CN115565842A - 一种等离子体处理装置及其调节方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件；射频电源，用于向下电极组件提供射频功率；射频传输体，所述射频电源通过所述射频传输体向下电极组件提供射频功率；电接地的屏蔽套筒，其环绕设置于所述射频传输体的外周，所述射频传输体和所述屏蔽套筒之间包含至少两个介质层，各个介质层之间可相对发生位移，所述位移用于改变各介质层之间的正对面积。其优点是：该装置通过改变各介质层之间的正对面积，进而调整该处的等效电容，实现对于倍频高次谐波阻抗的调节，以影响真空反应腔内等离子体的空间分布，更精准地控制刻蚀速率分布。

Description

一种等离子体处理装置及其调节方法

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其调节方法。

背景技术

通常采用等离子体处理装置利用真空反应腔的工作原理进行半导体基片和/或等离子平板的基片的加工。真空反应腔的工作原理是在真空反应腔中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应腔进行射频能量输入激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。举例来说，电容性等离子反应器已经被广泛地用来加工半导体基片和显示器平板，在电容性等离子反应器中，当射频功率被施加到二个电极之一或二者时，就在一对平行电极之间形成电容性放电。

在等离子体处理进程中，施加不同的射频功率可实现对等离子体不同状态的调控。通常情况下，为了点燃并维持等离子体浓度需要射频电源输入高频射频功率，为了控制入射到基片上表面的离子能量还需要通过射频电源输入低频射频功率。射频传输体上同时具有高频和低频两种射频功率通过，最终流入真空反应腔。现有技术中射频电源输出的射频频率多为60MHz，主动馈入腔内的60MHz射频功率经过等离子体的非线性效应作用会产生2倍频与3倍频，甚至更高倍频的高次谐波，其中2倍频与3倍频为：120MHz和180MHz的高次谐波，上述倍频的高次谐波的功率会直接影响腔内等离子体的空间分布，是等离子体刻蚀中W形刻蚀速率分布中中心峰的重要贡献因素。

目前对倍频高次谐波在射频回路中的阻抗调节仅限于调节射频匹配中60MHz回路的阻抗，以实现倍频高次谐波阻抗的被动调节。但是该方式不仅无法去耦合实现针对性的调节，而且其改变60MHz主频率阻抗也会带来预料之外的问题，同时也无法保证足够的可重复性。因此，业内急需一种可实现高频次谐波调节的等离子体处理装置，以便获取理想的等离子体分布。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置及其调节方法，该装置在射频传输体的外周设置有电接地的屏蔽套筒和至少两个介质层，各个介质层之间可相对发生位移，以改变各介质层之间的正对面积，进而调整该处的等效电容，实现对于倍频高次谐波阻抗的调节，以影响真空反应腔内等离子体的空间分布，更精准地控制刻蚀速率分布。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子体处理装置，包含：

真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件；

射频电源，用于向下电极组件提供射频功率；

射频传输体，所述射频电源通过所述射频传输体向下电极组件提供射频功率；

电接地的屏蔽套筒，其环绕设置于所述射频传输体的外周，所述射频传输体和所述屏蔽套筒之间包含至少两个介质层，各个介质层之间可相对发生位移，所述位移用于改变各介质层之间的正对面积。

可选的，所述介质层在周向上是非连续的。

可选的，所述介质层可沿着屏蔽套筒周向移动或上下移动。

可选的，所述至少两个介质层具有若干个第一介质层和第二介质层。

可选的，所述第一介质层为定子，且所述第一介质层设置于靠近屏蔽套筒的一侧；

所述第二介质层为转子，所述转子设置于所述定子内侧，所述转子可相对所述定子转动。

可选的，所述第一介质层为转子，且所述第一介质层设置于靠近屏蔽套筒的一侧；

所述第二介质层为定子，所述定子设置于所述转子内侧，所述转子可相对所述定子转动。

可选的，所述第一介质层为转子，且所述第一介质层设置于靠近屏蔽套筒的一侧；

所述第二介质层为转子，第一介质层设置于所述第二介质层内侧，所述转子之间可以相对转动。

可选的，所述第一介质层与所述第二介质层材料相同或不相同。

可选的，所述介质层由绝缘材料和/或导体材料制备。

可选的，所述绝缘材料包含聚醚醚酮、钨碳、聚醚酰亚胺、石英、聚四氟乙烯或陶瓷中的一种或多种；

所述导体材料包含铝、不锈钢、铜、铝合金、铜合金中的一种或多种。

可选的，还包含：

若干个调节件，其环绕设置于所述射频传输体的外侧，所述调节件包含若干个可变光阑，所述可变光阑环绕设置于所述射频传输体的外侧，调节可变光阑的伸出面积以改变所述可变光阑至所述射频传输体的距离。

可选的，所述调节件还包含：

绝缘组件，其设置于电接地的安装板内，所述绝缘组件内部包含若干个凹槽空间，各个可变光阑分别设置于各个凹槽空间内，调节可变光阑的伸缩以调节所述可变光阑与所述射频传输体之间的距离。

可选的，所述可变光阑与所述安装板接触。

可选的，所述可变光阑由导体材料制备。

可选的，所述射频传输体包含第一射频子电缆和第二射频子电缆，所述第一射频子电缆与所述下电极组件连接，所述第二射频子电缆的一端与所述第一射频子电缆连接，另一端与射频电源连接，所述第一射频子电缆和所述第二射频子电缆之间有夹角；

所述射频电源设置在安装板上，所述第二射频子电缆穿过所述安装板与射频电源相连。

可选的，所述屏蔽套筒设置于所述第一射频子电缆的外侧，所述至少两个介质层设置于所述屏蔽套筒与所述第一射频子电缆之间，若干个调节件设置于所述第二射频子电缆外侧。

可选的，一种等离子体处理装置的射频调节方法，所述方法包含：

调节各个介质层，改变各个介质层之间的正对面积。

可选的，所述调节各个介质层包含：

将所述介质层沿周向旋转和/或上下移动。

可选的，所述方法还包含：

调节可变光阑的伸缩面积。

可选的，先调节各个介质层的正对面积以调节第一射频子电缆处的等效电容；

再调节可变光阑的伸缩面积以调节第二射频子电缆处的等效电容。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

本发明的一种等离子体处理装置及其调节方法中，该装置在射频传输体的外周设置有电接地的屏蔽套筒和至少两个介质层，各个介质层之间可相对发生位移，以改变各介质层之间的正对面积，进而调整该处的等效电容，实现对于倍频高次谐波阻抗的调节，影响真空反应腔内等离子体的空间分布，以便更精准地调控等离子体刻蚀中(W形)刻蚀速率的分布。

进一步的，该装置在射频传输体的外周设置有包含可变光阑的调节件，通过调节可变光阑的伸缩，控制该处的等效电容，以实现倍频谐波波段的射频阻抗的主动调节，进而直接影响腔体内倍频谐波对应的射频功率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明专利实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明专利的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的一种等离子体处理装置；

图2a-2e为本发明的第一射频子电缆处的结构示意图；

图3为本发明的第二射频子电缆处的结构示意图；

图4为本发明实施例二中第一射频子电缆处的结构示意图。

具体实施方式

为利于了解本发明的特征、内容与优点及其所能达成的功效，将本发明配合附图，并以实施方式的表达形式详细说明如下，而其中所使用的附图，其主旨仅为示意及辅助说明书之用，未必为本发明实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的附图式的比例与配置关系解读、局限本发明于实际实施上的权利范围。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例一

如图1所示，为本发明的一种等离子体处理装置，其为一种电容耦合等离子体处理装置(CCP)，该等离子体处理装置包含：一真空反应腔100，其由金属材料制成的大致为圆柱形的反应腔腔体101和腔体端盖102包围而成，所述反应腔腔体101上设置一基片传输口103，该基片传输口103用于实现基片W在真空反应腔100内外之间的传输。基片传输口103外侧可接通传输腔和气锁室(图中未示出)，气锁室可进行真空与大气压力之间的压力转换，以使真空反应腔100始终保持在一个稳定的状态下。

所述真空反应腔100内包含一基座，所述基座具有用于支撑所述基片W的承载面，同时所述基座还可以作为下电极组件110，其设置于所述真空反应腔100内底部。所述真空反应腔100内还包含与所述下电极组件110相对设置的上电极组件120，所述上电极组件120和所述下电极组件110之间的空间为在基片W表面进行蚀刻的处理区域。可电离气体或工艺气体的混合物经由气体分配系统130引入。对于给定的工艺气体流，使用真空泵送系统140调节工艺压力。

可选的，所述等离子体处理装置连接一个或多个射频电源150，以便为所述下电极组件110或上电极组件120提供射频功率。在连接多个射频电源150的实施例中，每个射频电源150可以提供不同于其他射频电源150的射频频率和功率，以适用不同加工技术的需求。例如在一些实施例中，上电极组件120连接一个射频电源150，下电极组件110连接另一个射频电源150，这两个射频电源150可以提供不同的射频频率和功率。

在本实施例中，所述下电极组件110连接有射频电源150，所述射频电源150通过射频传输体160向下电极组件110提供射频功率，以将工艺气体解离为等离子体，使所述上电极组件120和所述下电极组件110之间的处理区域为等离子体环境。该等离子体环境中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片W的表面发生多种物理和/或化学反应，使得待处理基片W的形貌发生改变，从而完成对待处理基片W的处理。

在本发明中，所述等离子体处理装置还包含电接地的屏蔽套筒170(可为中空的圆柱体)，所述屏蔽套筒170环绕设置于所述射频传输体160的外周，所述射频传输体160和所述屏蔽套筒170之间包含至少两个介质层180，各个介质层180之间可相对发生位移，所述位移用于改变各介质层180之间的正对面积。如图1所示的等离子体处理装置中，上电极组件120和下电极组件110之间存在第一等效电容C1。同时，射频传输体160本身具有寄生电感，射频传输体160与屏蔽套筒170之间也存在电容，射频传输体160与屏蔽套筒170相当于电容的两个电极，所以此处也存在第二等效电容C2。这些电容和电感的参数共同决定了从射频电源150输出端到真空反应腔100内各个电极和各个反应腔腔体101侧壁的电场分布以及整个真空反应腔100的频率特性。本发明通过对腔室的阻抗进行模拟以及实验发现：120MHz的高次谐波主要对第二等效电容C2敏感，所以通过调节第二等效电容C2便可以调节120MHz阻抗，同时第二等效电容C2对高次谐波180MHz也有影响。因此所述射频传输体160和所述屏蔽套筒170之间的各个介质层180发生位移，改变了射频传输体160和屏蔽套筒170之间的介电常数，进而改变了第二等效电容C2，有利于进一步调整真空反应腔100内的射频分布状态。

进一步的，所述射频传输体160包含若干个子射频传输体，所述射频电源150设置在电接地的安装板194上，所述子射频传输体穿过所述安装板194与射频电源150相连。

在本实施例中，所述射频传输体160为射频电缆，其包含两个子射频传输体即射频子电缆。具体地，两个子射频传输体分别为第一射频子电缆161和第二射频子电缆162。所述第一射频子电缆161从所述下电极组件110向下延伸，所述第二射频子电缆162的一端与所述第一射频子电缆161的底部连接，所述第二射频子电缆162的另一端与射频电源150连接。可选的，所述第一射频子电缆161和所述第二射频子电缆162之间有夹角，在本实施例中，两者之间夹角为直角。

进一步的，所述第一射频子电缆161的外侧环绕设置有屏蔽套筒170，所述第一射频子电缆161和所述屏蔽套筒170之间包含若干个介质层180，各个介质层180沿周向均匀分布，各个介质层180之间可相对发生位移，以改变各个介质层180之间的正对面积即重叠面积。所述第一射频子电缆161和屏蔽套筒170等效于电容的两个电极，其间包含的各个介质层180和空气相当于两个电极之间的电介质，改变介质层180之间的重叠面积相当于改变了电介质的介电系数，进而改变该第二等效电容C2的电容大小。因此通过调节此处的第二等效电容C2的大小，可主要影响真空反应腔100内120MHz的射频分布，同时还会影响180MHz的射频分布。

如图1、图2a～图2e结合所示，在本实施例中，所述介质层180成对存在，所述介质层180为第一介质层181或第二介质层182。可选地，第一介质层181和第二介质层182在周向上是非连续的，即：第一介质层181在周向上，两两之间具有一定间隔，同样的，第二介质层182在周向上，两两之间也具有一定间隔；所述第一射频子电缆161和所述屏蔽套筒170之间包含三对第一介质层181和第二介质层182，各对介质层180沿周向均匀排列。

进一步的，所述第一介质层181为定子，且所述第一介质层181设置于靠近屏蔽套筒170的一侧。所述第二介质层182为转子，所述转子设置于所述定子内侧，所述转子可相对所述定子转动。可选的，第一介质层181为转子，第二介质层182为定子，或者，第一介质层和第二介质层均为转子，第一介质层设置于所述第二介质层内侧，且转子之间可相对转动。在本实施例中，通过机械驱动结构驱动所述转子沿周向旋转移动，可以使得第二等效电容C2不断变化。调节第二等效电容C2的大小，进而调节等效电路的频率特性。具体地，通过所述第二等效电容C2可实现对真空反应腔100腔体内120MHz和180MHz的阻抗改变，其中120MHz的敏感度更高。

根据实际工艺需求，可选的，所述第一介质层181或第二介质层182可沿屏蔽套筒170上下方向移动。在本实施例中，所述第二介质层182即转子可相对所述第一介质层181即定子上下移动，第一介质层181和第二介质层182之间的重叠面积随之发生改变，进而使得第一射频子电缆161和屏蔽套筒170之间的空间内介电系数发生改变，以调节第二等效电容C2。

可选的，所述第一介质层181与所述第二介质层182材料相同或不相同；所述介质层180由绝缘材料和/或导体材料制备。可选的，所述绝缘材料包含聚醚醚酮、钨碳、聚醚酰亚胺、石英、聚四氟乙烯或陶瓷中的一种或多种；所述导体材料包含铝、不锈钢、铜、铝合金、铜合金中的一种或多种。

进一步的，如图1和图3结合所示，第二射频子电缆162与安装板194之间存在第三等效电容C3，本发明通过对腔室的阻抗进行模拟以及实验还发现：120MHz的高次谐波对第三等效电容C3同样敏感，但是第三等效电容C3对高次谐波180MHz没有影响，因此通过调节第三等效电容C3同样可以调节120MHz阻抗；对此，所述第二射频子电缆162的外侧环绕设置有调节件190，其设置于电接地的安装板194内，所述调节件190包含若干个可变光阑191，所述可变光阑191环绕设置于所述第二射频子电缆162的外侧，调节可变光阑191的伸出面积以改变所述可变光阑191至所述第二射频子电缆162的距离。

所述可变光阑191的结构类似于照相机中的光圈或者光学系统中使用的小孔光阑，其是具有外径和内径的圆环，且所述圆环的内径可连续缩放。

在本实施例中，所述调节件190还包含绝缘组件192，所述绝缘组件192用于实现固定支撑所述第二射频子电缆162，并实现第二射频子电缆162与安装板之间的电绝缘。安装板在厚度方向上开设有安装孔，所述绝缘组件192设置于电接地的安装板194的安装孔内，所述绝缘组件192在厚度方向开设有通孔，所述第二射频子电缆162穿过所述绝缘组件192的所述通孔并被所述通孔固定。可选的，所述安装孔为圆形，所述绝缘组件192为圆柱体，所述绝缘组件192与安装孔紧密配合。

在本实施例中，所述绝缘组件192内设有若干个凹槽结构193，所述凹槽结构193沿着绝缘组件192的与厚度垂直的方向延伸，各个可变光阑191分别设置于各个凹槽结构193内(可设置成可变光阑191夹在各个凹槽结构193内)，且所述可变光阑191的外径与所述安装板194接触，与第二射频子电缆162不接触，调节可变光阑191的内径伸缩以调节所述可变光阑191与所述第二射频子电缆162之间的距离。

在本发明中，所述可变光阑191的材料不做限制，其可由导体材料制备。可选的，所述导体材料包含铝、不锈钢、铜、铝合金、铜合金中的一种或多种。

可变光阑191的材料为导体材料，所述第二射频子电缆162本身具有寄生电感，安装板194与可变光阑191之间电连，因此可变光阑191与第二射频子电缆162之间的电容即第三等效电容C3。第二射频子电缆162和可变光阑191相当于一个电容的两个电极，调节可变光阑191内径与第二射频子电缆162之间的距离即调节两个电极之间的距离，进而改变该第三等效电容C3的电容大小。因此通过调节第三等效电容C3的电容值就可以对120MHz的阻抗实现连续可控的调节，进而调节真空反应腔100内120MHz的射频功率。

可选的，所述可变光阑191的结构不仅限于上述的光圈或光阑，其还可以为其他可实现可变光阑191与第二射频子电缆162之间距离的结构。在实际使用过程中，根据工艺的需求调节可变光阑191的伸出面积以改变第三等效电容C3的大小，进而影响120MHz的射频频率，调节真空反应腔100内的射频分布，以实现最优的工艺效果。

需要说明的是，本发明中的第一射频子电缆161的外侧并不仅限于设置若干个介质层180，其还可以根据实际的空间排布需求设置若干个调节件190(可变光阑191)，所述第二射频子电缆162的外侧并不仅限于设置若干个调节件190，其还可以根据实际需求设置屏蔽套筒170和若干个介质层180，只要可实现第一射频子电缆161和第二射频子电缆162处的电容调节进而影响真空反应腔100内的射频环境即可，在此不再加以限制和赘述。

基于同一发明构思，本发明还提供了一种等离子体处理装置的射频调节方法，该方法包含：采用上述等离子体处理装置；调节各个介质层180，改变各个介质层180之间的正对面积。

其中，所述调节各个介质层180包含：将所述介质层180沿周向旋转和/或上下移动。

进一步的，该方法还包含：调节所述可变光阑191的伸缩面积。

具体地，根据实际工艺需求，调节电容时，先调节各个介质层180的正对面积以调节第一射频子电缆161处的等效电容，即先调节第二等效电容C2，以实现对真空反应腔100腔体内180MHz的射频频率的调节，同时实现了对120MHz射频频率的粗调。进一步的，调节可变光阑191的伸缩面积以调节第二射频子电缆162处的等效电容，即调节第三等效电容C3，以实现对真空反应腔100腔体内120MHz射频频率的调节，实现对120MHz阻抗的针对性调节。

实施例二

基于实施例一的等离子处理装置的结构特性，本实施例对第一射频子电缆261和屏蔽套筒270之间的第二等效电容C2结构做出了一些改变，主要针对所述第二等效电容C2处的介质层280部分做了改变。

如图4所示，在本实施例中，各介质层280成对存在，所述介质层280为第一介质层281或第二介质层282。具体地，所述第一射频子电缆261和所述屏蔽套筒270之间包含三对第一介质层281和第二介质层282，各对介质层280沿周向均匀排列。

进一步的，所述第一介质层281为转子，且所述第一介质层281设置于靠近屏蔽套筒270一侧，所述第二介质层282为定子，所述定子设置于所述转子内侧，所述转子可相对所述定子移动(周向移动或上下移动)，通过驱动装置驱动所述转子旋转或移动。根据等离子体处理装置处的空间排布需求，上述结构可进一步便于其他部件的安放，以便合理利用有限的空间。

另外本实施例的其他结构及各组件作用方式，如上电极组件和第三等效电容C3，都与实施例一中的结构相同，在此不再加以赘述。

综上所述，本发明的等离子体处理装置及其调节方法中，该等离子体处理装置在射频传输体160的外周设置有电接地的屏蔽套筒170和至少两个介质层180，各个介质层180之间可相对发生位移，以改变各介质层180之间的正对面积，进而调整该处等效电容，实现对于射频电源150的倍频波段的阻抗调节，使得等离子体处理装置可以更精准的控制真空反应腔100内射频的频域发布，进而帮助调节腔体内射频等离子体的空间分布。

进一步的，本发明的等离子体处理装置中，在射频传输体160的外周设置有包含可变光阑191的调节件190，通过调节可变光阑191的伸缩，以控制该处的等效电容，进而影响腔体在倍频谐波波段(120MHz)的射频阻抗。

进一步的，本发明的等离子体处理装置的调节方法中，先对第一射频子电缆161处的等效电容进行调节，以影响腔内180MHz的射频频率分布，同时也实现了对腔内120MHz射频频率的粗调；再对第二射频子电缆162处的可变光阑191的伸缩面积进行调节，以实现对腔内120MHz射频频率的针对性调节，同时修正调节第一射频子电缆161处等效电容时带来的阻抗问题。该方法可实现120MHz和180MHz下的阻抗的主动调节，进而直接影响腔体内120MHz和180MHz的射频功率。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (20)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件；

射频电源，用于向下电极组件提供射频功率；

射频传输体，所述射频电源通过所述射频传输体向下电极组件提供射频功率；

电接地的屏蔽套筒，其环绕设置于所述射频传输体的外周，所述射频传输体和所述屏蔽套筒之间包含至少两个介质层，各个介质层之间可相对发生位移，所述位移用于改变各介质层之间的正对面积。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述介质层在周向上是非连续的。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述介质层可沿着屏蔽套筒周向移动或上下移动。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述至少两个介质层具有若干个第一介质层和第二介质层。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一介质层为定子，且所述第一介质层设置于靠近屏蔽套筒的一侧；

所述第二介质层为转子，所述转子设置于所述定子内侧，所述转子可相对所述定子转动。

6.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一介质层为转子，且所述第一介质层设置于靠近屏蔽套筒的一侧；

所述第二介质层为定子，所述定子设置于所述转子内侧，所述转子可相对所述定子转动。

7.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一介质层为转子，且所述第一介质层设置于靠近屏蔽套筒的一侧；

所述第二介质层为转子，第一介质层设置于所述第二介质层内侧，所述转子之间可以相对转动。

8.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一介质层与所述第二介质层材料相同或不相同。

9.如权利要求1或7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述介质层由绝缘材料和/或导体材料制备。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述绝缘材料包含聚醚醚酮、钨碳、聚醚酰亚胺、石英、聚四氟乙烯或陶瓷中的一种或多种；

所述导体材料包含铝、不锈钢、铜、铝合金、铜合金中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包含：

若干个调节件，其环绕设置于所述射频传输体的外侧，所述调节件包含若干个可变光阑，所述可变光阑环绕设置于所述射频传输体的外侧，调节可变光阑的伸出面积以改变所述可变光阑至所述射频传输体的距离。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述调节件还包含：

绝缘组件，其设置于电接地的安装板内，所述绝缘组件内部包含若干个凹槽空间，各个可变光阑分别设置于各个凹槽空间内，调节可变光阑的伸缩以调节所述可变光阑与所述射频传输体之间的距离。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述可变光阑与所述安装板接触。

14.如权利要求11或所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述可变光阑由导体材料制备。

15.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述射频传输体包含第一射频子电缆和第二射频子电缆，所述第一射频子电缆与所述下电极组件连接，所述第二射频子电缆的一端与所述第一射频子电缆连接，另一端与射频电源连接，所述第一射频子电缆和所述第二射频子电缆之间有夹角；

所述射频电源设置在安装板上，所述第二射频子电缆穿过所述安装板与射频电源相连。

16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述屏蔽套筒设置于所述第一射频子电缆的外侧，所述至少两个介质层设置于所述屏蔽套筒与所述第一射频子电缆之间，若干个调节件设置于所述第二射频子电缆外侧。

17.一种如权利要求1～16任一项所述的等离子体处理装置的射频调节方法，其特征在于，所述方法包含：

调节各个介质层，改变各个介质层之间的正对面积。

18.如权利要求17所述的等离子体处理装置的射频调节方法，其特征在于，所述调节各个介质层包含：

将所述介质层沿周向旋转和/或上下方向移动。

19.如权利要求17所述的等离子体处理装置的射频调节方法，其特征在于，所述方法还包含：

调节可变光阑的伸缩面积。

20.如权利要求17所述的等离子体处理装置的射频调节方法，其特征在于，

先调节各个介质层的正对面积；

再调节可变光阑的伸缩面积。

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