CN115508017A - 真空系统组件测漏设备 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 86
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
- G01M3/04—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point
- G01M3/20—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using special tracer materials, e.g. dye, fluorescent material, radioactive material
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Abstract
本申请涉及一种真空系统组件测漏设备，该真空系统组件测漏设备用于长晶炉的上盖组及下盖组的测漏检验，所述真空系统组件测漏设备包括：一模拟石英管，所述模拟石英管呈环状板体，所述模拟石英管具有一上端面及一下端面，所述上盖组能盖置于所述模拟石英管的上端面，所述下盖组能盖置于所述模拟石英管的下端面，使所述模拟石英管、所述上盖组及所述下盖组的内部形成一腔室；以及一氦气测漏仪，所述氦气测漏仪连通于所述腔室，以能用来对所述模拟石英管、所述上盖组及所述下盖组进行测漏检验。由此，可进行进料检验，且可使容积降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种真空系统组件测漏设备，特别是涉及一种对应用于长晶炉石英管的上盖组、下盖组等组件进行进料检测的测漏设备。
背景技术
近年来第三代半导体SiC及GaN一直受到业界及大众媒体的瞩目，其最大的应用在于功率半导体组件，近年来由于节能减碳的要求，各项新兴节能产业如电动车、太阳能发电、直流电网、充电桩等都需要高转换效率的功率半导体。物理气相传输法(physicalvapor transport，PVT)又称为升华法(sublimation)为普遍使用的长晶技术，可将碳化硅多晶料放置于石墨坩埚的底部，而碳化硅籽晶黏着于石墨内壁的上端，石墨坩埚放置于由石英管所构成的真空室中，生长室可控制适当的真空度及温度，对生长温度和压力进行精确控制，保障碳化硅单晶生长的稳定性和重复性。上述石英管的上端及下端分别设置一上盖组及一下盖组，以用来密封石英管的上端及下端，该石英管、上盖组及下盖组的组合必须维持预定气密性，因此需要进行测漏检验。然而现有的技术并无法进行进料检验，只能在石英管、上盖组及下盖组安装完成后进行测漏检验，当检验出组件有问题时，该些组件又必须拆下更换，费工费时，造成从业者极大的不便。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种真空系统组件测漏设备，该真空系统组件测漏设备可进行进料检验，以便及时检测出泄漏的组件。
为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种真空系统组件测漏设备，该真空系统组件测漏设备用于长晶炉的上盖组及下盖组的测漏检验，该真空系统组件测漏设备包括：一模拟石英管，该模拟石英管呈环状板体，该模拟石英管具有一上端面及一下端面，该上盖组能盖置于该模拟石英管的上端面，该下盖组能盖置于该模拟石英管的下端面，使该模拟石英管、该上盖组及该下盖组的内部形成一腔室；以及一氦气测漏仪，该氦气测漏仪连通于该腔室，以能用来对该模拟石英管、该上盖组及该下盖组进行测漏检验。
优选地，该模拟石英管的截面沿着该模拟石英管的一轴向方向的尺寸小于沿着该模拟石英管的一直径方向的尺寸。
优选地，该上端面及该下端面皆呈一环状平面，且该上端面及该下端面相互平行。
优选地，该上端面靠近该模拟石英管的外缘处设有一第一凸体，该下端面靠近该模拟石英管的内缘处设有一第二凸体。
优选地，该上盖组包含一上盖内层、一上盖外层、一上盖顶板及一上盖底板，该上盖外层间隔地设置于该上盖内层外，该上盖顶板连接于该上盖内层的上端及该上盖外层的上端，该上盖底板连接于该上盖内层的下端及该上盖外层的下端，该上盖内层及该上盖外层之间能供冷却水输入循环，该上盖组的上盖底板接触抵靠该模拟石英管的上端面。
优选地，该下盖组包含一下盖内层、一下盖外层、一下盖顶板及一下盖底板，该下盖外层间隔地设置于该下盖内层外，该下盖顶板连接于该下盖内层的上端及该下盖外层的上端，该下盖底板连接于该下盖内层的下端及该下盖外层的下端，该下盖内层及该下盖外层之间能供冷却水输入循环，该下盖组的下盖顶板接触抵靠该模拟石英管的下端面。
优选地，该下盖组的下方设置一坩埚承座组，该坩埚承座组伸入该下盖组内，使该坩埚承座组位于该腔室内。
优选地，该坩埚承座组包含一承座内层、一承座外层、一承座顶板及一承座底板，该承座外层间隔地设置于该承座内层外，该承座顶板连接于该承座内层的上端及该承座外层的上端，该承座底板连接于该承座内层的下端及该承座外层的下端，该承座内层及该承座外层之间能供冷却水输入循环，该坩埚承座组的承座底板接触抵靠于该下盖组的下盖底板。
优选地，该模拟石英管、该上盖组及该下盖组置于一工作桌面上，使该模拟石英管、该上盖组及该下盖组被架高设置。
优选地，该模拟石英管与该上盖组、下盖组之间分别设置有气密组件。
本发明的有益效果在于，本发明所提供的真空系统组件测漏设备包括一模拟石英管及一氦气测漏仪。模拟石英管呈环状板体，模拟石英管具有一上端面及一下端面，上盖组能盖置于模拟石英管的上端面，下盖组能盖置于模拟石英管的下端面，使模拟石英管、上盖组及下盖组的内部形成一腔室。氦气测漏仪连通于腔室，以能用来对上盖组及下盖组等组件进行测漏检验。本发明可以针对长晶炉的上盖组及下盖组等组件进行进料检验，使得真空系统组件在组装前即能进行液、气的测漏检验，且本发明以模拟石英管取代实际石英管，模拟石英管呈环状板体，可使高度大幅地降低，从而可使容积降低，较不占用空间。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明真空系统组件测漏设备的平面示意图。
图2为图1的Ⅱ部分详细视图。
图3为本发明真空系统组件测漏设备的使用状态示意图。
具体实施方式
[实施例]
请参阅图1至图3，本发明提供了一种真空系统组件测漏设备，该真空系统组件测漏设备用于长晶炉的上盖组及下盖组的测漏检验并且包括一模拟石英管1及一氦气测漏仪4。
该模拟石英管1呈环状板体，该模拟石英管1可对应上盖组2及下盖组3而呈圆形环状板体，该模拟石英管1具有一上端面11及一下端面12，上端面11及下端面12位于模拟石英管1的相对的两面，该模拟石英管1的高度相对于实际石英管大幅地降低，从而可使容积降低，减少占用的空间。优选地，模拟石英管1的高度小于宽度，亦即模拟石英管1的截面呈扁平长方形，模拟石英管1的截面沿着模拟石英管1的一轴向方向A的尺寸小于沿着模拟石英管1的一直径方向B的尺寸，使模拟石英管1占用的高度空间缩小。
在本实施例中，该上端面11及下端面12皆呈一环状平面，且上端面11及下端面12相互平行。该上端面11靠近模拟石英管1的外缘处可设有一第一凸体13，该第一凸体13可呈环型突出体，该下端面12靠近模拟石英管1的内缘处可设有一第二凸体14，该第二凸体14可呈环型突出体，第一凸体13及第二凸体14能提供止挡限位功能，以便利于组装。
该模拟石英管1的上端面11及下端面12分别与实际石英管的上端面及下端面类似，可用以分别与上盖组2及下盖组3配合，该上盖组2及下盖组3能分别盖置于模拟石英管1的上端面11及下端面12，使模拟石英管1、上盖组2及下盖组3的内部形成一腔室100，该腔室100为一密闭的空间。所述模拟石英管1、上盖组2及下盖组3亦可利用螺丝(图略)锁固等方式予以固定，使模拟石英管1、上盖组2及下盖组3之间稳固地接合。
该上盖组2可包含一上盖内层21、一上盖外层22、一上盖顶板23及一上盖底板24，该上盖外层22间隔地设置于上盖内层21外，该上盖顶板23连接于上盖内层21及上盖外层22的上端，该上盖底板24连接于上盖内层21及上盖外层22的下端，上盖内层21及上盖外层22可形成双层的壁体，上盖内层21及上盖外层22之间能供冷却水输入循环，以便利用水冷方式协助散热。该上盖组2的上盖底板24可接触抵靠模拟石英管1的上端面11，使该上盖组2与模拟石英管1的上端面11之间维持气密性。
该下盖组3可包含一下盖内层31、一下盖外层32、一下盖顶板33及一下盖底板34，该下盖外层32间隔地设置于下盖内层31外，该下盖顶板33连接于下盖内层31及下盖外层32的上端，该下盖底板34连接于下盖内层31及下盖外层32的下端，下盖内层31及下盖外层32可形成双层的壁体，下盖内层31及下盖外层32之间能供冷却水输入循环，以便利用水冷方式协助散热。该下盖组3的下盖顶板33可接触抵靠模拟石英管1的下端面12，使该下盖组3与模拟石英管1的下端面12之间维持气密性。
本发明能将模拟石英管1、上盖组2及下盖组3叠加以进行测漏，亦可将真空系统组件全部叠加以进行测漏。在本实施例中，该模拟石英管1、上盖组2及下盖组3亦可置于一工作桌面10上，使模拟石英管1、上盖组2及下盖组3等被架高设置。另，可将该下盖组3的底部密封，使模拟石英管1、上盖组2及下盖组3内部的腔室100可维持气密性。在本实施例中，该下盖组3的下方设置一坩埚承座组5，该坩埚承座组5为一坩埚承接结构，该坩埚承座组5伸入下盖组3内，使坩埚承座组5可位于腔室100内。
该坩埚承座组5可包含一承座内层51、一承座外层52、一承座顶板53及一承座底板54，该承座外层52间隔地设置于承座内层51外，该承座顶板53连接于承座内层51及承座外层52的上端，该承座底板54连接于承座内层51及承座外层52的下端，承座内层51及承座外层52可形成双层的壁体，承座内层51及承座外层52之间能供冷却水输入循环，以便利用水冷方式协助散热。该坩埚承座组5的承座底板54可接触抵靠于下盖组3的下盖底板34，使该下盖组3的底部密封。
另，该上盖组2及坩埚承座组5上亦可分别设置一上窗口25及一下窗口55，以便设置于外部的探测仪能透过上窗口25及下窗口55进行观察的操作。
另，上述的模拟石英管1与上盖组2、下盖组3之间以及下盖组3与坩埚承座组5之间亦可分别设置气密组件(如O型环)200、300、400，以用来增加气密性。同样的，上盖组2及坩埚承座组5本身的各组件之间亦可分别设置气密组件(如O型环)500、600，以用来增加气密性。
该氦气测漏仪4连通于腔室100，该氦气测漏仪4可连接于上盖组2的法兰(图略)等，使该氦气测漏仪4能对腔室100抽真空。另于该模拟石英管1、上盖组2及下盖组3的外部施放氦气，例如可将氦气瓶6内的氦气喷洒于该模拟石英管1、上盖组2及下盖组3的外部，从而可根据真空排气利用内外的压差、依据该腔室100内流入的氦气量检测是否有漏气。由此可针对上盖组2及下盖组3等组件进行测漏检验。
[实施例的有益效果]
本发明的有益效果在于，本发明所提供的真空系统组件测漏设备包括一模拟石英管及一氦气测漏仪。模拟石英管呈环状板体，模拟石英管具有一上端面及一下端面，上盖组能盖置于模拟石英管的上端面，下盖组能盖置于模拟石英管的下端面，使模拟石英管、上盖组及下盖组的内部形成一腔室。氦气测漏仪连通于腔室，以能用来对上盖组及下盖组等组件进行测漏检验。本发明可以针对长晶炉的上盖组及下盖组等组件进行进料检验，使得真空系统组件在组装前即能进行液、气的测漏检验，且本发明以模拟石英管取代实际石英管，模拟石英管呈环状板体，可使高度大幅地降低，从而可使容积降低，较不占用空间。
以上所述仅为本发明的优选实施例，非意欲局限本发明的专利保护范围，因此但凡运用本发明说明书及附图内容所为的等效变化皆包含于本发明的权利保护范围内。
Claims (10)
1.一种真空系统组件测漏设备，其特征在于，用于长晶炉的上盖组及下盖组的测漏检验，所述真空系统组件测漏设备包括：
一模拟石英管，所述模拟石英管呈环状板体，所述模拟石英管具有一上端面及一下端面，所述上盖组能盖置于所述模拟石英管的上端面，所述下盖组能盖置于所述模拟石英管的下端面，使所述模拟石英管、所述上盖组及所述下盖组的内部形成一腔室；以及
一氦气测漏仪，所述氦气测漏仪连通于所述腔室，以能用来对所述模拟石英管、所述上盖组及所述下盖组进行测漏检验。
2.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述模拟石英管的截面沿着所述模拟石英管的一轴向方向的尺寸小于沿着所述模拟石英管的一直径方向的尺寸。
3.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述上端面及所述下端面皆呈一环状平面，且所述上端面及所述下端面相互平行。
4.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述上端面靠近所述模拟石英管的外缘处设有一第一凸体，所述下端面靠近所述模拟石英管的内缘处设有一第二凸体。
5.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述上盖组包含一上盖内层、一上盖外层、一上盖顶板及一上盖底板，所述上盖外层间隔地设置于所述上盖内层外，所述上盖顶板连接于所述上盖内层的上端及所述上盖外层的上端，所述上盖底板连接于所述上盖内层的下端及所述上盖外层的下端，所述上盖内层及所述上盖外层之间能供冷却水输入循环，所述上盖组的上盖底板接触抵靠所述模拟石英管的上端面。
6.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述下盖组包含一下盖内层、一下盖外层、一下盖顶板及一下盖底板，所述下盖外层间隔地设置于所述下盖内层外，所述下盖顶板连接于所述下盖内层的上端及所述下盖外层的上端，所述下盖底板连接于所述下盖内层的下端及所述下盖外层的下端，所述下盖内层及所述下盖外层之间能供冷却水输入循环，所述下盖组的下盖顶板接触抵靠所述模拟石英管的下端面。
7.根据权利要求6所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述下盖组的下方设置一坩埚承座组，所述坩埚承座组伸入所述下盖组内，使所述坩埚承座组位于所述腔室内。
8.根据权利要求7所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述坩埚承座组包含一承座内层、一承座外层、一承座顶板及一承座底板，所述承座外层间隔地设置于所述承座内层外，所述承座顶板连接于所述承座内层的上端及所述承座外层的上端，所述承座底板连接于所述承座内层的下端及所述承座外层的下端，所述承座内层及所述承座外层之间能供冷却水输入循环，所述坩埚承座组的承座底板接触抵靠于所述下盖组的下盖底板。
9.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述模拟石英管、所述上盖组及所述下盖组置于一工作桌面上，使所述模拟石英管、所述上盖组及所述下盖组被架高设置。
10.根据权利要求1所述的真空系统组件测漏设备，其特征在于，所述模拟石英管与所述上盖组、所述下盖组之间分别设置有气密组件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110699877.4A CN115508017A (zh) | 2021-06-23 | 2021-06-23 | 真空系统组件测漏设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110699877.4A CN115508017A (zh) | 2021-06-23 | 2021-06-23 | 真空系统组件测漏设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115508017A true CN115508017A (zh) | 2022-12-23 |
Family
ID=84500366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110699877.4A Pending CN115508017A (zh) | 2021-06-23 | 2021-06-23 | 真空系统组件测漏设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115508017A (zh) |
-
2021
- 2021-06-23 CN CN202110699877.4A patent/CN115508017A/zh active Pending
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