CN115522166A - 一种晶圆蒸镀异常的处理方法 - Google Patents
一种晶圆蒸镀异常的处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115522166A CN115522166A CN202210596348.6A CN202210596348A CN115522166A CN 115522166 A CN115522166 A CN 115522166A CN 202210596348 A CN202210596348 A CN 202210596348A CN 115522166 A CN115522166 A CN 115522166A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- evaporation
- abnormity
- processing
- acid tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/028—Physical treatment to alter the texture of the substrate surface, e.g. grinding, polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
- C23C14/588—Removal of material by mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆蒸镀异常的处理方法，包括如下步骤：S1、晶圆蒸镀；S2、检测发现晶圆蒸镀异常；S3、晶圆背金处理；S4、测量晶圆厚度是否符合要求；S5、晶圆补磨；S6、晶圆抛光；S7、标准制程1和2；S8、去水分烘烤；S9、重新晶圆蒸镀，本发明制定了重工流程规范，当检测发现晶圆蒸镀异常时，使异常晶圆能正确的重新做晶圆背面补磨减薄和晶圆背面蒸镀，减少了晶圆异常报废处理的频次，降低了生产线的生产报废率，提高了生产线的生产良率。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆蒸镀异常的处理方法。
背景技术
现今半导体技术与日俱进，而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成后续封装制程能将数个薄化芯片堆栈封装包覆，且晶圆薄化更可让芯片实现低功率与低导通阻抗之优点，不仅有效延长产品寿命，更有效提升使用上的效率。
晶背金属化制程(Back Side Metal)是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术。BSM运用电子束蒸镀或金属溅镀制程，在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材(散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果。
然而，以上现有技术中，晶圆蒸镀异常时处理不当，会导致产品报废，降低产品生产良率。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足之处，本发明提供了一种晶圆蒸镀异常的处理方法，用以解决现有晶圆蒸镀异常时处理不当，会导致产品报废，降低产品生产良率的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：
一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、晶圆蒸镀；
S2、检测发现晶圆蒸镀异常；
S3、晶圆背金处理；
S4、测量晶圆厚度是否符合要求；
S5、晶圆补磨；
S6、晶圆抛光；
S7、标准制程1和2；
S8、去水分烘烤；
S9、重新晶圆蒸镀。
进一步，所述步骤S4，若晶圆厚度符合要求，则直接进入步骤S6并进行后续步骤；若晶圆厚度不符合要求，则需经步骤S5后再进行后续步骤。
进一步，所述步骤S2中晶圆蒸镀异常的判定制程条件为：(1)腔体温度低于95℃；(2)真空镀低于5E-6tor，若满足两条件之一，则判定蒸镀异常。
进一步，所述步骤S3采用酸槽进行处理，所述酸槽包括重工酸槽和DHF槽，所述重工酸槽用于去除Ag&Sn金属层，所述DHF槽用于去除负责去除Ni&Ti金属层，所述重工酸槽和DHF槽浸泡处理后均需进行QDR水洗。
进一步，所述步骤S5采用多级研磨轮进行研磨。
进一步，所述步骤S7中，标准制程1为HF Dip，标准制程2为解UV撕胶。
进一步，所述酸槽进行处理时需根据所述晶圆蒸镀后的膜厚确定所述酸槽的浸泡时间和QDR水洗的时间。
本发明与现有技术相比，具有如下有益效果：
制定了重工流程规范，当检测发现晶圆蒸镀异常时，使异常晶圆能正确的重新做晶圆背面补磨减薄和晶圆背面蒸镀，减少了晶圆异常报废处理的频次，降低了生产线的生产报废率，提高了生产线的生产良率。
附图说明
图1为本发明一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例的流程图；
图2为本发明一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例中的晶圆背金处理流程图；
图3为本发明一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例中的酸槽参数表；
图4为本发明一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例中的酸槽酸液配比表。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员可以更好地理解本发明，下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
实施例：
如图1-图4所示，本发明的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，包括如下步骤：
S1、晶圆蒸镀；
S2、检测发现晶圆蒸镀异常，晶圆蒸镀异常的判定制程条件为：(1)腔体温度低于95℃；(2)真空镀低于5E-6tor，若满足两条件之一，则判定蒸镀异常；
S3、晶圆背金处理，采用酸槽进行处理，酸槽包括重工酸槽和DHF槽，先重工酸槽浸泡，后DHF槽浸泡，重工酸槽用于去除Ag&Sn金属层，DHF槽用于去除负责去除Ni&Ti金属层，晶圆从DHF槽拉出时，晶背应呈斥水性，此时晶背之Ti与Ni已完全去除；反之则代表金属未被完全蚀刻干净，重工酸槽和DHF槽浸泡处理后均需进行QDR水洗，酸槽进行处理时需根据晶圆蒸镀后的膜厚确定酸槽的浸泡时间和QDR水洗的时间；
S4、测量晶圆厚度是否符合要求，若晶圆厚度符合要求，则直接进入步骤S6并进行后续步骤；若晶圆厚度不符合要求，则需经步骤S5后再进行后续步骤；
S5、晶圆补磨，需保证晶圆的晶背金属已去除干净，采用多级研磨轮进行研磨，若重工晶圆量测厚度与途程单所订最终厚度差异≦2mil(50μm)以下，则重工晶圆直接以Z2细磨轮进行研磨至最终厚度，若重工晶圆量测厚度与所订最终厚度差异大于2mil(50μm)以上时，则Z2细磨轮移除量设定一律定为1mil(25μm)，其余所需研磨移除量则需以Z1粗磨轮做移除，不可直接以Z2细磨轮作研磨移除；
S6、晶圆抛光；
S7、标准制程1和2，标准制程1为HF Dip，标准制程2为解UV撕胶；
S8、去水分烘烤；
S9、重新晶圆蒸镀。
进一步，进行步骤S3和步骤S5时均需贴UV胶带，其胶带黏性大于10N/20mm。
以上的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述，所属领域普通技术人员知晓申请日或者优先权日之前发明所属技术领域所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，所属领域普通技术人员可以在本申请给出的启示下，结合自身能力完善并实施本方案，一些典型的公知结构或者公知方法不应当成为所属领域普通技术人员实施本申请的障碍。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系，该术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
Claims (7)
1.一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、晶圆蒸镀；
S2、检测发现晶圆蒸镀异常；
S3、晶圆背金处理；
S4、测量晶圆厚度是否符合要求；
S5、晶圆补磨；
S6、晶圆抛光；
S7、标准制程1和2；
S8、去水分烘烤；
S9、重新晶圆蒸镀。
2.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于：所述步骤S4，若晶圆厚度符合要求，则直接进入步骤S6并进行后续步骤；若晶圆厚度不符合要求，则需经步骤S5后再进行后续步骤。
3.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于，所述步骤S2中晶圆蒸镀异常的判定制程条件为：(1)腔体温度低于95℃；(2)真空镀低于5E-6 tor，若满足两条件之一，则判定蒸镀异常。
4.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于：所述步骤S3采用酸槽进行处理，所述酸槽包括重工酸槽和DHF槽，所述重工酸槽用于去除Ag&Sn金属层，所述DHF槽用于去除负责去除Ni&Ti金属层，所述重工酸槽和DHF槽浸泡处理后均需进行QDR水洗。
5.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于：所述步骤S5采用多级研磨轮进行研磨。
6.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于：所述步骤S7中，标准制程1为HF Dip，标准制程2为解UV撕胶。
7.如权利要求4所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于：所述酸槽进行处理时需根据所述晶圆蒸镀后的膜厚确定所述酸槽的浸泡时间和QDR水洗的时间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210596348.6A CN115522166A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种晶圆蒸镀异常的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210596348.6A CN115522166A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种晶圆蒸镀异常的处理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115522166A true CN115522166A (zh) | 2022-12-27 |
Family
ID=84696462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210596348.6A Pending CN115522166A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种晶圆蒸镀异常的处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115522166A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070080770A (ko) * | 2006-02-08 | 2007-08-13 | 삼성전자주식회사 | 공정 불량 검출 방법 |
| KR20080057004A (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정 |
| CN102097288A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 北大方正集团有限公司 | 一种背面金属工艺的返工方法 |
| TW201719733A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-06-01 | 艾格生科技股份有限公司 | 晶背金屬化製程 |
| CN114121610A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-03-01 | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种晶圆背面金属化前清洗的方法 |
-
2022
- 2022-05-30 CN CN202210596348.6A patent/CN115522166A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070080770A (ko) * | 2006-02-08 | 2007-08-13 | 삼성전자주식회사 | 공정 불량 검출 방법 |
| KR20080057004A (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정 |
| CN102097288A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 北大方正集团有限公司 | 一种背面金属工艺的返工方法 |
| TW201719733A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-06-01 | 艾格生科技股份有限公司 | 晶背金屬化製程 |
| CN114121610A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-03-01 | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种晶圆背面金属化前清洗的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210104487A1 (en) | Processed stacked dies | |
| CN102651314B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| US9847219B2 (en) | Semiconductor die singulation method | |
| PH12013000169B1 (en) | Semiconductor die singulation method | |
| CN103606517A (zh) | 一种硅片减薄方法 | |
| CN113793801B (zh) | 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法 | |
| CN102097288A (zh) | 一种背面金属工艺的返工方法 | |
| CN110600388A (zh) | 改善铝焊盘结晶缺陷的方法 | |
| JP2002100589A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
| CN106048543B (zh) | 半导体晶片表面真空镀膜工艺 | |
| CN105355566A (zh) | 焊盘的表面处理方法及焊盘的制作方法 | |
| CN103219318A (zh) | 一种耐高温的微波内匹配晶体管用mim电容及其制造方法 | |
| CN115522166A (zh) | 一种晶圆蒸镀异常的处理方法 | |
| CN116884884B (zh) | 栅极侧墙icp刻蚀用暖机片及其制备方法、暖机方法 | |
| US20150064878A1 (en) | Wafer dicing method for improving die packaging quality | |
| CN110137126A (zh) | 一种半导体晶圆双膜切割方法 | |
| CN105762062A (zh) | 一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺 | |
| US7682969B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| CN105609434A (zh) | 晶圆片级芯片封装凸点的返工方法 | |
| CN106367814B (zh) | 提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法 | |
| CN115394645B (zh) | 一种晶圆背面金属层异常处理方法 | |
| CN111229685B (zh) | 一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法 | |
| CN112259455B (zh) | 一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法 | |
| CN113380615A (zh) | 一种集成电路晶圆背面处理工艺 | |
| CN114121610A (zh) | 一种晶圆背面金属化前清洗的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20221227 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |