CN115522043A - 恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置及磁芯制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及热处理领域,具体涉及恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置及磁芯制备方法,包括一控制系统以及包括分别与控制系统连接的,原始带材辊;恒张力机构,恒张力机构包括依次设置的第一电磁辊机构、测力辊、第一过渡辊、第二过渡辊和第二电磁辊机构,测力辊上设有张力传感器;热处理机构,热处理机构内设有至少一组可调节激光强度的激光加热设备;磁芯卷绕机构,设于第二电磁辊机构的出料端一侧,由控制系统输出的卷绕信号对带材进行卷绕切割,本发明采用恒张力热处理‑卷绕‑热处理的方法,省去了常规恒张力热处理后收卷的工序,无需人工进行换卷安装,自动化程度高,提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及热处理技术领域,具体涉及恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置及磁芯制备方法。
背景技术
随着电力系统的发展,电力电子设备的增多,大量整流、变频和高频开关电源设备得到更广泛的应用,造成线路中的电磁污染日趋严重,会使线路中的直流分量逐渐增大,使得电力电子器件产生磁路异常,从而引起干扰噪声和机械振动。为了使互感器、电感等元器件在含有较大直流分量的环境下仍然能够正常工作,必须保证这些元器件内的磁芯在交直流叠加磁化时不饱和。为此,作为抗直流分量的电流互感器,铁芯材料应具有较高的饱和磁感应强度,同时还应具有高线性磁导率、恒定磁导率等特性。
目前,为获得上述具有抗直流偏置能力的磁芯,通常是将非晶纳米晶软磁合金带材在恒张力的条件下进行热处理,先获得具有高线性、恒定磁导率的非晶纳米晶带材,然后再将该带材卷绕制备成各种规格的磁芯。图1所示为现有技术中常用的非晶纳米晶带材恒张力热处理装置,其主要方法是:将原始非晶纳米晶带材置于现有热处理装置的原始带材辊71上,并将带材依次通过现有热处理装置的支撑辊73、过渡辊72、测力辊74和热处理炉75,最后由收卷辊76直接卷绕收卷。但是现有的恒张力热处理设备存在以下不足:
(1)现有的恒张力热处理过程中张力控制稳定性较差,不能达到热处理全程均是恒定张力控制;
(2)现有恒张力热处理设备仅能对整卷原始带材进行张力热处理,后续制备磁芯时还需将热处理后的带材重新卷绕成特定规格的磁芯。但非晶纳米晶带材在热处理后韧性极差,极容易脆断,后续磁芯制备过程中对人力依赖较大,难以进行自动化生产,生产效率低、且生产成本大幅提高,不利于恒磁导率非晶纳米晶磁芯及其元器件的批量化应用;
(3)将恒张力热处理后的带材卷绕成磁芯后,磁芯带材内产生了较大内应力,导致成品磁芯的磁导率等性能有较大偏差。
因此,亟需开发出一种恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置及配套装置的磁芯制备方法。
发明内容
本发明的目的在于,提供恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置,解决以上技术问题;
本发明的目的还在于,提供恒磁导率的非晶纳米晶磁芯制备方法,解决以上技术问题。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置,包括一控制系统以及包括分别与所述控制系统连接的,
原始带材辊;
恒张力机构,所述恒张力机构包括依次设置的第一电磁辊机构、测力辊、第一过渡辊、第二过渡辊和第二电磁辊机构,所述测力辊上设有张力传感器;
热处理机构,所述热处理机构内设有至少一组可调节激光强度的激光加热设备;
优选的,所述恒张力机构设于所述原始带材辊的出料端一侧,由所述控制系统基于接收到的张力传感器信号以及基于设定的恒张力值输出张力控制信号对所述第一电磁辊机构和所述第二电磁辊机构的磁吸力以及转速进行调节。
优选的,所述第一电磁辊机构和所述第二电磁辊机构均包括至少一组具备相同结构的电磁辊,每一组所述电磁辊分别设于所述带材的上表面以及下表面。
优选的,所述电磁辊上设有多组电磁铁,所述电磁铁周边绕有线圈,所述电磁辊的其余部分采用无磁性材料制得。
优选的,所述电磁辊上的所述电磁铁,与所述控制系统电连接,由所述控制系统调控电磁辊对所述带材的电磁吸力。
优选的,所述热处理机构设于所述第一过渡辊和所述第二过渡辊之间,基于所述控制系统输出的热处理信号对所述带材进行热处理。
优选的,所述原始带材辊,所述恒张力机构,所述磁芯卷绕机构均与驱动装置连接,所述驱动装置的受控端连接所述控制系统。
优选的,所述激光加热设备包括分别设于所述带材的上下两侧的可单独设置不同激光强度的第一激光加热设备和第二激光加热设备。
优选的,所述激光加热设备连接有测温元件,所述测温元件与一用于实时显示温度的显示器连接。
优选的,所述磁芯卷绕机构包括依次设置的,
牵引辊组件,包括至少一对分别设于所述带材的上下两侧的第一牵引辊和第二牵引辊;
限位压块组件,包括分别设于所述带材的上下两侧的第一限位压块和第二限位压块;
切刀组件,包括分别设于所述带材的上下两侧的第一切刀和第二切刀;
第一导向板,水平设置于所述限位压块组件和所述切刀组件之间;
卷绕辊,包括套设于卷绕轴上的卷芯,以及包括对应所述卷芯设置的电阻焊机构,所述电阻焊机构包括外焊机构和内焊机构;
第二导向板,水平设置于所述切刀组件和所述卷绕辊之间。
优选的,所述卷绕辊的侧面设有测量传感器,所述测量传感器包括外径测量传感器和带材圈数传感器,分别用于实时测量所述带材卷绕的磁芯外径和圈数。
恒磁导率的非晶纳米晶磁芯制备方法,应用于所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,包括,
步骤S1,放料及位置调整:将所述带材置于所述原始带材辊,并将所述带材依次穿过所述恒张力机构、所述热处理机构、所述磁芯卷绕机构,并传送到所述卷绕辊上;
步骤S2,参数设定:向所述控制系统设定至少包括热处理温度、带材内张力数值、带材传输速度、带材宽度、带材厚度、磁芯内径、磁芯外径的参数;
步骤S3,恒张力热处理:启动所述控制系统上所有机构的开关,装置在恒定张力控制下完成所述带材的热处理,并由所述磁芯卷绕机构将带材卷绕成预设尺寸的磁芯;
步骤S4,去应力热处理:将恒张力热处理并卷绕后制得的磁芯放入外部热处理炉中进行去应力热处理,待冷却至室温获得磁芯成品。
优选的,步骤S4中,去应力热处理的保温温度为200℃-400℃,保温时间为1h-5h,热处理氛围为真空、惰性气体或氢气。
本发明的有益效果:
(1)本发明在恒张力热处理过程中通过设置电磁辊机构、测力辊、过渡辊等一系列设备,能够控制带材在整个热处理过程中的张力稳定,使得带材的磁饱和能力好,此外,磁芯卷绕时内外张力一致,使得磁芯性能一致性好;
(2)本发明的恒张力热处理装置将热处理机构与磁芯卷绕机构合理的设置,可连续的对原始带材进行热处理并将热处理后的带材直接卷绕成特定规格的磁芯,解决了常规恒张力热处理后带材韧性差造成的二次卷绕制得磁芯良率低的问题,且整个过程不依赖人力,自动化程度高,提高了生产效率,生产成本也大大降低,有利于恒磁导率非晶纳米晶磁芯及其元器件的批量化应用;
(3)本发明对恒张力热处理后的带材卷绕成磁芯后,进行去应力热处理,能够有效消除磁芯内部残存的应力,有利于磁芯磁导率性能稳定。
附图说明
图1为现有技术的带材热处理装置的结构示意图;
图2为本发明实施例中磁芯热处理装置的结构示意图;
图3为本发明实施例中控制系统的连接示意图;
图4为本发明实施例中电磁辊的结构示意图;
图5为本发明实施例磁芯制备方法的步骤示意图。
附图中:1、控制系统;2、原始带材辊;3、恒张力机构;31、第一电磁辊机构;311、电磁铁;312、线圈;313、电磁辊的其余部分;32、测力辊;321、张力传感器;33、第一过渡辊;34、第二过渡辊;35、第二电磁辊机构;36、第三过渡辊;4、热处理机构;41、激光加热设备;42、显示器;5、磁芯卷绕机构;51、牵引辊组件;52、限位压块组件;53、切刀组件;54、卷绕辊;541、测量传感器;542、卷绕轴;543、卷芯;544、电阻焊机构;545、外焊机构;546、内焊机构;55、第一导向板;56、第二导向板;6、驱动装置;71、现有热处理装置的原始带材辊;72、现有热处理装置的过渡辊;73、现有热处理装置的支撑辊;74、现有热处理装置的测力辊;75、现有热处理装置的热处理炉;76、现有热处理装置的收卷辊。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置,如图2,图3所示,包括一控制系统1以及包括分别与控制系统连接的,
原始带材辊2;
恒张力机构3,恒张力机构3包括依次设置的第一电磁辊机构31、测力辊32、第一过渡辊33、第二过渡辊34和第二电磁辊机构35,测力辊32上设有张力传感器321;具体的,张力传感器321用于监测和向控制系统1传输带材的张力;
热处理机构4,热处理机构4内设有至少一组可调节激光强度的激光加热设备41;
磁芯卷绕机构5,设于第二电磁辊机构35的出料端一侧,由控制系统1输出的卷绕信号对带材进行卷绕切割,制备成磁芯。
具体的,本发明通过增设磁性压辊、张力传感器、控制系统、磁芯卷绕机构等设备,能够保证带材在整个热处理过程中保持恒定的张力,保证磁芯卷绕时内外张力一致,能够提高纳米晶软磁合金的抗磁饱和能力,且制备的磁芯性能一致性好。
在一种较优的实施例中,恒张力机构3设于原始带材辊2的出料端一侧,由控制系统1基于接收到的张力传感器信号以及基于设定的恒张力值输出张力控制信号对第一电磁辊机构31和第二电磁辊机构35的磁吸力以及转速进行调节,控制带材的张力稳定。
具体的,本发明中恒张力机构3由至少两组电磁辊、至少两组过渡辊和一个测力辊32组成,电磁辊放置于热处理机构4的前后两端,测力辊32上装有张力传感器321,并与控制系统1连接,控制系统1实时采集张力传感器321上的张力传感器信号,并由系统输出张力控制信号实时调整电磁辊与带材间的磁吸力值,保证恒张力热处理。
在一种较优的实施例中,第一电磁辊机构31和第二电磁辊机构35均包括至少一组具备相同结构的电磁辊,每一组电磁辊分别设于带材的上表面以及下表面。
在一种较优的实施例中,如图4所示,电磁辊上设有多组电磁铁311,电磁铁311周边绕有线圈312,电磁辊的其余部分313采用无磁性材料制得。
在一种较优的实施例中,电磁辊上的电磁铁311,与控制系统1电连接,由控制系统1调控电磁辊对非晶纳米晶带材的电磁吸力。
具体的,请进一步参照图2所示,第二电磁辊机构35和牵引辊组件51之间还设置有第三过渡辊36。
在一种较优的实施例中,热处理机构4设于第一过渡辊33和第二过渡辊34之间,基于控制系统1输出的热处理信号对带材进行热处理。
在一种较优的实施例中,原始带材辊2,恒张力机构3,磁芯卷绕机构5均与驱动装置6连接,驱动装置6的受控端连接控制系统1;具体的,本实施例中驱动装置6采用伺服电机。
进一步具体的,原始带材辊2、恒张力机构3、磁芯卷绕机构5均由驱动装置6驱动,驱动装置6由控制系统1进行控制。
在一种较优的实施例中,热处理机构4内设有至少一组可调节激光强度的激光加热设备41,每一组激光加热设备41包括分别设于带材的上下两侧的可单独设置不同激光强度的第一激光加热设备和第二激光加热设备。
较优的,本实施例中每个激光加热设备41可单独设置不同激光强度,满足多个温区需求,并且选用的激光加热具有极高的功率密度,能够实现快速加热,且无需长的加热管,节省设备空间,降低生产成本,进而提高生产效率。
在一种较优的实施例中,激光加热设备41连接有测温元件,测温元件与一用于实时显示温度的显示器42连接。
在一种较优的实施例中,磁芯卷绕机构5包括依次设置的,
牵引辊组件51,包括若干个分别设于带材的上下两侧的第一牵引辊和第二牵引辊;
限位压块组件52,包括分别设于带材的上下两侧的第一限位压块和第二限位压块;
切刀组件53,包括分别设于带材的上下两侧的第一切刀和第二切刀;
第一导向板55,水平设置于限位压块组件52和切刀组件53之间;
卷绕辊54,包括套设于卷绕轴542上的卷芯543,以及包括对应卷芯543设置的电阻焊机构544,电阻焊机构544包括外焊机构545和内焊机构546;
第二导向板56,水平设置于切刀组件53和卷绕辊54之间。
在一种较优的实施例中,卷绕辊54的侧面设有测量传感器541,测量传感器541包括外径测量传感器和带材圈数传感器,分别用于实时测量带材卷绕的磁芯外径和圈数。
恒磁导率的非晶纳米晶磁芯制备方法,应用于任意一项实施例中的非晶纳米晶磁芯热处理装置,如图5所示,包括,
步骤S1,放料及位置调整:将带材置于原始带材辊2,并将带材依次穿过恒张力机构3、热处理机构4、磁芯卷绕机构5,并传送到卷绕辊54上;
步骤S2,参数设定:向控制系统1设定至少包括热处理温度、带材内张力数值、带材传输速度、带材宽度、带材厚度、磁芯内径、磁芯外径的参数;
具体的,基于测力辊上32的张力传感器321的监测结果,向控制系统1传输张力传感器信号,控制系统1通过对第一电磁辊机构32和第二电磁辊机构35的磁吸力和转速进行调节,控制带材的张力稳定;
步骤S3,恒张力热处理:启动控制系统1上所有机构的开关,装置在恒定张力控制下完成带材的热处理,并由磁芯卷绕机构5将带材卷绕成预设尺寸的磁芯;
具体的,启动控制系统1上热处理机构4、驱动装置6及磁芯卷绕机构5的开关,当带材经过热处理机构4后,获得热处理后的带材,电磁辊基于张力控制信号控制带材的张力恒定;牵引辊组件51将带材第一导向板55和第二导向板56传导到卷绕辊54,卷绕辊54抓取热处理后的带材并开始卷绕,测量传感器541测量带材卷绕的磁芯外径和圈数,当卷绕的带材达到预设的磁芯尺寸时停止卷绕,并通过切刀组件53切断,获得卷绕后的磁芯。
具体的,控制系统1通过磁芯卷绕机构5内的测量传感器541所反馈的数据,获得卷绕机上磁芯的尺寸,磁芯卷绕到位后由切刀组件53自动切断,所有压辊停动,并由限位压块组件52压紧热处理后的带材,使带材持续保持张力。
具体的,还包括,若存在经过热处理机构4的未被加热的带材,由牵引辊组件51将未热处理后的带材传送至磁芯卷绕机构5,通过切刀组件53切除未热处理后的带材,使得仅剩热处理后的带材被收卷辊54卷绕。
步骤S4,去应力处理:将恒张力热处理并卷绕后制得的磁芯放入外部热处理炉中进行去应力热处理,待冷却至室温获得磁芯成品。
在一种较优的实施例中,本发明中对带材的处理适用于纳米晶合金带材以及非晶合金带材,具体的,
纳米晶合金带材热处理温度为380-600℃;
非晶合金带材热处理温度为320-400℃;
磁芯去应力热处理温度为400℃以下;
带材传输速度为10m/min-40m/min,优选的,带材传输速度为20m/min-30m/min。
具体实施例1
步骤S1,放料及位置调整:将Fe-Si-B-Ni-Cu纳米晶合金带材置于原始带材辊2上,并将带材通过恒张力机构3、热处理机构4和磁芯卷绕机构5传送到卷绕辊54上;
步骤S2,参数设定:向控制系统1设定热处理温度500℃、带材内张力数值9N、带材传输速度20m/min、带材宽度5mm、带材厚度20μm、磁芯内径13mm、磁芯外径18mm;
步骤S3,恒张力热处理:设置磁吸力和前后电磁辊的转速,来设定带材内张力大小,张力通过测力辊32和张力传感器321测量出来并反馈到控制系统1,并通过控制系统1调整张力大小;启动控制系统1上热处理机构4、驱动装置6及磁芯卷绕机构5的开关,当带材经过热处理机构4后,获得热处理后的带材,电磁辊基于张力控制信号控制带材的张力恒定;牵引辊组件51将带材经第一导向板55和第二导向板56传导到卷绕辊54,卷绕辊54抓取热处理后的带材并开始卷绕,测量传感器541测量带材卷绕的磁芯外径和圈数,当卷绕的带材达到预设的磁芯尺寸时停止卷绕,并通过切刀组件53切断,然后由卷绕辊54上的电阻焊机构544中的外焊机构545和内焊机构546分别焊接,获得卷绕后的磁芯。
步骤S4,去应力热处理:将所恒张力热处理并卷绕后制得的磁芯放入真空热处理炉中300℃进行去应力热处理,保温时间2h,待冷却至室温获得磁芯成品。
在一种较优的实施例中,本发明还提供对上述实施例1中热处理后的磁芯进行性能测试的方法,测试方法为:在磁芯上缠绕单匝漆包铜线,利用阻抗分析仪测试其在1kHz、10kHz、100kHz、200kHz条件下的电感,并通过计算得出以上频率段的磁导率μ分别为1190、1170、1100、1085。
对比例1,
本对比例1选用现有的恒张力磁芯的热处理装置,如图1所示,选用与实施例1相同的纳米晶合金带材。
步骤S1,放料及位置调整:将Fe-Si-B-Ni-Cu纳米晶合金带材置于现有热处理装置的原始带材辊71上,并将带材通过现有热处理装置的过渡辊72、现有热处理装置的支撑辊73、现有热处理装置的测力辊74和现有热处理装置的热处理炉75,由现有热处理装置的支撑辊73传送到现有的收卷辊上76;
步骤S2,参数设定:向现有热处理装置的控制系统设定热处理温度500℃、带材内张力数值9N、带材传输速度20m/min、带材宽度5mm、带材厚度20μm;
步骤S3,恒张力热处理:设置现有的热处理炉75内温度为500℃,启动热处理装置,现有的控制系统控制带材的张力并反馈到现有的控制系统,并通过现有的控制系统调整张力大小,热处理后的带材由现有热处理装置的收卷辊76收卷;
步骤S4,磁芯卷绕:将热处理后的带材另置于外部的磁芯卷绕机上,卷绕成尺寸为18*13*5mm的磁芯;
对上述对比例1中热处理后的磁芯进行性能测试,选用与实施例1相同的测试方法,获得的性能参数如表1所示。
具体实施例2
步骤S1,放料及位置调整:将Fe-Si-B非晶合金带材置于原始带材辊2上,并将带材通过恒张力机构3、热处理机构4和磁芯卷绕机构5传送到卷绕辊54上;
步骤S2,参数设定:向控制系统1设定热处理温度350℃、带材内张力数值4N、带材传输速度20m/min、带材宽度5mm、带材厚度20μm、磁芯内径13mm、磁芯外径18mm;
步骤S3,恒张力热处理:设置磁吸力和前后电磁辊的转速,来设定带材内张力大小,张力通过测力辊32和张力传感器321测量出来并反馈到控制系统1,并通过控制系统1调整张力大小;启动控制系统1上热处理机构4、驱动装置6及磁芯卷绕机构5的开关,当带材经过热处理机构4后,获得热处理后的带材,电磁辊基于张力控制信号控制带材的张力恒定;牵引辊组件51将带材经第一导向板55和第二导向板56传导到卷绕辊54,卷绕辊54抓取热处理后的带材并开始卷绕,测量传感器541测量带材卷绕的磁芯外径和圈数,当卷绕的带材达到预设的磁芯尺寸时停止卷绕,并通过切刀组件53切断,然后由卷绕辊54上的电阻焊机构544中的外焊机构545和内焊机构546分别焊接,获得卷绕后的磁芯。
步骤S4,去应力热处理:将所恒张力热处理并卷绕后制得的磁芯放入真空热处理炉中400℃进行去应力热处理,保温时间2h,待冷却至室温获得磁芯成品。
对上述实施例2中热处理后的磁芯进行性能测试,测试方法为:在磁芯上缠绕单匝漆包铜线,利用阻抗分析仪测试其在1kHz、10kHz、100kHz、200kHz条件下的电感,并通过计算得出以上频率段的磁导率μ分别为1080、1050、1010、1005。
对比例2,
选用与实施例2相同的非晶合金带材,与实施例2相同的热处理温度,选用与对比例1相同的热处理装置和制备方法,卷绕成18*13*5mm的磁芯,完成整个磁芯的热处理。
对上述对比例2中热处理后的磁芯进行性能测试,选用与实施例2相同的测试方法,获得的性能参数如表1所示。
表1:实施例1-2及对比例1-2的热处理后磁芯的性能参数
由表1可知,本发明选用的热处理装置及制备方法使得制备的磁芯磁导率衰减程度低,其抗饱和能力强,磁芯性能一致性好。
综上所述:
本发明设置电磁辊机构、测力辊、过渡辊等一系列设备,能够控制带材在整个热处理过程中的张力稳定,使得带材的磁饱和能力好,此外,磁芯卷绕时内外张力一致,使得磁芯性能一致性好;
本发明采用恒张力热处理装置将热处理机构与磁芯卷绕机构合理的设置,可连续的对原始带材进行热处理并将热处理后的带材直接卷绕成特定规格的磁芯,解决了常规恒张力热处理后带材韧性差造成的二次卷绕制得磁芯良率低的问题,且整个过程不依赖人力,自动化程度高,提高了生产效率,生产成本也大大降低,有利于恒磁导率非晶纳米晶磁芯及其元器件的批量化应用;对恒张力热处理后的带材卷绕成磁芯后,进行去应力热处理,能够有效消除磁芯内部残存的应力,有利于磁芯磁导率性能稳定。
以上所述仅为本发明较佳的实施例,并非因此限制本发明的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (13)
1.恒磁导率的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,包括一控制系统以及包括分别与所述控制系统连接的,
原始带材辊;
恒张力机构,所述恒张力机构包括依次设置的第一电磁辊机构、测力辊、第一过渡辊、第二过渡辊和第二电磁辊机构,所述测力辊上设有张力传感器;
热处理机构,所述热处理机构内设有至少一组可调节激光强度的激光加热设备;
磁芯卷绕机构,设于所述第二电磁辊机构的出料端一侧,由所述控制系统输出的卷绕信号对所述带材进行卷绕切割,制备成磁芯。
2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述恒张力机构设于所述原始带材辊的出料端一侧,由所述控制系统基于接收到的张力传感器信号以及基于设定的恒张力值输出张力控制信号对所述第一电磁辊机构和所述第二电磁辊机构的磁吸力以及转速进行调节。
3.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述第一电磁辊机构和所述第二电磁辊机构均包括至少一个电磁辊。
4.根据权利要求3所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述电磁辊上设有多组电磁铁,所述电磁铁周边绕有线圈,所述电磁辊的其余部分采用无磁性材料制得。
5.根据权利要求4所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述电磁辊上的所述电磁铁,与所述控制系统电连接,由所述控制系统调控电磁辊对所述带材的电磁吸力。
6.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述热处理机构设于所述第一过渡辊和所述第二过渡辊之间,基于所述控制系统输出的热处理信号对所述带材进行热处理。
7.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述原始带材辊,所述恒张力机构,所述磁芯卷绕机构均与驱动装置连接,所述驱动装置的受控端连接所述控制系统。
8.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述激光加热设备包括分别设于所述带材的上下两侧的可单独设置不同激光强度的第一激光加热设备和第二激光加热设备。
9.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述激光加热设备连接有测温元件,所述测温元件与一用于实时显示温度的显示器连接。
10.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述磁芯卷绕机构包括依次设置的,
牵引辊组件,包括至少一对分别设于所述带材的上下两侧的第一牵引辊和第二牵引辊;
限位压块组件,包括分别设于所述带材的上下两侧的第一限位压块和第二限位压块;
切刀组件,包括分别设于所述带材的上下两侧的第一切刀和第二切刀;
第一导向板,水平设置于所述限位压块组件和所述切刀组件之间;
卷绕辊,包括套设于卷绕轴上的卷芯,以及包括对应所述卷芯设置的电阻焊机构,所述电阻焊机构包括外焊机构和内焊机构;
第二导向板,水平设置于所述切刀组件和所述卷绕辊之间。
11.根据权利要求10所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,所述卷绕辊的侧面设有测量传感器,所述测量传感器包括外径测量传感器和带材圈数传感器,分别用于实时测量所述带材卷绕的磁芯外径和圈数。
12.恒磁导率的非晶纳米晶磁芯制备方法,应用于权利要求1-11中任意一项所述的非晶纳米晶磁芯热处理装置,其特征在于,包括,
步骤S1,放料及位置调整:将所述带材置于所述原始带材辊,并将所述带材依次穿过所述恒张力机构、所述热处理机构、所述磁芯卷绕机构,并传送到所述卷绕辊上;
步骤S2,参数设定:向所述控制系统设定至少包括热处理温度、带材内张力数值、带材传输速度、带材宽度、带材厚度、磁芯内径、磁芯外径的参数;
步骤S3,恒张力热处理:启动所述控制系统上所有机构的开关,装置在恒定张力控制下完成所述带材的热处理,并由所述磁芯卷绕机构将带材卷绕成预设尺寸的磁芯;
步骤S4,去应力热处理:将恒张力热处理并卷绕后制得的磁芯放入外部热处理炉中进行去应力热处理,待冷却至室温获得磁芯成品。
13.根据权利要求12所述的非晶纳米晶磁芯制备方法,其特征在于,步骤S4中,去应力热处理的保温温度为200℃-400℃,保温时间为1h-5h,热处理氛围为真空、惰性气体或氢气。
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