占用的存储空间进行动态调整，这样在实际使用过程中可根据项目需要来自由分配代码区和数据区的大小，实现Flash和Sram的双向互补，使得在不更换芯片型号的情况下，实现存储器大小的重新配置，使得项目开发更加灵活，减少由于更换芯片带来的软件和硬件开发工作，节约了用户的使用成本。

下面结合附图，通过对实施例的描述，对申请内容作进一步说明。

本实施例提供了一种可调整存储结构的芯片，如图1和图2所示，所述芯片包括数字接口信号控制单元，数字接口信号控制单元包括配置模块100和可读存储模块200，配置模块100用于读取配置参数，并基于配置参数将可读存储模块200配置为代码区和数据区，代码区用于存储代码，例如，code、ro-data(只读数据)和rw-data(可读可写数据)，数据区用于存储数据，例如，rw-data(可读可写数据)、zi-data(初值为零的全局变量数据)，其中rw-data由于有非0初值，在代码区和数据区中都会占用空间。所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。换句话说，配置参数包括代码区的存储空间和数据区的存储空间，配置模块在获取到配置参数后，按照配置参数中的代码区的存储空间在可读存储模块中分配代码区，以及按照配置参数中的数据区的存储空间在可读存储模块中分配数据区。这样在实际应用过程中，可以根据实际需求设定配置参数，使得代码区和数据区的大小可以根据项目需要来自由分配，从而实现Flash和Sram的双向互补，使得在不更换芯片型号的情况下，实现存储器大小的重新配置，使得项目开发更加灵活，减少由于更换芯片带来的软件和硬件开发工作，节约了用户的使用成本。

在一个实现方式中，所述可读存储模块为芯片自带的可读存储模块，或者为外扩的可读存储模块。换句话说，当芯片自带可读存储模块时，可以直接对芯片自带的可读存储模块进行代码区和数据区的划分；当芯片未自带可读存储模块时，可以在芯片内集成一个可读存储模块作为外扩的可读存储模块，然后对外扩的可读存储模块进行代码区和数据区的划分，划分得到的代码区用于补偿所述芯片自带的Flash存储空间，所述数据区用于补偿所述芯片自带的Sram存储空间。可以理解的是，如图3所示，当可读存储模块为外扩的可读存储模块时，芯片的Flash存储空间的大小等于芯片自带的Flash存储空间大小与代码区的存储空间大小的和，芯片的Sram存储空间大小等于芯片自带的Sram存储空间大小与和数据区的存储空间大小的和。

此外，值得说明的是，无论可读存储模块为芯片自带的可读存储模块，还是外扩的可读存储模块，划分得到的代码区的存储空间和数据区的存储空间均可以通过配置参数进行配置，以使得代码区的存储空间和数据区的存储空间的自由分配，避免因代码区的存储空间和数据区的存储空间固定而导致的导致芯片的Flash空间不够，Sram空间多余，或者Flash空间多余，Sram空间不够的情况。

在一个实现方式中，所述可读存储模块采用FRAM存储器或者MRAM存储器，其中，FRAM(ferroelectric RAM，铁电存储器)是一种随机存取存储器，拥有快速读取和写入能力，同时具备掉电数据不丢失的特点，MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，非挥发性的磁性随机存储器)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器，拥有高速读取写入能力，同时具备掉电数据不丢失的特点。本实施例利用FRAM存储器或者MRAM存储器的掉电数据不丢失的特点，在需要重新分配代码区和数据区时，可以通过重新上电的方式来获取新的配置参数，然后基于新的配置参数对可读存储模块进行重新分配，以使得代码区和数据区的自由调整。

在一个实现方式中，为了提供可读存储模块的利用率，所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和等于所述可读存储模块的存储空间。当然，在实际应用中，也可以控制可读存储模块预留空闲存储空间，当代码区和/或数据区需要扩充存储空间时，直接在预留空闲存储空间中为代码区和/或者数据区进行扩充。换句话说，所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和可以小于或者等于可读存储模块的存储空间，而在本实施例的一个实现方式中，直接将可读存储模块划分为代码区和数据区，即代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和等于所述可读存储模块的存储空间，这样可以提供可读存储模块的利用效率。

在一个实现方式中，所述配置模块通过选项字获取配置参数，并基于配置参数调整代码区的存储空间和数据区的存储空间。例如，配置模块通过选项字OPT，通过选项字将可读存储模块的总存储空间配置为代码区和数据区，代码区用来存储代码(code,ro-data,rw-data)，数据区用来存储数据(zi-data,rw-data,临时变量)，代码区和数据区互不干扰。此外，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的，以使得用户可自由调整可存储模块。例如，如图4所示，可读存储模块的总存储空间为520K字节，可将代码区设置成500K字节，将数据区设置成20K字节，也可以将代码区设置成400K字节，将数据区设置成120K字节。

综上所述，本实施例提供了一种可调整存储结构的芯片，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。本申请通过基于配置参数对数据区和代码区各自占用的存储空间进行动态调整，这样在实际使用过程中可根据项目需要来自由分配代码区和数据区的大小，实现Flash和Sram的双向互补，使得在不更换芯片型号的情况下，实现存储器大小的重新配置，使得项目开发更加灵活，减少由于更换芯片带来的软件和硬件开发工作，节约了用户的使用成本，节约了用户的使用成本。

基于上述可调整存储结构的芯片，所述调整方法应用于上述实施例所述的可调整存储结构的芯片，如图5所示，所述方法包括：

当芯片上电时，获取用于配置所述可读存储模块的配置参数；

基于所述配置参数将所述可读存储模块配置为代码区和数据区，其中，所述代码区用于存储代码，所述数据区用于存储数据；

运行所述可读存储模块，以将代码存储至代码区，将数据存储至数据区。

具体地，芯片上电以后配置模块可以先读取选项字配置，然后通过选项字(OPT)将可读存储模块的总存储空间配置成代码区和数据区，然后运行可读存储模块将代码存储到代码区，将数据存储到数据区。然后，可以烧录程序并控制程序开始运行，以使得芯片进行正常工作。

在一个实现方式中，所述芯片存储结构的调整方法还包括：

当配置参数发生变化时，获取变化后的配置参数并控制芯片重新上电，以基于所述变化后的配置参数重新将所述可读存储模块配置为代码区和数据区。

具体地，在运行的用户程序中可再次通过选项字来更新配置参数，以对代码区和数据区大小进行重新配置。当配置参数更新后，可以控制芯片重新上电以重新分配

在一个实现方式中，所述获取用于配置所述可读存储模块的配置参数具体为：

通过选项字获取用于配置所述可读存储模块的配置参数，其中，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。

本实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现如上述实施例所述的芯片存储结构的调整方法中的步骤。

基于上述可调整存储结构的芯片，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备配置有如上所述的可调整存储结构的芯片，并可以通过运行一个或者多个程序实现如上述实施例所述的芯片存储结构的调整方法中的步骤。

此外，上述存储介质以及电子设备中的多条指令处理器加载并执行的具体过程在上述方法中已经详细说明，在这里就不再一一陈述。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。

2.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述可读存储模块为芯片自带的可读存储模块，或者为外扩的可读存储模块。

3.根据权利要求1或2所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述可读存储模块采用FRAM存储器或者MRAM存储器。

4.根据权利要求2所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，当所述可读存储模块为外扩的可读存储模块，所述代码区用于补偿所述芯片自带的Flash存储空间，所述数据区用于补偿所述芯片自带的Sram存储空间。

5.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和等于所述可读存储模块的存储空间。

6.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。

7.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述配置模块通过选项字获取配置参数，并基于配置参数调整代码区的存储空间和数据区的存储空间。

8.一种芯片存储结构的调整方法，其特征在于，所述调整方法应用于如权利要求1-7任一项所述的可调整存储结构的芯片，所述方法包括：

当芯片上电时，获取用于配置所述可读存储模块的配置参数；

基于所述配置参数将所述可读存储模块配置为代码区和数据区，其中，所述代码区用于存储代码，所述数据区用于存储数据；

运行所述可读存储模块，以将代码存储至所述代码区，将数据存储至所述数据区。

9.根据权利要求8所述的芯片存储结构的调整方法，其特征在于，所述方法还包括：

当配置参数发生变化时，获取变化后的配置参数并控制芯片重新上电，以基于所述变化后的配置参数重新将所述可读存储模块配置为代码区和数据区。

10.根据权利要求8所述的芯片存储结构的调整方法，其特征在于，所述获取用于配置所述可读存储模块的配置参数具体为：

通过选项字获取用于配置所述可读存储模块的配置参数，其中，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。

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