CN115490482B - 一种高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及装饰板材技术领域，具体地说，涉及一种高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法。首先制成硅酸盐基板；其次将微晶体各原料粉磨后熔融制成晶化体液，经过水淬形成一定的晶化颗粒；然后将晶化颗粒熔融后，缓缓注入至硅酸盐基板中，退火冷却后制得加强板；将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆和硬化液采用电子束固化后制得装饰板材；本发明采用废弃镜片和花岗岩废料作为制备微晶体的主体材料，具有较好的抗压强度，以硅酸盐基板作为板体，其内部充入微晶体，在不增加成本的条件下制备出强度和硬度较高的装饰板材。

Description

一种高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法
技术领域
本发明涉及装饰板材技术领域，具体地说，涉及一种高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法。
背景技术
装饰材料分为两大部分：一部分为室外材料，一部分为室内材料。目前兴起的微晶玻璃板材既有玻璃的基本性能，又具有陶瓷的多晶特征，集中了玻璃和陶瓷的特点，成为一类独特的新型材料。以其机械强度高、硬度大、耐磨性能好、耐腐蚀性强，具有良好的化学稳定性和热稳定性，能适应恶劣的环境，近年来在国际上得到了快速的发展。
但现有的微晶玻璃板材多以各类硅石为主体，为了减少成本通常使用各类含有硅类物质的废弃物，但是微晶玻璃板材相较于传统的硅酸盐板材成本更高，为了制备出成本低，硬度更高，强度更好的装饰板材，急需一种高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法来解决现有技术的不足。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，一方面，本发明提供一种高硬度纳米微晶装饰板材的制备方法，包括以下步骤：
S1、首先将硅酸盐基板原材料进行粉磨，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板；
S2、将微晶体各原料粉磨后按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中熔融制成晶化体液，经过充分的熔化后，流入至冷却池，水淬形成一定的晶化颗粒，备用；
S3、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中加热晶化，晶化颗粒熔融后，缓缓注入至硅酸盐基板中，退火冷却后制得加强板；
S4、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材。
本发明将以硅酸盐基板作为板体，其内部充入微晶体，在不增加成本的条件下，还能制备出强度和硬度较高的装饰板材，微晶体具有强度高、硬度高、耐腐蚀性能强、机械强度高等特点，传统微晶装饰板材采用整块微晶板制备而成，虽有较好特性，但整体制备成本较高，而本发明采用硅酸盐基板与微晶体复合，使得微晶体在硅酸盐基板内部形成架构，在不影响强度的同时，制备成本更低，且硅酸盐基板表面喷涂有硬化层，解决了装饰板材的表面耐磨性不足的问题。
优选的，所述S1中，硅酸盐基板原材料过200-300目。
优选的，所述S2中，微晶体各原料粉末至1-20nm，晶化炉熔制温度为1350-1560℃，恒温保持1-2h，水淬后晶化颗粒粒度为3-10mm。
优选的，所述S3中，窑炉加热温度为900-1000℃，硅酸盐基板预热至500-650℃，当窑炉温度降至500-650℃时，注入硅酸盐基板中。
优选的，所述S4中，前后两次电子束的辐照强度均≤1rad
另一方面，本发明提供了一种高硬度纳米微晶装饰板材，包括硅酸盐基板，所述硅酸盐基板内部设有微晶体，所述硅酸盐基板表面设有装饰面层；
所述微晶体包括以下重量份原料：废弃镜片50-60份、花岗岩废料10-20份、白云石5-10份、萤石1-5份、碳酸钙1-5份、纯碱5-10份和稀土元素1-5份。
作为本技术方案的进一步改进，所述硅酸盐基板包括以下重量份原料：硅酸盐水泥60-70份、粉煤灰10-20份、石膏粉1-5份和颜料1-3份。
作为本技术方案的进一步改进，所述装饰面层由腻子底漆和硬化液固化形成，所述硬化液优选采用热固性的丙烯酸漆料，使得装饰板材具有精良的面层。
作为本技术方案的进一步改进，所述硅酸盐基板内部开设有强化空腔，且所述硅酸盐基板上表面开设有若干个与强化空腔接通的注入口，便于微晶体的注入。
作为本技术方案的进一步改进，所述硅酸盐基板内部开设有若干个与强化空腔接通的线槽，当微晶体注入强化空腔时，会有充满所有的线槽，使微晶体在硅酸盐基板内部形成一个加固网，具有提升装饰板材整体强度和硬度的作用。
本发明中采用废弃镜片和花岗岩废料作为制备微晶体的主体材料，进一步减少了成本的消耗，废弃镜片采用石英材料制备而成，具有较好的抗压强度，将废弃镜片进行回收后，其内部包含石英材料和其余材料中含有微晶体形成的成分，其中二氧化硅最多；搭配本身硬度较高的花岗岩废料，从而形成硬度更好的微晶体材料。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
1、该高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法中，采用废弃镜片和花岗岩废料作为制备微晶体的主体材料，进一步减少了成本的消耗，废弃镜片采用石英材料制备而成，具有较好的抗压强度，将废弃镜片进行回收后，其内部包含石英材料和其余材料中含有微晶体形成的成分，其中二氧化硅最多；搭配本身硬度较高的花岗岩废料，从而形成硬度更好的微晶体材料。
2、该高硬度纳米微晶装饰板材及其制备方法中，以硅酸盐基板作为板体，其内部充入微晶体，在不增加成本的条件下，还能制备出强度和硬度较高的装饰板材，微晶体具有强度高、硬度高、耐腐蚀性能强、机械强度高等特点，同时微晶体在硅酸盐基板内部形成架构，在不影响强度的同时，制备成本更低，且硅酸盐基板表面喷涂有硬化层，解决了装饰板材的表面耐磨性不足的问题。
附图说明
图1为本发明的整体结构拆分示意图。
其中：B1：硅酸盐基板；B10、强化空腔；B11、注入口；B12、线槽；C1、微晶体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
根据图1所示，本发明实施例提供一种高硬度纳米微晶装饰板材，包括硅酸盐基板B1，硅酸盐基板B1内部设有微晶体C1，硅酸盐基板B1表面设有装饰面层；
其中，硅酸盐基板B1包括以下重量份原料：硅酸盐水泥60-70份、粉煤灰10-20份、石膏粉1-5份和颜料1-3份；
微晶体C1包括以下重量份原料：废弃镜片50-60份、花岗岩废料10-20份、白云石5-10份、萤石1-5份、碳酸钙1-5份、纯碱5-10份和稀土元素1-5份；
装饰面层由腻子底漆和硬化液固化形成，硬化液优选采用热固性的丙烯酸漆料，使得装饰板材具有精良的面层。
在上述基础上，硅酸盐基板B1内部开设有强化空腔B10，且硅酸盐基板B1上表面开设有若干个与强化空腔B10接通的注入口B11，便于微晶体C1的注入，同时，硅酸盐基板B1内部开设有若干个与强化空腔B10接通的线槽B12，当微晶体C1注入强化空腔B10时，会有充满所有的线槽B12，使微晶体C1在硅酸盐基板B1内部形成一个加固网，具有提升装饰板材整体强度和硬度的作用。
本发明中采用废弃镜片和花岗岩废料作为制备微晶体C1的主体材料，进一步减少了成本的消耗，废弃镜片采用石英材料制备而成，具有较好的抗压强度，将废弃镜片进行回收后，其内部包含石英材料和其余材料中含有微晶体C1形成的成分，其中二氧化硅最多；搭配本身硬度较高的花岗岩废料，从而形成硬度更好的微晶体C1材料；
其次，微晶体C1注入强化空腔B10后并通过强化空腔B10进入所有线槽B12内部，使得微晶体C1呈爆炸式充满整个硅酸盐基板B1中，呈现以类似玻璃纤维的网状，加强了硅酸盐基板B1的整体的强度和硬度，同时当微晶体C1以熔融状态进入加强空腔内部时，加强空腔在高温条件下，其内壁的金属成分能与微晶体C1之间进行结合，通过金属成分之间的焊合力增加了硅酸盐基板B1与微晶体C1间粘结性，进一步提升了装饰板材的整体强度和硬度。
本发明实施例还提供了用于制备上述一种高硬度纳米微晶装饰板材的制备方法，具体步骤如下：
1、首先将硅酸盐水泥、粉煤灰、石膏粉和颜料进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
2、将废弃镜片、花岗岩废料、白云石、萤石、碳酸钙、纯碱和稀土元素粉磨至粒径为1-20nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1350-1560℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温1-2h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为3-10mm的晶化颗粒，备用；
3、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为900-1000℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至500-650℃，当窑炉温度降至500-650℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
4、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂一层腻子底漆，可有效遮盖微晶体C1注入硅酸盐基板B1的通孔，避免硅酸盐基板B1表面不美观，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad；
本发明将以硅酸盐基板B1作为板体，其内部充入微晶体C1，在不增加成本的条件下，还能制备出强度和硬度较高的装饰板材，微晶体C1具有强度高、硬度高、耐腐蚀性能强、机械强度高等特点，传统微晶装饰板材采用整块微晶板制备而成，虽有较好特性，但整体制备成本较高，而本发明采用硅酸盐基板B1与微晶体C1复合，使得微晶体C1在硅酸盐基板B1内部形成架构，在不影响强度的同时，制备成本更低，且硅酸盐基板B1表面喷涂有硬化层，解决了装饰板材的表面耐磨性不足的问题。
根据不同的原料用量，通过以下具体的实施例来对本发明提供的高硬度纳米微晶装饰板材进一步说明。
实施例1
(1)、首先将硅酸盐水泥60份、粉煤灰10份、石膏粉1份和颜料1份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(2)、将废弃镜片50份、花岗岩废料10份、白云石5份、萤石1份、碳酸钙1份、纯碱5份和稀土元素1份粉磨至粒径为10nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1350℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温2h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为8mm的晶化颗粒，备用；
(3)、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为900℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至500℃，当窑炉温度降至500℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
(4)、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
实施例2
(1)、首先将硅酸盐水泥63份、粉煤灰12份、石膏粉2份和颜料1份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(2)、将废弃镜片52份、花岗岩废料13份、白云石6份、萤石2份、碳酸钙2份、纯碱7份和稀土元素2份粉磨至粒径为15nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1440℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温2h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为6mm的晶化颗粒，备用；
(3)、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为950℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至600℃，当窑炉温度降至600℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
(4)、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
实施例3
(1)、首先将硅酸盐水泥65份、粉煤灰15份、石膏粉3份和颜料2份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(2)、将废弃镜片55份、花岗岩废料15份、白云石8份、萤石3份、碳酸钙3份、纯碱7份和稀土元素3份粉磨至粒径为1nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1350℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温1.5h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为3mm的晶化颗粒，备用；
(3)、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为950℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至550℃，当窑炉温度降至550℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
(4)、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
实施例4
(1)、首先将硅酸盐水泥66份、粉煤灰17份、石膏粉4份和颜料2份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(2)、将废弃镜片58份、花岗岩废料17份、白云石7份、萤石4份、碳酸钙4份、纯碱9份和稀土元素4份粉磨至粒径为5nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1500℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温1.5h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为5mm的晶化颗粒，备用；
(3)、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为980℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至600℃，当窑炉温度降至600℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
(4)、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
实施例5
(1)、首先将硅酸盐水泥70份、粉煤灰20份、石膏粉5份和颜料3份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(2)、将废弃镜片60份、花岗岩废料20份、白云石10份、萤石5份、碳酸钙5份、纯碱10份和稀土元素5份粉磨至粒径为20nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1350-1560℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温1-2h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为10mm的晶化颗粒，备用；
(3)、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为1000℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至650℃，当窑炉温度降至650℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
(4)、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
上述实施例1-5各原材料用量见表1-表2；
表1实施例1-5硅酸盐基板B1的各原料用量(份)
表2实施例1-5微晶体C1的各原料用量(份)
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5
废弃镜片 50 52 55 58 60
花岗岩废料 10 13 15 17 20
白云石 5 6 8 7 10
萤石 1 2 3 4 5
碳酸钙 1 2 3 4 5
纯碱 5 7 7 9 10
稀土元素 1 2 3 4 5
为了验证本发明实施例制备的装饰板材具有较好的强度和硬度，通过以下对比例来对本发明实施例提供的高硬度纳米微晶装饰板材进行比较说明。
对比例1
本对比例采用实施例1的制备方法，除去微晶体C1与硅酸盐基板B1的复合步骤，其余原料和方法不变，具体步骤如下：
(1)、首先将硅酸盐水泥60份、粉煤灰10份、石膏粉1份和颜料1份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(4)、将硅酸盐基板B1进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
对比例2
本对比例采用实施例2的制备方法，除去微晶体C1与硅酸盐基板B1的复合步骤，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例1相似，本对比例不在赘述。
对比例3
本对比例采用实施例3的制备方法，除去微晶体C1与硅酸盐基板B1的复合步骤，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例1相似，本对比例不在赘述。
对比例4
本对比例采用实施例4的制备方法，除去微晶体C1与硅酸盐基板B1的复合步骤，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例1相似，本对比例不在赘述。
对比例5
本对比例采用实施例5的制备方法，除去微晶体C1与硅酸盐基板B1的复合步骤，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例1相似，本对比例不在赘述。
上述对比例1-5各原材料用量见表3；
表3对比例1-5各原料用量(份)
对比例1 对比例2 对比例3 对比例4 对比例5
硅酸盐水泥 60 63 65 66 70
粉煤灰 10 12 15 17 20
石膏粉 1 2 3 4 5
颜料 1 1 2 2 3
对比例6
本对比例采用实施例1的制备方法，除去微晶体C1原料中的废弃镜片，将原本废弃镜片的重量份叠加到花岗岩废料上，其余原料和方法不变，具体步骤如下：
(1)、首先将硅酸盐水泥60份、粉煤灰10份、石膏粉1份和颜料1份进行粉磨，并通过200-300目筛，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板B1；
(2)、将花岗岩废料60份、白云石5份、萤石1份、碳酸钙1份、纯碱5份和稀土元素1份粉磨至粒径为10nm，按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中在温度为1350℃的条件下熔融制成晶化体液，经过恒温2h的充分熔化后，流入至冷却池，水淬形成粒度为8mm的晶化颗粒，备用；
(3)、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中，在温度为900℃的条件下加热晶化，晶化颗粒熔融后，硅酸盐基板B1预热至500℃，当窑炉温度降至500℃时，将熔融后的晶化颗粒通过注入口B11进入至硅酸盐基板B1的强化空腔B10中，并充满线槽B12，退火冷却后制得加强板；
(4)、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得装饰板材，其中两次电子束固化的辐照强度均≤1rad。
对比例7
本对比例采用实施例2的制备方法，除去微晶体C1原料中的废弃镜片，将原本废弃镜片的重量份叠加到花岗岩废料上，其中花岗岩废料为65份，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例6相似，本对比例不在赘述。
对比例8
本对比例采用实施例3的制备方法，除去微晶体C1原料中的废弃镜片，将原本废弃镜片的重量份叠加到花岗岩废料上，其中花岗岩废料为70份，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例6相似，本对比例不在赘述。
对比例9
本对比例采用实施例4的制备方法，除去微晶体C1原料中的废弃镜片，将原本废弃镜片的重量份叠加到花岗岩废料上，其中花岗岩废料为75份，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例6相似，本对比例不在赘述。
对比例10
本对比例采用实施例5的制备方法，除去微晶体C1原料中的废弃镜片，将原本废弃镜片的重量份叠加到花岗岩废料上，其中花岗岩废料为80份，其余原料和方法不变，具体步骤与对比例6相似，本对比例不在赘述。
上述对比例6-10各原材料用量见表4-表5；
表4对比例6-10硅酸盐基板B1的各原料用量(份)
对比例6 对比例7 对比例8 对比例9 对比例10
硅酸盐水泥 60 63 65 66 70
粉煤灰 10 12 15 17 20
石膏粉 1 2 3 4 5
颜料 1 1 2 2 3
表5对比例6-10微晶体C1的各原料用量(份)
对比例6 对比例7 对比例8 对比例9 对比例10
废弃镜片 / / / / /
花岗岩废料 60 65 70 75 80
白云石 5 6 8 7 10
萤石 1 2 3 4 5
碳酸钙 1 2 3 4 5
纯碱 5 7 7 9 10
稀土元素 1 2 3 4 5
性能检测：将本发明实施例1-5和对比例1-10制备的装饰板材进行抗压强度和硬度测试，具体检测指标件表6-表7。
表6实施例1-5各样品检测指标
根据表6所示，本发明实施例1-5中各装饰板材的抗压强度均在510Mpa以上，莫氏硬度为6-7；
表7对比例1-10各样品检测指标
根据表7所示，本发明对比例1-5相较于实施例1-5，在去除微晶板与硅酸盐基板B1的复合后，装饰板材的抗压强度大幅度下降，处于60Mpa以下，莫氏硬度为4.5-5；说明本发明在制备装饰板材中通过微晶板与硅酸盐基板B1复合，能够大幅度提升板材的强度和硬度；
本发明对比例6-10相较于实施例1-5，在去除微晶板原料中的废弃镜片后，装饰板材的抗压强度最大下降了47Mpa，最小下降了9Mpa，莫氏硬度为6-7，由此可知，本发明在制备装饰板材时，以废弃镜片作为微晶体C1制备主体，制得的装饰板材抗压强度更好。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本领域技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (3)

1.一种高硬度纳米微晶装饰板材的制备方法，其特征在于，
包括以下步骤：
S1、首先将硅酸盐基板(B1)原材料进行粉磨，然后加入去离子水搅拌，之后进入模具压制成型，脱模后抛光形成硅酸盐基板(B1)；
S2、将微晶体(C1)各原料粉磨后按配比混合呈均匀的混合料，然后加入至晶化炉中熔融制成晶化体液，经过充分的熔化后，流入至冷却池，水淬形成一定的晶化颗粒，备用，其中，微晶体(C1)各原料粉末至1-20nm，晶化炉熔制温度为1350-1560℃，恒温保持1-2h，水淬后晶化颗粒粒度为3-10mm；
S3、将晶化颗粒加入至耐火模具中，加入窑炉中加热晶化，晶化颗粒熔融后，缓缓注入至硅酸盐基板(B1)中，退火冷却后制得加强板，其中，窑炉加热温度为900-1000℃，硅酸盐基板(B1)预热至500-650℃，当窑炉温度降至500-650℃时，注入硅酸盐基板(B1)中；
S4、将加强板进行表面打磨抛光，喷涂腻子底漆采用电子束固化，喷涂硬化液采用电子束固化后加强板表面形成装饰层，即制得高硬度纳米微晶装饰板材；
高硬度纳米微晶装饰板材包括硅酸盐基板(B1)，所述硅酸盐基板(B1)内部设有微晶体(C1)，所述硅酸盐基板(B1)表面设有装饰面层；
所述微晶体(C1)包括以下重量份原料：废弃镜片50-60份、花岗岩废料10-20份、白云石5-10份、萤石1-5份、碳酸钙1-5份、纯碱5-10份和稀土元素1-5份；
所述硅酸盐基板(B1)包括以下重量份原料：硅酸盐水泥60-70份、粉煤灰10-20份、石膏粉1-5份和颜料1-3份；
所述装饰面层由腻子底漆和硬化液固化形成，所述硬化液采用热固性的丙烯酸漆料；
所述硅酸盐基板(B1)内部开设有强化空腔(B10)，且所述硅酸盐基板(B1)上表面开设有若干个与强化空腔(B10)接通的注入口(B11)；
所述硅酸盐基板(B1)内部开设有若干个与强化空腔(B10)接通的线槽(B12)，当微晶体(C1)注入强化空腔(B10)时，会有充满所有的线槽(B12)，使微晶体(C1)在硅酸盐基板(B1)内部形成一个加固网；
所述高硬度纳米微晶装饰板材的抗压强度在510-534MPa，莫氏硬度为6-7。
2.根据权利要求1所述的高硬度纳米微晶装饰板材的制备方法，其特征在于：所述S1中，硅酸盐基板(B1)原材料过200-300目。
3.根据权利要求1所述的高硬度纳米微晶装饰板材的制备方法，其特征在于：所述S4中，前后两次电子束的辐照强度均≤1rad。
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