CN115513401A - 一种显示面板制程方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板制程方法及显示面板。所述显示面板制程方法中，在光刻时增加了一层辅助层。一方面，辅助层相对于光阻层更便于剥离，并且剥离辅助层能够直接带离显影后残留的光阻层。这样能够避免光阻层残留，进而避免了残留的光阻层影响设备性能的问题。另一方面，由于光刻时设置了辅助层，在设置后续的光阻层时，光阻层无需直接接触下方发光层。因此，所述显示面板制程方法能够防止光刻和剥离时对发光层造成影响，也能避免发光层上形成陷阱位点，进而避免发光层发生猝灭。

Description

一种显示面板制程方法及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板制程方法及显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光、高对比度、低耗电等优点。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)具有寿命长、自发光、色域广等优点，因此它们被视为下一代平板显示技术。目前，OLED和QLED显示技术已经被广泛应用在手机等小尺寸的移动设备上。

喷墨打印和光刻技术分别都可以实现全色QLED高分辨率和商业化有效途径。为了实现全彩QLED/OLED器件，目前有两种主要的光刻方法来对发光层进行图案化。一种是化学修饰配体量子点(Quantum Dot,QD)或在QD中添加光敏添加剂以制成QD光敏层和可光图案化的层。这种方法易导致不需要的QD残留物难以在开发过程中完全去除，进而出现颜色杂质。另一种方法是利用光阻(photoresist,PR)和传统的光刻技术来定义子像素用于QD沉积。在这种方法中，多余QD沉积在PR的顶部，将在提离过程中随PR移除。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，光刻的方法避免了颜色杂质问题，但可能导致其他问题。首先，常规使用的光刻化学品和剥离工艺可能会污染、溶解或损坏预先存在的QD，导致陷阱位点的形成。化学品和剥离工艺可能导致OLED中发光层发光强度变大，使OLED的发光猝灭。其次，在PR剥离过程中，PR可能无法完全去除，PR残留物会影响设备性能。

发明内容

本申请提供一种显示面板制程方法及显示面板，可以避免光阻残留影响显示面板的性能。

本申请提供一种显示面板制程方法，包括：

在第一电极层上制作辅助层；

在所述辅助层远离所述第一电极层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层；

在所述第一通孔内制作第一发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层之后，还包括：

重复制作所述辅助层、制作所述光阻层、对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理以及制作所述第一发光层的步骤，在所述第一电极层上形成至少两种发光颜色的图案化的发光层，不同颜色的所述发光层相邻设置且分别间隔设置于所述第一电极层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层之后，还包括：

重复制作所述辅助层、制作所述光阻层、对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理以及制作所述第一发光层的步骤，在所述第一电极层上形成三种发光颜色的图案化的发光层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层的步骤之后，还包括：

在图案化的所述第一发光层上制作辅助层；

在所述辅助层远离图案化的所述第一发光层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第二通孔，所述第二通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层，所述第二通孔的位置与所述第一通孔的位置错开；

在所述第二通孔内制作第二发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以形成图案化的所述第二发光层，图案化的所述第二发光层与图案化的所述第一发光层同层制作；

在图案化的所述第一发光层和图案化的所述第二发光层上制作辅助层；

在所述辅助层远离图案化的所述第一发光层和图案化的所述第二发光层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第三通孔，所述第三通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层，所述第三通孔的位置与所述第一通孔、所述第二通孔的位置错开；

在所述第三通孔内制作第三发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以形成图案化的所述第三发光层，图案化的所述第三发光层与图案化的所述第一发光层、图案化的所述第二发光层同层制作；

其中，所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层的发光颜色不同。

可选的，在本申请的一些实施例中，三种发光颜色的所述发光层分别为红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层采用的材料均为无机发光材料；或者，

所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层采用的材料均为有机发光材料；或者，

所述红色发光层和所述绿色发光层采用的材料为有机发光材料，所述蓝色发光层采用的材料为无机发光材料。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述第一电极层上形成至少两种发光颜色的图案化的发光层之后，还包括：

在所述至少两种发光颜色的发光层上制作滤光层，所述滤光层制作在所述第一电极层上并覆盖所述发光层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助层靠近所述第一电极层的一侧具有镂空图案。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助层的厚度为10nm至100nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助层采用的材料为聚乙烯吡咯烷酮、羧甲基纤维素、甲基纤维素、聚乙烯醇、海藻酸纳、共聚维酮S-630中的一种或多种的组合。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述对辅助层和光阻层进行图案化处理的步骤包括：

对未被掩模板覆盖的所述光阻层进行曝光处理；

对所述光阻层进行显影处理，去除曝光处理的部分所述光阻层，以在所述光阻层上形成第一子通孔；

对所述辅助层进行刻蚀处理，去除所述第一子通孔对应部分的所述辅助层，以在所述辅助层上形成第二子通孔，所述第二子通孔与所述第一子通孔连接为所述第一通孔，所述第一通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述去除所述辅助层与所述光阻层的步骤包括：

在醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂中对所述辅助层进行超声处理，以去除所述辅助层和所述光阻层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂中对所述辅助层进行超声处理之前还包括：

移除所述光阻层。

相应的，本申请提供一种显示面板，所述的显示面板采用以上任一项所述的显示面板制程方法制成。

本申请采用一种显示面板制程方法，所述显示面板制程方法光刻时在第一电极层与光阻层之间增加了一层辅助层。一方面，辅助层相对于光阻层更便于剥离，并且剥离辅助层能够直接带离辅助层上显影后残留的光阻层。避免了光阻层残留影响设备性能的问题。另一方面，由于光刻时设置了辅助层，在设置后续的光阻层时，光阻层无需直接接触发光层。能够防止光刻和剥离时对发光层造成影响，避免发光层上形成陷阱位点，进而避免发光层发生猝灭。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请提供的显示面板制程方法的第一种制程方法步骤示意图；

图2a至图2e是本申请提供的显示面板制程方法的第一种步骤示意图；

图3是本申请提供的显示面板的辅助层的一种结构示意图；

图4是本申请提供的显示面板的图3所示辅助层结构对应的俯视示意图；

图5是本申请提供的显示面板制程方法的第二种制程方法步骤示意图；

图6a至图6u是本申请提供的显示面板制程方法的第二种步骤示意图；

图7是本申请提供的显示面板的第一种结构示意图；

图8是本申请提供的显示面板的第二种结构示意图；

图9是本申请提供的显示面板的阵列层的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请提供一种显示面板制程方法及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

请参阅图1至图2e，图1是本申请提供的显示面板制程方法的第一种制程方法步骤示意图，图2a至图2e是本申请提供的显示面板制程方法的第一种步骤示意图。具体包括如下步骤：

101、在第一电极层上制作辅助层。

其中，采用沉积的方法在第一电极层上制作辅助层。沉积的方法包括物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition,PVD)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)和等离子体化学气相沉积法(Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)。

其中，还可以采用涂布的方法在第一电极层上制作辅助层，涂布的方法包括旋转涂布(下文中简称为旋涂)、狭缝式涂布、静电喷涂等方式。

以旋涂为例，具体地，将雾化的辅助层材料均匀地喷涂在第一电极层上，然后驱动第一电极层旋转以使第一电极层上的辅助层材料形成膜层，待辅助层材料分布稳定后停止第一电极层的旋转以得到辅助层。采用旋涂的工艺可提高辅助层的厚度均匀性，方便在制程中灵活控制辅助层的成膜状态，还能方便控制精度。可选的，在旋涂之前增加一步喷涂，可在第一电极层表面形成一层薄的辅助层液体膜层，提高旋涂时辅助层材料在第一电极层表面的流动性，降低电机速度要求，提高旋涂效率，并提高辅助层材料的利用率。

其中，辅助层采用的材料为聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl pyrrolidone,PVP)、羧甲基纤维素(Carboxymethyl Cellulose,CMC)、甲基纤维素(Methyl Cellulose,MC)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol,PVA)、海藻酸纳、共聚维酮S-630中的一种或多种的组合。

本申请选用的辅助层材料与用于制成发光层的无机发光材料不会发生化学反应，并和有机发光材料互不相溶。其次，选用上述材料制作辅助层，由于以上材料与发光层材料的附着力低，可以在温和条件下轻松去除，且无残留。同样由于其极性，辅助层不会被非极性溶剂溶胀或溶解，并可以防止化学品渗透到辅助层并接触第一电极层或发光层。另外，以上材料制成的辅助层上，可以很好形成光阻层。

102、在辅助层远离第一电极层的一侧制作光阻层。

其中，采用沉积的方法在辅助层远离第一电极层的一侧上制作光阻层。具体的沉积方法如步骤101中所述，在此不再赘述。

其中，还可以采用涂布的方法在辅助层远离第一电极层的一侧制作光阻层，涂布的方法包括旋涂、狭缝式涂布、静电喷涂等方式。

具体地，先将光阻材料涂布至辅助层远离第一电极层的一侧，然后对光阻材料进行平坦化处理并热固化以得到光阻层。涂布的方法过程可控。涂布后不仅可提高光阻层的厚度均匀性，方便在制程中灵活控制光阻层的成膜状态，还能方便控制精度。并且能降低生产成本，提高生产效率。

光阻层采用光阻材料制成。光阻材料主要可分为正光阻及负光阻二种，也可称为正性光刻胶和负性光刻胶。正光阻就是被光照射的部份可以被显影液去除掉，而未曝光的光阻则不会被显影液去除。这是因为正光阻本身难溶于显影液，曝光后解离成小分子，形成容易溶于显影液的结构。而负光阻则相反，曝光后形成不容易溶于显影液的结构，被光照射的部份不会被显影液去除，而其余不被光所照射的区域将会被显影液去除。在不进行说明的情况下，本申请采用正光阻形成光阻层，但并不限定为本申请的光阻层为正光阻。

其中，正光阻材料可以为重氮萘醌类化合物和邻-叠氮醌类化合物。负性光刻胶可以为聚肉桂酸酯类化合物和聚烃类-双叠氮类化合物。

其中，光阻层的厚度为10nm至100nm。具体地，光阻层的厚度为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm。

103、对辅助层和光阻层进行图案化处理，以形成第一通孔，第一通孔贯穿辅助层和光阻层。

其中，对辅助层和光阻层进行图案化处理，具体包括如下步骤：

1031、对未被掩模板覆盖的光阻层进行曝光处理。

请参阅图2a，图2a是本申请提供的曝光处理的步骤示意图。辅助层13设置在第一电极层12上，光阻层14设置在辅助层13远离第一电极层12的一侧。在光阻层14远离辅助层13的一侧设置第一掩模板1。通过光照对未被第一掩模板1覆盖的光阻层14进行曝光处理。其中，图2a中的箭头表示光照。

在本实施例中，采用正光阻作为示例进行说明。经过曝光处理后，收到光照的部分光阻层14解离成小分子，形成了易溶于显影液的结构。

1032、对光阻层进行显影处理，去除曝光处理的部分光阻层，以在光阻层上形成第一子通孔。

请参阅图2b，图2b是本申请提供的显影处理的步骤示意图。其中，对光阻层14进行显影处理，去除曝光处理的部分光阻层14，以在光阻层14上形成第一子通孔14a。

其中，显影处理是指用化学显影液溶解光刻胶由曝光造成的可溶解区域。化学显影液可以采用四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium Hydroxide,TMAH)、乙酸正丁酯(n-Butyl Acetate,nBA)和甲苯中的一种或多种的组合。显影液也可以采用其他可溶解曝光后光阻材料的溶剂。

1033、对辅助层进行刻蚀处理，去除与第一子通孔对应部分的辅助层，以在辅助层上形成第二子通孔，第二子通孔与第一子通孔连接为通孔，通孔贯穿辅助层和光阻层。

其中，对辅助层进行刻蚀处理可以采用湿法刻蚀或干法刻蚀。具体地，可采用化学刻蚀、电解刻蚀、离子束溅射刻蚀、等离子体刻蚀或反应粒子刻蚀等方法。

请参阅图2c，图2c是本申请提供的刻蚀处理的步骤示意图。本实施例中，刻蚀处理采用等离子体刻蚀的方式，并以氧气(O₂)作为等离子体为例进行说明。在低压情况下，O₂在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子，等离子是由带电的电子和离子组成。O₂在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性基团和辅助层13表面发生化学反应并形成挥发性的反应生成物。反应生成物脱离辅助层13表面，并被真空系统抽出腔体，从而在辅助层13上形成第二子通孔13a。第二子通孔13a与第一子通孔14a连接为第一通孔10a，通孔贯穿辅助层13和光阻层14。等离子体刻蚀技术具有良好的各向异性和工艺可控性，工艺成熟度高，采用这种方法刻蚀辅助层13能够使制程效率更高。

104、在第一通孔内设置第一发光层。

其中，采用沉积的方法在第一通孔内设置第一发光层。具体的沉积方法如步骤101中所述，在此不再赘述。

请参阅图2d，图2d是设置第一发光层的步骤示意图。具体地，在光阻层14远离辅助层13的一侧和第一通孔10a内整面沉积第一发光层151材料。

105、去除辅助层与光阻层。

请参阅图2e，图2e是去除辅助层与光阻层的步骤示意图。去除辅助层13和光阻层14后，得到在第一电极层12上图案化的第一发光层151。其中，去除辅助层13与光阻层14具体是在醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂中对辅助层13进行超声处理，以去除辅助层和光阻层。

其中，超声处理是利用超声波在液体中的空化作用、加速作用及直进流作用。对液体和辅助层13进行直接、间接作用，使辅助层13被分散、乳化、剥离，从而达到去除目的。

需要说明的是，将辅助层13置于醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂进行超声处理，是通过醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂对辅助层13与第一电极层12之间界面和辅助层13和第一发光层151之间的界面的侵入，并产生气泡，然后逐渐将辅助层13震动剥离。由于本申请在超声处理中使用的溶剂对第一发光层151材料没有溶解性，因此，不会在第一发光层151与第一电极层12之间产生气泡，也就不会将第一发光层151剥离。

具体地，醇类溶剂可以为乙醇、丁醇、戊醇、乙二醇或丙二醇，酯类溶剂可以为PGMEA或EGMEA，醚类溶剂可以为甲醚。超声处理的频率为10千赫兹(kHz)至200kHz。具体地，超声处理的频率为10kHz、20kHz、30kHz、40kHz、50kHz、60kHz、70kHz、80kHz、90kHz、100kHz、110kHz、120kHz、130kHz、140kHz、150kHz、160kHz、170kHz、180kHz、190kHz或200kHz。

在一些实施例中，在醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂中对辅助层13进行超声处理之前可以先移除光阻层14。

其中，移除光阻层14可以采用化学溶解和物理剥离的方法。具体地，化学溶解的方法可以是对光阻层14喷涂丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene glycol monomethyl etheracetate,PGMEA)或乙二醇甲醚乙酸酯(Ethylene glycol monomethyl ether acetate,EGMEA)溶剂，对光阻层14进行溶解。或者，对剩余光阻层14进行曝光，再经过显影去除剩余的光阻层14。物理剥离的方法就是直接采用机械力对光阻层14进行剥离。移除光阻层14的方法是本领域的常规技术手段，在此不做详细描述。

在一些实施例中，辅助层13靠近第一电极层12的一侧设置有镂空图案。具体地，请同时参阅图3和图4，图3是本申请提供的显示面板的辅助层的一种结构示意图，图4是本申请提供的显示面板的图3所示辅助层结构对应的俯视示意图。辅助层13包括第一子辅助层部13A和第二子辅助层部13B。第一子辅助层部13A具有镂空图案。网格化图案可以为图4所示的六边形凹陷部形成的镂空。其中，凹陷部的形状可以为圆形、椭圆形、正多边形或不规则多边形等。

需要说明的是，设置的镂空图案密度和大小可以小于第一发光层151的图案化大小。使辅助层13可以铺设于第一发光层151上。由于辅助层13是在光刻时用于保护第一发光层151，即使辅助层13因第一发光层151在第一电极层12上形成凸起而无法接触第一电极层12，仍然能够实现保护第一发光层151的作用。

在一些实施例中，辅助层13的镂空图案中的凹陷部大小大于第一发光层151的图案化大小。具体的，图案化的第一发光层151长度和宽度的范围均为1μm至10μm，深度的范围为10nm至100nm。凹陷部的长度和宽度的范围均为10μm至15μm，深度的范围为100nm至200nm。在制程中，通过对位的方式将第一发光层151设置在凹陷部内，从而可以避免辅助层13翘曲的问题，使辅助层13与第一电极层12贴合。

具体的，图案化的第一发光层151长度和宽度的范围均为1μm、3μm、5μm、6μm、8μm或10μm，深度的范围为10nm、30nm、50nm、60nm、80nm或100nm。凹陷部的长度和宽度的范围均为10μm、11μm、12μm、13μm、14μm或15μm，深度的范围为100nm、130nm、150nm、160nm、180nm或200nm。其中，第一发光层151的长度、宽度和深度选择以上数值范围是为了实现更好的发光效果，凹陷部的长度、宽度和深度选择以上数值范围是为了配合第一发光层151的大小。

图3和图4所示的辅助层13的制备可以是将辅助层材料先沉积于另一基板上，然后对辅助层材料进行光刻，形成第一子辅助层部13A和第二子辅助层部13B，从而得到具有镂空图案的辅助层13。这样形成的具有镂空图案的辅助层13为一体化结构。只需要对辅助层13进行光刻，再转移到第一发光层151上即可。另一基板可选用的材料与基板11相同。

采用图3、图4所示的这类辅助层13结构，能够降低辅助层13与第一电极层的附着力，在后续制程中去除辅助层13时，能够去除得更干净。图3、图4所示的辅助层13的镂空图案仅为示例，并不作为对本申请的限制。

需要说明的是，本申请的发光层可以设置至少两种发光颜色的图案化的发光层。制作两种以上发光颜色的图案化发光层时，重复制作辅助层13、制作光阻层14、对辅助层13和光阻层14进行图案化处理以及制作第一发光层151的步骤，在第一电极层12上形成至少两种发光颜色的图案化的发光层，不同颜色的发光层相邻设置且分别间隔设置于所述第一电极层12上。

具体的，可以为2种、3种、4种颜色等等。以制作三种发光颜色的图案化发光层为例，重复制作辅助层13、制作光阻层14、对辅助层13和光阻层14进行图案化处理以及制作第一发光层151的步骤，在第一电极层12上形成三种发光颜色的图案化的发光层。

具体的，请参阅图5，图5是本申请提供的显示面板制程方法的第二种制程方法步骤示意图。具体包括如下步骤：

201、在第一电极层上制作辅助层。

202、在辅助层远离第一电极层的一侧制作光阻层。

对辅助层和光阻层进行图案化处理，以形成第一通孔，第一通孔贯穿辅助层和光阻层。

203、在第一通孔内制作第一发光层。

204、去除辅助层与光阻层，以在第一电极层上形成图案化的第一发光层。

205、在图案化的第一发光层上制作辅助层。

206、在辅助层远离图案化的第一发光层的一侧制作光阻层。

207、对辅助层和光阻层进行图案化处理，以形成第二通孔，第二通孔贯穿辅助层和光阻层，第二通孔的位置与第一通孔的位置错开。

208、在第二通孔内制作第二发光层。

209、去除辅助层与光阻层，以形成图案化的第二发光层，图案化的第二发光层与图案化的第一发光层同层制作。

210、在图案化的第一发光层和图案化的第二发光层上制作辅助层。

211、在辅助层远离图案化的第一发光层和图案化的第二发光层的一侧制作光阻层。

212、对辅助层和光阻层进行图案化处理，以形成第三通孔，第三通孔贯穿辅助层和光阻层，第三通孔的位置与第一通孔、第二通孔的位置错开。

213、在第三通孔内制作第三发光层。

214、去除辅助层与光阻层，以形成图案化的第三发光层，图案化的第三发光层与图案化的第一发光层、图案化的第二发光层同层制作；其中，第一发光层、第二发光层以及第三发光层的发光颜色不同。

具体的，请参阅图6a至图6u，图6a至图6u是本申请提供的显示面板制程方法的第二种步骤示意图。首先依上述步骤制备第一发光层151，在去除辅助层13与光阻层14之后，重复上述步骤依次制备第二发光层152与第三发光层153。其中，第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153同层设置，以形成发光层15。其中，图6a、图6h以及图6n中的箭头表示光照。

以下将对图6a至图6u提供的显示面板制程方法进行详细说明。

请参阅图6a，图6a是本申请提供的对光阻层进行曝光处理的步骤示意图。其中，辅助层13设置在第一电极层12上，光阻层14设置在辅助层13远离第一电极层12的一侧。在光阻层14远离辅助层13的一侧设置第一掩模板1。通过光照对未被第一掩模板1覆盖的光阻层14进行曝光处理。

请参阅图6b，图6b是本申请提供的对光阻层进行显影处理的步骤示意图。其中，对光阻层14进行显影处理，去除曝光处理的部分光阻层14，以在光阻层14上形成第一子通孔14a。

请参阅图6c，图6c是本申请提供的对辅助层进行刻蚀处理的步骤示意图。可采用等离子体刻蚀的方法对辅助层13进行刻蚀，在辅助层13上形成第二子通孔13a。第二子通孔13a与第一子通孔14a连接为通孔10a，通孔10a贯穿辅助层13和光阻层14。

请参阅图6d，图6d是本申请提供的在通孔内设置红色发光层的步骤示意图。采用沉积的方法在通孔10a内设置第一发光层151。可选的，为方便制程，可以在通孔10a内和光阻层14远离辅助层13的一侧整面沉积第一发光层151。

请参阅图6e，图6e是本申请提供的对第一发光层上辅助层和光阻层进行清洗的步骤示意图。通过超声清洗去除辅助层13和光阻层14后，得到在第一电极层12上图案化的第一发光层151。

请参阅图6f，图6f是本申请提供的在第一发光层上设置辅助层的步骤示意图。在图案化的第一发光层151上设置辅助层13，辅助层13覆盖第一发光层151，以在光刻时对第一发光层151进行保护。

如图6g所示，在第一发光层151上设置辅助层13后，再在辅助层13上设置光阻层14。如图6h所示，在光阻层14远离辅助层13的一侧设置第二掩模板2。通过光照对未被第二掩模板2覆盖的光阻层14进行曝光处理。如图6i所示，对光阻层14进行显影处理，去除曝光处理的部分光阻层14，以在光阻层14上形成第三子通孔14b。

如图6j所示，对辅助层13进行刻蚀处理，去除部分辅助层13，以在辅助层13上形成第四子通孔13b，第四子通孔13b与第三子通孔14b连接为第二通孔10b，第二通孔10b贯穿辅助层13和光阻层14。需要说明的是，在形成第一发光层151后，进行光刻和刻蚀处理形成的第二通孔10b的位置与第一发光层151的位置不重叠。即，第二通孔10b的位置与第一通孔10a的位置错开。

如图6k所示，采用沉积的方法在通孔10a内设置第二发光层152。为方便制程，可以在第二通孔10b内和光阻层14远离辅助层13的一侧整面沉积第二发光层152。其中，第二发光层152和第一发光层151同层设置。同样，通过超声清洗去除辅助层13和光阻层14后，得到在第一电极层12上图案化的第一发光层151和第二发光层152。

请参阅图6l，图6l是本申请提供的在第一发光层和第二发光层上设置辅助层的步骤示意图。在图案化的第一发光层151和第二发光层152上设置辅助层13，辅助层13覆盖第一发光层151和第二发光层152，以在光刻时对第一发光层151和第二发光层152进行保护。

如图6m所示，在第一发光层151和第二发光层152上设置辅助层13后，再在辅助层13上设置光阻层14。如图6n所示，在光阻层14远离辅助层13的一侧设置第三掩模板3。通过光照对未被第三掩模板3覆盖的光阻层14进行曝光处理。如图6o所示，对光阻层14进行显影处理，去除曝光处理的部分光阻层14，以在光阻层14上形成第五子通孔14c。

如图6p所示，对辅助层13进行刻蚀处理，去除与第五子通孔14c对应部分的辅助层13，以在辅助层13上形成第六子通孔13c，第六子通孔13c与第五子通孔14c连接为第三通孔10c，第三通孔10c贯穿辅助层13和光阻层14。需要说明的是，在形成第一发光层151和第二发光层152后，进行光刻和刻蚀处理形成的第三通孔10c的位置与第一发光层151和第二发光层152的位置不重叠。即，第三通孔10c的位置与第一通孔10a、第二通孔10b的位置错开。

如图6q所示，采用沉积的方法在第三通孔10c内设置第三发光层153。可选的，为方便制程，可以在第三通孔10c内和光阻层14远离辅助层13的一侧整面沉积第三发光层153。如图6r所示，通过超声清洗去除辅助层13和光阻层14后，得到在第一电极层12上图案化的第一发光层151、第二发光层152和第三发光层153。其中，第三发光层153与第二发光层152、第一发光层151同层设置。

需要说明的是，本申请中设置第一发光层151、第二发光层152与第三发光层153的顺序以及第一发光层151、第二发光层152与第三发光层153的排列方式仅为示例。在实际操作中，可以根据需求选择设置不同颜色发光层的顺序和排列方式，本申请对此不做限定。在一些实施例中，第一发光层151为红色发光层，第二发光层152为绿色发光层，第三发光层153为蓝色发光层。

不同颜色的发光层15相邻设置且分别间隔设置。以三种发光颜色的发光层为例，三种不同发光颜色的发光层相邻设置形成一个像素单元，若干像素单元组成显示面板。

其中，辅助层13的厚度为10nm至100nm。具体地，辅助层13的厚度为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm。辅助层13的厚度以覆盖发光层15为准，可根据需要进行设置。

在一些实施例中，请参阅图6s，图6s是本申请提供的设置第二电极层的步骤示意图。在制成第三发光层153并去除辅助层13和光阻层14之后，还包括在发光层15远离第一电极层12的一侧设置第二电极层16。

具体可采用蒸镀的方法在发光层15远离第一电极层12的一侧设置第二电极层16。将第二电极层16材料蒸发或升华为气态粒子，将气态粒子输送至发光层15远离第一电极层12的一侧，气态粒子附着在发光层15远离第一电极层12的一侧表面形核，并长大成固体薄膜，然后固体薄膜原子重构或产生化学键合以形成第二电极层16。蒸镀的方式成膜方法简单、膜层薄膜纯度和致密性高。

可选的，请参阅图6t与图6u，图6t是本申请提供的设置滤光层的步骤示意图，图6u是本申请提供的在滤光层上设置第二电极层的步骤示意图。在发光层15远离第一电极层12的一侧设置滤光层17，再在滤光层17和发光层15远离第一电极层12的一侧设置第二电极层16。设置滤光层17可以避免发光层15中的第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153发生混色，提升显示效果，增长显示面板10的使用寿命。

本申请提供的显示面板制程方法光刻时在第一电极层12与光阻层14之间增加了一层辅助层13。一方面，由于材料特性，辅助层13相对于光阻层14更便于剥离。并且剥离辅助层13能够直接带离辅助层13上显影后残留的光阻层14，避免了光阻层14残留影响设备性能的问题。另一方面，光刻时设置辅助层13，在设置发光层15之后的光阻层14时，光阻层14无需直接接触发光层15。能够防止光刻和剥离时对发光层15造成影响，避免发光层15上形成陷阱位点，进而避免发光层15发生猝灭。

本申请提供一种显示面板，请参阅图7，图7是本申请提供的显示面板的第一种结构示意图。显示面板10包括第一电极层12以及发光层15。发光层15设置在第一电极层12上。其中，显示面板10采用以上所述的显示面板制程方法制成。

其中，发光层15还包括第一发光层151、第二发光层152和第三发光层153。在一些实施例中，第一发光层151为红色发光层，第二发光层152为绿色发光层，第三发光层153为蓝色发光层。

在一些实施例中，红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层采用的材料相同，发光层15采用的材料为无机发光材料或有机发光材料。

在一些实施例中，红色发光层和绿色发光层采用的材料为有机发光材料，蓝色发光层采用的材料为无机发光材料。这样能够解决蓝色有机发光材料寿命短的问题，提升显示面板的寿命。

请参阅图8，图8是本申请提供的显示面板的第二种结构示意图。在一些实施例中，显示面板10还包括滤光层17。滤光层17设置在第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153远离第一电极层12的一侧。由于本申请采用沉积的方式制作第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153，没有像素定义层将第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153分隔。设置滤光层17可以避免发光层15中的红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层发生混色，提升显示效果，增长显示面板10的使用寿命。并且，滤光层17还能够提高第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153的光线利用率。

滤光层17可以采用彩色滤光片制作。彩色滤光片在相应的发光层上选择透过相应波长的光线，实现防止混色的作用。

其中，图7与图8所示的显示面板10仅为部分结构的示意，显示面板10还可以包括其他装置。例如，显示面板10还可以包括基板11。基板11指的是用于承载第一电极层12、发光层15以及第二电极层16的基体构件。

其中，基板11为玻璃、蓝宝石、石英、硅、功能玻璃(sensor glass)或柔性衬底。其中，功能玻璃是在超薄玻璃上溅射透明金属氧化物导电薄膜镀层，并经过高温退火处理得到的。其中，透明金属氧化物的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。其中，柔性衬底采用的材料为聚合物材料，具体地，柔性衬底采用的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene glycol terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester,PEN)。聚合物材料的柔韧性好、质量轻、耐冲击，适用于柔性显示面板。其中，聚酰亚胺还能够实现良好的耐热性和稳定性。

其中，基板11的厚度为500μm至2000μm。具体地，基板11的厚度为500μm、600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm、1500μm、1600μm、1700μm、1800μm、1900μm或2000μm。

其中，请参阅图9，图9是本申请提供的显示面板的阵列层的一种结构示意图。基板11与第一电极层12之间还包括阵列层18。阵列层18具体包括设置于基板11上的遮光层181，设置在基板11上并覆盖遮光层181的缓冲层182，从下到上依次层叠于缓冲层182上的有源层183、栅极绝缘层184和栅极层185，覆盖栅极层185的层间介质层186。位于层间介质层186上的源极187和漏极188，源极187与漏极188与有源层183连接。源极187和漏极188上还覆盖有平坦化层189。第一电极层12通过平坦化层189与源极187或漏极188连接。基板11与第一电极层12之间还可以包括其他结构，源极187与漏极188可以互换。阵列层18的结构及其具体设置是本领域常用的技术手段，在此不再赘述。

需要说明的是，本申请中不限制阵列层18中形成的薄膜晶体管的结构，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管，可以为双栅极型薄膜晶体管，也可以为单栅极型薄膜晶体管。对于薄膜晶体管的具体结构在本申请中不再赘述。

本申请的实施例中，第一电极层12作为阳极，第二电极层16作为阴极。第一电极层12与第二电极层16在阵列层中薄膜晶体管的控制下对发光层15的发光提供电流。

其中，第一电极层12采用的材料为金(Au)、铂(Pt)、硅(Si)、铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锡氧化物或锑锡氧化物中的一种或多种的组合。第一电极层12的厚度为10nm至1000nm。具体地，第一电极层12的厚度为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm或1000nm。

其中，第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153采用的材料包括设置量子点发光层的无机发光材料和设置有机电致发光层的有机发光材料。

具体地，无机发光材料选自IV族半导体纳米晶、II-V族半导体纳米晶、II-VI族半导体纳米晶、IV-VI族半导体纳米晶、III-V族半导体纳米晶和III-VI族半导体纳米晶等中的一种或多种。作为举例，无机发光材料可以为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点、砷化铟量子点和氮化镓量子点中的一种或多种的组合。

进一步地，采用无机发光材料设置量子点发光层时，可以在量子点表面结合有机配体。有机配体包括但不限于巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、巯基乙胺、巯基油胺、谷胱甘肽等中的一种。由于上述有机配体与量子点表面原子配位后，会在量子点表面修饰巯基。合成量子点过程中加入的二胺类化合物分子链一端带正电的氨基可以与量子点表面的带负电巯基产生静电力作用，实现静电自组装，这有利于提升量子点的成膜质量、降低膜层界面表面缺陷，进而提升量子点单元的性能和稳定性。结合有机配体后，能够保护量子点的核心区域，使量子点核心化更强，并提升量子点的润湿性、溶解性。并且，有机配体还能防止水氧侵蚀量子点。这有利于提升量子点的成膜质量、降低膜层界面表面缺陷，进而提升量子点单元的性能和稳定性。合成结合有配体的量子点的溶剂可以为正辛烷。

量子点发光层的颜色是由量子点的尺寸确定。具体地，量子点的尺寸为5nm至6nm时发红光，量子点的尺寸为3nm至4nm时发绿光，量子点的尺寸为2nm至3nm时发蓝光。

具体地，有机发光材料中，红色发光层材料可以采用罗丹明类染料，绿色发光层材料可以采用香豆素染料，蓝色发光层材料可以采用苯并咪唑类化合物。

进一步地，采用有机发光材料设置有机电致发光层时，可以添加配合物发光材料。具体地，配合物发光材料包括铍离子(Be²⁺)、锌离子(Zn²⁺)、铝离子(Al³⁺)、钙离子(Ca²⁺)、铟离子(In³⁺)或铽离子(Tb³⁺)。以上配合物均与超声处理中使用的溶剂不相溶。

其中，第二电极层16采用的材料为金、硅、钨(W)、钼(Mo)、铁(Fe)、铝(Al)、银(Ag)、铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锡氧化物或锑锡氧化物中的一种或多种的组合。第二电极层16的厚度10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm或1000nm。

本申请提供的显示面板10，包括第一电极层12和第一发光层151。显示面板10采用以上所述的显示面板制程方法进行制备。即，光刻时在第一电极层12与光阻层之间增加了一层辅助层。一方面，辅助层相对于光阻层更便于剥离，并且剥离辅助层能够直接带离辅助层上显影后残留的光阻层。避免了光阻层残留影响设备性能的问题。另一方面，由于光刻时设置了辅助层，在设置后续的光阻层时，光阻层无需直接接触第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153。能够防止光刻和剥离时对第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153造成影响，避免第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153上形成陷阱位点，进而避免第一发光层151、第二发光层152以及第三发光层153发生猝灭。

本申请提供三种显示面板制程方法的具体实施方式，以下对显示面板制程方法的具体实施方式做详细介绍。

实施例一

首先，在厚度为500μm的基板上沉积厚度为100nm的第一电极层，第一电极层采用的材料为ITO。

然后在ITO上旋涂厚度为10nm的辅助层，辅助层采用的材料为聚乙烯吡咯烷酮。设置好辅助层后，在辅助层上旋涂厚度为10nm的光阻层，光阻层采用的材料为正性光刻胶。采用设置有掩模板的光刻机对光阻层进行图案化曝光，并对光阻层进行显影处理，以去除曝光部分的光阻层，在光阻层上形成第一子通孔。再通过等离子体刻蚀，对曝光部分的光阻层对应位置的辅助层进行刻蚀，在辅助层上形成第二子通孔。第一子通孔和第二子通孔连通为通孔。其中，等离子体刻蚀采用的气体为O₂、离子源功率为1500瓦(w)、射频源功率为300w以及刻蚀温度为50℃。

在通孔内和剩下的光阻层上旋涂厚度为20nm的红色发光层，红色发光层采用的材料为量子点。具体地，量子点的结构为ZnCdSeS，量子点的配体为硫醇，红色量子点尺寸为5nm。

以乙醇为溶剂，采用超声清洗设备清洗面板，以去除辅助层和残留在辅助层上的光阻层。其中，超声频率设定为50kHz。

重复以上步骤制备绿色发光层和蓝色发光层。绿色发光层和蓝色发光层采用的材料均为量子点。蓝色量子点尺寸为2nm，绿色量子点尺寸为3nm。红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层同层设置，形成发光层。再在发光层上蒸镀厚度为100nm的银，作为第二电极层。

采用实施例一的方法制作显示面板可以得到全彩QLED显示面板。

实施例二

首先，在厚度为500μm的基板上沉积厚度为100nm的第一电极层，第一电极层采用的材料为ITO。

然后在ITO上旋涂厚度为50nm的辅助层，辅助层采用的材料为聚乙烯吡咯烷酮。设置好辅助层后，在辅助层上旋涂厚度为10nm的光阻层，光阻层采用的材料为正性光刻胶。采用设置有掩模板的光刻机对光阻层进行图案化曝光，并对光阻层进行显影处理，以去除曝光部分的光阻层，在光阻层上形成第一子通孔。再通过等离子体轰击，对曝光部分的光阻层对应位置的辅助层进行刻蚀，在辅助层上形成第二子通孔。第一子通孔和第二子通孔连为通孔。其中，等离子体刻蚀采用的气体为O₂、离子源功率为1500w、射频源功率为300w以及刻蚀温度为50℃。

在通孔内和剩下的光阻层上蒸镀厚度为20nm的红色发光层，红色发光层采用的材料为有机发光材料。具体地，红色发光层的材料采用罗丹明染料。

以乙醇为溶剂，采用超声清洗设备清洗面板，以去除辅助层和残留在辅助层上的光阻层。其中，超声频率设定为50kHz。

重复以上步骤制备绿色发光层和蓝色发光层。绿色发光层和蓝色发光层采用的材料均为有机发光材料。绿色发光层采用的材料为三[4-(2-噻吩基)苯基]胺；三[4-(2-噻吩基)苯基]胺(TTPA)，蓝色发光层采用的材料是3’，3”，5”，5”四溴苯酚酞乙酯(TBPe)。红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层同层设置，形成发光层。再在发光层上蒸镀厚度为110nm的镁银合金，作为第二电极层。其中，镁银合金的比例为镁:银＝10:1。

采用实施例二的方法制作显示面板可以得到全彩OLED显示面板。

实施例三

首先，在厚度为500μm的基板上沉积厚度为100nm的第一电极层，第一电极层采用的材料为ITO。

然后在ITO上旋涂厚度为10nm的辅助层，辅助层采用的材料为聚乙烯吡咯烷酮。设置好辅助层后，在辅助层上旋涂厚度为10nm的光阻层，光阻层采用的材料为正性光刻胶。采用设置有掩模板的光刻机对光阻层进行图案化曝光，并对光阻层进行显影处理，以去除曝光部分的光阻层，在光阻层上形成第一子通孔。再通过等离子体轰击，对曝光部分的光阻层对应位置的辅助层进行刻蚀，在辅助层上形成第二子通孔。第一子通孔和第二子通孔连为通孔。其中，等离子体刻蚀采用的气体为O₂、离子源功率为1500w、射频源功率为300w以及刻蚀温度为50℃。

在通孔内和剩下的光阻层上蒸镀厚度为20nm的蓝色发光层，蓝色发光层采用的材料为有机发光材料。具体地，蓝色发光层的材料采用双(2-甲基-8-羟基喹啉-氮1，氧8)-(1，1’-联苯-氧4)-铝盐(BAlq)。

以乙醇为溶剂，采用超声清洗设备清洗面板，以去除辅助层和残留在辅助层上的光阻层。其中，超声频率设定为50kHz。

重复以上步骤制备绿色发光层和红色发光层。绿色发光层和红色发光层采用的材料均为量子点材料，具体地，绿色发光层和红色发光层采用的材料为ZnCdSeS，配体为硫醇。红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层同层设置，形成发光层。再在发光层上蒸镀厚度为110nm的镁银合金，作为第二电极层。其中，镁银合金的比例为镁:银＝10:1。

本实施例中采用量子点材料制作蓝色发光层，混合有机材料制成的绿色发光层和红色发光层制成显示面板的发光层。这样能够解决蓝色有机发光材料寿命短的问题，提升显示面板的寿命。

以上对本申请所提供的一种显示面板制程方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种显示面板制程方法，其特征在于，包括：

在第一电极层上制作辅助层；

在所述辅助层远离所述第一电极层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层；

在所述第一通孔内制作第一发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层。

2.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层的步骤之后，还包括：

重复制作所述辅助层、制作所述光阻层、对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理以及制作所述第一发光层的步骤，在所述第一电极层上形成至少两种发光颜色的图案化的发光层，不同颜色的所述发光层相邻设置且分别间隔设置于所述第一电极层上。

3.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层的步骤之后，还包括：

重复制作所述辅助层、制作所述光阻层、对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理以及制作所述第一发光层的步骤，在所述第一电极层上形成三种发光颜色的图案化的所述发光层。

4.根据权利要求3所述的显示面板制程方法，其特征在于，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层的步骤之后，还包括：

在图案化的所述第一发光层上制作辅助层；

在所述辅助层远离图案化的所述第一发光层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第二通孔，所述第二通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层，所述第二通孔的位置与所述第一通孔的位置错开；

在所述第二通孔内制作第二发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以形成图案化的所述第二发光层，图案化的所述第二发光层与图案化的所述第一发光层同层制作；

在图案化的所述第一发光层和图案化的所述第二发光层上制作辅助层；

在所述辅助层远离图案化的所述第一发光层和图案化的所述第二发光层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第三通孔，所述第三通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层，所述第三通孔的位置与所述第一通孔、所述第二通孔的位置错开；

在所述第三通孔内制作第三发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以形成图案化的所述第三发光层，图案化的所述第三发光层与图案化的所述第一发光层、图案化的所述第二发光层同层制作；

其中，所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层的发光颜色不同。

5.根据权利要求3所述的显示面板制程方法，其特征在于，三种发光颜色的所述发光层分别为红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层。

6.根据权利要求5所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层采用的材料均为无机发光材料；或者，

所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层采用的材料均为有机发光材料；或者，

所述红色发光层和所述绿色发光层采用的材料为有机发光材料，所述蓝色发光层采用的材料为无机发光材料。

7.根据权利要求2所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上形成至少两种发光颜色的图案化的发光层之后，还包括：

在所述至少两种发光颜色的发光层上制作滤光层，所述滤光层制作在所述第一电极层上并覆盖所述发光层。

8.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述辅助层靠近所述第一电极层的一侧具有镂空图案。

9.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述辅助层的厚度为10nm至100nm。

10.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述辅助层采用的材料为聚乙烯吡咯烷酮、羧甲基纤维素、甲基纤维素、聚乙烯醇、海藻酸纳、共聚维酮S-630中的一种或多种的组合。

11.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述对辅助层和光阻层进行图案化处理的步骤包括：

对未被掩模板覆盖的所述光阻层进行曝光处理；

对所述光阻层进行显影处理，去除曝光处理的部分所述光阻层，以在所述光阻层上形成第一子通孔；

对所述辅助层进行刻蚀处理，去除所述第一子通孔对应部分的所述辅助层，以在所述辅助层上形成第二子通孔，所述第二子通孔与所述第一子通孔连接为所述第一通孔，所述第一通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层。

12.根据权利要求1所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述去除所述辅助层与所述光阻层的步骤包括：

在醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂中对所述辅助层进行超声处理，以去除所述辅助层和所述光阻层。

13.根据权利要求12所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述在醇类溶剂、酯类溶剂或醚类溶剂中对所述辅助层进行超声处理之前还包括：

移除所述光阻层。

14.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1至13任一项所述的显示面板制程方法制成。

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