CN115441186B - 提高端口互隔离度的天线阵列 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提高端口互隔离度的天线阵列，包括置于金属反射板上的低频单元和高频单元，低频单元中心点和高频单元中心点的平面距离为45mm。低频单元置于金属反射板上方36mm位置处，高频单元置于金属反射板上方18mm位置处。通过在低频单元偶极子臂所在的介质板的上、下表面设置长度不同的耦合抑制结构，使得低频单元和和高频单元端口互隔离度在3.3～3.8GHz频段内得到提升。本发明解决了现有技术中存在的天线阵列价格昂贵、结构复杂的问题，同时解决了现有技术中耦合抑制结构作用带宽较窄的问题。

Description

提高端口互隔离度的天线阵列
技术领域
本发明属于移动通信技术领域，具体涉及一种提高端口互隔离度的天线阵列。
背景技术
随着第五代(the fifth generation，5G)通信技术的成熟，5G基站的建设规模日益增大。为节省塔面空间和运营成本，通信公司更希望将5G天线与原来的第二、三、四代(the second,third,fourth generation，2G/3G/4G)通信天线集成在一起。不同频段天线之间临近放置则会导致天线端口隔离度下降，天线之间产生严重干扰、整机性能受到影响。为了解决这一问题，文献[Y.Zhang,X.Y.Zhang,L.Ye and Y.Pan,“Dual-Band BaseStation Array Using Filtering Antenna Elements for Mutual CouplingSuppression,”IEEE Trans.Antennas and Propag.,vol.64,no.8,pp.3423-3430,Aug.2016]提出了一种滤波天线单元构成的双频天线阵，它包含工作频率临近的两个子阵列，每个子阵列由具有带外抑制特性的滤波天线单元组成。这样一来，两个子阵列在对方频段内的辐射将受到抑制，故而可以获得高隔离性。2021年，申请人在[H.Huang,X.Li andY.Liu,"A Method to Suppress the Coupling of Dual-Frequency Antennas,"in IEEEAntennas and Wireless Propagation Letters,vol.20,no.8,pp.1458-1462,Aug.2021,doi:10.1109/LAWP.2021.3086810]一文中提出了一种新方法，在低频单元偶极子臂所在的中层介质板的上方和下方，通过层压加工工艺，分别设置一个介电常数10.2，厚度0.635mm的介质板，然后，在上层介质板的上表面和下层介质板的下表面分别印制一组周期结构(耦合抑制结构)，每组周期结构由四个矩形微带贴片组成，相邻矩形微带贴片之间有一定的间隔。该周期结构使得低频单元无法感知高频单元的能量，提高了高频单元工作频段3400-3600MHz内的高低频单元之间的端口隔离度，而且该周期结构对天线的阻抗特性和辐射特性几乎没有影响。但上述方法存在两个缺点，一是层压加工工艺价格昂贵，二是多层介质板结构不利于天线集成化、平面化，三是受限于矩形周期结构的性能，高低频单元之间的端口隔离度只能在较小范围内(3400-3600MHz)得到提升，不满足现有5G频段从3300MHz至3800MHz的需求。
综上所述，5G通信系统需要一种价格低廉、平面化的、集成度高、耦合抑制结构作用带宽较宽的方法，用于提升不同频段天线之间的互隔离度。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高端口互隔离度的天线阵列，解决了现有技术中存在的天线阵列价格昂贵、结构复杂的问题，同时解决了现有技术中耦合抑制结构作用带宽较窄的问题。
本发明所采用的技术方案是，提高端口互隔离度的天线阵列，包括置于金属反射板上的低频单元和高频单元，低频单元中心点和高频单元中心点的平面距离为45mm。
本发明的特点还在于，
低频单元置于金属反射板上方36mm位置处，高频单元置于金属反射板上方18mm位置处。
低频单元包括第一介质板，第一介质板中心位置处开设有第一金属化过孔和第二金属化过孔，第一介质板底部还设置有第一同轴馈线和第二同轴馈线，第一同轴馈线的内芯垂直穿过第一介质板设置，且第一同轴馈线的内芯的长度与第一介质板的厚度一致，第一同轴馈线的外芯设置于第一介质板的底部，第二同轴馈线的内芯垂直穿过第一介质板设置，且第二同轴馈线的内芯的长度与第一介质板的厚度一致，第二同轴馈线的外芯设置于第一介质板的底部。
第一介质板沿+45°方向的上层印制有第一偶极子的臂a，第一介质板沿+45°方向的下层印制有第一偶极子的臂b，第一馈线的一端与第一偶极子的臂a的一端相连，第一馈线的另一端与第一同轴馈线的内芯相连，第一偶极子的臂b与第一同轴馈线的外芯相连，第一介质板沿-45°方向的上层印制有第二偶极子的臂a，第一介质板沿-45°方向的下层印制有第二偶极子的臂b，第二馈线处于介质板上层的部分的一端与第二偶极子的臂a的一端相连，第二馈线处于介质板上层的部分的另一端与第二同轴馈线的内芯相连，第二偶极子的臂b与第二同轴馈线的外芯相连，第一金属化过孔2和第二金属化过孔的顶端与第二馈线处于介质板上层的部分相连，第一金属化过孔和第二金属化过孔的底端与第二馈线处于介质板下层的部分相连。
第一介质板上还设置有耦合抑制结构，耦合抑制结构包括印制在第一介质板上层的第一矩形微带和印制在第一介质板下层的第二矩形微带，第一矩形微带、第二矩形微带均关于所述低频单元的中心点旋转对称；位于低频单元同一侧的第一矩形微带和第二矩形微带相互平行；第一矩形微带分别位于在第一偶极子的臂a、第二偶极子的臂a、第一偶极子的臂b、第二偶极子的臂b的一侧，其中第一偶极子的臂a、第二偶极子的臂a与第一矩形微带处于同一层，第一偶极子的臂b、第二偶极子的臂b与第一矩形微带处于不同层；
第二矩形微带分别在第一偶极子的臂a、第二偶极子的臂a、第一偶极子的臂b、第二偶极子的臂b的另一侧；其中第一偶极子的臂a、第二偶极子的臂a与第二矩形微带处于不同层，第一偶极子的臂b、第二偶极子的臂b与第二矩形微带处于同一层。
第一介质板采用介电常数4.4的FR-4介质板，厚度为1.6mm。
第一偶极子的臂a和第一偶极子的臂b的总长度为48mm，第二偶极子的臂a和第二偶极子的臂b的总长度为48mm，第一矩形微带的长度为24.5mm，第二矩形微带的长度为25.5mm，第一矩形微带与第一偶极子的臂a、第二偶极子的臂a、第一偶极子的臂b、第二偶极子的臂b之间的距离均为2.5mm，第二矩形微带与第一偶极子的臂a、第二偶极子的臂a、第一偶极子的臂b、第二偶极子的臂b之间的距离均为2.5mm。
高频单元包括第二介质板，第二介质板的中心位置处开设有第三金属化过孔和第四金属化过孔，第二介质板底部还设置有第三同轴馈线和第四同轴馈线，第三同轴馈线的内芯垂直穿过第二介质板设置，且第三同轴馈线的内芯的长度与第二介质板的厚度一致，第三同轴馈线的外芯设置于第二介质板的底部，第四同轴馈线的内芯垂直穿过第二介质板设置，且第四同轴馈线的内芯的长度与第二介质板的厚度一致，第四同轴馈线的外芯设置于第二介质板的底部。
第二介质板沿0°方向的上层印制有第三偶极子的臂a，第二介质板沿0°方向的下层印制有第三偶极子的臂b，第三馈线的一端与第三偶极子的臂a的一端相连，第三馈线的另一端与第三同轴馈线的内芯相连，第三偶极子的臂b与第三同轴馈线的外芯相连，第二介质板沿90°方向的上层印制有第四偶极子的臂a，第二介质板沿90°方向的下层印制有第四偶极子的臂b，第四馈线处于介质板上层的部分的一端与第四偶极子的臂a的一端相连，第四馈线处于介质板上层的部分的另一端与第四同轴馈线的内芯相连，第四偶极子的臂b与第四同轴馈线的外芯相连，第三金属化过孔和第四金属化过孔的顶端与第四馈线处于介质板上层的部分相连，第三金属化过孔和第四金属化过孔的底端与第四馈线处于介质板下层的部分相连。
第二介质板采用介电常数4.4的FR-4介质板，厚度为0.8mm，第三偶极子的臂a和第三偶极子的臂b的总长度为18mm，第四偶极子的臂a和第四偶极子的臂b的总长度为18mm。
本发明的有益效果是，提高端口互隔离度的天线阵列，采用耦合抑制结构分别放置于低频单元偶极子臂的两侧，用以吸收高频单元能量，提高低频单元和高频单元端口互隔离度；与现有技术相比，本发明无需层压工艺、成本低；易于平面化且集成度高；本发明采用长度不同的耦合抑制结构可使其作用带宽展宽。
附图说明
图1是本发明整体结构示意图；
图2是本发明整体结构侧视图；
图3(a)和图3(b)分别是实施例低频单元和高频单元的S参数图；
图4(a)和图4(b)分别是实施例低频单元在1.8GHz的仿真方向图和高频单元在3.55GHz的仿真方向图；
图5是实施例未设置耦合抑制结构时的结构示意图；
图6(a)和图6(b)分别是实施例未设置耦合抑制结构时，低频单元和高频单元的S参数图；
图7(a)和图7(b)分别是实施例未设置耦合抑制结构时，低频单元在1.8GHz的仿真方向图和高频单元在3.55GHz的仿真方向图。
图中，1.低频单元，11.第一介质板，111.第一偶极子的臂a，112.第一偶极子的臂b，113.第二偶极子的臂a，114.第二偶极子的臂b，115.第一馈线，116.第二馈线上表面，117.第二馈线下表面，12.第一金属化过孔，13.第二金属化过孔，14.第一同轴馈线，15.第二同轴馈线，2.高频单元，21.第二介质板，211.第三偶极子的臂a，212.第三偶极子的臂b，213.第四偶极子的臂a，214.第四偶极子的臂b，215.第三馈线，216.第四馈线上表面，217.第四馈线下表面，22.第三金属化过孔，23.第四金属化过孔，24.第三同轴馈线，25.第四同轴馈线，3.耦合抑制结构，31.第一矩形微带，32.第二矩形微带，4.金属反射板。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明提高端口互隔离度的天线阵列，结构如图1、图2所示，包括置于金属反射板4上的低频单元1和高频单元2，低频单元1中心点和高频单元2中心点的平面距离为45mm。
低频单元1置于金属反射板4上方36mm位置处，高频单元2置于金属反射板4上方18mm位置处。低频单元1工作频段为1710-1880MHz，中心频点为1800MHz，经计算，中心频点为1800MHz时对应的波长为166mm，低频单元1置于金属反射板4上方36mm，约为0.21倍的中心频点对应的自由空间波长；高频单元2工作频段为3300-3800MHz，中心频点为3550MHz,经计算，中心频点为3550MHz时对应的波长为84.5mm，高频单元2置于金属反射板4上方18mm，约为0.21倍的中心频点对应的自由空间波长。
低频单元1包括第一介质板11，第一介质板11中心位置处开设有第一金属化过孔12和第二金属化过孔13，第一金属化过孔12和第二金属化过孔13为穿过第一介质板11的金属化过孔。第一介质板11底部还设置有第一同轴馈线14和第二同轴馈线15，第一同轴馈线14的内芯垂直穿过第一介质板11设置，且第一同轴馈线14的内芯的长度与第一介质板11的厚度一致，第一同轴馈线14的外芯设置于第一介质板11的底部，第二同轴馈线15的内芯垂直穿过第一介质板11设置，且第二同轴馈线15的内芯的长度与第一介质板11的厚度一致，第二同轴馈线15的外芯设置于第一介质板11的底部。
第一介质板11沿+45°方向的上层印制有第一偶极子的臂a 111，第一介质板11沿+45°方向的下层印制有第一偶极子的臂b 112，第一馈线115的一端与第一偶极子的臂a 111的一端相连，第一馈线115的另一端与第一同轴馈线14的内芯相连，第一偶极子的臂b 112与第一同轴馈线14的外芯相连，用于给第一偶极子的臂a 111和第一偶极子的臂b 112馈送能量，产生+45°极化波；第一介质板11沿-45°方向的上层印制有第二偶极子的臂a113，第一介质板11沿-45°方向的下层印制有第二偶极子的臂b114，第二馈线处于介质板上层的部分116的一端与第二偶极子的臂a113的一端相连，第二馈线处于介质板上层的部分116的另一端与第二同轴馈线15的内芯相连，第二偶极子的臂b 114与第二同轴馈线15的外芯相连，用于给第二偶极子的臂a 113和第二偶极子的臂b 114馈送能量，产生-45°极化波；为了避免馈线交叉，在第一介质板11上设置了第一金属化过孔12和第二金属化过孔13，第一金属化过孔12和第二金属化过孔13的顶端与第二馈线处于介质板上层的部分116相连，第一金属化过孔12和第二金属化过孔13的底端与第二馈线处于介质板下层的部分117相连。
第一介质板11上还设置有耦合抑制结构3，耦合抑制结构3包括印制在第一介质板11上层的第一矩形微带31和印制在第一介质板11下层的第二矩形微带32，第一矩形微带31、第二矩形微带32均关于所述低频单元1的中心点旋转对称；位于低频单元1同一侧的第一矩形微带31和第二矩形微带32相互平行；第一矩形微带31分别位于在第一偶极子的臂a111、第二偶极子的臂a113、第一偶极子的臂b112、第二偶极子的臂b114的一侧，其中第一偶极子的臂a111、第二偶极子的臂a113与第一矩形微带31处于同一层，第一偶极子的臂b112、第二偶极子的臂b114与第一矩形微带31处于不同层；
第二矩形微带32分别在第一偶极子的臂a111、第二偶极子的臂a113、第一偶极子的臂b112、第二偶极子的臂b114的另一侧。其中第一偶极子的臂a111、第二偶极子的臂a113与第二矩形微带32处于不同层，第一偶极子的臂b112、第二偶极子的臂b114与第二矩形微带32处于同一层。
第一矩形微带31和第二矩形微带32与第一偶极子的臂a111、第二偶极子的臂a113、第一偶极子的臂b112、第二偶极子的臂b114共用第一介质板11，降低了生产成本，使天线结构平面化，提升了天线集成度；第一矩形微带31和第二矩形微带32可以吸收高频单元2的能量，使低频单元1与高频单元2端口之间的互隔离度增大；第一矩形微带31和第二矩形微带32可以设置成不同的长度，用来吸收高频频段内不同的频点的能量，以此展宽耦合抑制结构3的作用带宽。
第一介质板11采用介电常数4.4的FR-4介质板，厚度为1.6mm，介质板的介电常数和厚度可根据实际需要进行选择。
该低频单元1工作频段为1710-1880MHz，中心频点为1800MHz，将第一介质板11的介电常数和厚度带入相关计算公式，计算出中心频点为1800MHz时对应的介质波长为79mm。
第一偶极子的臂a111和第一偶极子的臂b112的总长度为48mm，第二偶极子的臂a113和第二偶极子的臂b114的总长度为48mm，即约为0.6倍的介质波长；第一矩形微带31的长度为24.5mm，第二矩形微带32的长度为25.5mm，即约为0.31～0.32倍的介质波长；第一矩形微带31与第一偶极子的臂a 111、第二偶极子的臂a 113、第一偶极子的臂b 112、第二偶极子的臂b 114之间的距离均为2.5mm，第二矩形微带32与第一偶极子的臂a 111、第二偶极子的臂a 113、第一偶极子的臂b 112、第二偶极子的臂b 114之间的距离均为2.5mm。即约为0.03倍的介质波长，技术人员可根据实际需要自行调整尺寸。
高频单元2包括第二介质板21，第二介质板21的中心位置处开设有第三金属化过孔22和第四金属化过孔23，如图2所示，第三金属化过孔22和第四金属化过孔23为穿过第二介质板21的金属化过孔。第二介质板21底部还设置有第三同轴馈线24和第四同轴馈线25，第三同轴馈线24的内芯垂直穿过第二介质板21设置，且第三同轴馈线24的内芯的长度与第二介质板21的厚度一致，第三同轴馈线24的外芯设置于第二介质板21的底部，第四同轴馈线25的内芯垂直穿过第二介质板21设置，且第四同轴馈线25的内芯的长度与第二介质板21的厚度一致，第四同轴馈线25的外芯设置于第二介质板21的底部。
第二介质板21沿0°方向的上层印制有第三偶极子的臂a211，第二介质板21沿0°方向的下层印制有第三偶极子的臂b212，第三馈线215的一端与第三偶极子的臂a211的一端相连，第三馈线215的另一端与第三同轴馈线24的内芯相连，第三偶极子的臂b212与第三同轴馈线24的外芯相连，用于给第三偶极子的臂a 211和第三偶极子的臂b 212馈送能量，产生+0°极化波；第二介质板21沿90°方向的上层印制有第四偶极子的臂a213，第二介质板21沿90°方向的下层印制有第四偶极子的臂b214，第四馈线处于介质板上层的部分216的一端与第四偶极子的臂a213的一端相连，第四馈线处于介质板上层的部分216的另一端与第四同轴馈线25的内芯相连，第四偶极子的臂b214与第四同轴馈线25的外芯相连，用于给第四偶极子的臂a213和第四偶极子的臂b214馈送能量，产生90°极化波；为了避免馈线交叉，在第二介质板21上设置了第三金属化过孔22和第四金属化过孔23，第三金属化过孔22和第四金属化过孔23的顶端与第四馈线处于介质板上层的部分216相连，第三金属化过孔22和第四金属化过孔23的底端与第四馈线处于介质板下层的部分217相连。
第二介质板21采用介电常数4.4的FR-4介质板，厚度为0.8mm。介质板的介电常数和厚度可根据实际需要进行选择；
该高频单元2工作频段为3300-3800MHz，中心频点为3550MHz，将第二介质板21的介电常数和厚度带入相关计算公式，计算出中心频点为3550MHz时对应的介质波长为40mm；
第三偶极子的臂a211和第三偶极子的臂b212的总长度为18mm，第四偶极子的臂a213和第四偶极子的臂b214的总长度为18mm。即约为0.45倍的介质波长，技术人员可根据实际需要自行调整尺寸。
图3(a)和图3(b)给出了实施例低频单元和高频单元的S参数图(第一同轴馈线14的输入端口记做a，第二同轴馈线15的输入端口记做b，第三同轴馈线24的输入端口记做c，第四同轴馈线25的输入端口记做d，图4(a)和图4(b)给出了实施例低频单元在1.8GHz的仿真方向图和高频单元在3.55GHz的仿真方向图；为了对比耦合抑制结构3的效果，图5、图6(a)、图6(b)、图7(a)、图7(b)分别给出了实施例未设置耦合抑制结构时的结构示意图、低频单元和高频单元的S参数图、低频单元在1.8GHz的仿真方向图和高频单元在3.55GHz的仿真方向图。对比图3与图6发现，耦合抑制结构3的设置使得高频单元2的端口c、d与低频单元1的端口a之间的互隔离度(|Sac|、|Sad|)提升了10dB以上；对比图3与图6发现，耦合抑制结构3的设置不会对天线的方向图产生太大影响。综上所述，设置了耦合抑制结构3的天线阵列，低频单元1的工作频段(|Saa|、|Sbb|)可覆盖1710-1880MHz，低频单元1的两个端口之间的自隔离度(|Sba|)大于30dB，低频单元1的端口a与高频单元2的端口c、d之间的互隔离度(|Sca|、|Sda|)分别大于26dB和32.4dB；高频单元2的工作频段(|Scc|、|Sdd|)可覆盖3300-3800MHz，高频单元2的两个端口之间的自隔离度(|Sdc|)大于25dB，高频单元2的端口c、d与低频单元1的端口a之间的互隔离度(|Sac|、|Sad|)分别大于30.3dB和31dB。

Claims (6)

1.提高端口互隔离度的天线阵列，其特征在于，包括置于金属反射板(4)上的低频单元(1)和高频单元(2)，低频单元(1)中心点和高频单元(2)中心点的平面距离为45mm，所述低频单元(1)置于金属反射板(4)上方36mm位置处，高频单元(2)置于金属反射板(4)上方18mm位置处，所述低频单元(1)包括第一介质板(11)，第一介质板(11)中心位置处开设有第一金属化过孔(12)和第二金属化过孔(13)，第一介质板(11)底部还设置有第一同轴馈线(14)和第二同轴馈线(15)，第一同轴馈线(14)的内芯垂直穿过第一介质板(11)设置，且第一同轴馈线(14)的内芯的长度与第一介质板(11)的厚度一致，第一同轴馈线(14)的外芯设置于第一介质板(11)的底部，第二同轴馈线(15)的内芯垂直穿过第一介质板(11)设置，且第二同轴馈线(15)的内芯的长度与第一介质板(11)的厚度一致，第二同轴馈线(15)的外芯设置于第一介质板(11)的底部，所述第一介质板(11)沿+45°方向的上层印制有第一偶极子的臂a(111)，第一介质板(11)沿+45°方向的下层印制有第一偶极子的臂b(112)，第一馈线(115)的一端与第一偶极子的臂a(111)的一端相连，第一馈线(115)的另一端与第一同轴馈线(14)的内芯相连，第一偶极子的臂b(112)与第一同轴馈线(14)的外芯相连，第一介质板(11)沿-45°方向的上层印制有第二偶极子的臂a(113)，第一介质板(11)沿-45°方向的下层印制有第二偶极子的臂b(114)，第二馈线处于介质板上层的部分(116)的一端与第二偶极子的臂a(113)的一端相连，第二馈线处于介质板上层的部分(116)的另一端与第二同轴馈线(15)的内芯相连，第二偶极子的臂b(114)与第二同轴馈线(15)的外芯相连，第一金属化过孔(12)和第二金属化过孔(13)的顶端与第二馈线处于介质板上层的部分(116)相连，第一金属化过孔(12)和第二金属化过孔(13)的底端与第二馈线处于介质板下层的部分(117)相连，所述第一介质板(11)上还设置有耦合抑制结构(3)，耦合抑制结构(3)包括印制在第一介质板(11)上层的第一矩形微带(31)和印制在第一介质板(11)下层的第二矩形微带(32)，第一矩形微带(31)、第二矩形微带(32)均关于所述低频单元(1)的中心点旋转对称；位于低频单元(1)同一侧的第一矩形微带(31)和第二矩形微带(32)相互平行；第一矩形微带(31)分别位于在第一偶极子的臂a(111)、第二偶极子的臂a(113)、第一偶极子的臂b(112)、第二偶极子的臂b(114)的一侧，其中第一偶极子的臂a(111)、第二偶极子的臂a(113)与第一矩形微带(31)处于同一层，第一偶极子的臂b(112)、第二偶极子的臂b(114)与第一矩形微带(31)处于不同层；
第二矩形微带(32)分别在第一偶极子的臂a(111)、第二偶极子的臂a(113)、第一偶极子的臂b(112)、第二偶极子的臂b(114)的另一侧；其中第一偶极子的臂a(111)、第二偶极子的臂a(113)与第二矩形微带(32)处于不同层，第一偶极子的臂b(112)、第二偶极子的臂b(114)与第二矩形微带(32)处于同一层。
2.根据权利要求1所述的提高端口互隔离度的天线阵列，其特征在于，所述第一介质板(11)采用介电常数4.4的FR-4介质板，厚度为1.6mm。
3.根据权利要求2所述的提高端口互隔离度的天线阵列，其特征在于，所述第一偶极子的臂a(111)和第一偶极子的臂b(112)的总长度为48mm，第二偶极子的臂a(113)和第二偶极子的臂b(114)的总长度为48mm，第一矩形微带(31)的长度为24.5mm，第二矩形微带(32)的长度为25.5mm，第一矩形微带(31)与第一偶极子的臂a(111)、第二偶极子的臂a(113)、第一偶极子的臂b(112)、第二偶极子的臂b(114)之间的距离均为2.5mm，第二矩形微带(32)与第一偶极子的臂a(111)、第二偶极子的臂a(113)、第一偶极子的臂b(112)、第二偶极子的臂b(114)之间的距离均为2.5mm。
4.根据权利要求3所述的提高端口互隔离度的天线阵列，其特征在于，所述高频单元(2)包括第二介质板(21)，第二介质板(21)的中心位置处开设有第三金属化过孔(22)和第四金属化过孔(23)，第二介质板(21)底部还设置有第三同轴馈线(24)和第四同轴馈线(25)，第三同轴馈线(24)的内芯垂直穿过第二介质板(21)设置，且第三同轴馈线(24)的内芯的长度与第二介质板(21)的厚度一致，第三同轴馈线(24)的外芯设置于第二介质板(21)的底部，第四同轴馈线(25)的内芯垂直穿过第二介质板(21)设置，且第四同轴馈线(25)的内芯的长度与第二介质板(21)的厚度一致，第四同轴馈线(25)的外芯设置于第二介质板(21)的底部。
5.根据权利要求4所述的提高端口互隔离度的天线阵列，其特征在于，所述第二介质板(21)沿0°方向的上层印制有第三偶极子的臂a(211)，第二介质板(21)沿0°方向的下层印制有第三偶极子的臂b(212)，第三馈线(215)的一端与第三偶极子的臂a(211)的一端相连，第三馈线(215)的另一端与第三同轴馈线(24)的内芯相连，第三偶极子的臂b(212)与第三同轴馈线(24)的外芯相连，第二介质板(21)沿90°方向的上层印制有第四偶极子的臂a(213)，第二介质板(21)沿90°方向的下层印制有第四偶极子的臂b(214)，第四馈线处于介质板上层的部分(216)的一端与第四偶极子的臂a(213)的一端相连，第四馈线处于介质板上层的部分(216)的另一端与第四同轴馈线(25)的内芯相连，第四偶极子的臂b(214)与第四同轴馈线25的外芯相连，第三金属化过孔(22)和第四金属化过孔(23)的顶端与第四馈线处于介质板上层的部分(216)相连，第三金属化过孔(22)和第四金属化过孔(23)的底端与第四馈线处于介质板下层的部分(217)相连。
6.根据权利要求5所述的提高端口互隔离度的天线阵列，其特征在于，所述第二介质板(21)采用介电常数4.4的FR-4介质板，厚度为0.8mm，第三偶极子的臂a(211)和第三偶极子的臂b(212)的总长度为18mm，第四偶极子的臂a(213)和第四偶极子的臂b(214)的总长度为18mm。
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