CN115458430A - 坏点检测排除装置与方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 230000008030 elimination Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 211
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 14
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 108010001267 Protein Subunits Proteins 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明提供一种坏点检测排除装置及坏点检测排除方法,坏点检测排除装置包括排除单元、图像获取单元及判断单元。排除单元用以排除基板上的至少一个坏点微型元件。图像获取单元用以获取对应于基板上的至少一个坏点微型元件的检测图像。判断单元耦接至图像获取单元和排除单元。图像获取单元在排除单元排除坏点微型元件前先执行获取第一检测图像,且于排除单元执行排除坏点微型元件后执行获取第二检测图像,判断单元根据获取自图像获取单元的第一、二检测图像确认坏点微型元件是否有被排除。
Description
技术领域
本发明涉及一种检测装置与方法,且尤其涉及一种坏点检测排除装置与方法。
背景技术
随着半导体工艺的进步,电子元件可以越作越小,而制造出微型电子元件,例如微型发光二极管。在以微型发光二极管显示器的工艺为例,可在成长基板上成长出微型发光二极管,然后再将微型发光二极管从成长基板转移至暂时基板,最后再将微型发光二极管从暂时基板转移至显示背板(即目标基板),且使得多个微型发光二极管在显示背板上呈阵列排列,以形成显示器的像素阵列。
当将微型电子元件从暂时基板转移至目标基板之前,通常会先检测暂时基板上的多个微型电子元件中是否有损坏的或不良的,并将损坏的或不良的微型电子元件先从暂时基板移除。在现有技术中,检测暂时基板的机台与移除微型电子元件的机台是两个不同的机台,因此在移除微型电子元件之后,还需将暂时基板移动到检测机台去检测微型电子元件是否确实成功移除。若检测结果是没有成功移除,则需要将暂时基板再次移动到移除机台去移除微型电子元件,之后还需将暂时基板移动到检测机台再检测一次,如此循环,直到检测机台确认微型电子元件已被成功移除。然而,让暂时基板在机台间移动的过程会耗费许多工时,不利于具有微型电子元件的电子装置(例如微型发光二极管显示器)的大量生产。
发明内容
本发明是针对一种坏点检测排除装置,其可有效缩短工时。
本发明是针对一种坏点检测排除方法,其可有效缩短工时。
本发明的一实施例提出一种坏点检测排除装置,包括排除单元、图像获取单元及判断单元。排除单元用以排除基板上的至少一个坏点微型元件。图像获取单元用以获取对应于基板上的至少一个坏点微型元件的检测图像。判断单元耦接至图像获取单元和排除单元。图像获取单元在排除单元排除坏点微型元件前先执行获取第一检测图像,且于排除单元执行排除坏点微型元件后执行获取第二检测图像,判断单元根据获取自图像获取单元的第一、二检测图像确认坏点微型元件是否有被排除。
本发明的一实施例提出一种坏点检测排除方法,包括:步骤1:提供具有至少一个坏点微型元件的基板,且依据坏点数据库中基板的微型元件的坏点位置进行以下步骤2至步骤5;步骤2:利用图像获取单元获取排除坏点微型元件前的第一检测图像;步骤3:利用排除单元,依据坏点数据库中基板的微型元件的坏点位置排除坏点微型元件;步骤4:利用图像获取单元获取排除坏点微型元件后的第二检测图像;以及步骤5:利用判断单元比对排除坏点微型元件前的第一检测图像与排除坏点微型元件后的第二检测图像,并根据比对结果判断是否成功排除坏点微型元件。
在本发明的实施例的坏点检测排除装置中,兼具了排除单元与图像获取单元,且判断单元根据获取自图像获取单元的第一、二检测图像确认坏点微型元件是否有被排除。因此,坏点微型元件在被排除后,可以在同一个装置中检测且确认其是否已确实被成功排除,而不需将基板移动至另一机台去作确认,所以本发明的实施例的坏点检测排除装置可以有效缩短工时。在本发明的实施例的坏点检测排除方法中,并用了排除单元的功能与图像获取单元的功能,且利用判断单元比对排除坏点微型元件前的第一检测图像与排除坏点微型元件后的第二检测图像,并根据比对结果判断是否成功排除坏点微型元件。因此,本发明的实施例的坏点检测排除方法可有效缩短工时。
附图说明
图1为本发明的一实施例的坏点检测排除装置的结构示意图;
图2A为图1中的图像获取单元在排除单元排除坏点微型元件前获取的第一检测图像的示意图;
图2B为图1中的图像获取单元于排除单元执行排除坏点微型元件后获取的第二检测图像的示意图;
图3为本发明的另一实施例的坏点检测排除装置的结构示意图;
图4为本发明的一实施例的坏点检测排除方法的流程图;
图5为图4的实施例的坏点检测排除方法中所采用的检测单元执行自动光学检视的示意图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明的一实施例的坏点检测排除装置的结构示意图,图2A为图1中的图像获取单元在排除单元排除坏点微型元件前获取的第一检测图像的示意图,而图2B为图1中的图像获取单元于排除单元执行排除坏点微型元件后获取的第二检测图像的示意图。请参照图1、图2A及图2B,本实施例的坏点检测排除装置100包括排除单元110、图像获取单元120及判断单元130。排除单元110用以排除基板50上的至少一个坏点微型元件210。在本实施例中,基板50上除了配置有坏点微型元件210之外,也会配置有正常微型元件220(如图2A所示出)。坏点微型元件210与正常微型元件220包括微型电子元件、导电线路或其组合,其中微型电子元件例如为微型发光二极管或其他微型电子元件。排除单元110例如为激光装置(laser device),其可发出激光束112至坏点微型元件210,以使坏点微型元件210脱离基板50。举例而言,坏点微型元件210及正常微型元件220可通过黏着层贴附于基板50上,而激光束112可照射于黏着层上,以使黏着层解黏,进而使坏点微型元件210脱离基板50。或者,坏点微型元件210及正常微型元件220可通过焊料焊接于基板50上,而激光束112可照射于焊料上,以使焊料熔融,进而使坏点微型元件210脱离基板50。或者,坏点微型元件210及正常微型元件220可通过各种适当的方式固定于基板50上,而激光束112可照射于坏点微型元件210与基板50之间的界面,以使坏点微型元件210脱离基板50。
图像获取单元120用以获取对应于基板50上的至少一个坏点微型元件210的检测图像,如图2A的放大图的图像。判断单元130耦接至图像获取单元120和排除单元110。图像获取单元120在排除单元110排除坏点微型元件210前先执行获取第一检测图像(如图2A的放大图的图像),且于排除单元110执行排除坏点微型元件210后执行获取第二检测图像(如图2B所示的图像),判断单元130根据获取自图像获取单元120的第一、二检测图像确认坏点微型元件210是否有被排除。
在本实施例中,图像获取单元120例如是照相机。举例而言,图像获取单元120可以同时具备两个图像获取子单元,分别为线扫描式(Line-Scan)摄影机以及面扫描式(Area-Scan)摄影机(其可包括如电荷耦合器件或互补金属氧化物半导体图像传感器),当然也可以单独采用线扫描式摄影机、单独采用面扫描式摄影机、采用其他形式的摄影机或将上述任何形式的摄影机相互搭配,凡是可以获取图像以供执行后续判断的任何功能模块都可适用于图像获取单元。
在一实施例中,判断单元130例如为中央处理单元(central processing unit,CPU)、图形处理器(graphics processing unit)、微处理器(microprocessor)、数字信号处理器(digital signal processor,DSP)、可程序化控制器、可程序化逻辑设备(programmable logic device,PLD)或其他类似装置或这些装置的组合,本发明并不加以限制。此外,在一实施例中,判断单元130的各功能可被实作为多个程序代码。这些程序代码会被存储在一个内存中,由判断单元130来执行这些程序代码。或者,在一实施例中,判断单元130的各功能可被实作为一或多个电路。本发明并不限制用软件或硬件的方式来实作判断单元130的各功能。
在本实施例中,判断单元130用以反应于比对第一、二检测图像的变异量超过临界值,而判断坏点微型元件210有被排除。举例而言,图2A的放大图的图像与图2B的图像在中间区域便有很大的差异,使得变异量超过临界值,因此判断单元130可判断此处坏点微型元件210已被排除。而若变异量没有超过临界值,则表示坏点微型元件210没有被成功排除,而判断单元130可据此判断此处坏点微型元件210没有被成功排除。
在本实施例的坏点检测排除装置100中,兼具了排除单元110与图像获取单元120,且判断单元130根据获取自图像获取单元120的第一、二检测图像确认坏点微型元件210是否有被排除。因此,坏点微型元件210在被排除后,可以在同一个装置中检测且确认其是否已确实被成功排除,而不需将基板50移动至另一机台去作确认,所以本实施例的坏点检测排除装置100可以有效缩短工时。
或者,在一实施例中,存储数据库140中可存储有空点检测图像,也就是基板50上没有设置微型元件的图像,例如是图2B的中央区域的图像。而判断单元130用以比对第二检测图像与空点检测图像,而判断坏点微型元件210是否被排除。也就是说,当第二检测图像越接近或相同于空点检测图像,则判断单元130可判断坏点微型元件210已被成功排除。
基板50所包含的坏点微型元件的数量不限制仅为1个,其可以是多个,而图2A以坏点微型元件210(可称为第一坏点微型元件)与坏点微型元件210a(可称为第二坏点微型元件)为例来进行说明。在本实施例中,排除单元110在排除坏点微型元件210后,判断单元130用以确认坏点微型元件210是否有排除。若判断单元130判断仍存有坏点微型元件210,判断单元130反应于判断仍存有坏点微型元件210,而令排除单元110再次执行排除坏点微型元件210。或者,在另一实施例中,判断单元130反应于判断仍存有坏点微型元件210,而记录坏点微型元件210位置于存储数据库140,并令排除单元110排除坏点微型元件210a(如图2B所示出)。也就是说,基板50上的所有坏点微型元件的位置可在排除坏点微型元件前先经由初步的自动光学检视(automatic optical inspection,AOI)系统检测出来,并将其存储于存储数据库140,而在排除坏点微型元件210后,若判断单元130判断仍存有坏点微型元件210,判断单元130可在存储数据库140先注记此位置的坏点微型元件210还需再次排除,但先执行排除存储数据库140中的其他坏点微型元件后,再来排除此位置的坏点微型元件210。
在本实施例中,排除单元110与图像获取单元120分别配置于基板50的相对两侧。然而,在另一实施例中,如图3所示出,排除单元110与图像获取单元120配置于50基板的同一侧。具体而言,在图3的实施例中,坏点检测排除装置100b可还包括部分穿透部分反射镜150(例如是半穿透半反射镜),其可将来自排除单元110的激光束112的一部分(例如一半)反射至坏点微型元件210,以排除坏点微型元件210。此外,图像获取单元120可通过部分穿透部分反射镜150拍摄坏点微型元件210被排除前与被排除后的图像。具体而言,来自坏点微型元件210被排除前与被排除后的位置的光会有一部分(例如一半)穿透部分穿透部分反射镜150而传递至图像获取单元120,而被图像获取单元120所感测。在其他实施例中,排除单元110与图像获取单元120的位置也可以对调,也就是部分穿透部分反射镜150让一部分的激光束112穿透而传递至坏点微型元件210,且来自坏点微型元件210被排除前与被排除后的位置的光则有一部分被部分穿透部分反射镜150反射至图像获取单元120。
在图1的实施例中,排除单元110可相对基板50移动,以使激光束112对准欲排除的位置,且图像获取单元120可相对基板50移动,以对准欲拍摄的位置。在实作上,基板50可固定不动,而移动排除单元110与图像获取单元120。然而,在另一实施例中,也可以是通过载台来移动基板50,而排除单元110与图像获取单元120则固定不动。在图3的实施例中,基板50配置于载台160上,载台160可相对于移动排除单元110与图像获取单元120移动,而使激光束112对准欲排除的位置,且使图像获取单元120对准欲拍摄的位置。
图4为本发明的一实施例的坏点检测排除方法的流程图。请参照图1、图2A、图2B与图4,本实施例的坏点检测排除方法可利用上述各实施例的坏点检测排除装置100或100b来执行,而以下以图1的坏点检测排除装置100为例进行说明。本实施例的坏点检测排除方法包括包括下列步骤S110、步骤S120、步骤S130、步骤S140及步骤S150。首先,执行步骤S110,其为提供具有至少一个坏点微型元件210的基板50,且依据坏点数据库(即存储数据库140)中基板50的微型元件的坏点位置(其可事先通过自动光学检视系统检测整个基板50的坏点位置而得)进行以下步骤S120至步骤S150。
接着,执行步骤120,其为利用图像获取单元120获取排除坏点微型元件210前的图像(即上述笫一检测图像)。再来,执行步骤S130,其为利用排除单元110依据坏点数据库(即存储数据库)中基板50的微型元件的坏点位置排除坏点微型元件210。然后,执行步骤S140,其为利用图像获取单元120获取排除坏点微型元件210后的图像。之后,执行步骤S150,其为利用判断单元130比对排除坏点微型元件210前的图像(即第一检测图像)与排除坏点微型元件210后的图像(即第二检测图像),并根据比对结果判断是否成功排除坏点微型元件210。在本实施例中,排除坏点微型元件210前的图像(即第一检测图像)与排除坏点微型元件210后的图像(即第二检测图像)由同一图像获取单元120所拍摄,可具有较精准的比对图像。
在本实施例中,坏点检测排除方法还包括在步骤S110前,利用检测单元175对配置有基板50的微型元件(包括正常微型元件220与坏点微型元件210)执行自动光学检视,如图5所示出,以获得至少一个坏点微型元件210在基板50上的位置,并将其存储于坏点数据库(即存储数据库140)中,坏点数据库中的坏点位置是依据自动光学检视的图像的比对结果。具体而言,检测单元175可包括图像获取单元170及判断单元180。图像获取单元170例如是照相机,其相对于图像获取单元120具有较大的视场角,可以拍设基板50上的较大范围,例如可以一次拍摄整个基板50的范围,但本发明不以此为限。接着,图像获取单元170将拍摄到的图像传给判断单元180,而判断单元180可根据此图像判断出坏点所在位置。而此坏点数据库可供步骤S110至S150使用。此外,判断单元180可根据存储于存储数据库140中的标准样本(golden sample)来判断图像获取单元170所侦测到的微型元件是属于正常微型元件或坏点微型元件,而标准样本可包括正常微型元件的图像、各种坏点微型元件的图像、没有微型元件的空点图像或其组合。
在一实施例中,判断单元180例如为中央处理单元(central processing unit,CPU)、微处理器(microprocessor)、数字信号处理器(digital signal processor,DSP)、可程序化控制器、可程序化逻辑设备(programmable logic device,PLD)或其他类似装置或这些装置的组合,本发明并不加以限制。此外,在一实施例中,判断单元180的各功能可被实作为多个程序代码。这些程序代码会被存储在一个内存中,由判断单元180来执行这些程序代码。或者,在一实施例中,判断单元180的各功能可被实作为一或多个电路。本发明并不限制用软件或硬件的方式来实作判断单元180的各功能。
在本实施例的坏点检测排除方法中,并用了排除单元110的功能与图像获取单元120的功能,且利用判断单元130比对排除坏点微型元件210前的图像与排除坏点微型元件210后的图像,并根据比对结果判断是否成功排除坏点微型元件210。因此,本实施例的坏点检测排除方法可有效缩短工时。
在本实施例中,步骤S150包括对排除坏点微型元件210前的图像(即第一检测图像)与排除坏点微型元件210后的图像(即第二检测图像)进行图像处理比对,若比对结果的变异量超过临界值,则判断单元130反应于比对结果的变异量超过临界值,而判断成功排除坏点微型元件210。反之,若比对结果的变异量没有超过临界值,则判断没有成功排除坏点微型元件210。
在另一实施例中,坏点检测排除方法还包括在步骤S150后,将排除该坏点微型元件210后的图像(即第二检测图像)与空点图像(即上述空点检测图像)做比对,以判断是否确实成功排除坏点微型元件210。关于与空点图像的比对,上述在关于空点检测图像的段落已有详细描述,在此不再重述。在一实施例中,坏点检测排除方法还包括:将判断单元130判断成功排除坏点微型元件210的位置于步骤S140所获取的排除坏点微型元件210后的图像(即第二检测图像)作为空点图像存储于空点数据库中,以供后续转移或修补微型元件参考。其中,空点数据库与存储数据库140可利用存储器来实现,存储器例如是非挥发性内存、硬盘(hard disk drive,HDD)、固态硬盘(solid state drive,SSD)、光存储媒体、闪存(flash memory)、随机存取内存、磁盘、光盘等具备存储功能的元件。
在本实施例中,坏点检测排除方法还包括在步骤S150后,反应于判断单元130判断成功排除坏点微型元件210,而将排除单元110移动至下一坏点微型元件(如图2A的坏点微型元件210a)的位置,并进行步骤120至步骤150。而执行排除坏点微型元件210a后,继续将排除单元110移动至下一坏点微型元件的位置,并进行步骤S120至步骤S150,如此反复进行移动至下一坏点微型元件的位置与步骤S120至步骤S150,直到对坏点数据库中所有的坏点微型元件都进行了排除为止。
在本实施例中,坏点检测排除方法还包括:反应于在步骤5中判断单元130判断坏点微型元件210没有被成功排除,而将没被成功排除的坏点微型元件210的位置存储于存储数据库140,以供之后再次排除。
在本实施例中,坏点检测排除方法还包括:在将没被成功排除的坏点微型元件210的位置存储于存储数据库后,将排除单元110移动至下一坏点微型元件的位置,并进行步骤S120至步骤S150,直至对每一坏点微型元件都进行过步骤S120至步骤S150后,再根据存储数据库140再次对没被成功排除的坏点微型元件210进行步骤S120至步骤S150。
在本实施例中,坏点检测排除方法还包括:根据存储数据库重复对没被成功排除的坏点微型元件进行步骤S120至步骤S150,直至判断单元130判断成功排除坏点微型元件,但若重复进行步骤S120至步骤S150的次数大于预设次数时,则停止重复对没被成功排除的坏点微型元件进行步骤S120至步骤S150,并注记没被成功排除的坏点微型元件的位置。
在上述的实施例中,当坏点微型元件第一次被排除而没有成功时,是跳至下一个坏点微型元件并执行对其排除,并在执行排除了所有的坏点微型元件之后,再回头排除没有成功排除的坏点微型元件。然而,在另一实施例中,可以是在判断单元130判断坏点微型元件没有被成功排除,而将没被成功排除的坏点微型元件的位置存储于存储数据库140后,立即根据存储数据库140再次对没被成功排除的坏点微型元件进行步骤S120至步骤S150以执行将其排除。若判断单元130判断还是没有排除成功,则根据存储数据库140重复对没被成功排除的坏点微型元件进行步骤S120至步骤S150,直至判断单元130判断成功排除坏点微型元件,但若重复进行步骤S120至步骤S150的次数大于预设次数时,则停止重复对没被成功排除的坏点微型元件进行步骤S120至步骤S150,并注记没被成功排除的坏点微型元件的位置,且将排除单元110移动至下一坏点微型元件的位置,并进行步骤S120至步骤S150。
综上所述,在本发明的实施例的坏点检测排除装置中,兼具了排除单元与图像获取单元,且判断单元根据获取自图像获取单元的第一、二检测图像确认坏点微型元件是否有被排除。因此,坏点微型元件在被排除后,可以在同一个装置中检测且确认其是否已确实被成功排除,而不需将基板移动至另一机台去作确认,所以本发明的实施例的坏点检测排除装置可以有效缩短工时。在本发明的实施例的坏点检测排除方法中,并用了排除单元的功能与图像获取单元的功能,且利用判断单元比对排除坏点微型元件前的第一检测图像与排除坏点微型元件后的第二检测图像,并根据比对结果判断是否成功排除坏点微型元件。因此,本发明的实施例的坏点检测排除方法可有效缩短工时。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (19)
1.一种坏点检测排除装置,其特征在于,包括:
排除单元,用以排除基板上的至少一个坏点微型元件;
图像获取单元,用以获取对应于所述基板上的所述至少一个坏点微型元件的检测图像;以及
判断单元,耦接至所述图像获取单元和所述排除单元,其中所述图像获取单元在所述排除单元排除坏点微型元件前先执行获取第一检测图像,且于所述排除单元执行排除所述坏点微型元件后执行获取第二检测图像,所述判断单元根据获取自所述图像获取单元的所述第一、二检测图像确认所述坏点微型元件是否有被排除。
2.根据权利要求1所述的坏点检测排除装置,其特征在于,所述基板包括第一坏点微型元件和第二坏点微型元件,所述排除单元在排除所述第一坏点微型元件后,所述判断单元用以确认所述第一坏点微型元件是否有排除。
3.根据权利要求2所述的坏点检测排除装置,其特征在于,所述判断单元反应于判断仍存有所述第一坏点微型元件,而令所述排除单元再次执行排除所述第一坏点微型元件。
4.根据权利要求2所述的坏点检测排除装置,其特征在于,所述判断单元反应于判断仍存有所述第一坏点微型元件,而记录所述第一坏点微型元件位置于存储数据库,并令所述排除单元排除所述第二坏点微型元件。
5.根据权利要求1所述的坏点检测排除装置,其特征在于,所述判断单元用以反应于比对所述第一、二检测图像的变异量超过临界值,而判断所述坏点微型元件有被排除。
6.根据权利要求1所述的坏点检测排除装置,其特征在于,所述判断单元用以比对所述第二检测图像与空点检测图像,而判断所述坏点微型元件是否被排除。
7.根据权利要求1所述的坏点检测排除装置,其特征在于,所述排除单元为激光装置,且所述排除单元与所述图像获取单元配置于所述基板的同一侧。
8.一种坏点检测排除方法,其特征在于,包括:
步骤1:提供具有至少一个坏点微型元件的基板,且依据坏点数据库中所述基板的微型元件的坏点位置进行以下步骤2至步骤5;
步骤2:利用图像获取单元获取排除坏点微型元件前的第一检测图像;
步骤3:利用排除单元,依据所述坏点数据库中所述基板的微型元件的坏点位置排除所述坏点微型元件;
步骤4:利用所述图像获取单元获取排除所述坏点微型元件后的第二检测图像;以及
步骤5:利用判断单元比对排除所述坏点微型元件前的所述第一检测图像与排除所述坏点微型元件后的所述第二检测图像,并根据比对结果判断是否成功排除所述坏点微型元件。
9.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
在步骤1前,利用检测单元对配置有所述基板的微型元件执行自动光学检视,以获得所述至少一个坏点微型元件在所述基板上的位置,并将其存储于所述坏点数据库中,所述坏点数据库中的坏点位置是依据自动光学检视的图像的比对结果。
10.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,排除所述坏点微型元件前的所述第一检测图像与排除所述坏点微型元件后的所述第二检测图像由同一图像获取单元所拍摄。
11.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,步骤5包括:
对排除所述坏点微型元件前的所述第一检测图像与排除所述坏点微型元件后的所述第二检测图像进行图像处理比对,且所述判断单元反应于比对结果的变异量超过临界值,而判断成功排除所述坏点微型元件。
12.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
在步骤5后,将排除所述坏点微型元件后的所述第二检测图像与空点图像做比对,以判断是否确实成功排除所述坏点微型元件。
13.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
在步骤5后,反应于所述判断单元判断成功排除所述坏点微型元件,而将所述排除单元移动至下一坏点微型元件的位置,并进行步骤2至步骤5。
14.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
反应于在步骤5中所述判断单元判断所述坏点微型元件没有被成功排除,而将没被成功排除的所述坏点微型元件的位置存储于存储数据库,以供再次排除。
15.根据权利要求14所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
在将没被成功排除的所述坏点微型元件的位置存储于所述存储数据库后,将所述排除单元移动至下一坏点微型元件的位置,并进行步骤2至步骤5,直至对每一坏点微型元件都进行过步骤2至步骤5后,再根据所述存储数据库再次对没被成功排除的所述坏点微型元件进行步骤2至步骤5。
16.根据权利要求15所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
根据所述存储数据库重复对没被成功排除的所述坏点微型元件进行步骤2至步骤5,直至所述判断单元判断成功排除所述坏点微型元件,但若重复进行步骤2至步骤5的次数大于预设次数时,则停止重复对没被成功排除的所述坏点微型元件进行步骤2至步骤5,并注记没被成功排除的所述坏点微型元件的位置。
17.根据权利要求14所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
在将没被成功排除的所述坏点微型元件的位置存储于所述存储数据库后,立即根据所述存储数据库再次对没被成功排除的所述坏点微型元件进行步骤2至步骤5。
18.根据权利要求17所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
根据所述存储数据库重复对没被成功排除的所述坏点微型元件进行步骤2至步骤5,直至所述判断单元判断成功排除所述坏点微型元件,但若重复进行步骤2至步骤5的次数大于预设次数时,则停止重复对没被成功排除的所述坏点微型元件进行步骤2至步骤5,并注记没被成功排除的所述坏点微型元件的位置,且将所述排除单元移动至下一坏点微型元件的位置,并进行步骤2至步骤5。
19.根据权利要求8所述的坏点检测排除方法,其特征在于,还包括:
将所述判断单元判断成功排除所述坏点微型元件的位置于步骤4所获取的排除所述坏点微型元件后的所述第二检测图像作为空点图像存储于空点数据库中,以供后续转移或修补微型元件参考。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211239076.0A CN115458430A (zh) | 2022-10-11 | 2022-10-11 | 坏点检测排除装置与方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Family
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