CN115588700A - 一种perc电池片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种PERC电池片及其制备方法，属于光伏太阳能电池技术领域；方法包括：对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层；在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质；对附着有含磷物质的硅片进行激光推进，以在硅片表面形成磷重掺杂区；对激光推进完成的硅片进行去PSG处理和碱抛处理，后制备电极，得到PERC电池片；提高了设定图案对应区域的磷掺杂浓度，形成磷重掺杂区，使得磷重掺杂区和其他区域的磷浓度差大大提高，进而使得磷重掺杂区的方阻远低于其他区域的方阻，在后续制备电极过程中，电极材料能够和磷重掺杂区的硅更好的接触，使得串联电阻更小、填充因子更高，从而转换效率更高。

Description

一种PERC电池片及其制备方法
技术领域
本发明涉及光伏太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种PERC电池片及其制备方法。
背景技术
目前常规的扩散+SE技术路线是工业化生产中最常用的PERC电池生产技术路线，虽然相对于过去的铝背场电池(Al-BSF)，SE掺杂后可以选择性地形成轻掺杂区和重掺杂区在太阳能电池转换效率上得到了极大提高。但是随着近10年来PERC电池技术的不断发展，降本增效的需求越来越大，常规的工艺参数优化很难带来效率上的快速提升，并且随着栅线印刷宽度越来越窄，对银-硅合金接触上的要求越来越高，单单只是通过扩散、SE激光参数或浆料上的优化已经很难打破银-硅合金欧姆接触上的局限，使得图形设计、工艺优化以及降本增效都受到极大限制，效率提升困难。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PERC电池片及其制备方法，以使得银浆印刷烧结固化后能与硅基体形成良好的欧姆接触，降低串联电阻，提升填充因子，从而达到提效目的。
本发明实施例提供了一种PERC电池片的制备方法，所述方法包括：
对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层；
对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
对激光推进完成的所述硅片进行去PSG处理和碱抛处理，后制备电极，得到PERC电池片；
其中，所述对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区，具体包括：
在扩散处理后的所述硅片表面附着呈设定图案的含磷物质；
对附着有含磷物质的所述硅片进行激光推进，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区。
通过在硅片表面附着含磷物质并配合激光推进，提高了设定图案对应区域的磷掺杂浓度，形成磷重掺杂区，使得磷重掺杂区和其他区域的磷浓度差大大提高，进而使得磷重掺杂区的方阻远低于其他区域的方阻，在不影响硅片开压的前提下，在后续制备电极过程中，电极材料能够和磷重掺杂区的硅更好的接触，使得串联电阻更小、填充因子更高，从而转换效率更高。
作为一种可选的实施方式，所述磷重掺杂区的方阻为30-90Ω/sq。
作为一种可选的实施方式，所述磷重掺杂区的方阻为40-50Ω/sq。
作为一种可选的实施方式，所述含磷物质的固含量为30％-70％，所述含磷物质的湿重控制在5-50mg；和/或
所述激光推进的激光功率为13-25W。
作为一种可选的实施方式，所述含磷物质的固含量为35％-65％，所述含磷物质的湿重控制在15-35mg；和/或
所述激光推进的激光功率为15-23W。
作为一种可选的实施方式，所述含磷物质的固含量为40％-60％，所述含磷物质的湿重控制在20-30mg；和/或
所述激光推进的激光功率为17-21W。
作为一种可选的实施方式，所述在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，具体包括：
在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，后进行烘干。
作为一种可选的实施方式，所述附着的方式包括：丝网印刷、旋涂、喷涂、电镀和蒸发镀。
作为一种可选的实施方式，所述烘干的温度为150-300℃。
作为一种可选的实施方式，所述激光推进的激光分布和所述设定图案相匹配。
作为一种可选的实施方式，所述对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区，具体包括：
对扩散处理后的所述硅片进行低温扩散处理，后进行激光推进，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
其中，所述低温扩散处理的温度为400-500℃。
作为一种可选的实施方式，所述对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层，具体包括：
对制绒后的硅片进行预通源处理；
对预通源处理后的所述硅片进行氧化处理；
对氧化处理后的所述硅片进行推进扩散处理，以在硅片表面形成PSG层。
作为一种可选的实施方式，所述扩散处理的扩散方阻为190-250Ω/sq。
作为一种可选的实施方式，所述碱抛处理包括预清洗、碱抛光和酸洗。
作为一种可选的实施方式，所述预清洗的清洗液为NaOH与H2O2的混合溶液，所述NaOH的体积浓度≥0.6％。
本发明实施例还提供了一种PERC电池片，所述电池片采用如上所述的PERC电池片的制备方法制得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的方法的流程图；
图2为现有技术制备过程中硅片的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的方法制备过程中硅片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
目前主流的PERC电池生产流程为：制绒→扩散→SE激光掺杂→碱抛→退火→背镀膜→正镀膜→丝网印刷，其中从扩散开始到SE激光掺杂再到碱抛工序共同决定了PN结形成过程中磷在硅基体中的分布情况，磷的分布则直接影响着轻掺杂区的表面复合程度以及重掺杂区能否形成良好的金属化接触。为了在硅片表面选择性地形成磷浓度的高低分布，工业生产中最常用的方法是通过激光有选择性地进行二次掺杂来实现。SE激光掺杂是将扩散过程中在硅片表面形成的磷硅玻璃层(PSG层)在高能量激光作用下进一步向硅基体中进行掺杂，由于PSG层中含有大量磷源，可以提高正电极栅线区的掺杂浓度，而非栅线区仍可以保持较低浓度的磷掺杂，减少表面复合。而碱抛过程除了将背面的金字塔结构抛掉形成更平整的表面来提高背面钝化外，还可以将非栅线区的PSG层和栅线区残留的PSG层通过酸去掉，非栅线区磷浓度进一步降低的同时栅线区的表层磷浓度也会有所降低。
在现有产线工艺基础上要提高正电极栅线区的磷掺杂浓度方法包括：①调整扩散工艺，增加PSG层中的磷浓度或PSG层厚度。由于扩散是在整个硅片表面无差别进行磷掺杂，这种方式不可避免地会导致非栅线区的表面磷浓度同步增加，表面复合加剧，开压降低；②调整激光工艺参数，随着激光能量或功率的增加，PSG层中的磷可以更多地被物理推进硅基体形成重掺杂，但激光能量增大的同时会带来激光损伤，导致表面复合加剧，不利于效率提升；③调整副栅银浆中玻璃体成分或含量，可以提高浆料的接触性能，但银浆对正膜的腐蚀性也随之增加，同样会导致正面少子复合加剧，开压降低，电池转换效率难以大幅度提升。为了实现各工序匹配，目前产线的扩散和激光工艺优化空间很小，并且随着正面副栅宽度不断缩窄，银浆与发射极接触面积减小，银-硅金属化接触上面临的挑战越来越大，SE激光掺杂区域的磷浓度限制着晶硅太阳能电池转换效率迈上一个新台阶。
申请人意图在硅片表面的局部形成高浓度的含磷物料，来避免无差别进行磷掺杂导致的非栅线区的表面磷浓度同步增加，表面复合加剧，开压降低的问题。
现有技术中，有通过在制绒后的硅片表面电极栅线网状区域中印刷高浓度磷浆再通过扩散来制成选择性发射极，其中印刷磷浆的区域形成高掺杂深扩散区，未印刷磷浆的区域形成低掺杂浅扩散区，但是由于磷浆在扩散高温条件下容易挥发，所获得的选择性发射极结构往往不理想；也有通过对制绒后的硅片涂覆液态扩散源并烘干，对覆有扩散源的硅片进行激光掺杂，对完成激光掺杂的硅片进行链式高温推结和氧化处理，完成扩散PN结和表面PSG的制备。该方法属于先进行激光选择性掺杂再进行扩散制结，对链式推结要求较高，PN结的质量、发射极区的表面浓度以及电极区的掺杂浓度很难得到保证。
如图1和图3所示，本申请实施例提供了一种PERC电池片的制备方法，所述方法包括：
S1.对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层；
为进一步的扩大磷重掺杂区和其他区域的含磷浓度差，在一些实施例中，所述扩散处理的扩散方阻为190-250Ω/sq。
本领域技术人员应当知晓：扩散方阻可通过调整三氯氧磷的流量和扩散的温度来控制，三氯氧磷的流量越高一般扩散后的表面磷浓度越高，方阻越低；扩散温度越高形成的PN结深更深，方阻更低。目前，产线的扩散方阻控制在160～180Ω/sq，理论上扩散方阻越高表面的磷浓度越低，开压越高，但目前产线为了保证激光掺杂后栅线区的磷浓度足够高，不会对金属化接触造成太大影响，故现有的技术路线下方阻不能做得太高。
而本申请后续采用了附着含磷物质的方法加强设定区域(即栅线区)的磷掺杂浓度，故扩散过程中形成的磷浓度就可以相应降低，体现为方阻的提高，实现磷重掺杂区方阻和其他区域的方阻的差值进一步扩大，本实施例控制扩散处理的扩散方阻为190-250Ω/sq，如果扩散方阻太低，搭配强化的SE激光掺杂，开压上无提升；如果扩散方阻太高，一方面是磷烷流量过少，扩散温度过低，无法形成良好的PN结，影响电池整体性能。
在一些实施例中，所述对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层，在现有产线工艺基础上大幅减少三氯氧磷的通入量来降低扩散后硅片表面磷源浓度从而减少表面复合，具体包括：
对制绒后的硅片进行预通源处理；
具体而言，本实施例中，在低温(750～780℃)下预通源，三氯氧磷流量为600～1000sccm，氧流量为500～800sccm，时间为3～5min。
对预通源处理后的所述硅片进行氧化处理；
具体而言，本实施例中，通源结束后进行1min左右氧化，氧流量为500～1200sccm，形成一层氧化层，减缓磷扩散速度，提高扩散均匀性。
对氧化处理后的所述硅片进行推进扩散处理，以在硅片表面形成PSG层。
具体而言，本实施例中，形成氧化层后，升温到830～850℃，升温时间为8～10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温到760～780℃后出管，完成扩散。
通过在推进扩散处理前增加氧化步骤，可以减缓扩散速度，提高扩散均匀性。
同时取消了低温补源步骤，主要是为了避免降温不够，进行补源步骤会对表面浓度造成负面影响。
S2.对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
在一些实施例中，所述对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区，具体包括：
S2.1.在扩散处理后的所述硅片表面附着呈设定图案的含磷物质；
在一些实施例中，所述在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，具体包括：
在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，本实施例中，含磷物质为磷浆料，后进行烘干。需要说明的是，设定图案与栅线的形状相匹配，且附着的位置和栅线的位置相对应。
具体的，所述附着的方式包括：丝网印刷、旋涂、喷涂、电镀和蒸发镀。
本实施例中，采用丝网印刷的方式来实现磷浆料的附着，丝网印刷磷浆的方式操作简单且可控，全过程不存在高温处理，印刷的磷浆不存在磷扩散过程，对浅扩区无副作用；磷浆料的用量可以通过图形设计和网版规格设计来精准控制；具体的，在扩散后的硅片表面通过丝网印刷磷浆料，形成设定图案，设定图案的栅线可以为直线型、分段型、镂空型等，印刷的设定图案的栅线宽度控制在150～300μm，丝网印刷网版优选为：430目、13线径、17纱厚、4膜厚，栅线数量可根据正面图形设计而变化，优选为174根，磷浆单耗控制在20～30mg/pcs，优选20mg/pcs。
在一些实施例中，所述磷浆料的固含量为40％-60％，所述磷浆料的湿重控制在20-30mg，所述烘干的温度为150-300℃。
磷浆的固含量和湿重决定了丝网印刷磷的多少，直接影响着激光掺杂后栅线区的掺杂浓度，掺杂浓度过小不易达到强化SE区域的目的；磷浆湿重过高一方面是成本较高，导致电池效率上的收益可能无法弥补成本上的劣势，另一方面激光推进存在一个饱和值，过多的磷浆也无法全部被利用到，最终也会被碱抛去掉。
烘干温度根据浆料的特性设置，能将磷浆烘干固化即可，该过程最好仅将磷浆中的有机物挥发，使得磷浆料固化，不宜过高，温度过高可能会对磷浆的性能造成负面影响，同时，也可能会导致此过程中磷往硅片内部扩散，而为了避免印刷磷栅与激光的对位问题，磷栅的宽度设计较宽，会有一部分非栅线区也会印刷上磷浆，如果此过程磷浆料发生扩散，非栅线区的低表面浓度会被破坏。
S2.2.对附着有含磷物质的所述硅片进行激光推进，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
在印刷磷浆图形后的硅片表面采用激光推进形成选择性发射极，通过高能量激光将表面印刷的磷以及扩散过程中形成的富磷PSG层推进硅基体表层，有激光作用的区域硅片表层磷浓度高，形成磷重掺杂区。由于磷浆+PSG层大幅提升了磷浓度，激光更易将磷推进硅表层，可以降低激光能量和功率来减少激光对硅片的损伤。
在一些实施例中，所述激光推进的激光分布和所述设定图案相匹配；所述激光推进的激光功率为15-23W，配合所述含磷物质的固含量为35％-65％，所述含磷物质的湿重控制在15-35mg，可实现在对硅片低损伤的情况下达到目标的磷浓度，进而达到目标方阻，优选的，所述激光推进的激光功率为17-21W，配合所述含磷物质的固含量为40％-60％，所述含磷物质的湿重控制在20-30mg；所述磷重掺杂区的方阻为40-50Ω/sq。本实施例中，激光波长优选532nm绿光。
常规的扩散工艺搭配的激光功率是24.5-31.5W，而激光功率越高会对硅表面造成损伤，故激光功率应当越低越好，在本申请采用了附着呈设定图案的磷浆料提高了栅线区的磷浓度，激光可以很容易将磷浆中的磷推进到硅表层，故本方法可以适当的降低激光功率，只要能保证栅线区的掺杂浓度足够高到可以形成良好的金属化接触即可；申请人经过大量的研究发现激光推进的激光功率控制为17-21W协同之前的附着呈设定图案的磷浆料及其磷浓度的操作是较为合适的。
磷重掺杂区的掺杂浓度往往通过方阻的大小来直观体现，方阻越高掺杂浓度越低，反之越高。目前产线的磷重掺杂区方阻在85～105Ω/sq，在印刷磷浆的技术路线下磷浆的用量、掺杂激光功率都影响着磷重掺杂区方阻，方阻过大达不到优化接触的目的，方阻过小，磷浆耗量和激光功率又会带来负面影响，可见，就目前的技术条件下，申请人认为控制磷重掺杂区的方阻为40-50Ω/sq是较优的方案，而在技术条件达到足以消除磷浆耗量和激光功率带来的负面影响时，可将磷重掺杂区的方阻进一步的减小。
在一些实施例中，在激光推进后，对硅片进行氧化处理，在表面形成一层氧化硅层保护正面。
在一些实施例中，可以采用并列方案对硅片进行推进处理，具体的，对扩散处理后的所述硅片进行低温扩散处理，后进行激光推进，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
其中，所述低温扩散处理的温度为400-500℃。
具体而言，本实施例中，对扩散处理后的所述硅片进行低温扩散处理扩散，温度控制在400～500℃，三氯氧磷流量为1500～2500sccm，氧流量为500～1000sccm，通源时间为10～15min，然后降温后出管，在低温下形成富磷PSG层，再经过激光作用，PSG层中的磷被推进硅表层形成磷重掺杂区。
控制温度在400～500℃，主要是避免三氯氧磷往硅片内部发生扩散，POCl3在高温下(>600℃)会分解成PCl5和P2O5，生成的P2O5在扩散温度下与硅反应生成SiO2和磷。而在400～500℃下低温扩散处理的磷源主要在硅片表面，类似于整面涂敷含磷有机物后再进行激光选择性掺杂。
S3.对激光推进完成的所述硅片进行去PSG处理和碱抛处理，后制备电极，得到PERC电池片。
碱抛处理过程中发射极区的磷浆、PSG层和正电极区残留的磷浆均被抛掉，形成磷浓度差高的选择性发射极。
在一些实施例中，所述碱抛处理包括预清洗、碱抛光和酸洗；所述预清洗的清洗液为NaOH与H2O2的混合溶液，所述NaOH的体积浓度≥0.6％，优选的，NaOH的体积浓度≥1.0％。
本实施例中，碱抛过程主要由预清洗、碱抛光、酸洗组成，其中预清洗采用NaOH加H2O2混合溶液对硅片进行浸没式清洗，主要去除表面的油污及粉尘。由于磷浆呈酸性，在预清洗阶段能与NaOH反应而被去除。碱抛光液主要由NaOH和添加剂组成，NaOH与背面的Si发生反应进行抛光。添加剂主要作用是保护硅片正面氧化层不被破坏，促进硅片背面进行碱抛光。酸洗液中的主要化学成分是HF，可以中和硅片表面的碱残留和去除硅片正面的PSG层。
在一些实施例中，还需要在碱抛处理后对碱抛后的硅片进行退火处理，即在600～700℃下通氧，使得硅片正表面形成一层致密的氧化层；退火完成后，在硅片背面通过PECVD沉积Al2O3/SiNx复合钝化膜；在硅片正面通过PECVD沉积减反射膜；沉积完成后，通过背激光开孔后采用丝网印刷分别印刷背面图形和正面图形，700～800℃烧结固化后制得正电极。
硅片表面附着呈设定图案的含磷物质搭配激光推进的方式可以在不影响发射极区掺杂浓度的基础上做到正电极区掺杂浓度的提升，优化了选择性发射极，为扩散和碱抛工艺优化打开了空间，使得效率大幅提升成为可能。优化选择性发射极的形成可以明显改善银-硅金属化接触，为PERC电池降本提效方面，如正面超细副栅线宽设计、高阻密栅设计、多主栅设计等提供了更多空间。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在780℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为220Ω/sq。
S3、丝网印刷磷浆料：在扩散后的电池片一面进行丝网印刷，采用430目、线径13μm，纱厚17μm、膜厚4μm网板，栅线宽度200μm，栅线数量174根。此时磷浆单耗为20mg。印刷后在链式烘干炉上进行烘干固化，烘干温度为200℃，时间为10s。
S4、激光SE：利用磷浆中富含的高浓度磷源，在硅片正面且对应的正电极栅线金属化区域进行激光掺杂，形成磷重掺杂区，从而在硅片正面实现强化选择性发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用21W，磷重掺杂区方块电阻为50Ω/sq。
S5、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S6、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边生成的PSG。
S7、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.6％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的磷浆及有机物，然后进行水洗，然后在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，最后用HF去除掉正面残留的PSG。
S8、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S9、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S10、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S11、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S12、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S13、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S14、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S15、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S16、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S17、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S18、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
实施例2
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在770℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为250Ω/sq。
S3、丝网印刷磷浆料：在扩散后的电池片一面进行丝网印刷，采用430目、线径13μm，纱厚17μm、膜厚4μm网板，栅线宽度300μm，栅线数量174根。此时磷浆单耗为30mg。印刷后在链式烘干炉上进行烘干固化，烘干温度为200℃，时间为10s。
S4、激光SE：利用磷浆中富含的高浓度磷源，在硅片正面且对应的正电极栅线金属化区域进行激光掺杂，形成磷重掺杂区，从而在硅片正面实现强化选择性发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用17.5W，磷重掺杂区方块电阻为40Ω/sq。
S5、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S6、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边生成的PSG。
S7、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.8％ L NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的磷浆及有机物，然后进行水洗，然后在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，最后用HF去除掉正面残留的PSG。
S8、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S9、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S10、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S11、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S12、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S13、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S14、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S15、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S16、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S17、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S18、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
实施例3
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在780℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为220Ω/sq。
S3、二次扩散：在一次扩散后的硅片在450℃下进行通源，POCl3流量为1800sccm，时间为13min，氧流量为800sccm，降温后出管，完成扩散。
S4、激光SE：利用二次扩散过程中硅片表面形成的高浓度含磷层，在对应的正电极栅线区域进行激光掺杂，形成磷重掺杂区，从而在硅片正面实现选择性发射极结构，激光光斑为100μm，激光功率采用26.25W，磷重掺杂区方块电阻为70Ω/sq。
S5、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S6、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S7、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.6％ L NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面非栅线区残留的磷，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S8、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S9、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S10、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S11、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S12、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S13、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S14、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S15、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S16、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S17、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S18、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
实施例4
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在770℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为250Ω/sq。
S3、二次扩散：在一次扩散后的硅片在450℃下进行通源，POCl3流量为2000sccm，时间为15min，氧流量为1000sccm，降温后出管，完成扩散。
S4、激光SE：利用二次扩散过程中硅片表面形成的高浓度含磷层，在对应的正电极栅线区域进行激光掺杂，形成磷重掺杂区，从而在硅片正面实现选择性发射极结构，激光光斑为100μm，激光功率采用22.75W，磷重掺杂区方块电阻为60Ω/sq。
S5、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S6、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S7、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.6％ L NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面非栅线区残留的磷，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S8、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S9、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S10、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S11、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S12、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S13、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S14、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S15、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S16、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S17、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S18、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对比例1
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在780℃下预通源，POCl3流量为1000sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温到780℃再次通源，POCl3流量为1300sccm，时间为13min，氧流量为800sccm，再降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为170Ω/sq。
S3、激光SE：利用扩散过程中形成的富磷PSG层，在扩散后硅片的正面且对应的正电极栅线的金属化区域进行激光掺杂，形成磷重掺杂区，从而在硅片正面实现选择发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用29.75W，磷重掺杂区方块电阻为90Ω/sq。
S4、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S5、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S6、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.3％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的油污及粉尘，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S7、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S8、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S9、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S10、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S11、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S12、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S13、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S14、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S15、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S16、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S17、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对比例2
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在780℃下预通源，POCl3流量为1000sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，然后降温到780℃再次通源，POCl3流量为1300sccm，时间为13min，氧流量为800sccm，再降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为170Ω/sq。
S3、激光SE：利用扩散过程中形成的富磷PSG层，在扩散后硅片的正面且对应的正电极栅线的金属化区域进行激光掺杂，形成重掺杂区，从而在硅片正面实现选择发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用21W，重掺杂区方块电阻为130Ω/sq。
S4、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S5、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S6、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.3％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的油污及粉尘，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S7、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S8、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S9、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S10、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S11、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S12、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S13、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S14、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S15、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S16、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S17、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对比例3
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在780℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为220Ω/sq。
S3、激光SE：利用扩散过程中形成的富磷PSG层，在扩散后硅片的正面且对应的正电极栅线的金属化区域进行激光掺杂，形成重掺杂区，从而在硅片正面实现选择发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用29.75W，重掺杂区方块电阻为120Ω/sq。
S4、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S5、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S6、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.3％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的油污及粉尘，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S7、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S8、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S9、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S10、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S11、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S12、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S13、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S14、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S15、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S16、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S17、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对比例4
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在780℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为220Ω/sq。
S3、激光SE：利用扩散过程中形成的富磷PSG层，在扩散后硅片的正面且对应的正电极栅线的金属化区域进行激光掺杂，形成重掺杂区，从而在硅片正面实现选择发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用21W，重掺杂区方块电阻为140Ω/sq。
S4、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S5、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S6、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.3％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的油污及粉尘，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S7、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S8、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S9、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S10、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S11、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S12、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S13、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S14、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S15、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S16、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S17、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对比例5
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在770℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为250Ω/sq。
S3、激光SE：利用扩散过程中形成的富磷PSG层，在扩散后硅片的正面且对应的正电极栅线的金属化区域进行激光掺杂，形成重掺杂区，从而在硅片正面实现选择发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用29.75W，重掺杂区方块电阻为135Ω/sq。
S4、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S5、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S6、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.3％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的油污及粉尘，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S7、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S8、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S9、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S10、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S11、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S12、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S13、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S14、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S15、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S16、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S17、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对比例6
一种太阳电池片及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒：采用单晶P型硅片，用碱进行正面和背面制绒形成绒面金字塔陷光结构。
S2、扩散：将制绒后硅片，在770℃下预通源，POCl3流量为850sccm，时间为5min，氧流量为900sccm，然后升温到850℃，升温时间为10min，在高温下磷往硅片内部进行扩散，降温后出管，完成扩散。扩散方阻中心值为250Ω/sq。
S3、激光SE：利用扩散过程中形成的富磷PSG层，在扩散后硅片的正面且对应的正电极栅线的金属化区域进行激光掺杂，形成重掺杂区，从而在硅片正面实现选择发射极结构，激光光斑100μm，激光功率采用17.5W，重掺杂区方块电阻为170Ω/sq。
S4、热氧：将激光SE后的硅片通氧进行氧化，在正表面形成氧化层，保护正面PN结不被破坏。
S5、去PSG：将热氧化后的硅片，用氢氟酸去除背面及周边产生的PSG。
S6、碱抛：将去PSG后的硅片首先放在由0.3％ NaOH和3％ H2O2配置的溶液进行预清洗去除硅片表面残留的油污及粉尘，水洗过后放入碱抛槽，在NaOH和添加剂作用下背面被抛光，再用HF去除掉正面残留的PSG。
S7、氧化退火：将碱抛后的硅片进行氧化及退火处理，在硅表面形成氧化硅层。
S8、在背面沉积钝化膜：采用PECVD二合一机台在退火后的硅片背面沉积Al2O3/SiNx复合膜层。
S9、在正面沉积减反膜：采用PECVD二合一机台在完成背面镀膜的硅片正面沉积SiNx/SiOxNy/SiOx复合膜层。
S10、背面激光：根据背面图形设计进行背面激光开孔，其中背面副栅区域进行激光开孔增加接触，铝主栅和背电极区域不打激光。
S11、背面电极制备：采用丝网印刷方式，在背激光开槽后的硅片上，选用银浆，印刷背银电极和PAD点。
S12、背面电场制备：选用铝浆，采用目数360目、线径16μm、纱厚28μm、膜厚16μm的网板，通过丝网印刷方式同步印刷铝主栅和铝副栅。
S13、正电极主栅区印刷：采用正银浆料，在印刷了背面电极的硅片上丝网印刷制备正面电极。
S14、正面副栅区印刷：按照网板图形，采用正银浆料印刷正面副栅，采用520目、线径17μm，纱厚11μm、膜厚6μm网板。
S15、烧结：将印刷正面电极的硅片进行共烧结，烧结峰值温度780℃。
S16、电注入：将烧结后的电池片进行电注入处理。
S17、成品：将产品电池片测试、分选、包装入库。
对实施例1-4和对比例1-6提供的电池片进行检测，结果如下表所示：
Figure BDA0003898639240000261
由上表可得，采用本申请实施例提供的方法来制备电池片，能够有效的减小磷重掺杂区方阻，增大扩散方阻和磷重掺杂区方阻的差值，减小接触电阻。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层；
对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
对推进处理完成的所述硅片进行去PSG处理和碱抛处理，后于所述磷重掺杂区制备电极，得到PERC电池片；
其中，所述对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区，具体包括：
在扩散处理后的所述硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，所述设定图案和所述电极的栅线图案对应；
对附着有含磷物质的所述硅片进行激光推进，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区。
2.根据权利要求1所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述磷重掺杂区的方阻为30-90Ω/sq；
更优选的，所述磷重掺杂区的方阻为40-50Ω/sq。
3.根据权利要求1或2所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述含磷物质的固含量为35％-65％，所述含磷物质的湿重控制在5-50mg；和/或
所述激光推进的激光功率为15-23W。
4.根据权利要求3所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述含磷物质的固含量为40％-60％，所述含磷物质的湿重控制在20-30mg；和/或
所述激光推进的激光功率为17-21W。
5.根据权利要求1所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，具体包括：
在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质，后进行烘干；和/或
所述烘干的温度为150-300℃。
6.根据权利要求1所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述对扩散处理后的所述硅片进行推进处理，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区，具体包括：
对扩散处理后的所述硅片进行低温扩散处理，后进行激光推进，以在所述硅片表面形成磷重掺杂区；
其中，所述低温扩散处理的温度为400-500℃。
7.根据权利要求1所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述扩散处理的扩散方阻为190-250Ω/sq。
8.根据权利要求1或7所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层，具体包括：
对制绒后的硅片进行预通源处理；
对预通源处理后的所述硅片进行氧化处理；
对氧化处理后的所述硅片进行推进扩散处理，以在硅片表面形成PSG层。
9.根据权利要求1所述的PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述碱抛处理包括预清洗、碱抛光和酸洗；和/或
所述预清洗的清洗液为NaOH与H2O2的混合溶液，所述NaOH的体积浓度≥0.6％。
10.一种PERC电池片，其特征在于，所述电池片采用权利要求1至9中任意一项所述的PERC电池片的制备方法制得。
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