CN115508576A - 一种旋转检测电路、异物检测方法、励磁调整方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种旋转检测电路、异物检测方法、励磁调整方法，涉及检测技术领域，包括信号发射电路、采样电路和控制器，所述信号发射电路包括发射线圈和驱动器，所述控制器与所述信号发射电路之间设置有无源高通滤波电路，所述无源高通滤波电路与驱动器相连，用于滤除低频干扰信号，所述采样电路包括三套以上感应线圈和相应数量的电平开关管，所述感应线圈用于接收发射线圈的激励信号，并利用感应出的电压信号分别控制相应电平开关管的打开程度；所述采样电路和控制器之间设有无源滤波电路。本发明提供了一种测量准确的旋转检测电路，并且通过异物检测方法能够实现对异物的有效检测，通过励磁调整方法能够提高被测物位置检测的精准度。

Description

一种旋转检测电路、异物检测方法、励磁调整方法

技术领域

本发明涉及检测技术领域，具体为一种旋转检测电路、异物检测方法、励磁调整方法。

背景技术

在流体计量领域，需要对旋转圈数、旋转位置和旋转方向进行测量，现有技术中的流体计量常见的是使用磁性传感器，多在转子靠边位置放置小型的永磁体，永磁体绕轴心转动，在永磁体转动路径上方放置干簧管等磁性传感器，将磁场状态变化转为电信号。

专利号为CN201811497289.7的发明申请公开了一种防磁计量检测装置，使用三个感应线圈获取转动圈数和转动方向，通过计算两对感应线圈之间的放电电容的电压差值，并计算高电压的电容放电至两个电容电压相等的时间，通过时间长短计算金属片在两对感应线圈下方的所处位置，电路结构复杂且计算量大，感应线圈需要两两配对才能对被测物的旋转方向、旋转速度和旋转位置进行计算，且测量准确度较差。

发明内容

本发明旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提供了一种测量准确的且电路形式简单的旋转检测电路，并且通过异物检测方法能够实现对异物的有效检测，通过励磁调整方法能够提高被测物位置检测的精准度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种旋转检测电路，包括信号发射电路、采样电路和控制器，所述信号发射电路包括发射线圈和驱动器，所述控制器与所述信号发射电路之间设置有无源高通滤波电路，所述无源高通滤波电路与驱动器相连，用于滤除低频干扰信号，所述采样电路包括三套以上感应线圈和相应数量的电平开关管，所述感应线圈用于接收发射线圈的激励信号，并利用感应出的电压信号分别控制相应电平开关管的打开程度；

所述采样电路和控制器之间设有无源滤波电路，所述无源滤波电路包括和电平开关管集电极相连接的电容器，所述电容器的数量与电平开关管的数量相同，所述电容器的另一端接地；三个所述电容器与电平开关管集电极相连接的一端还分别与控制器的不同信号输出端相连接，用于通过控制器向电容器充电，所述采样电路还包括与三个以上电平开关管发射极均相连接的放电电阻；

采样电路根据电平开关管的打开程度控制相应放电回路的电容器的放电速度。

优选的，所述无源高通滤波电路采用RC滤波电路，所述驱动器的输出端与发射线圈相连接，所述发射线圈的另一端接地。

优选的，所述信号发射电路和采样电路均设置在电路基板上，所述发射线圈呈以电路基板的轴心为圆心的环状排布，三套以上所述感应线圈以基板轴心为中心对称且均匀分布在所述发射线圈的内部。

优选的，所述控制器实时采集三个以上电平开关管集电极的电压变化，以得出被测物的旋转状态和所处位置。

优选的，所述控制器配置有识别方法，所述识别方法包括：

获取被测物以匀速状态旋转时的所有电平开关管集电极的电压正弦变化曲线；

通过最值算法计算各自电压正弦变化曲线的最大值和最小值；

根据各自最大值和最小值分别计算每个电平开关管集电极对应的两个不同基准值；

依据各自最大值、最小值和两个基准值将每个电平开关管集电极输出的电压变化曲线分为六段连续区间；

控制器获取采集到的电压数值并按六段连续区间进行记录，优先填充区间号较小的区间；

根据采集到的区间号的排列顺序判断被测物的正反转状态，根据区间号排列重复组数计算旋转圈数，根据区间号每一组完整序号排列的时间间隔计算旋转速度。

优选的，所述控制器的识别方法还包括根据信号发射电路每发射一次激励信号时，根据不同电平开关管集电极电压变化的差值判断金属片的位置。

优选的，所述控制器配置有模块拆除检测策略，所述模块拆除检测策略包括当控制器在第一时间周期内均没有检测到金属器件时，向无磁主板输出第一输出信号进行报警。

一种异物检测方法，基于旋转检测电路，当控制器检测到两个以上电平开关管对应的电压正弦变化曲线的最大值均变大时，则判断为金属异物侵入。

优选的，当控制器检测到两个以上电平开关管对应的电压正弦变化曲线的最大值均变小时，则判断为非金属异物侵入。

一种励磁调整方法，基于旋转检测电路，所述励磁调整方法包括控制器依据电平开关管集电极的检测电压高于0V的差值大小动态调整施加到发射线圈上的激励脉冲个数，检测电压高于0V的差值大小与施加到发射线圈上的激励脉冲个数正相关。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供了一种测量准确的旋转检测电路，通过利用感应线圈直接连接电平开关管的基极，感应出电压信号直接控制开关管的打开程度，经无源滤波电路滤除高频干扰信号后直接送入控制器进行信号解算。该检测电路利用每一个感应线圈通道的检测电压在旋转方向已知的情况下都可以单独实现被测物的旋转位置检测和旋转速度检测，多组计算数据之间也可以进行相互校准，计算量小且准确度高。

控制器配置有异物检测方法，因为该检测电路的三个感应线圈通道是相互独立的，被测物每个时刻在三个感应线圈下方的位置都是有区别的，三个感应线圈的检测电压也是既相互联系又有所区别的，根据三个通道的检测电压的升降幅度可以判断是属于金属异物侵入还是非金属异物侵入。

控制器还配置有励磁调整方法，控制器依据电平开关管集电极的检测电压高于0V的差值大小动态调整施加到发射线圈上的激励脉冲个数，并且，检测电压高于0V的差值大小与施加到发射线圈上的激励脉冲个数正相关，由此可以解决放电检测电压的离散性带来的测量准确度降低的问题。

附图说明

图1为本发明一种旋转检测电路的电路原理图；

图2为本发明一种旋转检测电路的连接框图；

图3为本发明一种旋转检测电路中控制器的电路图；

图4为本发明一种旋转检测电路中采样电路的电路图；

图5为本发明中被测物以匀速旋转时，三通道的电压正弦变化曲线；

图6为本发明中依据各自通道最大值、最小值和两个基准值将每个电平开关管集电极输出的电压变化曲线分为六段连续区间的结构图；

图7为本发明中电容放电波形图。

图中：1、电路基板；2、采样电路；3、信号发射电路；4、无源滤波电路；5、无源高通滤波电路；6、控制器；7、感应线圈；8、发射线圈。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明提供的第一种实施例，一种旋转检测电路，包括信号发射电路3、采样电路2和控制器6，所述信号发射电路3包括发射线圈8和驱动器，所述控制器6与所述信号发射电路3之间设置有无源高通滤波电路5，所述无源高通滤波电路5与驱动器相连，用于滤除低频干扰信号，所述采样电路2包括三套以上感应线圈7和相应数量的电平开关管，所述感应线圈7用于接收发射线圈8的激励信号，并利用感应出的电压信号分别控制相应电平开关管的打开程度。其中，当发射线圈8发射激励信号时，开关管均处于导通状态。

所述采样电路2和控制器6之间设有无源滤波电路4，所述无源滤波电路4包括三个分别和电平开关管集电极相连接的电容器，所述电容器的另一端接地；三个所述电容器与电平开关管集电极相连接的一端还分别与控制器6的不同信号输出端相连接，用于通过控制器6向电容器充电，所述采样电路2还包括与三个电平开关管发射极均相连接的放电电阻；

采样电路2根据电平开关管的打开程度控制相应放电回路的电容器的放电速度；其中，所述无源高通滤波电路5采用RC滤波电路，所述驱动器的输出端与发射线圈8相连接，所述发射线圈8的另一端接地；所述信号发射电路3和采样电路2均设置在电路基板1上，所述发射线圈8呈以电路基板的轴心为圆心的环状排布，三套所述感应线圈7以基板轴心为中心对称且均匀分布在所述发射线圈8的内部。

激励信号在输入到信号发射电路3驱动器前配置了一套无源高通滤波器，可以滤除低频干扰分量，保证激励效果，采样电路2中的感应线圈7将被检测区间中的衰减后的激励信号接收后，感应出电压信号直接控制电平开关管的打开程度，增加信号强度，经过无源滤波电路4，滤除高频干扰信号后直接送入控制器6进行信号解算；该检测电路利用每一个感应线圈7通道的检测电压在旋转方向已知的情况下都可以单独实现被测物的旋转位置检测和旋转速度检测，多组计算数据之间也可以进行相互校准，计算量小且准确度高。

如图2所示，为旋转检测电路的连接框图，其中，采样电路2包括3路接收电路，即相应的感应线圈7、电平开关管和滤波电容器；在该实施例下，控制器6采用单片机系统，单片机系统向信号发射电路3发送激励脉冲信号，经由驱动器驱动发射线圈8，发射线圈8周围产生磁场，3路接收电路将被检测区间中的衰减后的激励信号耦合接收后，感应出电压信号直接控制电平开关管的打开程度；其中，感应线圈7、电平开关管、滤波电容器和电平开关管发射极连接的电阻构成放电回路，控制器6控制向滤波电容器充电，电平开关管的打开程度关乎到放电速度的快慢。当基表半金属片旋转到相应感应线圈7下方时，该接收电路的电平开关管集电极电压下降速度变慢，电压明显高于另外两路，当基表半金属片旋转到距离感应线圈7最远距离时，该接收电路的电平开关管集电极电压下降速度最快。故在半金属片的旋转过程中，可以在这三个不同线圈上得到不同的信号值，该信号值被控制器6检测到并通过判断不同线圈上信号变化的顺序，可以识别出半金属片的转动方向、转动圈数和转动速度。

如图3所示，关于控制器6选型，该实施例计划采用的MCU型号为HC32L110C4UA，封装为WQFN-20。考虑PCB电路板面积和器件成本，目前设计采用该型号该封装单片机。芯片面积为3mm*3mm。 HC32L110C4UA内核采用 32位CortexM0+ 内核，工作电压：1.8 ~ 5.5V，满足高频采样和计算速度的需要。其具有三种工作模式，3μS 超低功耗唤醒时间，深度睡眠模式下功耗0.5μA ，满足低功耗设计要求。16个通用 I/O 管脚，多个16 位定时器/计数器，内部集成 12 位 1M sps 高精度 SARADC，2路标准UART通讯接口，1个SPI接口、1个I2C 接口，外设满足设计需要。

如图4所示，关于采样电路2里的每通道接收电路的设计，接收电路利用感应线圈7的电动势为三极管提供电流，使三极管导通，集电极电压下降。当基表半金属片旋转到线圈下方时，该接收电路的三极管集电极电压下降速度变慢，电压明显高于另外两路。其中，接收电路有三组，对应PCB中三路感应线圈7，该接收电路目前采用三极管为LBC817，封装为SOT23。集电极放电电容的容值影响放电后的电压值（静态采集电压），设计中采用220pF。发射极的限流电阻影响放电速度（动态采集电压），设计中采用1欧姆或0欧姆。

如图5所示，采集电路中的3个接收电路将采集到的放电检测电压信号经过无源滤波电路4滤除高频干扰信号后直接送入单片机系统进行信号解算，具体的，所述控制器6实时采集三个电平开关管集电极的电压变化，以得出被测物的旋转状态和所处位置。

当被测物匀速旋转时，模块在校准模式或正式采样模式下，控制器6在每次开始采样前，先输出激励信号，由激励信号在区间中建立高频交变电磁场，被测物处于此区间内，金属导体部分经过的区域会产较大的磁场衰减，而非金属部分对磁场衰减影响较小。针对单一检测通道而言，当被测物以匀速状态旋转时，会在检测通道上采集到类似正弦波的变化曲线，如图5所示。所述控制器6配置有识别方法，所述识别方法包括：

获取被测物以匀速状态旋转时的三个电平开关管集电极的电压正弦变化曲线；

通过最值算法计算各自电压正弦变化曲线的最大值和最小值；

根据各自最大值和最小值分别计算三个电平开关管集电极对应的两个不同基准值；

依据各自最大值、最小值和两个基准值将每个电平开关管集电极输出的电压变化曲线分为六段连续区间；

控制器6获取采集到的电压数值并按六段连续区间进行记录，优先填充区间号较小的区间；

根据采集到的区间号的排列顺序判断被测物的正反转状态，根据区间号排列重复组数计算旋转圈数，根据区间号每一组完整序号排列的时间间隔计算旋转速度。

如图6所示，进一步的，为了更精准判断被测物金属区域处于某一检测通道的哪个区域，并降低误检风险，校准过程需要至少采集 10 圈的数据，之后通过最值算法分别计算出三个通道各自的最大和最小值作为基准值。结合经验和实际情况在得出的基准值范围内人为设置两个辅助基准值可以增加判断的准确性，具体可以采用依据最大值和最小值差值的1/3和2/3进行设置每个电平开关管集电极对应的两个不同基准值，此时使用4个基准值将360°的区间分为六个区间，针对一个通道来说，软件设置6个存储区间，分别对应图6中的六个区间，在每采集完成一次后根据当前通道的最大最小基准值和两个辅助基准参考判断当前采样值在哪个区间，优先填充区间号值小区间，例如区间一和区间六都没有数据时，产生符合区间一和六的数据时，优先存储在区间一中，其他情况类似。以单一通道的记满6个值后为旋转一圈，并通过三个通道产生符合3个通道数据的先后顺序作为判断旋转方向的标准，例如设置3个通道名称为A、B、C，则按照先后顺序分别产生A、B、C、A则判定为正向旋转，当产生C、B、A、C则判定为反转。根据区间号排列重复组数计算旋转圈数，根据区间号每一组完整序号排列的时间间隔计算旋转速度。

当校准过程完成后，就以校准的基准值做参考，定时分别采样三个接收电路通道电压，并根据上述方法可以得出被测物的旋转方向以及转速信息，由获取的方向及速度信息可以正常记圈并可以适时提高采样速度以获取更快的响应速度。

如图7所示，所述控制器6的识别方法还包括根据信号发射电路3每发射一次激励信号时，不同电平开关管集电极电压变化的差值判断金属片的位置。

当发射线圈8发出激励信号后，感应线圈7能接收该信号，并放大后使该回路上的电容放电，最终通过控制器6检测该电容电压值计算出该线圈上激励信号的大小，进而分析出被测旋转金属体的位置和旋转方向。从上述原理可以看出，检测电容电压是整个产品的检测关键所在。图7是电容放电波形图，每一个台阶都是由于初级发射线圈8发出一次激励信号被次级感应线圈7感应到并产生的单次电容放电而形成的放电台阶。由于金属片运动的缘故，上图中台阶的范围会在一个最小值和最大值之间周期往复运动，控制器6通过检测这个电压值的差值来计算金属片的位置。为了提高旋转金属片检测的精度，当金属片运动中单次放电变化量（δV）不变时，整体放电量个数越多，即电容放电程度越深，则分辨率越高。反之，放电个数越少，即电容放电程度越低，则分辨率越低。

控制器6检测电压差值时，由于生产中器件的离散性，可能导致单次放电变化量和绝对值都存在一定的离散性，表现在图7中就是单个台阶的高度值存在离散，而整体放电量个数是固定的，最终导致整体放电程度也是存在很大的离散。离散带来的问题有两个，1是生产一致性差，不良率高，生产中不易采用统一的判定标准，进而降低了产品的一致性；2是为了避免放电程度过大导致的电容过放现象（即上图上未达到最后一个台阶时电容已经放电干涸了），进而导致波形失真，无法正确反映被测金属片的位置，因此设计上一般都特意留出相当大的放电区间。例如总放电电压3.3V，理想放电最小值是0V，为了避免所述过放情况，很多设计最小值都处于1V或更大，导致放电程度从最理想3.3V降级到只有2.3V或更低。

为了改善上述问题，本发明第二方面提供了一种励磁调整方法，所述励磁调整方法包括控制器6依据电平开关管集电极的检测电压高于0V的差值大小动态调整施加到发射线圈8上的激励脉冲个数，检测电压高于0V的差值大小与施加到发射线圈8上的激励脉冲个数正相关。具体的，控制器6施加到初级激励线圈上的激励脉冲个数是动态调整的，该动态调整的依据是基于感应线圈7端的电容电压反馈，当检测到该电压远高于0V时可以逐渐增大脉冲个数，个数增加的算法可以有很多种，而激励个数由几个到几十个，检测周期由几毫秒到几十毫秒不等，因此从开始检测到达到稳定时间非常短，一般小于1秒，使放电程度达到最理想位置，反之，当检测到电压非常接近0V或等于0V时，通过减少脉冲个数使放电程度停止到最理想位置。

进一步的，所述控制器6配置有模块拆除检测策略，所述模块拆除检测策略包括当控制器6在第一时间周期内均没有检测到金属器件时，向无磁主板输出第一输出信号进行报警。具体的，磁模块检测机电分离需要60s的确认时间，当模块从基表中拆下且模块下面没有任何的金属器件持续时间大于60s后模块报警，同时在 T 端口输出 64ms的正脉冲。当模块装回基表60s后，机电分离报警清零。

第三方面，本发明提供了一种异物检测方法，基于上述旋转检测电路，当控制器6检测到两个以上电平开关管对应的电压正弦变化曲线的最大值均变大时，则判断为金属异物侵入，具体可以设定变大为最大值的k倍，k大于等于1；当控制器6检测两个以上电平开关管对应的电压正弦变化曲线的最大值均变小时，则判断为非金属异物侵入，具体可以设定变小为最大值的m倍，m小于1。

在模块校准完成后，软件中已经获取三个通道校准参考值，根据基本检测原理可知，在正常情况下三个通道不会出现全部最小或最大的情况；当检测区间内出现低阻的金属异物时，相当于减小了检测距离，电平开关管实际采集到的检测电压均会有所增加； 采集检测通道的电压随着异物距离检测平面的距离减小而快速增大，直至最大，当金属异物逐渐远离检测平面后，检测电压也会随之快速降低，当三个通道或者两个通道同时出现较大电压提高，则判断为金属异物侵入。而非金属材质的异物对无线信号衰减程度会比金属要小的多，在非金属异物插入检测区间内时，增加了检测距离，电平开关管实际采集到的检测电压均会有所降低。

当异物插入面积较小（小于1个线圈的面积），不影响计量功能，报警后继续计量；当异物插入部分面积较大，影响计量功能，持续时间大于 60s后模块报警，同时在 T 端口输出128ms的正脉冲。当模块异物除去60s后，机电分离报警清零。

判断金属异物插入和非金属异物插入的其他具体方法：

1）金属异物：

方法一：两个通道采集电压数值同时达到最大值；（插入面积大于线圈面积且将线圈完全覆盖，才可根据最大值条件判断）。

方法二：六个区间中，区间一 和区间六无效，其他有效（插入金属覆盖线圈的一部分，电压最小值会有所升高）。

2）非金属异物：六个区间中，区间三 和区间四无效，其他有效（相当于检测距离加大，电压峰值减小）。

工作原理：旋转检测电路通过利用感应线圈7直接连接电平开关管的基极，感应出电压信号直接控制开关管的打开程度，经无源滤波电路4滤除高频干扰信号后直接送入控制器6进行信号解算。该检测电路利用每一个感应线圈7通道的检测电压都可以单独实现被测物的旋转方向检测、旋转速度检测和位置检测，三组计算数据之间也可以进行相互校准，计算量小且准确度高。另一方面，控制器6配置有异物检测方法，因为该检测电路的三个感应线圈7通道是相互独立的，被测物每个时刻在三个感应线圈7下方的位置都是有区别的，三个感应线圈7的检测电压也是既相互联系又有所区别的，根据三个通道的检测电压的升降幅度可以判断是属于金属异物侵入还是非金属异物侵入。第三方面，控制器6还配置有励磁调整方法，控制器6依据电平开关管集电极的检测电压高于0V的差值大小动态调整施加到发射线圈8上的激励脉冲个数，并且，检测电压高于0V的差值大小与施加到发射线圈8上的激励脉冲个数正相关，由此可以解决放电检测电压的离散性带来的测量准确度降低的问题。

在本申请的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (10)

1.一种旋转检测电路，包括信号发射电路(3)、采样电路(2)和控制器(6)，其特征在于，所述信号发射电路(3)包括发射线圈(8)和驱动器，所述控制器(6)与所述信号发射电路(3)之间设置有无源高通滤波电路(5)，所述无源高通滤波电路(5)与驱动器相连，用于滤除低频干扰信号，所述采样电路(2)包括三套以上感应线圈(7)和相应数量的电平开关管，所述感应线圈(7)用于接收发射线圈(8)的激励信号，并利用感应出的电压信号分别控制相应电平开关管的打开程度；

所述采样电路(2)和控制器(6)之间设有无源滤波电路(4)，所述无源滤波电路(4)包括和电平开关管集电极相连接的电容器，所述电容器的数量与电平开关管的数量相同，所述电容器的另一端接地；所述电容器与电平开关管集电极相连接的一端还分别与控制器(6)的不同信号输出端相连接，用于通过控制器(6)向电容器充电，所述采样电路(2)还包括与三个以上电平开关管发射极均相连接的放电电阻；

采样电路(2)根据电平开关管的打开程度控制相应放电回路的电容器的放电速度。

2.根据权利要求1所述的旋转检测电路，其特征在于，所述无源高通滤波电路(5)采用RC滤波电路，所述驱动器的输出端与发射线圈(8)相连接，所述发射线圈(8)的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的旋转检测电路，其特征在于，所述信号发射电路(3)和采样电路(2)均设置在电路基板(1)上，所述发射线圈(8)呈以电路基板的轴心为圆心的环状排布，三套以上所述感应线圈(7)以基板轴心为中心对称且均匀分布在所述发射线圈(8)的内部。

4.根据权利要求3所述的旋转检测电路，其特征在于，所述控制器(6)实时采集三个以上电平开关管集电极的电压变化，以得出被测物的旋转状态和所处位置。

5.根据权利要求4所述的旋转检测电路，其特征在于，所述控制器(6)配置有识别方法，所述识别方法包括：

获取被测物以匀速状态旋转时的所有电平开关管集电极的电压正弦变化曲线；

通过最值算法计算各自电压正弦变化曲线的最大值和最小值；

根据各自最大值和最小值分别计算每个电平开关管集电极对应的两个不同基准值；

依据各自最大值、最小值和两个基准值将每个电平开关管集电极输出的电压变化曲线分为六段连续区间；

控制器(6)获取采集到的电压数值并按六段连续区间进行记录，优先填充区间号较小的区间；

根据采集到的区间号的排列顺序判断被测物的正反转状态，根据区间号排列重复组数计算旋转圈数，根据区间号每一组完整序号排列的时间间隔计算旋转速度。

6.根据权利要求5所述的旋转检测电路，其特征在于，所述控制器(6)的识别方法还包括根据信号发射电路(3)每发射一次激励信号时，不同电平开关管集电极电压变化的差值判断金属片的位置。

7.根据权利要求6所述的旋转检测电路，其特征在于，所述控制器(6)配置有模块拆除检测策略，所述模块拆除检测策略包括当控制器(6)在第一时间周期内均没有检测到金属器件时，向无磁主板输出第一输出信号进行报警。

8.一种异物检测方法，基于权利要求5-7中任一权利要求所述的旋转检测电路，其特征在于，当控制器(6)检测到两个以上电平开关管对应的电压正弦变化曲线的最大值均变大时，则判断为金属异物侵入。

9.根据权利要求8所述的异物检测方法，其特征在于，当控制器(6)检测到两个以上电平开关管对应的电压正弦变化曲线的最大值均变小时，则判断为非金属异物侵入。

10.一种励磁调整方法，基于权利要求1-6中任一权利要求所述的旋转检测电路，其特征在于，所述励磁调整方法包括控制器(6)依据电平开关管集电极的检测电压高于0V的差值大小动态调整施加到发射线圈(8)上的激励脉冲个数，检测电压高于0V的差值大小与施加到发射线圈(8)上的激励脉冲个数正相关。

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