CN115475746A - 变频堆叠环形自聚集超声换能器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及超声肿瘤治疗系统技术领域，特别是涉及变频堆叠环形自聚集超声换能器，包括背衬和压电晶片，背衬为双层结构；背衬的层间为中空的气腔；背衬的内壁聚焦面为凹球台型；背衬的内层壁厚为背衬材料中波长λ二分之一的整数倍；压电晶片由多组独立的片式晶片组成；片式晶片胶接在背衬的内壁聚焦面上；片式晶片组装在背衬上形成外圈压电晶片和内圈压电晶片；本发明中内球面分为内外圈，并且可以分别发射功率，因此对于治疗时所需的强度也可以进行调整，强度要求较低时可以只在内圈进行工作，强度要求较高时可以内外圈同时工作以达到治疗效果；无需通过转动的方式对换能器进行切换，提高了准确度。

Description

变频堆叠环形自聚集超声换能器
技术领域
本发明涉及超声肿瘤治疗系统技术领域，特别是涉及变频堆叠环形自聚集超声换能器。
背景技术
高强度聚焦超声治疗的原理是将超声波进行聚焦后，穿透到人体内，通过一系列复合效应来消灭肿瘤组织。就像太阳光可以通过凸透镜聚焦一样，超声波也可以聚焦，而且可以安全地穿透身体，将能量密度较低的超声波汇聚至体内的肿瘤部位，利用焦点处超声波的热效应，在靶区形成60℃以上的高温，导致蛋白质变性及组织细胞凝固性坏死或不可逆的严重损伤，从而达到治疗肿瘤的目的。
超声换能器是高强度聚焦超声肿瘤治疗系统(HIFU)的核心部件，其特性在很大程度上奠定了HIFU治疗的有效性、安全性和高效性；现有技术中用于聚焦超声肿瘤治疗的换能器具有两个不同的口径；应用在不同场景中还需要转动头来切换，经常出现定位偏差的弊端。
发明内容
本发明目的是针对背景技术中存在的问题，提出无需转动头切换口径的变频堆叠环形自聚集超声换能器。
本发明的技术方案，变频堆叠环形自聚集超声换能器，包括背衬和压电晶片，背衬为双层结构；背衬的层间为中空的气腔；背衬的内壁聚焦面为凹球台型；背衬的内层壁厚为背衬材料中波长λ二分之一的整数倍；
压电晶片由多组独立的片式晶片组成；片式晶片胶接在背衬的内壁聚焦面上。
优选的，压电晶片的表面涂覆有保护涂层。
优选的，片式晶片组装在背衬上形成外圈压电晶片和内圈压电晶片。
优选的，压电晶片为单层双圈等厚压电晶片；外圈压电晶片和内圈压电晶片分别发射功率；内圈压电晶片开启，输出低发射功率；外圈压电晶片和内圈压电晶片同时开启，输出高发射功率。
优选的，压电晶片为多层双圈等厚压电晶片；外圈压电晶片和内圈压电晶片分别发射功率。
优选的，压电晶片为单层双圈非等厚压电晶片；外圈压电晶片的厚度小于内圈压电晶片的厚度；背衬上预留便于安装压电晶片的台阶；内圈压电晶片与外圈压电晶片处在同一球面上。
优选的，压电晶片为双层等厚压电晶片；压电晶片开启时叠加声功率。
优选的，背衬采用低损耗、高声阻的压电陶瓷材料制作。
优选的，压电晶片至少为12片。
优选的，背衬中央球台面为光滑连续的曲面，且不设置B超探头孔。
与现有技术相比，本发明具有如下有益的技术效果：
1、背衬采用低损耗、高声阻的压电陶瓷材料制作，背衬中设有气腔，背衬的内壁聚焦面为凹球台型，背衬的内层壁厚选择在背衬材料中波长λ二分之一的整数倍，最大限度地提高了正面发射超声的效率，减少了超声波反射。
2、球面扇形压电晶片紧密贴嵌在背衬材料的内表面上，背衬中央球台面上不再设置B超探头孔，从而可获得非常接近大口径球冠形的聚焦特性、聚能比高，并可获得非常高的声功率与声强；
3、本发明中内球面分为内外圈，并且可以分别发射功率，因此对于治疗时所需的强度也可以进行调整，强度要求较低时可以只在内圈进行工作，强度要求较高时可以内外圈同时工作以达到治疗效果；无需通过转动的方式对换能器进行切换，提高了准确度。
4、压电晶片采用双层等厚结构胶接在背衬上，此时，压电晶片工作时声功率叠加，获得比单层压电晶片更高的发射功率。
附图说明
图1为本发明换能器中单层压电晶片的安装位置结构示意图；
图2为本发明中单层双圈等厚压电晶片换能器的剖视图；
图3为本发明中双层双圈等厚压电晶片换能器的剖视图；
图4为本发明中单层双圈非等厚压电晶片换能器的剖视图；
图5为本发明换能器中双层压电晶片的安装位置结构示意图；
图6为本发明中双层等厚压电晶片换能器的剖视图。
附图标记：1、背衬；2、气腔；3、压电晶片；31、外圈压电晶片；32、内圈压电晶片。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，本发明提出的变频堆叠环形自聚集超声换能器，包括背衬1和压电晶片3，背衬1为双层结构；背衬1的层间为中空的气腔2；背衬1的内壁聚焦面为凹球台型；背衬1的内层壁厚为背衬1材料中波长λ二分之一的整数倍；
压电晶片3由多组独立的片式晶片组成；片式晶片胶接在背衬1的内壁聚焦面上；压电晶片3的表面涂覆有保护涂层；片式晶片组装在背衬1上形成外圈压电晶片31和内圈压电晶片32；压电晶片3为单层双圈等厚压电晶片；外圈压电晶片31和内圈压电晶片32分别发射功率；内圈压电晶片32开启，输出低发射功率；外圈压电晶片31和内圈压电晶片32同时开启，输出高发射功率。
本实施例中，背衬1采用低损耗、高声阻的压电陶瓷材料制作，背衬1中设有气腔2，陶瓷片振动产生的超声是向陶瓷片上下两个方向的，超声传播过程中遇到空气会产生反射，气腔2的设置会使得反射的声波和向球心的声波叠加，增强聚焦效果；背衬1的内壁聚焦面为凹球台型，背衬1的内层壁厚选择在背衬1材料中波长λ二分之一的整数倍，最大限度地提高了正面发射超声的效率，减少了超声波反射。球面扇形压电晶片3紧密贴嵌在背衬1材料的内表面上，背衬1中央球台面上不再设置B超探头孔，从而可获得非常接近大口径球冠形的聚焦特性、聚能比高，并可获得非常高的声功率与声强。同时片式晶片组装在背衬1上形成外圈压电晶片31和内圈压电晶片32，在使用上根据治疗时所需的强度进行调整，强度要求较低时可以只在内圈进行工作，强度要求较高时可以内外圈同时工作以达到治疗效果。避免了切换换能器所带来的误差。
实施例2
如图3所示，本发明提出的变频堆叠环形自聚集超声换能器，相较于实施例1，本实施例中，压电晶片3为两层双圈等厚压电晶片；外圈压电晶片31和内圈压电晶片32分别发射功率；可选的压电晶片选择三层或四层；当压电晶片3开启时叠加声功率，可以获得比单层压电晶片3更高的发射功率；针对不同功率需求的用户使用，满足治疗时所需要的强度。
实施例3
如图4所示，本发明提出的变频堆叠环形自聚集超声换能器，相较于实施例1，本实施例中，压电晶片3为单层双圈非等厚压电晶片；外圈压电晶片31的厚度小于内圈压电晶片32的厚度；背衬1上预留便于安装压电晶片3的台阶；内圈压电晶片32与外圈压电晶片31处在同一球面上。外圈压电晶片31的厚度调整，因而可以改变外圈压电晶片31的工作频率，达到外圈更高的治疗强度，可以在强度要求更高时与内圈同时工作以达到治疗效果。
实施例4
如图5-6所示，本发明提出的变频堆叠环形自聚集超声换能器，相较于实施例1，本实施例中，压电晶片3为双层等厚压电晶片3；压电晶片3开启时叠加声功率，可以获得比单层压电晶片3更高的发射功率；满足治疗时所需要的强度。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于此，在所属技术领域的技术人员所具备的知识范围内，在不脱离本发明宗旨的前提下还可以作出各种变化。

Claims (10)

1.变频堆叠环形自聚集超声换能器，包括背衬(1)和压电晶片(3)，其特征在于：背衬(1)为双层结构；背衬(1)的层间为中空的气腔(2)；背衬(1)的内壁聚焦面为凹球台型；背衬(1)的内层壁厚为背衬(1)材料中波长λ二分之一的整数倍；
压电晶片(3)由多组独立的片式晶片组成；片式晶片胶接在背衬(1)的内壁聚焦面上。
2.根据权利要求1所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，压电晶片(3)的表面涂覆有保护涂层。
3.根据权利要求1所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，片式晶片组装在背衬(1)上形成外圈压电晶片(31)和内圈压电晶片(32)。
4.根据权利要求3所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，压电晶片(3)为单层双圈等厚压电晶片；外圈压电晶片(31)和内圈压电晶片(32)分别发射功率；内圈压电晶片(32)开启，输出低发射功率；外圈压电晶片(31)和内圈压电晶片(32)同时开启，输出高发射功率。
5.根据权利要求3所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，压电晶片(3)为多层双圈等厚压电晶片；外圈压电晶片(31)和内圈压电晶片(32)分别发射功率。
6.根据权利要求3所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，压电晶片(3)为单层双圈非等厚压电晶片；外圈压电晶片(31)的厚度小于内圈压电晶片(32)的厚度；背衬(1)上预留便于安装压电晶片(3)的台阶；内圈压电晶片(32)与外圈压电晶片(31)的内表面处在同一球面上。
7.根据权利要求1所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，压电晶片(3)为双层等厚压电晶片；压电晶片(3)开启时叠加声功率。
8.根据权利要求1所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，背衬(1)采用低损耗、高声阻的压电陶瓷材料制作。
9.根据权利要求1所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，压电晶片(3)至少为12片。
10.根据权利要求1所述的变频堆叠环形自聚集超声换能器，其特征在于，背衬(1)中央球台面为光滑连续的曲面，且不设置B超探头孔。
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