CN115425106A - 光电探测器件 - Google Patents

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程锦
张洁
彭志良
王迎姿
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Abstract

本发明公开了一种光电探测器件，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。

Description

光电探测器件
技术领域
本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种光电探测器件。
背景技术
基于非晶硅(a-Si)光电二极管(PIN)的大面积平板探测器逐渐成为一项成熟的技术，在医用X射线成像、指纹识别等领域已经取得了良好的成绩。然而，X射线的超低剂量探测技术永远是人们追求的目标，并且当前手机屏幕透过率呈现越来越低的趋势，亟需一种更高灵敏度的探测器实现对微弱光的有效探测。雪崩光电二极管(APD)内部因载流子雪崩，具有对微弱的光电流产生放大的作用，即具有倍增特性，因此在电放大之前，利用APD的倍增作用，可以得到很高的灵敏度。非晶硅APD需要引入一个强电场区域，从而保证载流子可以获得足够的能量形成雪崩倍增。一般的叠层结构的APD使倍增区整层都处于一个高电场状态，器件的边缘由于刻蚀的影响缺陷较多，过高的边缘电场不可避免地使器件暗电流增大，容易发生器件边缘较器件内部先发生击穿的情况，影响非晶硅APD器件的性能。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种光电探测器件，用以解决器件边缘较器件内部易发生击穿的问题。
本发明实施例提供了一种光电探测器件，包括：
PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；
所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。
其中，所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述第一中心区域的掺杂浓度大于所述第一边缘区域的掺杂浓度。
其中，所述第一边缘区域的宽度大于等于89nm；和/或
所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述P型掺杂层的第一中心区域的掺杂浓度与所述P型掺杂层的第一边缘区域的掺杂浓度之比为10-100；和/或
所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述P型掺杂层的第一中心区域的掺杂浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，所述P型掺杂层的第一边缘区域的掺杂浓度为1×1015/cm3-5×1016/cm3。
其中，所述N型掺杂层具有第二中心区域与第二边缘区域，所述第二中心区域的掺杂浓度大于所述第二边缘区域的掺杂浓度。
其中，所述第二边缘区域的宽度大于等于97nm；和/或
所述N型掺杂层的第二中心区域的掺杂浓度与所述N型掺杂层的第二边缘区域的掺杂浓度之比为10-100；和/或
所述N型掺杂层的第二中心区域的掺杂浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，所述N型掺杂层的第二边缘区域的掺杂浓度为1×1015/cm3-5×1016/cm3。
其中，所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述P型掺杂层的第一边缘区域的掺杂浓度为0；和/或
所述N型掺杂层具有第二中心区域与第二边缘区域，所述N型掺杂层的第二边缘区域的掺杂浓度为0。
其中，还包括：
倍增层，所述倍增层设置于所述P型掺杂层与所述N型掺杂层之间，所述倍增层包括本征半导体层，所述本征半导体层包括硅、锗中的至少一种元素。
其中，所述倍增层的厚度为30-50nm。
其中，还包括：
吸收层，所述吸收层设置于所述P型掺杂层远离所述N型掺杂层的一侧，所述吸收层包括本征半导体层，所述本征半导体层包括硅、锗中的至少一种元素。
其中，所述吸收层的厚度为500-1000nm。
其中，还包括：
顶部接触层，所述顶部接触层设置于所述P型掺杂层远离所述N型掺杂层的一侧，所述顶部接触层包括P型掺杂的接触层。
其中，所述P型掺杂层的厚度为5-10nm；和/或
所述N型掺杂层的厚度为25-40nm。
其中，还包括：
第一电极与第二电极，所述PN结层设置于所述第一电极与所述第二电极之间。
本发明实施例的光电探测器件包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
附图说明
图1为本发明实施例中光电探测器件的一个结构示意图；
图2为P型掺杂层的一个俯视图；
图3为图1中光电探测器件的倍增区的一个电场分布图；
图4为本发明实施例中光电探测器件的另一个结构示意图；
图5为P型掺杂层的另一个俯视图；
图6为本发明实施例中光电探测器件的又一个结构示意图；
图7为N型掺杂层的一个俯视图；
图8为图6中光电探测器件的倍增区的一个电场分布图；
图9为本发明实施例中光电探测器件的又一个结构示意图；
图10为N型掺杂层的一个俯视图；
图11为P型掺杂层的一个俯视图；
图12为图9中光电探测器件的倍增区的一个电场分布图；
附图标记
P型掺杂层10；第一中心区域11；第一边缘区域12；
N型掺杂层20；第二中心区域21；第二边缘区域22；
倍增层30；
吸收层40；
顶部接触层50；
第一电极61；第二电极62。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
如图1至图12所示，本发明实施例的光电探测器件，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层10与N型掺杂层20，P型掺杂层10的本征半导体可以为a-Si，P型掺杂层10的掺杂元素可以为硼、镓、铟和铝中的至少一种，比如，P型掺杂层10的掺杂元素可以为硼。N型掺杂层20的本征半导体可以为a-Si，N型掺杂层20的掺杂元素可以为磷、砷、锑中的至少一种，比如，N型掺杂层20的掺杂元素可以为磷。
PN结层具有中心区域与边缘区域，边缘区域围绕中心区域设置，边缘区域可以为环状，边缘区域的内周边沿可以与中心区域的外周边沿连接接触，中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度。通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低。由于器件表面缺陷的存在导致器件存在表面漏电流，如果器件边缘电场较高不可避免地会引起器件的表面漏电流提高，本发明中将强电场集中于器件中心区域，边缘区域电场得以降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
在一些实施例中，如图1、图2以及图4、图5所示，P型掺杂层10具有第一中心区域11与第一边缘区域12，第一中心区域11的掺杂浓度大于第一边缘区域12的掺杂浓度。通过将第一中心区域11的掺杂浓度大于第一边缘区域12的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。
可选地，第一边缘区域12的宽度大于等于89nm，比如，第一边缘区域12的宽度可以为92nm，可以根据实际的情况选择，使得第一边缘区域12具有足够的宽度，以便在足够宽度的区域内有效避免器件发生边缘击穿。
可选地，P型掺杂层10具有第一中心区域11与第一边缘区域12，P型掺杂层10的第一中心区域11的掺杂浓度与P型掺杂层10的第一边缘区域12的掺杂浓度之比为10-100，比如，P型掺杂层10的第一中心区域11的掺杂浓度与P型掺杂层10的第一边缘区域12的掺杂浓度之比为50，具体的比值可以根据实际选择，使得P型掺杂层10的第一中心区域11的掺杂浓度与P型掺杂层10的第一边缘区域12的掺杂浓度具有足够的浓度差，以便于使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。
可选地，P型掺杂层10具有第一中心区域11与第一边缘区域12，P型掺杂层10的第一中心区域11的掺杂浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，P型掺杂层10的第一边缘区域12的掺杂浓度为1×1015/cm3-5×1016/cm3。比如，P型掺杂层10的第一中心区域11的掺杂浓度为1×1016/cm3，P型掺杂层10的第一边缘区域12的掺杂浓度为1×1015/cm3，使得第一中心区域11的掺杂浓度与第一边缘区域12的掺杂浓度具有足够的浓度差，以使中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。
在一些实施例中，如图6、图7以及图9至图11所示，N型掺杂层20具有第二中心区域21与第二边缘区域22，第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度。通过将第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。第一中心区域11与第二中心区域21在第一平面上的正投影可以完全重合，第一边缘区域12与第二边缘区域22在第一平面上的正投影可以完全重合，第一平面为与N型掺杂层20平行的平面，使得边缘区域的电场降低。
器件底部的N型掺杂层20同样对于器件的内部电场有很明显的调控作用，N型掺杂层20的掺杂浓度越高，器件内部整体电场就越高。因此，设置为第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度，也能有效地使边缘电场降低，电场向器件中心集中。对于N型掺杂层20掺杂分布区域划分，边缘区域可以以器件最窄处为标准，现有非晶硅APD结构N型掺杂层20上方的厚度可以为550nm，坡度角为80°，N型掺杂层20的低掺杂区域从边沿向内的宽度可以大于97nm，保证整个器件的边缘都能得到有效地调控。但是N型掺杂层20的电场不宜过高，防止载流子在N型掺杂层20继续发生倍增，引入较大的过剩噪声，因此N型掺杂层20的低掺杂区域只是相较于其中心的重掺杂区域的掺杂浓度而言，实际上仍应保持着较高的掺杂浓度。对于不同器件，具体的规格可以根据实际器件的具体结构进行相应的调整。
可选地，第二边缘区域22的宽度大于等于97nm，比如，第二边缘区域22的宽度大于等于100nm，可以根据实际的情况选择，使得第二边缘区域22具有足够的宽度，以便在足够宽度的区域内有效避免器件发生边缘击穿。
可选地，N型掺杂层20的第二中心区域21的掺杂浓度与N型掺杂层20的第二边缘区域22的掺杂浓度之比为10-100，比如，N型掺杂层20的第二中心区域21的掺杂浓度与N型掺杂层20的第二边缘区域22的掺杂浓度之比为60，具体的比值可以根据实际选择，使得P型掺杂层10的第二中心区域21的掺杂浓度与P型掺杂层10的第二边缘区域22的掺杂浓度具有足够的浓度差，以便于使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。
可选地，N型掺杂层20的第二中心区域21的掺杂浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，N型掺杂层20的第二边缘区域22的掺杂浓度为1×1015/cm3-5×1016/cm3，比如，N型掺杂层20的第二中心区域21的掺杂浓度为5×1018/cm3，第二边缘区域22的掺杂浓度为5×1016/cm3，使得第二中心区域21的掺杂浓度与第二边缘区域22的掺杂浓度具有足够的浓度差，以使中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。
可选地，P型掺杂层10具有第一中心区域11与第一边缘区域12，P型掺杂层10的第一边缘区域12的掺杂浓度为0，减少掺杂的区域，简化工艺，不需要掺杂第一边缘区域12，只需要掺杂第一中心区域11就可以使得第一中心区域11的掺杂浓度与第一边缘区域12的掺杂浓度具有足够的浓度差，以使中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。在P型掺杂层10的中心区域进行重掺杂，边缘区域不进行掺杂，P型掺杂层10可以包括本征型a-Si:H，器件中心区域可以为PIPIN结构，边缘区域可以为PIN结构，呈现一种PIN与APD结合的结构。现有的非晶硅APD具备较高的增益但又不可避免高的暗电流，而a-SiPIN则有较低的暗电流，因此，这种边缘区域PIN与中心区域APD的结合结构，可以综合两种器件的性能，实现器件增益与暗电流的平衡。
可选地，N型掺杂层20具有第二中心区域21与第二边缘区域22，N型掺杂层20的第二边缘区域22的掺杂浓度为0，减少掺杂的区域，简化工艺，不需要掺杂第二边缘区域22，只需要掺杂第二中心区域21就可以使得第二中心区域21的掺杂浓度与第二边缘区域22的掺杂浓度具有足够的浓度差，以使中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，有效避免器件发生边缘击穿。
在一些实施例中，如图1、图4以及图6至图9所示，器件还包括：倍增层30，倍增层30设置于P型掺杂层10与N型掺杂层20之间，倍增层30包括本征半导体层，本征半导体层包括硅、锗中的至少一种元素，比如，本征半导体层包括a-Si。P型掺杂层的中心区域可以重掺杂，以在倍增层30实现一个强电场，载流子在强电场中加速获得高动能，从而碰撞晶格原子电离出更多载流子，从而实现信号的增益。
可选地，倍增层30的厚度为30-50nm，比如，倍增层30的厚度可以为30nm，具体的厚度可以根据实际选择。
在本发明的实施例中，如图1、图4以及图6至图9所示，器件还包括：吸收层40，吸收层40设置于P型掺杂层10远离N型掺杂层20的一侧，P型掺杂层10可以位于吸收层40与倍增层30之间，吸收层40包括本征半导体层，本征半导体层包括硅、锗中的至少一种元素，比如，本征半导体层包括a-Si。在光吸收阶段，光子被吸收层40吸收并产生初级电子-空穴对，并被吸收区电场分离。
可选地，吸收层40的厚度为500-1000nm，比如，吸收层40的厚度可以为500nm，以使得吸收层40具有足够的厚度，使得吸收层40可以较好的吸收光子。
在一些实施例中，如图1、图4以及图6至图9所示，器件还包括：顶部接触层50，顶部接触层50设置于P型掺杂层10远离N型掺杂层20的一侧，顶部接触层50包括P型掺杂的接触层。吸收层40可以设置于顶部接触层50与P型掺杂层10之间，顶部接触层50可以为P型掺杂的接触层。P型掺杂的接触层的本征半导体可以为a-Si，P型掺杂的接触层的掺杂元素可以为硼、镓、铟和铝中的至少一种，比如，P型掺杂的接触层的掺杂元素可以为硼。光照到顶部接触层50时经过顶部接触层50进入吸收层40，以使吸收层40可以吸收光子。
可选地，P型掺杂层10的厚度为5-10nm，比如，P型掺杂层10的厚度为5nm，具体的厚度可以根据实际选择。N型掺杂层20的厚度为25-40nm，比如，N型掺杂层20的厚度可以为35nm，具体的厚度可以根据实际选择。
在本发明的实施例中，如图1、图4以及图6至图9所示，器件还包括：第一电极61与第二电极62，PN结层设置于第一电极61与第二电极62之间，第一电极61与第二电极62可以与电源连接，第一电极61可以设置于顶部接触层50远离吸收层40的一侧，第一电极61可以为透光导电材料，比如，第一电极61可以为氧化铟锡(ITO)，通过第一电极61与第二电极62可以施加电场。
在一个具体实施例中，器件包括：层叠设置的顶部接触层50、吸收层40、P型掺杂层10、倍增层30、N型掺杂层20，P型掺杂层10可以作为电荷层，电荷层可以调控倍增层的电场强度，电荷层可以重掺杂在倍增层实现一个强电场，载流子在强电场中加速获得高动能，从而碰撞晶格原子电离出更多载流子，从而实现信号的增益。
电荷层对于APD器件内部的电场有非常明显的调控作用，电荷层掺杂浓度越高，倍增层电场越高，因此，对电荷层进行掺杂分布的优化，可以优化器件内部电场的分布。对电荷层中心区域可以进行重掺杂，电荷层的边缘区域掺杂浓度较中心区域可以低1～2个数量级，可以减小器件边缘区域的电场，可以将倍增过程限制于器件中心，稳定器件增益的同时可以降低器件表面漏电流，防止边缘区域击穿。边缘区域可以以器件最窄处为标准，以现有的非晶硅APD器件为例，器件刻蚀后的坡度角可以为80°，吸收层40与顶部接触层50的厚度可以为505nm，电荷层的低掺杂区域从边沿向内宽度可以大于89nm，以确保整个器件的边缘电场都能得到有效调控。对于不同器件，具体的规格可以根据实际器件的具体结构进行相应的调整。
在一个实施例中，如图1所示，器件包括：层叠设置的顶部接触层50、吸收层40、P型掺杂层10、倍增层30、N型掺杂层20，P型掺杂层10可以作为电荷层，P型掺杂层10具有第一中心区域11与第一边缘区域12，第一中心区域11的掺杂浓度大于第一边缘区域12的掺杂浓度，如图3所示，本发明中器件的倍增区的电场分布可以如曲线a2所示；比较例1中，P型掺杂层10整层的掺杂浓度与第一中心区域11的掺杂浓度相同，其他结构与本发明中的器件结构相同，a1表示比较例1中器件的倍增区的电场分布。可见，第一中心区域11的掺杂浓度大于第一边缘区域12的掺杂浓度，可以使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
在另一个实施例中，如图6所示，器件包括：层叠设置的顶部接触层50、吸收层40、P型掺杂层10、倍增层30、N型掺杂层20，P型掺杂层10可以作为电荷层，N型掺杂层20具有第二中心区域21与第二边缘区域22，第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度，如图8所示，本发明中器件的倍增区的电场分布可以如曲线b2所示；比较例2中，N型掺杂层20整层的掺杂浓度与第二中心区域21的掺杂浓度相同，其他结构与本发明中的器件结构相同，b1表示比较例2中器件的倍增区的电场分布。可见，第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度，可以使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
在一个实施例中，如图9所示，器件包括：层叠设置的顶部接触层50、吸收层40、P型掺杂层10、倍增层30、N型掺杂层20，P型掺杂层10可以作为电荷层，P型掺杂层10具有第一中心区域11与第一边缘区域12，第一中心区域11的掺杂浓度大于第一边缘区域12的掺杂浓度。N型掺杂层20具有第二中心区域21与第二边缘区域22，第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度，如图12所示，本发明中器件的倍增区的电场分布可以如曲线c2所示；比较例3中，P型掺杂层10整层的掺杂浓度与第一中心区域11的掺杂浓度相同，N型掺杂层20整层的掺杂浓度与第二中心区域21的掺杂浓度相同，其他结构与本发明中的器件结构相同，c1表示比较例3中器件的倍增区的电场分布。可见，第一中心区域11的掺杂浓度大于第一边缘区域12的掺杂浓度，第二中心区域21的掺杂浓度大于第二边缘区域22的掺杂浓度，可以使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (13)

1.一种光电探测器件，其特征在于，包括：
PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；
所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述第一中心区域的掺杂浓度大于所述第一边缘区域的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一边缘区域的宽度大于等于89nm；和/或
所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述P型掺杂层的第一中心区域的掺杂浓度与所述P型掺杂层的第一边缘区域的掺杂浓度之比为10-100；和/或
所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述P型掺杂层的第一中心区域的掺杂浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，所述P型掺杂层的第一边缘区域的掺杂浓度为1×1015/cm3-5×1016/cm3。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述N型掺杂层具有第二中心区域与第二边缘区域，所述第二中心区域的掺杂浓度大于所述第二边缘区域的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第二边缘区域的宽度大于等于97nm；和/或
所述N型掺杂层的第二中心区域的掺杂浓度与所述N型掺杂层的第二边缘区域的掺杂浓度之比为10-100；和/或
所述N型掺杂层的第二中心区域的掺杂浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，所述N型掺杂层的第二边缘区域的掺杂浓度为1×1015/cm3-5×1016/cm3。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型掺杂层具有第一中心区域与第一边缘区域，所述P型掺杂层的第一边缘区域的掺杂浓度为0；和/或
所述N型掺杂层具有第二中心区域与第二边缘区域，所述N型掺杂层的第二边缘区域的掺杂浓度为0。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：
倍增层，所述倍增层设置于所述P型掺杂层与所述N型掺杂层之间，所述倍增层包括本征半导体层，所述本征半导体层包括硅、锗中的至少一种元素。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述倍增层的厚度为30-50nm。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：
吸收层，所述吸收层设置于所述P型掺杂层远离所述N型掺杂层的一侧，所述吸收层包括本征半导体层，所述本征半导体层包括硅、锗中的至少一种元素。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述吸收层的厚度为500-1000nm。
11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：
顶部接触层，所述顶部接触层设置于所述P型掺杂层远离所述N型掺杂层的一侧，所述顶部接触层包括P型掺杂的接触层。
12.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型掺杂层的厚度为5-10nm；和/或
所述N型掺杂层的厚度为25-40nm。
13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：
第一电极与第二电极，所述PN结层设置于所述第一电极与所述第二电极之间。
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