CN115506019B - 投料控制方法、装置、计算机设备和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种投料控制方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域；基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。本方法实现了通过温度判断投料融化状态而判断目标区域，并通过控制旋转速度使投料均匀投入，解决了相关技术中投料分布不均匀导致生产成本较高的问题，避免了因投料不均匀而产生的漏料、挂壁现象，达到了提高制晶效率和晶体品质的技术效果。

Description

投料控制方法、装置、计算机设备和存储介质

技术领域

本申请涉及制晶技术领域，特别是涉及一种投料控制方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

硅单晶作为一种半导体材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域，其制备主要通过在单晶炉中采用直拉法的制备方法进行。

目前，通过单晶炉制备硅单晶分为两个阶段，第一阶段是预先在单晶炉的石英坩埚中投放硅料，使硅料填满石英坩埚，随后单晶炉合炉开始加热融化硅料；第二阶段是在第一阶段的硅料融化完毕后进行二次投料，并通过外部复投装置从单晶炉上炉室的复投口进行投放，在此期间石英坩埚一直处于旋转状态，硅料的投放直至融化的硅液达到目标高度为止。

然而，由于二次投料时可能出现的投料不均匀，投入坩埚内的硅料将出现分布不均匀的情形，甚至出现漏料、挂边等情形的发生，不仅造成了能源的浪费，还增加了处理问题的时间成本，提高了生产成本。

目前，相关技术中投料分布不均匀导致生产成本较高的问题仍未得到解决。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够解决相关技术中投料分布不均匀导致生产成本较高的问题的投料控制方法、装置、计算机设备和计算机可读存储介质。

第一个方面，本实施例提供了一种投料控制方法，所述方法包括：

获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；

基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域；

基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。

在其中一个实施例中，每个所述子区域设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：

获取每个测温元件测量的每个所述子区域的温度值；

基于多个所述温度值生成所述当前温度信息。

在其中一个实施例中，所述坩埚设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：

获取坩埚旋转过程中的实时温度；

基于所述实时温度值以及坩埚旋转速度确定每个所述子区域的温度值，得到当前温度信息。

在其中一个实施例中，所述基于所述当前温度信息确定目标区域包括：

若所述子区域的温度值小于第一预设阈值，则为第一目标区域；

若所述子区域的温度值大于第二预设阈值，则为第二目标区域。

在其中一个实施例中，所述基于所述当前温度信息确定目标区域之前包括：

计算所述多个子区域的温度值的平均值；

基于所述平均值确定所述预设范围。

在其中一个实施例中，所述基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度包括：

若所述目标区域为所述第一目标区域，则所述目标区域经过投料口时，提高所述坩埚的旋转速度；

若所述目标区域为所述第二目标区域，则所述目标区域经过投料口时，降低所述坩埚的旋转速度。

在其中一个实施例中，所述基于所述当前温度信息确定目标区域之后还包括：

当所述子区域的温度值小于所述第一预设阈值，检测所述坩埚内的投料堆积情况，基于所述投料堆积情况发送预警信息至用户端。

在其中一个实施例中，所述获取所述坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值之后还包括：

基于所述坩埚的旋转速度和所述当前温度信息生成温度分布数据；

将所述温度分布数据发送至用户端。

第二个方面，本实施例提供了一种投料控制装置，所述装置包括：

获取模块，用于获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；

确定模块，用于基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为满足预设范围的区域；

控制模块，用于基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。

第三个方面，本实施例提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。

第四个方面，本实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。

上述投料控制方法、装置、计算机设备和存储介质，通过获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域；基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度，实现了通过温度判断投料融化状态而判断目标区域，并通过控制旋转速度使投料均匀投入，解决了相关技术中投料分布不均匀导致生产成本较高的问题，避免了因投料不均匀而产生的漏料、挂壁现象，达到了提高制晶效率和晶体品质的技术效果。

附图说明

图1为一个实施例中投料控制方法的应用环境图；

图2为一个实施例中投料控制方法的流程示意图；

图3为一个实施例中投料控制装置的结构框图；

图4为另一个实施例中投料控制装置的结构框图；

图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例提供的投料控制方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，终端102通过网络与服务器104进行通信。数据存储系统可以存储服务器104需要处理的数据。数据存储系统可以集成在服务器104上，也可以放在云上或其他网络服务器上。终端102获取坩埚的当前温度信息，当前温度信息包括坩埚内多个子区域的温度值；基于当前温度信息确定目标区域，目标区域为温度满足预设范围的区域；基于目标区域的位置调整坩埚的旋转速度。其中，终端102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备和便携式可穿戴设备，物联网设备可为智能音箱、智能电视、智能空调、智能车载设备等。便携式可穿戴设备可为智能手表、智能手环、头戴设备等。服务器104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。

在一个实施例中，如图2所示，提供了一种投料控制方法，以该方法应用于图1中的终端102为例进行说明，包括以下步骤：

步骤S100，获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值。

其中，当前温度信息是指当前时刻下坩埚内的温度分布信息，坩埚内的子区域经过人为划分，子区域的数量可以是一至多个，可以根据实际需要进行设置。

可以理解的是，在坩埚受热均匀的情况下，坩埚内的投料仍可能由于投料不均匀而出现部分投料已经融化、而另一部分投料仍未融化的情形，因此可以判断未融化的部分投料温度未达到熔点温度，该温度应当低于已经融化的部分投料的温度，对应的，该部分投料所处的子区域的温度应当低于其他子区域的温度。因此，未融化投料的分布情况可以通过坩埚多个子区域的温度分布情况进行判断。

步骤S200，基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域。

其中，当前温度信息中包括坩埚内多个子区域的温度值，基于所述当前温度信息确定目标区域是指通过对各个子区域的温度值进行判断，确定满足预设范围的温度值所对应的子区域。预设范围可以经过提前设置，也可以是基于预设规则对当前温度信息进行处理从而确定预设范围。可以理解的，目标区域一般是指投料融化情况或投料输送情况异常的区域，可以是融化速度过慢导致投料产生堆积，也可以是融化速度过快导致温度较高，因此温度会相应的低于或高于其他区域的温度。

步骤S300，基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。

其中，在投料期间，坩埚处于旋转状态，在旋转速度未经调整的情形下，坩埚的旋转可以是匀速的，也可以是按照预设方案进行规律变化的，旋转速度可以根据本领域技术人员的先验知识进行预先设定。

目标区域的位置是指温度满足预设范围的子区域相对于投料环境的位置，目标区域与坩埚的位置相对固定，但随着坩埚的旋转，目标区域与周围环境的相对位置会发生变化。基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度是指根据目标区域的位置与周围环境的相对位置进行判断，当目标区域的位置达到期望区域时，对坩埚的旋转速度进行调整。

在投料的投入速度基本不变的情况下，通过基于目标区域的位置调整坩埚的旋转速度，可以使因投料不均匀导致投料融化情况不均匀的目标区域得到更多或更少的投料，从而避免投料堆积的情况。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过获取所述坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域；基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度，实现了通过温度判断投料融化状态而判断目标区域，并通过控制旋转速度使投料均匀投入，解决了相关技术中投料分布不均匀导致生产成本较高的问题，避免了因投料不均匀而产生的漏料、挂壁现象，达到了提高制晶效率和晶体品质的技术效果。

在其中一个实施例中，每个所述子区域设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：

获取每个测温元件测量的每个所述子区域的温度值；

基于多个所述温度值生成所述当前温度信息。

测温元件即温度检测元件，用于检测坩埚内子区域的温度值，测温元件可以是接触式的，也可以是非接触式的，可以是例如热电偶、热电阻、热敏电阻等测温元件，也可以是例如红外线测温仪、气体测温仪等测温仪器，本文对此不作限定。具体而言，由于各个类型的测温元件存在一定的测温范围，因此测温元件可以根据投料的熔点温度进行选择，例如硅的熔点为1410℃，则基于硅熔点确定目标测温范围，并基于目标测温范围确定所需的测温元件。在一个具体实施例中，采用热电偶安装于坩埚内，从而对坩埚内的多个子区域的温度值进行测量。

可选的，测温元件还可以采用CCD相机进行测量，CCD相机通过获取坩埚内各个区域的图像，基于图像内各个区域的光斑亮度值与温度值的对应关系生成各个区域的温度值，从而实现对各个区域的温度测量。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过测温元件对各个区域的温度进行测量，实现了对多个区域的温度进行准确判断，达到了提高确定目标区域的准确性的效果。

在其中一个实施例中，所述坩埚设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：

获取坩埚旋转过程中的实时温度；

基于所述实时温度值以及坩埚旋转速度确定每个所述子区域的温度值，得到当前温度信息。

其中，坩埚旋转过程中的实时温度由测温元件进行检测，随着坩埚的旋转，测温元件可以测量坩埚内多个区域的温度值。

基于所述实时温度值以及坩埚旋转速确定每个所述子区域温度值，是指基于坩埚旋转速度确定不同时刻的测温元件对应坩埚的位置，并根据测温元件测量的实时温度值和对应时刻的测温元件对应坩埚的位置，确定每个子区域的温度值。在坩埚旋转一周后，测温元件可以得到坩埚内各个区域的温度值，基于多个温度值确定当前温度信息。

在一个具体实施例中，测温元件在不同时刻对应坩埚的位置还可以通过坩埚旋转结构上的位置传感器进行测量记录。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过单个测温元件基于坩埚旋转过程的实时温度值和坩埚旋转速度确定每个所述子区域的温度值，得到当前温度信息，可以减少生产成本以及降低不同测温元件之间的测量误差带来的影响。

在其中一个实施例中，所述基于所述当前温度信息确定目标区域包括：

若所述子区域的温度值小于第一预设阈值，则为第一目标区域；

若所述子区域的温度值大于第二预设阈值，则为第二目标区域。

其中，第一预设阈值与第二预设阈值可以是提前设置，也可以是经过预设规则计算得到。第一目标区域可以是低温区域，可以理解的是，若所述子区域的温度值小于第一预设阈值，则可以判断该子区域的温度未达到预期温度，相应的，该子区域的原料也未达到预期温度，其原因可以是投料过多，也可以是投料融化速度较慢。第二目标区域可以是高温区域或是正常融化的区域，第二预设阈值可以是投料的熔点，也可以是与第一预设阈值相等，也可以是其他高于第一预设阈值的温度值可以理解的是，若所述子区域的温度值大于第二预设阈值，则可以判断该子区域的投料已到达预期温度，为正常区域或过热区域，其原因可以是投料较少，也可以是投料融化速度较快。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过根据子区域的温度值与第一预设阈值与第二预设阈值进行比较确定目标区域，并基于温度值、第一预设阈值与第二预设阈值将目标区域分为第一目标区域和第二目标区域，实现对投料堆积区域和投料融化较快的区域的判断，达到提高投料控制效率的效果。

在其中一个实施例中，所述基于所述当前温度信息确定目标区域之前包括：

计算所述多个子区域的温度值的平均值；

基于所述平均值确定所述预设范围。

其中，本实施例的预设范围可以是平均值下允许的偏差范围外的数值范围，还可以是其他通过平均值确定的数值范围，本文对此不作限定。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过计算平均值，实现了根据各个区域温度值差异判断相对的投料堆积区域和投料融化速度较快区域，提高了对各区域投料分布情况判断的准确率。

在其中一个实施例中，所述基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度包括：

若所述目标区域为所述第一目标区域，则所述目标区域经过投料口时，提高所述坩埚的旋转速度；

若所述目标区域为所述第二目标区域，则所述目标区域经过投料口时，降低所述坩埚的旋转速度。

其中，投料口位于坩埚上方，用于输送投料，投料口的位置相对固定，在坩埚匀速旋转的情况下，投料得以输送至坩埚的各个区域。

第一目标区域为投料堆积相对较多的区域，当所述目标区域进入投料口时，由于投料堆积相对较多，因此若保持原有的旋转速度，将会导致更多的投料堆积，因此提高坩埚的旋转速度，可以减少对第一目标区域的投料输送，从而减少投料堆积情况。

第二目标区域为投料融化速度较快的区域，当所述目标区域进入投料口时，由于投料的融化速度较快，投料堆积较少，降低坩埚的旋转速度可以延长投料口在第二目标区域内的投料时间，从而加大投料输送，使各区域的投料堆积情况保持相对一致。

本申请提供的一种投料控制方法，通过对第一目标区域和第二目标区域进行坩埚旋转速度的相应调整，可以减少投料融化速度较慢的区域的投料量，增加投料融化速度较快的区域的投料量，达到了根据低温高温区域相应调整坩埚的旋转速度的技术效果。

在其中一个实施例中，所述基于所述当前温度信息确定目标区域还包括：

当所述子区域的温度值小于所述第一预设阈值，检测所述坩埚内的投料堆积情况，基于所述投料堆积情况发送预警信息至用户端。

可以理解的是，子区域的温度值小于所述第一预设阈值，在一定程度上可以代表该区域的投料堆积较多，若旋转速度调整不及时，将可能导致漏料、挂边情况的发生，相应地将增加处理堆积问题的时间和生产成本，也存在较大安全隐患。

检测所述坩埚内的投料堆积情况，可以是对超出液面的堆积物高度进行测量，还可以是对坩埚内的挂边、漏液情况进行图像识别。其中，对高度进行测量可以是通过图像设备进行图像识别的测量，也可以是通过激光雷达、红外线传感器等测距测温仪器，还可以是其他能够测量超出液面堆积物的测量工具，本文对此不作限定。在一个具体的实施例中，可以利用CCD相机对超出液面的堆积物进行识别并判断高度。

基于所述投料堆积情况发送预警信息至用户端，可以是判断是否出现挂边、漏液的情况，若出现，则发送预警信息至用户端；还可以是判断堆积物超出液面的高度是否超出预设高度，当堆积物超出液面高度超出预设高度时，发送预警信息至用户端。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过对坩埚内的投料堆积情况进行建设并发送预警信息，实现了安全事件的预警提示，达到提高投料过程安全性的技术效果。

在其中一个实施例中，所述获取所述坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值之后还包括：

基于所述坩埚的旋转速度和所述当前温度信息生成温度分布数据；

将所述温度分布数据发送至用户端。

其中，温度分布数据包括坩埚的旋转数据以及一至多个当前温度信息。温度分布数据可以是以文字的形式，例如文本、表格等，也可以是以图像的形式，例如图表、温度分布图等，还可以以多帧图像合成温度分布变化的影像，本文对此不作限定。

本实施例提供的一种投料控制方法，通过基于坩埚旋转数据和当前温度信息生成温度分布数据，可以得到可视化的温度分布变化信息，操作人员可以根据温度分布变化信息提高对坩埚旋转速度和投料情况的判断，达到提高制晶效率的技术效果。

为了更清楚地阐述本申请的技术方案，本申请还提供了一种详细实施例进行进一步解释。

本实施例提供了一种投料控制方法，应用于如图4所示的一种单晶炉中。该单晶炉包括温度检测装置、电机控制装置、坩埚位置检测装置和控制系统。其中，热场内部是指单晶炉内加热装置的受热区域，坩埚采用石英坩埚作为投料的容器，石英坩埚位于热场内部，并通过石墨托杆和坩埚轴连接在一起，电机控制装置用于控制坩埚轴的升降和旋转，进而控制石英坩埚的升降和旋转。温度检测装置用于检测热场内部的温度，坩埚位置检测装置用于检测坩埚当前的角度从而判断旋转速度，控制系统用于接收来自温度检测装置的信号并将信号传递给电机控制装置以调整坩埚轴的旋转速度。

投料通过石英坩埚上方的投料口投入，投料口位于单晶炉的上炉室，外部复投装置与上炉室的投料口相连接。

温度检测装置采用热电偶进行，热电偶安装于热场内部，可以实时监测石英坩埚内不同区域位置的温度值，当检测到温度较低的区域位置时，温度检测装置发送信号至控制系统，并由控制系统将信号发送至电机控制装置，使电机的转速加快，从而使坩埚中硅料多、温度低的区域位置快速地经过硅料投料口的位置。相反，当检测到温度较高的区域位置时，温度检测装置发送信号至控制系统，并由控制系统将信号发送至电机控制装置，使电机的转速减小，从而使坩埚中硅料少、温度高的区域位置慢速地经过硅料投料口的位置。由此，使在进行硅料的二次投料的过程中，各处的硅料分布地更加均匀，防止某个区域位置的堆料情况发生。

此外，石英坩埚每旋转一周，单晶炉内的坩埚位置检测装置便对坩埚轴的旋转速度的数据反馈至控制系统中，结合温度检测装置检测到的坩埚内不同位置的温度变化的数据，能够实现监测坩埚旋转一周后不同角度位置区域的温度分布和变化情况。

应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的投料控制方法的投料控制装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个投料控制装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于投料控制方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，如图3所示，提供了一种投料控制装置，包括：获取模块、确定模块和控制模块，其中：

获取模块100，用于获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；

确定模块200，用于基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为满足预设范围的区域；

控制模块300，用于基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。

在其中一个实施例中，每个所述子区域设置有一测温元件，获取模块100还包括：

温度获取模块，用于获取每个测温元件测量的每个所述子区域的温度值；

信息生成模块，用于基于多个所述温度值生成所述当前温度信息。

在其中一个实施例中，确定模块200包括：

第一目标区域判断模块，用于若所述子区域的温度值小于第一预设阈值，则为第一目标区域；

第二目标区域判断模块，用于若所述子区域的温度值大于第二预设阈值，则为第二目标区域。

在其中一个实施例中，投料控制装置还包括：

平均值计算模块，用于计算所述多个子区域的温度值的平均值；

预设范围确定模块，用于基于所述平均值确定所述预设范围。

在其中一个实施例中，控制模块300包括：

转速提高模块，用于若所述目标区域为所述第一目标区域，则所述目标区域经过投料口时，提高所述坩埚的旋转速度；

转速降低模块，用于若所述目标区域为所述第二目标区域，则所述目标区域经过投料口时，降低所述坩埚的旋转速度。

在其中一个实施例中，投料控制装置还包括：

预警模块，用于当所述子区域的温度值小于所述第一预设阈值，检测所述坩埚内的投料堆积情况，基于所述投料堆积情况发送预警信息至用户端。

在其中一个实施例中，投料控制装置还包括：

数据生成模块，用于基于所述坩埚的旋转速度和所述当前温度信息生成温度分布数据；

发送模块，用于将所述温度分布数据发送至用户端。

上述投料控制装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储温度分布和坩埚旋转数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种投料控制方法。

本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；

基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域；

基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；

基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足预设范围的区域；

基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度。

需要说明的是，本申请所涉及的用户信息（包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等）和数据（包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等），均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-Onl5Memor5，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memor5，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memor5，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memor5，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memor5，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memor5，SRAM）或动态随机存取存储器（D5namic RandomAccess Memor5，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种投料控制方法，其特征在于，所述方法包括：

获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；其中，每个所述子区域设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：获取每个测温元件测量的每个所述子区域的温度值；基于多个所述温度值生成所述当前温度信息；或，所述坩埚设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：获取坩埚旋转过程中的实时温度；基于所述实时温度值以及坩埚旋转速度确定每个所述子区域的温度值，得到当前温度信息；

计算所述多个子区域的温度值的平均值；

基于所述平均值确定预设范围；

基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为温度满足所述预设范围的区域；所述基于所述当前温度信息确定目标区域包括：若所述子区域的温度值小于第一预设阈值，则为第一目标区域；若所述子区域的温度值大于第二预设阈值，则为第二目标区域；

基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度；所述基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度包括：若所述目标区域为所述第一目标区域，则所述目标区域经过投料口时，提高所述坩埚的旋转速度；若所述目标区域为所述第二目标区域，则所述目标区域经过投料口时，降低所述坩埚的旋转速度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述当前温度信息确定目标区域之后还包括：

当所述子区域的温度值小于所述第一预设阈值，检测所述坩埚内的投料堆积情况，基于所述投料堆积情况发送预警信息至用户端。

3.一种投料控制装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取坩埚的当前温度信息，所述当前温度信息包括所述坩埚内多个子区域的温度值；其中，每个所述子区域设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：获取每个测温元件测量的每个所述子区域的温度值；基于多个所述温度值生成所述当前温度信息；或，所述坩埚设置有一测温元件，所述获取所述坩埚的当前温度信息包括：获取坩埚旋转过程中的实时温度；基于所述实时温度值以及坩埚旋转速度确定每个所述子区域的温度值，得到当前温度信息；

平均值计算模块，用于计算所述多个子区域的温度值的平均值；

预设范围确定模块，用于基于所述平均值确定预设范围；

确定模块，用于基于所述当前温度信息确定目标区域，所述目标区域为满足所述预设范围的区域；所述基于所述当前温度信息确定目标区域包括：若所述子区域的温度值小于第一预设阈值，则为第一目标区域；若所述子区域的温度值大于第二预设阈值，则为第二目标区域；

控制模块，用于基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度；所述基于所述目标区域的位置调整所述坩埚的旋转速度包括：若所述目标区域为所述第一目标区域，则所述目标区域经过投料口时，提高所述坩埚的旋转速度；若所述目标区域为所述第二目标区域，则所述目标区域经过投料口时，降低所述坩埚的旋转速度。

4.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至权利要求2中任一项所述的方法的步骤。

5.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至权利要求2中任一项所述的方法的步骤。

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