CN115472748A - 钙钛矿太阳能电池及其制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了钙钛矿太阳能电池及其制备工艺，涉及太阳能电池技术领域。其中，该钙钛矿太阳能电池，包括：基板；光电极层，间隔设置于所述基板上；正性胶凸起，设置于所述基板和所述光电极层相邻交界处且位于同一侧，以及与相邻所述光电极层之间设置有间隙；隔离柱，设置于远离所述正性胶凸起一侧的所述光电极上；钙钛矿功能层，设置于所述正性胶凸起和所述隔离柱之间；及背电极层。本发明，解决目前钙钛矿太阳能电池通常使用常温制备ITO薄膜，而ITO薄膜电学性能较差，影响钙钛矿太阳能电池的效率，以及钙钛矿太阳能电池制备过程使用的工艺路线较为复杂，其中激光蚀刻图形，易损伤光阳极，造成器件失效，量产工艺难度高的问题。

Description

钙钛矿太阳能电池及其制备工艺

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备工艺。

背景技术

钙钛矿太阳能电池具有高、轻薄、低成本、高效率等优点，利用其特点可开发出多样性的产品，其应用将更加广泛多元，与此同时为大批量大面积卷对卷工艺的采用开辟了道路，为钙钛矿的最终商业化提供了新的思路。

目前钙钛矿太阳能电池结构包括柔明衬底、透明光电极、钙钛矿功能层以及背电极。其中透明光电极通常采用ITO，衬底通常使用PET，由于PET的Tg温度低，通常使用常温制备ITO薄膜，而ITO薄膜电学性能较差，影响钙钛矿太阳能电池的效率，行业内报道16％至19％。

目前钙钛矿太阳能电池中的透明光电极通常采用ITO，衬底通常使用PET，由于PET的Tg温度低，通常使用常温制备ITO薄膜，而ITO薄膜电学性能较差，影响钙钛矿太阳能电池的效率，以及钙钛矿太阳能电池制备过程使用的工艺路线较为复杂，其中激光蚀刻图形，易损伤光阳极，造成器件失效，量产工艺难度高的问题。针对上述出现的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

发明目的：提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备工艺，以解决现有技术存在的上述问题。

技术方案：一种钙钛矿太阳能电池，包括：基板；光电极层，间隔设置于所述基板上；正性胶凸起，设置于所述基板和所述光电极层相邻交界处且位于同一侧，以及与相邻所述光电极层之间设置有间隙；隔离柱，设置于远离所述正性胶凸起一侧的所述光电极上；钙钛矿功能层，设置于所述正性胶凸起和所述隔离柱之间；及背电极层，填充于相邻所述隔离柱之间，且覆盖所述基板、所述光电极层、所述正性胶凸起和所述钙钛矿功能层；通过分别于所述光电极层一侧设置有所述正性胶凸起和所述光电极层上设置有所述隔离柱，并将钙钛矿功能层设置于所述正性胶凸起和所述隔离柱之间，以使所述正性胶凸起对所述钙钛矿功能层进行限流和保护光电极层边缘，以及所述隔离柱对钙钛矿太阳能电池进行物理分割。

作为优选，所述基板包括但不限于：玻璃、聚酰亚胺或PET。

作为优选，所述光电极层采用包括但不限于：ITO、FTO、AZO。

作为优选，所述正性胶凸起形状包括但不限于：正梯形。

作为优选，所述隔离柱形状包括但不限于：倒梯形或T形。

作为优选，所述隔离柱采用负性胶制备。

作为优选，所述基板底部设置有限流栅格层。

作为优选，述背电极层采用金属材料，所述金属材料包括但不限于：金、银、铝或铜。

为实现上述目的，本发明提出了钙钛矿太阳能电池制备工艺，包括以下步骤：

步骤S101、在基板上制备光电极层；

步骤S102、通过黄光工艺刻蚀光电极层，以制备光电极图形；

步骤S103、对图形化的光电极层涂布正性光刻胶，制备用于保护和限流的正性胶凸起；

步骤S104、于光电极层和正性胶凸起上方涂布负性光刻胶，制备用于阴极分割的隔离柱；

步骤S105、使用有机打印设备或印刷设备，将钙钛矿各功能层进行逐一制备；

步骤S106、利用热蒸镀法制备背电极层。

作为优选，步骤S102、通过黄光工艺刻蚀光电极层，以制备光电极图形，具体包括以下步骤：使用磁控溅射设备，在衬底基板上制备光电极ITO，使用300～350℃制备高温ITO，ITO方块电阻在10Ω±2Ω；对光电极ITO基板进行AOI检测及清洗，并传递至涂布设备，进行正性感光型过程光刻胶涂布，薄膜厚度在0.1μm～10μm之间；传递至曝光设备，对基板进行曝光；传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，去除未曝光区域；传递至蚀刻设备，利用强酸对裸露的光电极ITO图形进行蚀刻；传递至去胶设备，溶解光刻胶，并进行清洗，制备出完整的光电极图形。

作为优选，步骤S103、对图形化的光电极层涂布正性光刻胶，制备用于保护和限流的正性胶凸起，具体包括以下步骤：将图形化的光电极基板进行清洗；传递至涂布设备，将正性感光型光刻胶刮涂或旋涂到基板上，薄膜厚度在0.5μm～5μm之间；传递至减压烘烤设备，对涂胶的基板进行预烘；传递至曝光设备，对基板进行曝光；传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，去除曝光区域，并进行水洗；传递至烘烤设备，对显影后的基板的限流层正胶进行固化，每条光电极至少分布单条或单组的限流层图形。

作为优选，步骤S104、于光电极层和正性胶凸起上方涂布负性光刻胶，制备用于阴极分割的隔离柱，具体包括以下步骤：将图形化的基板进行清洗；传递至涂布设备，将负性感光型光刻胶刮涂或旋涂到基板上，薄膜厚度在1μm～10μm之间；传递至减压烘烤设备，对涂胶的基板进行预烘；传递至曝光设备，对基板进行曝光；传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，去除曝光区域，并进行水洗；传递至烘烤设备，对显影后的基板的隔离柱胶进行固化，每条光电极至少分布单条或单组的隔离柱图形。

作为优选，步骤S105、使用有机打印设备或印刷设备，将钙钛矿各功能层进行逐一制备，具体包括以下步骤：将基板传递至打印设备；制备电子传输层，减压烘烤，膜厚10-200nm；制备钙钛矿吸收层，减压烘烤，退火，膜厚200-500nm；制备空穴传输层，减压烘烤，膜厚10-200nm。

作为优选，步骤S106、利用热蒸镀法制备背电极层，具体包括以下步骤：将基板传送至蒸镀腔室，使用热蒸镀或E-beam的方式，制备背电极金属薄膜，薄膜厚度≥50nm。

有益效果：在本申请实施例中，采用增设正性胶凸起和隔离柱的方式，通过分别于所述光电极层一侧设置有所述正性胶凸起和所述光电极层上设置有所述隔离柱，并将钙钛矿功能层设置于所述正性胶凸起和所述隔离柱之间，以使所述正性胶凸起对所述钙钛矿功能层进行限流和保护光电极层边缘，以及所述隔离柱对钙钛矿太阳能电池进行物理分割，达到了限流、保护和物理分割的目的，从而实现了提高钙钛矿太阳能电池性能的技术效果，进而解决了目前钙钛矿太阳能电池中的透明光电极通常采用ITO，衬底通常使用PET，由于PET的Tg温度低，通常使用常温制备ITO薄膜，而ITO薄膜电学性能较差，影响钙钛矿太阳能电池的效率，以及钙钛矿太阳能电池制备过程使用的工艺路线较为复杂，其中激光蚀刻图形，易损伤光阳极，造成器件失效，量产工艺难度高的技术问题。

附图说明

图1是本发明的钙钛矿太阳能电池结构示意图；

图2是本发明的钙钛矿太阳能电池制备工艺流程图。

附图标记为：1、基板；2、光电极层；3、正性胶凸起；4、隔离柱；5、钙钛矿功能层；6、背电极层；7、限流栅格层。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”、“套接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

如图1所示，本申请涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备工艺。该一种钙钛矿太阳能电池包括：基板1；基板1是指载体基板，能够实现良好的承载效果。进一步的，所述基板1包括但不限于：玻璃、聚酰亚胺或PET。能够实现根据使用需求进行选择的效果。优选的，基板1为玻璃基板，玻璃基板包括：石英或硼硅酸盐玻璃基板。具有良好的物理性能，如热学、光学和机械等，同时还能实现多种型号玻璃选择的效果，从而实现灵活选择的效果。

光电极层2，间隔设置于所述基板1上；通过刻蚀方法，将光电极层2均匀间隔设置于基板1上，能够实现良好的排布效果。进一步的，所述光电极层2采用包括但不限于：ITO、FTO、AZO。通过在一侧玻璃基板上形成一层导电薄膜，使其在电池中将收集到的电子传输至外电路；导电层应经过织构化处理，以去除部分导电膜，使相邻单体电池的一端正、负电极处于绝缘状态，而仍保留的导电层，则实现相邻电池的另一端正、负电极串联连接；可通过掩膜蒸镀、磁控溅射、丝网印刷、溶胶凝胶、激光刻蚀、化学刻蚀进行制备。正性胶凸起3，设置于所述基板1和所述光电极层2相邻交界处且位于同一侧，以及与相邻所述光电极层2之间设置有间隙；能够实现将正性胶凸起3与光电极层2和基板1良好的连接效果。

隔离柱4，设置于远离所述正性胶凸起3一侧的所述光电极2上；通过在光电极层2上固定设置有隔离柱4，能够实现良好的物理分割效果。同时隔离柱距离光电极层边缘具有一定的间距，能够确保良好的隔离效果。进一步的，所述隔离柱4采用负性胶制备。能够实现提供负性隔离的效果，从而实现良好的极性分割效果。优选的，隔离柱4的数量为多个。通过设置有多个隔离柱4，能够实现多段隔离的效果。钙钛矿功能层5，设置于所述正性胶凸起3和所述隔离柱4之间；通过使用钙钛矿功能层5，能够实现良好的太阳能转化率。

背电极层6，填充于相邻所述隔离柱4之间，且覆盖所述基板1、所述光电极层2、所述正性胶凸起3和所述钙钛矿功能层5；通过设置有背电极层6，可以提供背电场，可以防止方向错误的电子进入到底电极，减小背表面处的复合速率，从而提高了开路电压，同时也可以作为反射膜提高材料对光的吸收，所以背面铝电极在电池效率的提高中发挥了重要作用。

通过分别于所述光电极层2一侧设置有所述正性胶凸起3和所述光电极层2上设置有所述隔离柱4，并将钙钛矿功能层5设置于所述正性胶凸起3和所述隔离柱4之间，以使所述正性胶凸起3对所述钙钛矿功能层5进行限流和保护光电极层边缘，以及所述隔离柱对钙钛矿太阳能电池进行物理分割。通过采用正性胶凸起3，能够实现对钙钛矿功能层5进行限流，同时还能实现保护光电极层3边缘，从而防止上下电极短路。通过设置有隔离柱4，能够实现对钙钛矿太阳能电池的背电极层6进行物理分割，形成条状结构，同时保证上一电池结构与下一电池结构串联。

从以上的描述中，可以看出，本申请实现了如下技术效果：

在本申请实施例中，采用增设正性胶凸起3和隔离柱4的方式，通过分别于所述光电极层2一侧设置有所述正性胶凸起3和所述光电极层2上设置有所述隔离柱4，并将钙钛矿功能层5设置于所述正性胶凸起3和所述隔离柱4之间，以使所述正性胶凸起3对所述钙钛矿功能层5进行限流和保护光电极层2边缘，以及所述隔离柱4对钙钛矿太阳能电池进行物理分割，达到了限流、保护和物理分割的目的，从而实现了提高钙钛矿太阳能电池性能的技术效果，进而解决了目前钙钛矿太阳能电池中的透明光电极通常采用ITO，衬底通常使用PET，由于PET的Tg温度低，通常使用常温制备ITO薄膜，而ITO薄膜电学性能较差，影响钙钛矿太阳能电池的效率，以及钙钛矿太阳能电池制备过程使用的工艺路线较为复杂，其中激光蚀刻图形，易损伤光阳极，造成器件失效，量产工艺难度高的技术问题。

进一步的，所述正性胶凸起3形状包括但不限于：正梯形。能够实现良好的限流和保护效果。

进一步的，所述隔离柱4形状包括但不限于：倒梯形或T形。通过有机光刻胶制备倒梯形，能够确保良好的成形效果。同时可通过无机的方法，多工序制备”T”结构，作为分割层。

进一步的，所述基板1底部设置有限流栅格层7。能够实现良好的限流效果，从而确保钙钛矿太阳能电池良好的成型效果。

进一步的，所述背电极层6采用金属材料，所述金属材料包括但不限于：金、银、铝或铜。能够易于实现和便于获取的效果，从而降低加工难度。

如图2所示，工艺上，本发明还提供一种钙钛矿太阳能电池制备工艺，包括以下步骤：

步骤S101、在基板1上制备光电极层2；

步骤S102、通过黄光工艺刻蚀光电极层2，以制备光电极图形；

步骤S103、对图形化的光电极层涂布正性光刻胶，制备用于保护和限流的正性胶凸起3；

步骤S104、于光电极层和正性胶凸起上方涂布负性光刻胶，制备用于阴极分割的隔离柱4；

步骤S105、使用有机打印设备或印刷设备，将钙钛矿各功能层进行逐一制备；

步骤S106、利用热蒸镀法制备背电极层6。

首先，在步骤S101之前还包括：对基板1进行清洗：将基板用洗涤剂、去离子水、丙酮和无水乙醇进行超声清洗，超声清洗的功率为50Hz～100Hz，超声清洗的时间为5min～20min，清洗完成后利用氮气枪吹干。

通过使用上述工艺并按照其步骤进行生产，能够实现获得性能良好的钙钛矿太阳能电池。本发明采用的工艺路线简单，环境污染小、设备技术成熟。

进一步的，步骤S102、通过黄光工艺刻蚀光电极层，以制备光电极图形，具体包括以下步骤：使用磁控溅射设备，在衬底基板上制备光电极ITO，使用300～350℃制备高温ITO，ITO方块电阻在10Ω±2Ω；对光电极ITO基板进行AOI检测及清洗，并传递至涂布设备，进行正性感光型过程光刻胶涂布，薄膜厚度在0.1μm～10μm之间；优选的，薄膜膜厚在0.5μm～2μm之间。能够实现最佳性能的效果。传递至曝光设备，曝光时间为5s～10s，对基板进行曝光；传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，显影喷淋时间为60s，去除未曝光区域；一般有机碱使用TMAH，无机碱使用KOH、NaOH等。传递至蚀刻设备，利用强酸对裸露的光电极ITO图形进行蚀刻；传递至去胶设备，溶解光刻胶，并进行清洗，制备出完整的光电极图形。通过上述工艺步骤，能够在基板上制备出完整的光电极图形，从而为后续的工艺提供基础。

进一步的，步骤S103、对图形化的光电极层涂布正性光刻胶，制备用于保护和限流的正性胶凸起，具体包括以下步骤：将图形化的光电极基板进行清洗；传递至涂布设备，将正性感光型光刻胶刮涂或旋涂到基板上，薄膜厚度在0.5μm～5μm之间；优选的，薄膜膜厚在1μm～3μm之间。能够实现最佳性能的效果。传递至减压烘烤设备，对涂胶的基板进行预烘；传递至曝光设备，曝光时间为5s～10s，对基板进行曝光；传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，显影喷淋时间为60s，去除曝光区域，并进行水洗；传递至烘烤设备，烘烤温度和时间分别为200℃～280℃和10～30min，对显影后的基板的限流层正胶进行固化，每条光电极至少分布单条或单组的限流层图形。

进一步的，步骤S104、于光电极层和正性胶凸起上方涂布负性光刻胶，制备用于阴极分割的隔离柱，具体包括以下步骤：将图形化的基板进行清洗；传递至涂布设备，将负性感光型光刻胶刮涂或旋涂到基板上，薄膜厚度在1μm～10μm之间；优选的，薄膜膜厚在3μm～5μm之间。能够实现最佳性能的效果。传递至减压烘烤设备，对涂胶的基板进行预烘；传递至曝光设备，对基板进行曝光，曝光时间为5s～10s；传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，显影喷淋时间为60s，去除曝光区域，并进行水洗；传递至烘烤设备，烘烤温度和时间分别为200℃～280℃和10～30min，对显影后的基板的隔离柱胶进行固化，每条光电极至少分布单条或单组的隔离柱图形。

进一步的，步骤S105、使用有机打印设备或印刷设备，将钙钛矿各功能层进行逐一制备，具体包括以下步骤：将基板传递至打印设备；制备电子传输层，减压烘烤，膜厚10-200nm；将材料PCBM溶于氯苯，搅拌3h后获得浓度为20mg/mL的PCBM溶液；然后，以转速为2000rpm、旋转时间为45s的旋涂方式将配置好的所述PCBM溶液旋涂在所述钙钛矿光吸收层的背向所述空穴传输层的表面上，以形成厚度为50nm的所述电子传输层。制备钙钛矿吸收层，减压烘烤，退火，膜厚200-500nm；制备空穴传输层，减压烘烤，膜厚10-200nm。空穴传输层是Spiro-OMeTAD或者PEDOT：PSS或者CuI，厚度在300-800nm之间，通过在钙钛矿光吸收层上旋涂、印刷空穴传输材料的分散剂，并经干燥处理，形成空穴传输层。其中，作为本领域所公知的部分内容，本申请中不再赘述。

进一步的，步骤S106、利用热蒸镀法制备背电极层6，具体包括以下步骤：将基板1传送至蒸镀腔室，使用热蒸镀或E-beam的方式，制备背电极金属薄膜，薄膜厚度≥50nm。其中，蒸镀腔室的真空度为5*10^-4Pa，蒸发速率为0.1nm/s。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (14)

1.钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括：

基板；

光电极层，间隔设置于所述基板上；

正性胶凸起，设置于所述基板和所述光电极层相邻交界处且位于同一侧，以及与相邻所述光电极层之间设置有间隙；

隔离柱，设置于远离所述正性胶凸起一侧的所述光电极上；

钙钛矿功能层，设置于所述正性胶凸起和所述隔离柱之间；及

背电极层，填充于相邻所述隔离柱之间，且覆盖所述基板、所述光电极层、所述正性胶凸起和所述钙钛矿功能层；

通过分别于所述光电极层一侧设置有所述正性胶凸起和所述光电极层上设置有所述隔离柱，并将钙钛矿功能层设置于所述正性胶凸起和所述隔离柱之间，以使所述正性胶凸起对所述钙钛矿功能层进行限流和保护光电极层边缘，以及所述隔离柱对钙钛矿太阳能电池进行物理分割。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述基板包括但不限于：玻璃、聚酰亚胺或PET。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述光电极层采用包括但不限于：ITO、FTO、AZO。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述正性胶凸起形状包括但不限于：正梯形。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述隔离柱形状包括但不限于：倒梯形或T形。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述隔离柱采用负性胶制备。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述基板底部设置有限流栅格层。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述背电极层采用金属材料，所述金属材料包括但不限于：金、银、铝或铜。

9.钙钛矿太阳能电池制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S101、在基板上制备光电极层；

步骤S102、通过黄光工艺刻蚀光电极层，以制备光电极图形；

步骤S103、对图形化的光电极层涂布正性光刻胶，制备用于保护和限流的正性胶凸起；

步骤S104、于光电极层和正性胶凸起上方涂布负性光刻胶，制备用于阴极分割的隔离柱；

步骤S105、使用有机打印设备或印刷设备，将钙钛矿各功能层进行逐一制备；

步骤S106、利用热蒸镀法制备背电极层。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池制备工艺，其特征在于，步骤S102、通过黄光工艺刻蚀光电极层，以制备光电极图形，具体包括以下步骤：

使用磁控溅射设备，在衬底基板上制备光电极ITO，使用300～350℃制备高温ITO，ITO方块电阻在10Ω±2Ω；

对光电极ITO基板进行AOI检测及清洗，并传递至涂布设备，进行正性感光型过程光刻胶涂布，薄膜厚度在0.1μm～10μm之间；

传递至曝光设备，对基板进行曝光；

传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，去除未曝光区域；

传递至蚀刻设备，利用强酸对裸露的光电极ITO图形进行蚀刻；

传递至去胶设备，溶解光刻胶，并进行清洗，制备出完整的光电极图形。

11.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池制备工艺，其特征在于，步骤S103、对图形化的光电极层涂布正性光刻胶，制备用于保护和限流的正性胶凸起，具体包括以下步骤：

将图形化的光电极基板进行清洗；

传递至涂布设备，将正性感光型光刻胶刮涂或旋涂到基板上，薄膜厚度在0.5μm～5μm之间；

传递至减压烘烤设备，对涂胶的基板进行预烘；

传递至曝光设备，对基板进行曝光；

传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，去除曝光区域，并进行水洗；

传递至烘烤设备，对显影后的基板的限流层正胶进行固化，每条光电极至少分布单条或单组的限流层图形。

12.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池制备工艺，其特征在于，步骤S104、于光电极层和正性胶凸起上方涂布负性光刻胶，制备用于阴极分割的隔离柱，具体包括以下步骤：

将图形化的基板进行清洗；

传递至涂布设备，将负性感光型光刻胶刮涂或旋涂到基板上，薄膜厚度在1μm～10μm之间；

传递至减压烘烤设备，对涂胶的基板进行预烘；

传递至曝光设备，对基板进行曝光；

传递至显影设备，通过碱性溶液进行喷淋，去除曝光区域，并进行水洗；

传递至烘烤设备，对显影后的基板的隔离柱胶进行固化，每条光电极至少分布单条或单组的隔离柱图形。

13.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池制备工艺，其特征在于，步骤S105、使用有机打印设备或印刷设备，将钙钛矿各功能层进行逐一制备，具体包括以下步骤：

将基板传递至打印设备；

制备电子传输层，减压烘烤，膜厚10-200nm；

制备钙钛矿吸收层，减压烘烤，退火，膜厚200-500nm；

制备空穴传输层，减压烘烤，膜厚10-200nm。

14.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池制备工艺，其特征在于，步骤S106、利用热蒸镀法制备背电极层，具体包括以下步骤：

将基板传送至蒸镀腔室，使用热蒸镀或E-beam的方式，制备背电极金属薄膜，薄膜厚度≥50nm。

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